JP7384855B2 - 遊離原子ナノチューブの成長 - Google Patents
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- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description
米国特許第7,045,108号は、基板上でのCNTの成長、及びその後にこれらのCNTを、連続的な束で基板から引き出すことについて記載している。要約では、以下の通り述べている。長いカーボンナノチューブヤーンの製造方法であって、(1)平坦で滑らかな基板を提供するステップと、(2)基板上に触媒を堆積させるステップと、(3)ファーネス内に触媒を付与した基板を配置するステップと、(4)所定の温度までファーネスを加熱するステップと、(5)ファーネス内に炭素含有ガスと保護ガスとの混合物を供給するステップと、(6)触媒のローカル温度とファーネス温度との差が少なくとも50℃になるように制御するステップと、(7)炭素含有ガスの分圧が0.2未満になるように制御するステップと、(8)カーボンナノチューブアレイが基板上に形成されるように、基板上に多数のカーボンナノチューブを成長させるステップと、(9)カーボンナノチューブヤーンが形成されるように、カーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブの束を引き出すステップと、を含む。
BNNT-本明細書で使用する場合、窒化ホウ素ナノチューブを意味する。
図2は、本発明に従って、遊離原子ナノチューブの成長の発明者によって検討された最良のモードを示す。図2の実施形態は、炭素供給層の前側に配置された、Catparのアレイを有する。供給層は、石英基板の前側に位置している。レーザ放射線の形態のEmradは、基板アセンブリの前側から入射する。レーザ光子により、供給層からいくらかの炭素供給原子が遊離し、これらの遊離原子のうちのいくらかは、Catparへマイグレートする。Catparでは、炭素原子のうちのいくらかが、成長CNT中に組み込まれる。
反応チャンバ中で、図1に示されるシステムが、CNTを成長させる。レーザ放射線の形態でEmradが基板の底部に入射すると、Emradを透過する基板を通って伝搬する。Emradは、供給層へと伝搬する。Emradエネルギーのすべてまたは大部分は、供給層中に吸収される。このエネルギーは、供給層中の炭素供給原子のうちのいくらかを、非常に薄い鉄触媒層を通って、CNTが成長する成長部位へとマイグレートする(矢印で示す)ために遊離させる。理想的には、供給原子は、CatparからCNT成長の一部となるために最適なエネルギーを備えた成長部位へと移送される。CNTの成長が起きている化学反応器中の雰囲気は、Ineratmo不活性雰囲気である。
基板アセンブリについての考察
基板アセンブリは、前側が、供給原子の厚い供給層(約150nm)及び触媒の薄層(約3nm)でコーティングされることにより作成される。他のコーディング技術も同様に使用可能である。一般的な基板の必要条件としては、1)コーディング技術プロセスで使用できることと、2)様々な種類の供給原子及び触媒によりコーティングできることと、3)供給原子及び触媒の溶解物が基板中に比較的不透過であることと、4)あり得るアニーリング工程中及びNTの成長中に遭遇する任意の温度に耐えられることと、が挙げられる。Emradが裏側から基板上に入射する場合、基板はEmradに対して透過的でなければならない。
Emradは、レーザ、LED、蛍光ランプ、または白熱ランプによって生成され得る。一般に、Emrad源は、基板の外部にある。しかし、LEDまたはナノレーザの場合には、これらの源は、基板の一部として製造され得る。また、光増幅器は、Emrad源を増幅させるために、切り離して、または基板の一部として製造されてよい。
Ineratmo不活性雰囲気は、雰囲気ガスからの無関係な反応を緩和する。本発明では、NTの成長のための供給原子は、雰囲気ガスに由来しないため、雰囲気の構成ガス、圧力、及び温度を、NTの成長を最適化するために調整することができる。Ineratmo不活性雰囲気の構成成分、温度、及び圧力の制御を容易にするために、Ineratmo不活性雰囲気ガスを、循環、濾過、交換、監視、及び/または変化させてよく、それによって、反応チャンバ中の最適な雰囲気を維持する。最後には、成長を継続し、NT特性を変化し、NTを官能化させるために必要に応じて、Ineratmo不活性雰囲気を成長プロセス中に変更することができる。
NTの成長及び官能化を測定及び制御するために、リアルタイム診断測定を用いてよい。これらの診断としては、NTの成長速度及び構造と、触媒温度、圧力、及び組成物と、供給原子移送と、Ineratmo不活性雰囲気組成物、温度、及び圧力と、が挙げられる。
Trekking Atom Nanotube Growth(TREKANG)の特許出願で請求される原理に基づいた原理証明実験が実施され、かつ継続している。実験結果は、本特許出願である遊離原子ナノチューブの成長(Free Atom Nanotube Growth、FANG)の出願の基礎となる。
研究用実験室では、遊離原子ナノチューブの成長技術によって、研究者たちは、大量の長い高qNTを成長させることができるようになり、それによって、NT及びこれらの材料を使用して形成した巨視的な集合体の性質の研究が活気づくだろう。CNTの場合、これらの性質としては、非常に高い引張り強度、高熱伝導率、いくつかのカイラリティでは、低伝導率、及び非常に高い電流密度を維持する能力、ならびに他のカイラリティでは、半導電性が挙げられる。BNNTの場合、興味深い性質としては、高引張り強度、高熱伝導率、低電気伝導率、及びホウ素の存在下での中性子吸収が挙げられる。実際、長い高qNTによって、現在利用可能なNTでは不可能な性質及び用途が明らかになる場合がある。さらに、長い高qナノチューブを使用して、1)高強度の構造体、2)高伝導率のコンダクタ、ワイヤ、マイクロスケール及びナノスケールの集積回路、マイクロスケール及びナノスケールのトランジスタ、ダイオード、ゲート、スイッチ、抵抗器、コンデンサ、単一センサ、ならびにアレイ、3)レシーバ、レクテナ、または電磁放射線放射構造体、4)生物学的成長を促進または阻害する表面形状、5)特別な光学特性、反射特定、干渉特性、または回折特性を備えた表面、6)化学反応を促進または阻害する表面、7)強度、硬度、可撓性、密度、多孔性などを含む特定の材料特性を備えた構造体、ならびに8)電気刺激(電界放出)下での電子などの粒子を放出する表面、を構成することができる。
Claims (16)
- 基板であって、前側を有し、かつ、当該前側の反対に位置する裏側を有し、かつ、Wavide導波路が存在せず、かつ、Emradが当該裏側から当該基板を通して当該前側に伝搬できるように構成されている、基板と、
前記基板の前記前側の上に配された供給原子の供給層であって、前記供給原子がEmradを吸収することによってマイグレートするように構成された、供給層と、
前記基板から分離した触媒層であって、前記供給原子の供給層の前記前側の上に配され、かつ、前記供給原子のうちマイグレートしているものが前記基板の前記前側の上で少なくとも1つのナノチューブを形成するように構成されている触媒層と、
を含む、ナノチューブの成長のための構造。 - 前記触媒層が、Catparに置き換えられている、請求項1に記載のナノチューブの成長のための構造。
- 供給原子の供給リザーバが、供給原子の前記供給層に取って代わる、請求項1に記載のナノチューブの成長のための構造。
- 前記基板の一部として製造された、Emradの発光ダイオード源、またはEmradのレーザ源をさらに含む、請求項1に記載のナノチューブの成長のための構造。
- 前記供給原子が、炭素、ケイ素、ホウ素及び窒素、アルミニウム及び窒素、並びにガリウム及び窒素からなる材料の群から選択される、請求項1に記載のナノチューブの成長のための構造。
- 前記触媒層が、鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、銀、プラチナ、パラジウム、マンガン、クロム、スズ、マグネシウム、アルミニウム、イットリウム、バナジウム、モリブデン、レニウム、及びこれらの金属の2種以上の合金類の群から選択される材料を含む、請求項1に記載のナノチューブの成長のための構造。
- 前記触媒層が、Catparを含む、請求項1に記載のナノチューブの成長のための構造。
- 前記供給層及び前記触媒層が、前記基板の前記前側の上に配された供給原子及び触媒材料の供給層に置き換えられており、前記供給原子が、Emradを吸収することによってマイグレートするように構成され、且つ、前記触媒材料が、前記供給原子のうちマイグレートしているものが前記基板の前記前側の上で少なくとも1つのナノチューブを形成するように構成されている、請求項1に記載のナノチューブの成長のための構造。
- Emradの前記発光ダイオード源またはEmradの前記レーザ源を増幅させるために、前記基板の一部として製造される光増幅器をさらに含む、請求項4に記載のナノチューブの成長のための構造。
- 前記供給原子が、炭素原子を含み、
前記供給層が、非晶質炭素層を含む、請求項1に記載のナノチューブの成長のための構造。 - 前記供給原子が、前記基板の前記前側から入射するEmradを吸収することによって遊離され得る、請求項1に記載のナノチューブの成長のための構造。
- 前記供給原子が、前記基板の前記裏側から入射するEmradを吸収することによって遊離され得る、請求項1に記載のナノチューブの成長のための構造。
- 電磁放射線を吸収することによってマイグレートするように遊離され得る供給原子の供給層であって、前側を有する供給層を、基板であって、Wavide導波路が存在せず、かつ、当該基板の裏面から当該基板を通して当該基板の前面に電磁放射線を伝搬できるように構成されている基板の当該前面の上に配することと、
前記供給原子のうちマイグレートしているものが前記基板の前記前側の上で少なくとも1つのナノチューブを形成するように構成されている触媒層を、前記供給層の前記前側の上に配することと、
を含む、方法。 - 前記供給層を配すること及び前記触媒層を配することが、電磁放射線を吸収することによってマイグレートするように遊離され得る供給原子、及び、前記供給原子のうちマイグレートしているものが前記基板の前記前側の上で少なくとも1つのナノチューブを形成するように構成されている触媒材料の供給層を、前記基板の前面の上に配することに置き換えられている、請求項13に記載の方法。
- 前記基板の一部として、前記電磁放射線の発光ダイオード源またはレーザ源を製造することをさらに含む、請求項13の方法。
- 前記基板の一部として、前記電磁放射線の前記発光ダイオード源または前記レーザ源を増幅させるために構成されている光増幅器を製造することをさらに含む、請求項15の方法。
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