RU2018132725A - Выращивание нанотрубок из свободных атомов - Google Patents
Выращивание нанотрубок из свободных атомов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2018132725A RU2018132725A RU2018132725A RU2018132725A RU2018132725A RU 2018132725 A RU2018132725 A RU 2018132725A RU 2018132725 A RU2018132725 A RU 2018132725A RU 2018132725 A RU2018132725 A RU 2018132725A RU 2018132725 A RU2018132725 A RU 2018132725A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- broadtip
- raw
- growing
- growing nanotubes
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0009—Forming specific nanostructures
- B82B3/0019—Forming specific nanostructures without movable or flexible elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
- C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
- C01B32/164—Preparation involving continuous processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
- C23C28/321—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer with at least one metal alloy layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
- C23C28/322—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer only coatings of metal elements only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
- C01P2004/13—Nanotubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Claims (20)
1. Устройство для выращивания нанотрубок, содержащее: источник электромагнитного излучения, способный излучать электромагнитное излучение, которое может высвобождать сырьевой атом для его миграции; подложку, способную пропускать электромагнитное излучение с тыльной стороны на лицевую сторону; сырьевой слой на лицевой стороне подложки, способный поглощать электромагнитное излучение; сырьевые атомы в сырьевом слое, способные высвобождаться, поглощая электромагнитное излучение, и мигрировать; каталитический слой на лицевой стороне сырьевого слоя, обеспечивающий возможность роста нанотрубок из сырьевых атомов; и инертную атмосферу, представляющую собой среду вблизи лицевой стороны сырьевого слоя.
2. Устройство для выращивания нанотрубок по п. 1, отличающееся тем, что каталитический слой заменен частицами катализатора.
3. Устройство для выращивания нанотрубок по п. 1, отличающееся тем, что источник электромагнитного излучения обеспечивает облучение подложки с лицевой стороны, а не с тыльной стороны.
4. Устройство для выращивания нанотрубок по п. 1, отличающееся тем, что вместо сырьевого слоя используют сырьевой резервуар.
5. Устройство для выращивания нанотрубок по п. 1, отличающееся тем, что источник электромагнитного излучения, установленный отдельно от подложки, выбран из группы, состоящей из лазера, светодиодной лампы, флуоресцентной лампы или лампы накаливания.
6. Устройство для выращивания нанотрубок по п. 1, отличающееся тем, что источник электромагнитного излучения, выполненный как часть указанной подложки, выбран из группы, состоящей из светодиода или лазера; и дополнительное усиление энергии включает оптический усилитель, выполненный как часть указанной подложки.
7. Устройство для выращивания нанотрубок по п. 1, отличающееся тем, что сырьевые атомы выбраны из группы материалов, способных образовывать нанотрубки, состоящие из углерода; кремния; бора и азота; алюминия и азота; или галлия и азота.
8. Устройство для выращивания нанотрубок по п. 1, отличающееся тем, что каталитический слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из железа, никеля, кобальта, меди, золота, серебра, платины, палладия, марганца, хрома, олова, магния, алюминия, иттрия, ванадия, молибдена, рения и сплавов указанных металлов.
9. Система наконечника Broadtip для выращивания нанотрубок, содержащая подложку в сборе Broadtip по п. 1; наконечник в сборе Broadtip, с которым интегрирована подложка в сборе Broadtip; шарнирный манипулятор, к которому присоединен наконечник в сборе Broadtip; и подвижную платформу, к которой присоединен шарнирный манипулятор.
10. Система наконечника Broadtip для выращивания нанотрубок по п. 9, отличающаяся тем, что вместо каталитического слоя используют частицы катализатора.
11. Система наконечника Broadtip для выращивания нанотрубок по п. 9, отличающаяся тем, что источник электромагнитного излучения обеспечивает облучение подложки с лицевой стороны, а не с тыльной стороны.
12. Система наконечника Broadtip для выращивания нанотрубок по п. 9, отличающаяся тем, что вместо сырьевого слоя используют сырьевой резервуар.
13. Система наконечника Broadtip для выращивания нанотрубок по п. 9, отличающаяся тем, что источник электромагнитного излучения, установленный отдельно от подложки, выбран из группы, состоящей из лазера, светодиодной лампы, флуоресцентной лампы или лампы накаливания.
14. Система наконечника Broadtip для выращивания нанотрубок по п. 9, отличающаяся тем, что источник электромагнитного излучения, выполненный как часть указанной подложки, выбран из группы, состоящей из светодиода или лазера; и дополнительное усиление энергии включает оптический усилитель, выполненный как часть указанной подложки.
15. Система наконечника Broadtip для выращивания нанотрубок по п. 9, отличающаяся тем, что сырьевые атомы выбраны из группы материалов, способных образовывать нанотрубки, состоящие из углерода; кремния; бора и азота; алюминия и азота; или галлия и азота.
16. Система наконечника Broadtip для выращивания нанотрубок по п. 9, отличающаяся тем, что каталитический слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из железа, никеля, кобальта, меди, золота, серебра, платины, палладия, марганца, хрома, олова, магния, алюминия, иттрия, ванадия, молибдена, рения и сплавов указанных металлов.
17. Способ выращивания нанотрубок, включающий следующие стадии: 1) получение подложки, включая модификацию ее поверхности для обеспечения требуемой шероховатости и профиля; 2) нанесение сырьевого слоя на указанную подложку; 3) завершение сборки подложки посредством нанесения тонкой пленки катализатора на поверхность сырьевого слоя; 4) формирование частиц катализатора из указанной тонкой пленки катализатора посредством отжига; 5) установка полученной подложки в сборе в реакционную камеру и герметизация камеры; 6) замена атмосферы в реакционной камере на инертную атмосферу; 7) регулирование температуры подложки в сборе и давления инертной атмосферы; 8) начало возбуждения сырьевых атомов под действием источника электромагнитного излучения для их миграции к центрам роста или частицам катализатора; и 9) эксплуатация системы в течение определенного интервала времени для получения требуемых результатов выращивания NT.
18. Способ выращивания нанотрубок по п. 17, отличающийся тем, что стадия 4 исключена.
19. Способ выращивания нанотрубок, включающий следующие стадии: 1) получение подложки для подложки в сборе Broadtip, включая соответствующее изменение размера и модификацию ее поверхности для получения требуемой шероховатости и профиля; 2) нанесение сырьевого слоя на подложку Broadtip; 3) завершение сборки подложки Broadtip посредством нанесения тонкой пленки катализатора на поверхность сырьевого слоя; 4) формирование частиц катализатора из тонкой пленки катализатора; 5) установка полученной подложки Broadtip в наконечник в сборе Broadtip; 6) присоединение установки в боре Broadtip к шарнирному манипулятору; 7) завершение построения системы Broadtip посредством присоединения шарнирного манипулятора к подвижной платформе; 8) установка целевой поверхности, на которой в определенном порядке будут осаждаться нанотрубки, в реакционную камеру; 9) установка системы Broadtip в реакционную камеру, в том числе подключение электрических проводов и изоляция камеры; 10) замена атмосферы в реакционной камере на инертную атмосферу; 11) регулирование температуры подложки в сборе Broadtip и давления инертной атмосферы, и 12) включение автоматической системы выращивания NT и контролирования движения для начала выращивания и движения с целью нанесения NT на целевой поверхности в требуемом порядке.
20. Способ выращивания нанотрубок по п. 19, отличающийся тем, что стадия 4 исключена.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/043,952 | 2016-02-15 | ||
| US15/043,952 US10618810B2 (en) | 2013-09-25 | 2016-02-15 | Free atom nanotube growth |
| PCT/US2017/017583 WO2017142819A1 (en) | 2016-02-15 | 2017-02-12 | Free atom nanotube growth |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021122177A Division RU2021122177A (ru) | 2016-02-15 | 2017-02-12 | Выращивание нанотрубок из свободных атомов |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2018132725A true RU2018132725A (ru) | 2020-03-17 |
| RU2018132725A3 RU2018132725A3 (ru) | 2020-07-30 |
| RU2753099C2 RU2753099C2 (ru) | 2021-08-11 |
Family
ID=59562387
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018132725A RU2753099C2 (ru) | 2016-02-15 | 2017-02-12 | Выращивание нанотрубок из свободных атомов |
| RU2021122177A RU2021122177A (ru) | 2016-02-15 | 2017-02-12 | Выращивание нанотрубок из свободных атомов |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021122177A RU2021122177A (ru) | 2016-02-15 | 2017-02-12 | Выращивание нанотрубок из свободных атомов |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10618810B2 (ru) |
| EP (1) | EP3416914A4 (ru) |
| JP (2) | JP2019511995A (ru) |
| KR (1) | KR20180114127A (ru) |
| CN (1) | CN108883938B (ru) |
| CA (1) | CA3014048A1 (ru) |
| RU (2) | RU2753099C2 (ru) |
| WO (1) | WO2017142819A1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10618810B2 (en) * | 2013-09-25 | 2020-04-14 | Odysseus Technologies, Inc. | Free atom nanotube growth |
| FR3107053B1 (fr) * | 2020-02-11 | 2022-02-04 | Commissariat Energie Atomique | Materiau hydride 2d/1d comprenant une couche carbonee recouverte par une foret de nanotubes de carbone |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0216654D0 (en) | 2002-07-17 | 2002-08-28 | Univ Cambridge Tech | CVD Synthesis of carbon nanoutubes |
| CN100411979C (zh) | 2002-09-16 | 2008-08-20 | 清华大学 | 一种碳纳米管绳及其制造方法 |
| CN101205060B (zh) | 2006-12-20 | 2011-05-04 | 清华大学 | 碳纳米管阵列的制备方法 |
| US8206674B2 (en) | 2007-05-15 | 2012-06-26 | National Institute Of Aerospace Associates | Boron nitride nanotubes |
| US20090163647A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Envont Llc | Hybrid metal oxides |
| KR100977147B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2010-08-23 | 세메스 주식회사 | 유동층 탄소나노튜브 생성 장치 및 그것을 사용한탄소나노튜브 생성 설비 및 방법 |
| US7883580B2 (en) * | 2008-04-02 | 2011-02-08 | Raythedn Company | System and method for nanotube growth via Ion implantation using a catalytic transmembrane |
| CN101734641A (zh) * | 2008-11-14 | 2010-06-16 | 华北电力大学 | 热解合成碳纳米管加热器及合成方法 |
| RU2393276C1 (ru) * | 2009-03-05 | 2010-06-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Объединенный центр исследований и разработок" | Способ изготовления длинных ориентированных жгутов углеродных нановолокон |
| WO2011014258A2 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Systems and methods related to the formation of carbon-based nanostructures |
| US20110162957A1 (en) * | 2009-11-25 | 2011-07-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Systems and methods for enhancing growth of carbon-based nanostructures |
| US8551413B2 (en) * | 2011-01-30 | 2013-10-08 | MCD Technologies S.A R. L. | System and method for producing carbon nanotubes |
| WO2013119295A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-08-15 | William Marsh Rice University | Graphene-carbon nanotube hybrid materials and use as electrodes |
| US20130306490A1 (en) | 2012-05-15 | 2013-11-21 | Bryan Edward Laubscher | Nanotube Detangler |
| JP2014084272A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Applied Materials Inc | 銅基板上のカーボンナノチューブ成長 |
| US20140120028A1 (en) | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Bryan Edward Laubscher | Proximate atom nanotube growth |
| US9371232B2 (en) * | 2012-10-29 | 2016-06-21 | Bryan Edward Laubscher | Trekking atom nanotube growth |
| US10618810B2 (en) * | 2013-09-25 | 2020-04-14 | Odysseus Technologies, Inc. | Free atom nanotube growth |
| US9239224B2 (en) | 2013-02-26 | 2016-01-19 | Bryan Edward Laubscher | Natural light interferometer |
-
2016
- 2016-02-15 US US15/043,952 patent/US10618810B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-12 CA CA3014048A patent/CA3014048A1/en active Pending
- 2017-02-12 WO PCT/US2017/017583 patent/WO2017142819A1/en active Application Filing
- 2017-02-12 JP JP2018561194A patent/JP2019511995A/ja active Pending
- 2017-02-12 KR KR1020187026340A patent/KR20180114127A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-02-12 RU RU2018132725A patent/RU2753099C2/ru active
- 2017-02-12 CN CN201780019697.9A patent/CN108883938B/zh active Active
- 2017-02-12 EP EP17753675.2A patent/EP3416914A4/en active Pending
- 2017-02-12 RU RU2021122177A patent/RU2021122177A/ru unknown
-
2021
- 2021-06-03 JP JP2021093680A patent/JP7384855B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10618810B2 (en) | 2020-04-14 |
| EP3416914A4 (en) | 2020-03-18 |
| RU2021122177A (ru) | 2021-10-29 |
| RU2753099C2 (ru) | 2021-08-11 |
| CN108883938A (zh) | 2018-11-23 |
| RU2018132725A3 (ru) | 2020-07-30 |
| JP2021121580A (ja) | 2021-08-26 |
| US20170233254A1 (en) | 2017-08-17 |
| CN108883938B (zh) | 2023-06-23 |
| KR20180114127A (ko) | 2018-10-17 |
| JP2019511995A (ja) | 2019-05-09 |
| RU2021122177A3 (ru) | 2022-04-19 |
| WO2017142819A1 (en) | 2017-08-24 |
| CA3014048A1 (en) | 2017-08-24 |
| EP3416914A1 (en) | 2018-12-26 |
| JP7384855B2 (ja) | 2023-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2018132725A (ru) | Выращивание нанотрубок из свободных атомов | |
| CN108728813B (zh) | 一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置 | |
| CN103982653B (zh) | 一种防腐耐磨液压油缸柱塞及其制作方法 | |
| CN105780107A (zh) | 提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法 | |
| CN109877341B (zh) | 一种纳米金属颗粒的冶炼方法及其图案化的方法 | |
| JP2013074251A (ja) | 静電チャック装置 | |
| TW201006944A (en) | Evaporation system | |
| JP2021121580A5 (ru) | ||
| RU2020108651A (ru) | Система, устройство и способ получения радиоизотопов галлия на ускорителях частиц с использованием твердых мишеней и композиции ga-68, полученных тем же образом | |
| CN101235537A (zh) | 制备ZnMgO合金薄膜的方法 | |
| KR102348159B1 (ko) | 핵산 증폭용 기판 및 이의 제조방법 | |
| CN105420812A (zh) | 一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法 | |
| CN103173724B (zh) | 微结构加工方法 | |
| CN105917034A (zh) | 碳化硅单晶的制造方法 | |
| CN104609406A (zh) | 一种常压二段过程催化固体碳源合成石墨烯的方法 | |
| US11247901B2 (en) | Free atom nanotube growth | |
| KR102348158B1 (ko) | 핵산 증폭용 기판 및 이의 제조방법 | |
| KR102103039B1 (ko) | CoCrMo-합금을 포함하는 금속 분말형 촉매 | |
| JP3918063B2 (ja) | 単結晶酸化亜鉛ナノシートの製造方法 | |
| CN104085914B (zh) | 通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法及其装置 | |
| JP2008214461A5 (ru) | ||
| CN112423887B (zh) | 核酸扩增用基板及其制造方法 | |
| CN114775044B (zh) | 一种氮化镓衬底生长热场装置 | |
| CN109440189B (zh) | 一种光调制局部加强的晶体生长装置 | |
| Nishioka et al. | Formation of silicon carbide using volcanic ash as starting material and concentrated sunlight as energy resource |