RU2016111412A - Жидкокристаллический элемент индуктивности, улучшенный магнитными наночастицами - Google Patents

Жидкокристаллический элемент индуктивности, улучшенный магнитными наночастицами Download PDF

Info

Publication number
RU2016111412A
RU2016111412A RU2016111412A RU2016111412A RU2016111412A RU 2016111412 A RU2016111412 A RU 2016111412A RU 2016111412 A RU2016111412 A RU 2016111412A RU 2016111412 A RU2016111412 A RU 2016111412A RU 2016111412 A RU2016111412 A RU 2016111412A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
core
voltage
adjustable
electrodes
inductance element
Prior art date
Application number
RU2016111412A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2016111412A3 (ru
RU2703521C2 (ru
Inventor
Ларри Леон САВАЖ
Джон Д. УИЛЬЯМС
Кори МакКинни ТЕКЕР
Джаррод Дуглас ФОРТИНБЕРРИ
Престон Тайлер БУШИ
Original Assignee
Зе Боинг Компани
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Зе Боинг Компани filed Critical Зе Боинг Компани
Publication of RU2016111412A publication Critical patent/RU2016111412A/ru
Publication of RU2016111412A3 publication Critical patent/RU2016111412A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2703521C2 publication Critical patent/RU2703521C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
    • H01F21/02—Variable inductances or transformers of the signal type continuously variable, e.g. variometers
    • H01F21/08—Variable inductances or transformers of the signal type continuously variable, e.g. variometers by varying the permeability of the core, e.g. by varying magnetic bias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/20—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/24—Magnetic cores
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/24—Magnetic cores
    • H01F27/255—Magnetic cores made from particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F29/00—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00
    • H01F29/08—Variable transformers or inductances not covered by group H01F21/00 with core, coil, winding, or shield movable to offset variation of voltage or phase shift, e.g. induction regulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F3/00—Cores, Yokes, or armatures
    • H01F3/08—Cores, Yokes, or armatures made from powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F3/00—Cores, Yokes, or armatures
    • H01F3/10—Composite arrangements of magnetic circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Claims (33)

1. Устройство, содержащее
сердцевину (204), содержащую множество жидких кристаллов (220) и множество магнитных наночастиц (222), и
множество электродов (206), расположенных относительно сердцевины (204),
причем изменение напряжения (226), подаваемого на указанное множество электродов (206), изменяет магнитную проницаемость (230) сердцевины (204).
2. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее
проводник (207), размещенный вокруг сердцевины (204), при этом сердцевина (204), указанное множество электродов (206) и проводник (207) образуют регулируемый элемент (200) индуктивности.
3. Устройство по п. 2, в котором изменение напряжения (226), подаваемого на указанное множество электродов (206), изменяет магнитную проницаемость (230) сердцевины (204) и, таким образом, индуктивность (201) регулируемого элемента (200) индуктивности.
4. Устройство по п. 2, в котором регулируемый элемент (200) индуктивности принадлежит по меньшей мере одной из следующих схем: схема (104) для фильтрации, схема (106) для согласования импедансов и схема (104) для согласования импедансов и фильтрации.
5. Устройство по п. 2, дополнительно содержащее
множество регулируемых конденсаторов (142), электрически соединенных с регулируемым элементом (200) индуктивности.
6. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее
контроллер (224) напряжения, который генерирует напряжение (226) и управляет им, причем изменение пикового значения (232) и/или частоты (234) напряжения (226) изменяет магнитную проницаемость (230) сердцевины (204).
7. Устройство по п. 1, образующее регулируемый элемент (200) индуктивности, при этом сердцевина (204) содержит текучую смесь (218), образованную из множества жидких кристаллов (220) и множества магнитных наночастиц (222), а указанное устройство дополнительно содержит
множество электродов, расположенных относительно сердцевины (204), и
проводник (207), размещенный вокруг сердцевины (204), причем изменение напряжения (226), подаваемого на указанное множество электродов (206), изменяет магнитную проницаемость (230) сердцевины (204) и, таким образом, индуктивность (201) проводника (207).
8. Устройство по п. 7, дополнительно содержащее
диэлектрическую подложку (202), которая служит в качестве основания (132) для регулируемого элемента (200) индуктивности, при этом сердцевина (204) расположена в канале (208) внутри диэлектрической подложки (202).
9. Устройство по п. 7, в котором напряжение (226) представляет собой первое напряжение, а указанное устройство дополнительно содержит
регулируемый конденсатор (300), содержащий
сердцевину (304) конденсатора, содержащую множество жидких кристаллов (320), и
систему (306) проводников, расположенную относительно сердцевины (304) конденсатора, причем изменение второго напряжения, подаваемого на систему (306) проводников, изменяет диэлектрическую проницаемость (330) сердцевины (304) конденсатора и, таким образом, емкость (301) системы (306) проводников.
10. Устройство по п. 9, в котором система (306) проводников содержит по меньшей мере один из указанного множества электродов (307), расположенных на концах (310, 312) сердцевины конденсатора (304), или пару проводящих пластин (322), расположенных вокруг сердцевины (204), но диэлектрически отделенных от сердцевины (304) конденсатора.
11. Устройство по п. 9, дополнительно содержащее
диэлектрическую подложку (202, 302),
при этом сердцевина (204) регулируемого элемента (200) индуктивности расположена в канале (208) внутри диэлектрической подложки (202, 302),
регулируемый элемент (200) индуктивности представляет собой один из множества регулируемых элементов индуктивности (140), связанных с диэлектрической подложкой (202, 302), а регулируемый конденсатор (300) представляет собой один из множества регулируемых конденсаторов (142), связанных с диэлектрической подложкой (202).
12. Устройство по п. 11, дополнительно содержащее
управляющую систему (136) для управления напряжением, которая генерирует первое напряжение, подаваемое на указанное множество электродов (206) регулируемого элемента (200) индуктивности, и управляет им и которая генерирует второе напряжение, подаваемое на систему (306) проводников регулируемого конденсатора (300), и управляет им.
13. Устройство по п. 12, в котором указанное множество регулируемых элементов индуктивности (140), указанное множество регулируемых конденсаторов (142) и управляющая система (136) для управления напряжением образуют по меньшей мере одну из следующих схем: схема (104) для фильтрации, схема (106) для согласования импедансов и схема (108) для согласования импедансов и фильтрации.
14. Устройство по п. 13, в котором схема (104) для фильтрации содержит по меньшей мере одну из следующих схем: схема (110) высокочастотного фильтра, схема (112) низкочастотного фильтра, схема (114) широкополосного фильтра, схема (116) всечастотного фильтра, схема (118) полосового фильтра и схема (120) узкополосного режекторного фильтра.
15. Способ управления магнитной проницаемостью (230) сердцевины (204), согласно которому
подают (1200) напряжение (226) на множество электродов (206), расположенных относительно сердцевины (204), содержащей множество жидких кристаллов (220) и множество магнитных наночастиц (222), и
изменяют (1202) напряжение (226), подаваемое на множество электродов (206), при этом магнитная проницаемость (230) сердцевины (204) изменяется по мере изменения напряжения (226), подаваемого на указанное множество электродов (206).
RU2016111412A 2015-07-07 2016-03-28 Жидкокристаллический элемент индуктивности, улучшенный магнитными наночастицами RU2703521C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/793,094 2015-07-07
US14/793,094 US9767951B2 (en) 2015-07-07 2015-07-07 Liquid crystal inductor enhanced with magnetic nanoparticles

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2016111412A true RU2016111412A (ru) 2017-09-29
RU2016111412A3 RU2016111412A3 (ru) 2019-08-13
RU2703521C2 RU2703521C2 (ru) 2019-10-18

Family

ID=56083949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016111412A RU2703521C2 (ru) 2015-07-07 2016-03-28 Жидкокристаллический элемент индуктивности, улучшенный магнитными наночастицами

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9767951B2 (ru)
EP (1) EP3121824B1 (ru)
JP (1) JP6606026B2 (ru)
KR (1) KR102509886B1 (ru)
CN (1) CN106340371B (ru)
RU (1) RU2703521C2 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11828273B2 (en) * 2017-03-23 2023-11-28 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Compact plasma thruster
US10748986B2 (en) * 2017-11-21 2020-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure and formation method of semiconductor device with capacitors
KR102325001B1 (ko) * 2020-10-05 2021-11-10 김하정 투자율 조절장치를 갖는 자기 코어 및 자기 장치
CN112885605B (zh) * 2020-11-27 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 可变电容器及半导体工艺设备
KR102543165B1 (ko) * 2021-10-17 2023-06-14 김하정 투자율 조절장치를 갖는 자기 코어 및 자기 장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0680980A (ja) * 1992-07-16 1994-03-22 Nippon Oil Co Ltd 磁性と電気粘性効果とを同時に有する流体。
JP3710101B2 (ja) * 1995-07-26 2005-10-26 豊久 藤田 アルコールベース磁性流体およびその製法
GB2360132B (en) * 2000-03-06 2002-04-24 Marconi Caswell Ltd Structure with switchable magnetic properties
TW563139B (en) * 2000-11-30 2003-11-21 Nec Tokin Corp Magnetic core including magnet for magnetic bias and inductor component using the same
JP2002217043A (ja) * 2001-01-22 2002-08-02 Nec Tokin Corp インダクタ部品
US6710693B2 (en) * 2001-03-23 2004-03-23 Nec Tokin Corporation Inductor component containing permanent magnet for magnetic bias and method of manufacturing the same
JP4466389B2 (ja) * 2005-01-28 2010-05-26 株式会社豊田中央研究所 アレーアンテナ
JP4976836B2 (ja) * 2006-12-13 2012-07-18 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置
GB0716679D0 (en) * 2007-08-28 2007-10-03 Fells J Inductive power supply
US8922301B1 (en) 2010-10-30 2014-12-30 Board Of Trustees Of The University Of Alabama, For And On Behalf Of The University Of Alabama In Huntsville High quality-factor resonator
EP2500977B1 (en) * 2011-03-16 2015-09-16 Alcatel Lucent Phase shifting device
EP2766993A1 (en) * 2011-10-11 2014-08-20 Arçelik Anonim Sirketi A household appliance comprising touch sensors
US9059496B2 (en) * 2011-11-14 2015-06-16 The Regents Of The University Of Colorado Nanoparticle-enhanced liquid crystal radio frequency phase shifter
JP2013120761A (ja) * 2011-12-06 2013-06-17 Azbil Corp 可変インダクタ
KR20130077177A (ko) * 2011-12-29 2013-07-09 삼성전기주식회사 파워 인덕터 및 그 제조방법
KR20140002355A (ko) * 2012-06-29 2014-01-08 삼성전기주식회사 인덕터 및 인덕터의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170006250A (ko) 2017-01-17
JP2017022373A (ja) 2017-01-26
RU2016111412A3 (ru) 2019-08-13
RU2703521C2 (ru) 2019-10-18
EP3121824A1 (en) 2017-01-25
KR102509886B1 (ko) 2023-03-13
CN106340371B (zh) 2020-04-10
US20170011835A1 (en) 2017-01-12
CN106340371A (zh) 2017-01-18
EP3121824B1 (en) 2018-09-19
US9767951B2 (en) 2017-09-19
JP6606026B2 (ja) 2019-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016111412A (ru) Жидкокристаллический элемент индуктивности, улучшенный магнитными наночастицами
CN101478857A (zh) 等离子体处理装置
KR102029497B1 (ko) 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판
US8547189B2 (en) Electronic component
CN103997309B (zh) 有极型低通滤波器、及包括其的多路分离器
JP7421314B2 (ja) 電力合成器、生成器、システム、及びプリント回路基板
JP6187593B2 (ja) 共振回路及び高周波フィルタ
KR102048098B1 (ko) 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판
RU2009144569A (ru) Способ компенсации паразитных токов в электрической системе и устройство для компенсации паразитных токов
US9998084B2 (en) Noise filter
CN105684305B (zh) 电子元器件
US9287844B2 (en) Surface mountable multi-layer ceramic filter
US10284164B2 (en) Circuit substrate, filter circuit, and capacitance element
JP2012204491A (ja) 可変インダクタ
KR20160052111A (ko) 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판
JP6638214B2 (ja) 可変フィルタ回路、および、高周波モジュール
JPWO2017017987A1 (ja) 回路基板、これを用いたフィルタ回路およびキャパシタンス素子
KR102048099B1 (ko) 적층 칩 전자부품 및 그 실장 기판
CN104506155A (zh) 一种滤波器
US20140266508A1 (en) Bandpass filter implementation on a single layer using spiral capacitors
US9628041B2 (en) Device for blocking high frequency signal and passing low frequency signal
RU2529885C1 (ru) Сегнетоэлектрический свч конденсатор
JP6702825B2 (ja) 高周波ノイズフィルタ
CN203933560U (zh) 无源陷波器
RU127524U1 (ru) Полосковый фильтр