RU2016107491A - Алмазное покрытие и способ его осаждения - Google Patents
Алмазное покрытие и способ его осаждения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2016107491A RU2016107491A RU2016107491A RU2016107491A RU2016107491A RU 2016107491 A RU2016107491 A RU 2016107491A RU 2016107491 A RU2016107491 A RU 2016107491A RU 2016107491 A RU2016107491 A RU 2016107491A RU 2016107491 A RU2016107491 A RU 2016107491A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- range
- nanometers
- nanocrystalline
- diamond layer
- microcrystalline
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/12—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state
- C30B28/14—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state by chemical reaction of reactive gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0009—Forming specific nanostructures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/008—Processes for improving the physical properties of a device
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/009—Characterizing nanostructures, i.e. measuring and identifying electrical or mechanical constants
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/271—Diamond only using hot filaments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/279—Diamond only control of diamond crystallography
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/044—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material coatings specially adapted for cutting tools or wear applications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
- C23C28/42—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by the composition of the alternating layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
- C23C28/44—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by a measurable physical property of the alternating layer or system, e.g. thickness, density, hardness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/16—Controlling or regulating
- C30B25/165—Controlling or regulating the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/22—Sandwich processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16H—GEARING
- F16H55/00—Elements with teeth or friction surfaces for conveying motion; Worms, pulleys or sheaves for gearing mechanisms
- F16H55/02—Toothed members; Worms
- F16H55/06—Use of materials; Use of treatments of toothed members or worms to affect their intrinsic material properties
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16H—GEARING
- F16H55/00—Elements with teeth or friction surfaces for conveying motion; Worms, pulleys or sheaves for gearing mechanisms
- F16H55/02—Toothed members; Worms
- F16H55/17—Toothed wheels
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Claims (34)
1. Микромеханическая деталь, включающая подложку, имеющую поверхность с алмазным покрытием, отличающаяся тем, что указанное алмазное покрытие включает по меньшей мере одну стопку из первого нанокристаллического алмазного слоя с размером зерен на поверхности, меньшим, чем 50 нанометров, и второго микрокристаллического слоя с размером зерен на поверхности порядка 100 нанометров, отличающаяся тем, что алмазным слоем, наиболее приближенным к подложке, является нанокристаллический слой, а поверхность алмазов, наиболее удаленная от подложки, является микрокристаллической.
2. Микромеханическая деталь по п. 1, отличающаяся тем, что указанное покрытие включает последовательность из по меньшей мере двух упомянутых стопок, где микрокристаллический алмазный слой первой стопки находится в контакте с нанокристаллическим алмазным слоем следующей стопки.
3. Микромеханическая деталь по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что толщина нанокристаллического алмазного слоя находится в диапазоне от 50 нанометров до 1 микрометра.
4. Микромеханическая деталь по п. 3, отличающаяся тем, что толщина нанокристаллического алмазного слоя находится в диапазоне от 100 до 200 нанометров.
5. Микромеханическая деталь по п. 1, отличающаяся тем, что толщина микрокристаллического алмазного слоя находится в диапазоне от 100 нанометров до 1 микрометра.
6. Микромеханическая деталь по п. 5, отличающаяся тем, что толщина микрокристаллического алмазного слоя находится в диапазоне от 200 до 500 нанометров.
7. Микромеханическая деталь по п. 1, отличающаяся тем, что размер зерен нанокристаллического алмазного слоя на поверхности является меньшим, чем 30 нанометров.
8. Микромеханическая деталь по п. 1, отличающаяся тем, что размер зерен нанокристаллического алмазного слоя на поверхности является меньшим, чем 10 нанометров.
9. Микромеханическая деталь по п. 1, отличающаяся тем, что подложку выбирают из группы материалов, включающих кремний, титан, цирконий, гафний, ванадий, тантал, молибден, вольфрам, бор, бориды, карбиды, нитриды и оксиды этих материалов и керамику.
10. Микромеханическая деталь по п. 1, включающая зубчатое колесо, шестеренный вал, анкерное колесо, анкерную вилку, палетный камень, тарельчатую пружину, ходовую пружину, балансирную пружину, оправку и/или подпятники.
11. Способ получения микромеханической детали по п. 1, включающий по меньшей мере следующие стадии:
a) стадию подготовки подложки;
b) стадию начального зародышеобразования;
c) стадию роста, при этом стадия роста включает по меньшей мере одну последовательность из двух последовательных фаз, включающих фазу выращивания нанокристаллических алмазов для получения нанокристаллического алмазного слоя с последующей еще одной фазой выращивания микрокристаллических алмазов, при этом указанный нанокристаллический алмазный слой используется в качестве слоя зародышеобразования для роста указанного микрокристаллического алмазного слоя.
12. Способ осаждения по п. 11, отличающийся тем, что стадию с) повторяют несколько раз.
13. Способ осаждения по п. 11 или 12, отличающийся тем, что во время фазы роста нанокристаллического алмазного слоя на стадии с) параметры осаждения устанавливают таким образом, чтобы размер зерен для нанокристаллических алмазов не превышал 50 нанометров, предпочтительно не превышал 30 нанометров и еще более предпочтительно не превышал 10 нанометров.
14. Способ осаждения по п. 11, отличающийся тем, что продолжительность фазы выращивания микрокристаллических алмазов на стадии с) может приводить к получению толщины микрокристаллических алмазов в диапазоне от 200 нанометров до 1 микрометра, предпочтительно в диапазоне от 200 до 500 нанометров.
15. Способ осаждения по п. 11, отличающийся тем, что продолжительность фазы выращивания нанокристаллических алмазов на стадии с) может приводить к получению толщины нанокристаллических алмазов в диапазоне от 100 до 200 нанометров.
16. Способ осаждения по п. 11, отличающийся тем, что подложку выбирают из группы материалов, включающих кремний, титан, цирконий, гафний, ванадий, тантал, молибден, вольфрам, бор, бориды, карбиды, нитриды и оксиды этих материалов и керамику.
17. Способ осаждения по п. 11, отличающийся тем, что этот способ осуществляют в реакторе с раскаленной нитью.
18. Способ осаждения по п. 11, отличающийся тем, что температура подложки во время стадии с) находится в диапазоне от 500 до 1000°С.
19. Способ осаждения по п. 11, отличающийся тем, что фазу выращивания
нанокристаллических алмазов осуществляют в следующих условиях:
продолжительность в диапазоне от 1 часа до 5 часов,
нагрев, соответственно, прямая или опосредованная активация, газовой смеси СН4/Н2/Х, где X представляет собой газообразную примесь, при этом уровень процентного объемного содержания газообразной примеси находится в диапазоне от 0% до 10%, и уровень процентного объемного содержания CH4 по отношению к совокупному объему находится в диапазоне от 3% до 9%,
расход водорода при давлении 1 бар находится в диапазоне от 20 до 50 литров в минуту, и предпочтительно составляет 40 литров в минуту,
давление газовой смеси в камере находится в диапазоне от 2 до 6 мбар, и предпочтительно составляет 4 мбар,
температура подложки находится в диапазоне от 500 до 1000°С.
20. Способ осаждения по п. 11, отличающийся тем, что фазу выращивания микрокристаллических алмазов осуществляют в следующих условиях:
продолжительность в диапазоне от 1 часа до 5 часов,
нагрев, соответственно, прямой или опосредованный, газовой смеси CH4/Н2/Х, где X представляет собой газообразную примесь, при этом уровень процентного объемного содержания газообразной примеси находится в диапазоне от 0% до 10%, и уровень процентного объемного содержания CH4 по отношению к совокупному объему находится в диапазоне от 0,05% до 1%,
расход водорода при давлении 1 бар находится в диапазоне от 30 до 90 литров в минуту, и предпочтительно составляет 60 литров в минуту,
давление газовой смеси в камере находится в диапазоне от 0,5 до 2 мбар, и предпочтительно составляет 1 мбар,
температура подложки находится в диапазоне от 500 до 1000°С.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP13179159.2A EP2832899A1 (fr) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | Revêtement de diamant et procédé de dépôt d'un tel revêtement |
EP13179159.2 | 2013-08-02 | ||
PCT/EP2014/064043 WO2015014562A1 (fr) | 2013-08-02 | 2014-07-02 | Revetement de diamant et procede de depot d'un tel revetement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2016107491A true RU2016107491A (ru) | 2017-09-07 |
RU2660878C2 RU2660878C2 (ru) | 2018-07-10 |
Family
ID=48917405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016107491A RU2660878C2 (ru) | 2013-08-02 | 2014-07-02 | Алмазное покрытие и способ его осаждения |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160186363A1 (ru) |
EP (1) | EP2832899A1 (ru) |
JP (1) | JP6259915B2 (ru) |
CN (1) | CN105452543B (ru) |
HK (1) | HK1222893A1 (ru) |
RU (1) | RU2660878C2 (ru) |
WO (1) | WO2015014562A1 (ru) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3144412A1 (de) * | 2015-09-15 | 2017-03-22 | HILTI Aktiengesellschaft | Schneidplatte und herstellungsverfahren |
EP3789837B1 (en) | 2015-12-04 | 2023-06-21 | Berkshire Grey Operating Company, Inc. | Systems and methods for dynamic processing of objects |
US10049927B2 (en) * | 2016-06-10 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Seam-healing method upon supra-atmospheric process in diffusion promoting ambient |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
WO2019036157A1 (en) | 2017-08-18 | 2019-02-21 | Applied Materials, Inc. | HIGH PRESSURE AND HIGH TEMPERATURE RECOVERY CHAMBER |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
CN109750291A (zh) * | 2017-11-07 | 2019-05-14 | 深圳先进技术研究院 | 一种硼掺杂金刚石电极及其制备方法 |
SG11202003355QA (en) | 2017-11-11 | 2020-05-28 | Micromaterials Llc | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
WO2019099255A2 (en) | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Applied Materials, Inc. | Condenser system for high pressure processing system |
JP7239598B2 (ja) | 2018-03-09 | 2023-03-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 金属含有材料の高圧アニーリングプロセス |
US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
US11187040B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-11-30 | XR Downhole, LLC | Downhole drilling tool with a polycrystalline diamond bearing |
US11014759B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-05-25 | XR Downhole, LLC | Roller ball assembly with superhard elements |
WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
WO2020243030A1 (en) * | 2019-05-29 | 2020-12-03 | XR Downhole, LLC | Material treatments for diamond-on-diamond reactive material bearing engagements |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
US11594416B2 (en) | 2020-08-31 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Tribological properties of diamond films |
US11655850B2 (en) | 2020-11-09 | 2023-05-23 | Pi Tech Innovations Llc | Continuous diamond surface bearings for sliding engagement with metal surfaces |
CN112981362B (zh) * | 2021-02-08 | 2023-11-28 | 上海电气集团股份有限公司 | 一种金刚石涂层材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0174875B1 (en) * | 1984-09-14 | 1990-06-06 | Konica Corporation | Method for converting radiographic image and radiation energy storage panel having stimulable phosphor-containing layer |
US5432003A (en) * | 1988-10-03 | 1995-07-11 | Crystallume | Continuous thin diamond film and method for making same |
US6592839B2 (en) * | 1991-11-25 | 2003-07-15 | The University Of Chicago | Tailoring nanocrystalline diamond film properties |
JP3416967B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2003-06-16 | 日本精工株式会社 | 人工ダイヤモンド被覆膜及びその形成方法 |
EP0752293B1 (en) * | 1995-07-05 | 1999-10-20 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Diamond coated article and process for its production |
FR2798397A1 (fr) * | 1999-09-03 | 2001-03-16 | Lionel Gerard Vandenbulcke | Procede de fabrication d'une piece revetue de diamant nanocristallin de rugosite faible |
JP3477162B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2003-12-10 | オーエスジー株式会社 | ダイヤモンド被覆工具およびその製造方法 |
DE10149588B4 (de) * | 2001-10-08 | 2017-09-07 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Verfahren zur Diamantbeschichtung von Substraten |
WO2005116306A1 (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Toppan Printing Co., Ltd. | ナノクリスタルダイヤモンド膜、その製造方法、及びナノクリスタルダイヤモンド膜を用いた装置 |
AT413036B (de) * | 2004-06-02 | 2005-10-15 | Boehlerit Gmbh & Co Kg | Hartmetallwendeschneidplatte mit diamantschicht |
US8339904B2 (en) * | 2005-06-28 | 2012-12-25 | Eta Sa Manufacture Horlogère Suisse | Reinforced micro-mechanical part |
EP1929064A1 (en) * | 2005-09-29 | 2008-06-11 | UAB Research Foundation | Ultra smooth nanostructured diamond films and compositions and methods for producing same |
JP4757234B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2011-08-24 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材 |
JP5648171B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2015-01-07 | セイコーインスツル株式会社 | 機械部品の製造方法 |
US8770827B2 (en) * | 2009-05-18 | 2014-07-08 | The Swatch Group Research And Development Ltd | Method for coating micromechanical parts with high tribological performances for application in mechanical systems |
JP5499650B2 (ja) * | 2009-11-16 | 2014-05-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 耐剥離性と耐摩耗性にすぐれたダイヤモンド被覆工具 |
EP2453038A1 (en) * | 2010-11-16 | 2012-05-16 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Method for coating micromechanical parts with dual diamond coating |
US9958830B2 (en) * | 2011-07-21 | 2018-05-01 | The Swatch Group Research And Development Ltd | Functional micromechanical assembly |
-
2013
- 2013-08-02 EP EP13179159.2A patent/EP2832899A1/fr not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-07-02 JP JP2016530399A patent/JP6259915B2/ja active Active
- 2014-07-02 US US14/909,659 patent/US20160186363A1/en not_active Abandoned
- 2014-07-02 CN CN201480043361.2A patent/CN105452543B/zh active Active
- 2014-07-02 WO PCT/EP2014/064043 patent/WO2015014562A1/fr active Application Filing
- 2014-07-02 RU RU2016107491A patent/RU2660878C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-09-21 HK HK16111081.9A patent/HK1222893A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015014562A1 (fr) | 2015-02-05 |
CN105452543B (zh) | 2018-10-23 |
EP2832899A1 (fr) | 2015-02-04 |
HK1222893A1 (zh) | 2017-07-14 |
US20160186363A1 (en) | 2016-06-30 |
JP2016531202A (ja) | 2016-10-06 |
RU2660878C2 (ru) | 2018-07-10 |
CN105452543A (zh) | 2016-03-30 |
JP6259915B2 (ja) | 2018-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2016107491A (ru) | Алмазное покрытие и способ его осаждения | |
RU2006129351A (ru) | Способ нанесения покрытий на абразивы | |
EP1992593A3 (de) | Polykristalliner Siliciumstab für das Zonenschmelzverfahren und ein Verfahren zu dessen Herstellung | |
US11359276B2 (en) | Self-supporting ultra-fine nanocrystalline diamond thick film | |
RU2012134434A (ru) | Режущий инструмент с покрытием | |
TW201130050A (en) | Hardmask materials | |
UA95942C2 (ru) | Способ получения солнечного элемента применение тетрахлорида кремния в нем и тонкопленочный солнечный элемент полученный данным способом | |
JP2009545886A5 (ru) | ||
JP2013516331A5 (ru) | ||
CN110735126B (zh) | 一种在钢基体上制备碳化钨过渡层-硅掺杂金刚石复合涂层的方法 | |
JP2008290919A5 (ru) | ||
CN101618614B (zh) | TiC/Si3N4纳米多层涂层及其制备方法 | |
Mallik et al. | Effect of substrate roughness on growth of diamond by hot filament CVD | |
RU2008135371A (ru) | Тонкопленочная многослойная структура, компонент, включающий такую структуру, и способ ее осаждения | |
KR101186165B1 (ko) | 신선 다이용 다이아몬드 및 그 제조방법 | |
WO2022009580A1 (ja) | 炭化物被覆炭素材料 | |
WO2018166802A3 (de) | Beschichtetes produkt und verfahren zur herstellung | |
CN101886242A (zh) | 硼化钛/氮化硅纳米多层涂层及其制备方法 | |
WO2017121885A3 (de) | Verfahren zum herstellen einer dünnen schicht aus porösem dlc, verwendung einer pecvd-anlage und mit porösem dlc beschichtetes werkstück | |
RU2011102125A (ru) | Способ изготовления герметичных изделий из углерод-углеродного или углерод-карбидокремниевого композиционного материала | |
CN1798880A (zh) | 采用激光烧蚀法制造极平微晶金刚石薄膜的方法 | |
CN103205806A (zh) | 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法 | |
JP3932315B2 (ja) | 歪センサ素子及び多結晶性ダイヤモンド歪ゲージの形成方法 | |
TWI686265B (zh) | 研磨盤及其製造方法 | |
CN114622161A (zh) | 一种含有周期性涂层的刀具及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190703 |