RU2016103226A - Способ компенсации старения мишени для осуществления стабильного процесса реактивного распыления - Google Patents

Способ компенсации старения мишени для осуществления стабильного процесса реактивного распыления Download PDF

Info

Publication number
RU2016103226A
RU2016103226A RU2016103226A RU2016103226A RU2016103226A RU 2016103226 A RU2016103226 A RU 2016103226A RU 2016103226 A RU2016103226 A RU 2016103226A RU 2016103226 A RU2016103226 A RU 2016103226A RU 2016103226 A RU2016103226 A RU 2016103226A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
target
coating
gas
coating process
active
Prior art date
Application number
RU2016103226A
Other languages
English (en)
Inventor
Денис КУРАПОВ
Зигфрид КРАССНИТЦЕР
Original Assignee
Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Трюббах
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Трюббах filed Critical Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Трюббах
Publication of RU2016103226A publication Critical patent/RU2016103226A/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering
    • C23C14/0042Controlling partial pressure or flow rate of reactive or inert gases with feedback of measurements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641Nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3485Sputtering using pulsed power to the target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3492Variation of parameters during sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • H01J37/32449Gas control, e.g. control of the gas flow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464Operating strategies
    • H01J37/3467Pulsed operation, e.g. HIPIMS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464Operating strategies
    • H01J37/347Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3476Testing and control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/006Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24571Measurements of non-electric or non-magnetic variables
    • H01J2237/24585Other variables, e.g. energy, mass, velocity, time, temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332Coating
    • H01J2237/3322Problems associated with coating
    • H01J2237/3323Problems associated with coating uniformity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Claims (23)

1. Способ осуществления процесса нанесения покрытия, включающий методы распыления, в которых по меньшей мере одну мишень распыляют в атмосфере, содержащей по меньшей мере один активный газ, а значения характеристик распыления и/или скорости нанесения покрытия поддерживают по возможности в пределах заданных целевых значений, отличающийся тем, что отклонение значений характеристик распыления и/или скорости нанесения покрытия от целевых значений поддерживают в допустимом диапазоне отклонений для нужд промышленного применения путем регулирования парциального давления активного газа pактивного_газа в зависимости от веса мишени wмишени.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что мишень используют в качестве катода путем подачи мощности на мишень от источника питания таким образом, что плотность мощности на мишени поддерживают постоянной во время распыления мишени.
3. Способ по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что парциальное давление активного газа pактивного_газа регулируют в зависимости от веса мишени wмишени в соответствии с корреляцией pактивного_газа/wмишени, предварительно определенной при соответствующих условиях нанесения покрытия.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что корреляцию pактивного_газа/wмишени определяют перед осуществлением процесса нанесения покрытия, используя способ, включающий по меньшей мере следующие этапы:
a) обеспечение установки нанесения покрытия и других необходимых элементов, а также по меньшей мере одной мишени, предпочтительно, мишени не бывшей в употреблении, того же типа, который необходим для осуществления процессов покрытия в соответствии с процессом нанесения покрытия, упомянутым в п. 3;
b) измерения веса мишени до осуществления i-го процесса нанесения покрытия для получения Wмишени_i_исходный;
c) осуществление i-го процесса нанесения покрытия для напыления пленки fi, с поддержанием всех параметров процесса нанесения покрытия в соответствии с процессом нанесения покрытия, упомянутым в п.3, за исключением парциального давления активного газа, которое варьируется в начале i-го процесса нанесения покрытия до регулирования значения парциального давления активного газа pактивного_газа_i, при котором достигаются заданные целевые значения характеристик распыления, после чего поддерживают постоянное значение парциального давления активного газа preactive_gas_i до завершения времени процесса нанесения покрытия ti;
d) измерение веса мишени после завершения i-го процесса нанесения покрытия для получения Wмишени_i_конечный, предпочтительно, также измерение толщины пленки fi, напыленной в процессе i-го нанесения покрытия;
e) повторение этапов b, c и d для i=1, 2, ..., N, где N>2;
g) определение корреляции pактивного_газа/wмишени, используя измеренные значения pактивного_газа_i и Wмишени_i_исходный или pактивного_газа_i и (Wмишени_i_исходный + Wмишени_i_конечный)/2.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что число i=n, соответствующее общему количеству процессов нанесения покрытий, которые необходимо выполнить для определения корреляции pактивного_газа/wмишени, выбирают с учетом толщины мишени, предпочтительно так, чтобы самая большая величина n была ограничена достижением самой низкой толщиной мишени, при которой механическая устойчивость мишени не была бы поставлена под угрозу.
6. Способ по любому из пп. 4 или 5, отличающийся тем, что время нанесения покрытия ti выбирают как можно большим с той целью, чтобы напылить пленку fi, с достаточно большой толщиной для достоверной оценки средней скорости напыления в процессе нанесения i-го покрытия, предпочтительно, чтобы ti сохранялось неизменным для каждого процесса нанесения i-го покрытия.
7. Способ по любому из пп. 4-6, отличающийся тем, что время покрытия ti для каждого i-го процесса нанесения покрытия выбирают таким образом, чтобы отклонение характеристик распыления и/или значения скорости покрытия от мишени к мишени поддерживалось в пределах допустимого диапазона отклонений для целей промышленного производства во время каждого процесса нанесения i-го покрытия, предпочтительно, чтобы ti сохранялось неизменным для каждого процесса нанесения i-го покрытия.
8. Способ по любому из пп. 1-7, отличающийся тем, что исходный вес мишени Wмишени_исходный измеряют перед началом процесса нанесения покрытия, а парциальное давление активного газа pактивного_газа регулируют с самого начала процесса нанесения покрытия и поддерживают постоянным в процессе нанесения покрытия.
9. Способ по любому из пп. 1-7, отличающийся тем, что вес мишени Wмишени измеряют с самого начала и/или во время процесса нанесения покрытия, а парциальное давление активного газа pактивного_газа регулируют с самого начала и/или во время процесса нанесения покрытия.
10. Способ по любому из пп. 1-9, отличающийся тем, что парциальное давление активного газа pактивного_газа регулируют автоматически.
11. Способ по любому из пп. 1-10, отличающийся тем, что по меньшей мере одна мишень содержит по меньшей мере один элемент, такой как Ti, Al, Si, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd.
12. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что по меньшей мере один активный газ является азотом или кислородом или углеродсодержащим газом или смесью, содержащей по меньшей мере два из них.
13. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что атмосфера покрытия содержит хотя бы один инертный газ, предпочтительно, аргон, или неон, или криптон или смесь, содержащую по меньшей мере два из них.
14. Способ по любому из пп. 1-13, отличающийся тем, что технология распыления включает метод магнетронного распыления и/или метод магнетронного распыления с ионным покрытием и/или метод HIPIMS.
15. Подложка, покрытая с использованием покрытия, включающего по меньшей мере одну пленку, полученную в процессе нанесения покрытия, выполненном согласно способу по любому из пп. 1-14.
16. Установка для осуществления процесса нанесения покрытия в соответствии со способом по любому из пп. 1-15, отличающаяся тем, что установка содержит устройство для автоматического измерения веса мишени Wмишени.
17. Установка для осуществления процесса нанесения покрытия в соответствии со способом по любому из пп. 1-15 или установка согласно п. 16, отличающаяся тем, что установка содержит устройство для автоматического регулирования парциального давления активного газа.
RU2016103226A 2013-07-03 2014-06-30 Способ компенсации старения мишени для осуществления стабильного процесса реактивного распыления RU2016103226A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013011068.8 2013-07-03
DE102013011068.8A DE102013011068A1 (de) 2013-07-03 2013-07-03 Targetalter-Kompensationsverfahren zur Durchführung von stabilen reaktiven Sputterverfahren
PCT/EP2014/001780 WO2015000575A1 (en) 2013-07-03 2014-06-30 Target age compensation method for performing stable reactive sputtering processes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2016103226A true RU2016103226A (ru) 2017-08-08

Family

ID=51134002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016103226A RU2016103226A (ru) 2013-07-03 2014-06-30 Способ компенсации старения мишени для осуществления стабильного процесса реактивного распыления

Country Status (15)

Country Link
US (1) US9957600B2 (ru)
EP (1) EP3017077B1 (ru)
JP (1) JP6397906B2 (ru)
KR (1) KR102233345B1 (ru)
CN (1) CN105339521B (ru)
BR (1) BR112015032133B1 (ru)
CA (1) CA2916765C (ru)
DE (1) DE102013011068A1 (ru)
HK (1) HK1219517A1 (ru)
IL (1) IL243138B (ru)
MX (1) MX2015016577A (ru)
PH (1) PH12015502622A1 (ru)
RU (1) RU2016103226A (ru)
SG (1) SG11201510185VA (ru)
WO (1) WO2015000575A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11158491B2 (en) * 2017-06-01 2021-10-26 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Target assembly for safe and economic evaporation of brittle materials
CN107740053B (zh) * 2017-10-30 2019-10-15 广东工业大学 一种AlCrSiN/VSiN纳米多层涂层及其制备方法
WO2019162041A1 (en) * 2018-02-26 2019-08-29 Evatec Ag Stabilizing stress in a layer with respect to thermal loading

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0288772A (ja) * 1988-09-22 1990-03-28 Hitachi Metals Ltd スパッタ装置の膜厚制御方法
JP2734588B2 (ja) 1988-12-28 1998-03-30 日本電気株式会社 スパッタ装置
US6224724B1 (en) 1995-02-23 2001-05-01 Tokyo Electron Limited Physical vapor processing of a surface with non-uniformity compensation
JP3814764B2 (ja) 1995-02-23 2006-08-30 東京エレクトロン株式会社 スパッタ処理方式
JPH08260142A (ja) * 1995-03-24 1996-10-08 Kawasaki Steel Corp スパッタリング装置のターゲット消費量推算方法
DE19605316C1 (de) * 1996-02-14 1996-12-12 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Einrichtung zur Regelung von plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen
US6537428B1 (en) 1999-09-02 2003-03-25 Veeco Instruments, Inc. Stable high rate reactive sputtering
US6562715B1 (en) * 2000-08-09 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Barrier layer structure for copper metallization and method of forming the structure
US7324865B1 (en) * 2001-05-09 2008-01-29 Advanced Micro Devices, Inc. Run-to-run control method for automated control of metal deposition processes
TWI269815B (en) * 2002-05-20 2007-01-01 Tosoh Smd Inc Replaceable target sidewall insert with texturing
DE10347521A1 (de) 2002-12-04 2004-06-24 Leybold Optics Gmbh Verfahren zur Herstellung Multilayerschicht und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102004024351A1 (de) 2004-05-17 2005-12-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen eines Dünnschichtsystems mittels Zerstäuben
JP4040607B2 (ja) * 2004-06-14 2008-01-30 芝浦メカトロニクス株式会社 スパッタリング装置及び方法並びにスパッタリング制御用プログラム
US7891536B2 (en) * 2005-09-26 2011-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. PVD target with end of service life detection capability
US8133360B2 (en) * 2007-12-20 2012-03-13 Applied Materials, Inc. Prediction and compensation of erosion in a magnetron sputtering target
DE102011115145A1 (de) 2011-09-27 2013-03-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Magnetronsputtern mit Ausgleich der Targeterosion

Also Published As

Publication number Publication date
BR112015032133A2 (pt) 2017-07-25
CN105339521B (zh) 2018-05-04
SG11201510185VA (en) 2016-01-28
JP2016526604A (ja) 2016-09-05
HK1219517A1 (zh) 2017-04-07
PH12015502622A1 (en) 2016-03-07
CN105339521A (zh) 2016-02-17
EP3017077B1 (en) 2019-11-27
KR102233345B1 (ko) 2021-03-30
CA2916765C (en) 2022-05-03
MX2015016577A (es) 2017-01-18
IL243138B (en) 2019-11-28
KR20160027022A (ko) 2016-03-09
JP6397906B2 (ja) 2018-09-26
DE102013011068A1 (de) 2015-01-08
BR112015032133B1 (pt) 2021-11-30
US20160168686A1 (en) 2016-06-16
US9957600B2 (en) 2018-05-01
WO2015000575A1 (en) 2015-01-08
CA2916765A1 (en) 2015-01-08
EP3017077A1 (en) 2016-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016103226A (ru) Способ компенсации старения мишени для осуществления стабильного процесса реактивного распыления
JP2016066593A (ja) プラズマ処理装置
JP2015501371A5 (ru)
JP2011516728A5 (ru)
US10392694B2 (en) High-power pulse coating method
CN102912306B (zh) 计算机自动控制的高功率脉冲磁控溅射设备及工艺
US20160186306A1 (en) TiB2 LAYERS AND MANUFACTURE THEREOF
RU2013151452A (ru) Способ магнетронного распыления импульсами высокой мощности, обеспечивающий повышенную ионизацию распыленных частиц, и устройство для его осуществления
KR20150102726A (ko) 복수의 희가스를 사용하는 도핑된 압전 재료의 압전 계수 튜닝
JP2016032028A5 (ru)
CA3021704C (en) Ticn having reduced growth defects by means of hipims
JP2019094534A (ja) スパッタリング装置及び膜の製造方法
JP2018076558A (ja) スパッタリング装置及び膜の製造方法
DE102012110043B4 (de) Verfahren zur Einstellung des Arbeitspunktes beim reaktiven Sputtern
RU2014117429A (ru) Способ повышения адгезионной прочности композитных оксидных покрытий
JPS63469A (ja) スパツタリング装置
JPS596376A (ja) スパツタ装置
JP2013216957A5 (ru)
FR3044020B1 (fr) Revetement anti-corrosion a base de nickel et son procede d'obtention
RU2014108807A (ru) Наноструктурное покрытие из оксида циркония и способ его нанесения
US20130248353A1 (en) Deep-uv optical coating preparation method using sputtering deposition with pure metal target
Greene et al. Plasma emission monitoring of low rate materials on rotating cylindrical magnetrons
RU2014117826A (ru) Способ улучшения адгезионных свойств композитных покрытий на основе оксида циркония
UA55780U (ru) СПОСОБ УПРАВЛЕНИя ионно-плазменным напылением ТОНКИХ ПЛЕНОК В вакууме

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20170703