RU2016103226A - Способ компенсации старения мишени для осуществления стабильного процесса реактивного распыления - Google Patents
Способ компенсации старения мишени для осуществления стабильного процесса реактивного распыления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2016103226A RU2016103226A RU2016103226A RU2016103226A RU2016103226A RU 2016103226 A RU2016103226 A RU 2016103226A RU 2016103226 A RU2016103226 A RU 2016103226A RU 2016103226 A RU2016103226 A RU 2016103226A RU 2016103226 A RU2016103226 A RU 2016103226A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- coating
- gas
- coating process
- active
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0042—Controlling partial pressure or flow rate of reactive or inert gases with feedback of measurements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3492—Variation of parameters during sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/3467—Pulsed operation, e.g. HIPIMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/347—Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3476—Testing and control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24585—Other variables, e.g. energy, mass, velocity, time, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
- H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Claims (23)
1. Способ осуществления процесса нанесения покрытия, включающий методы распыления, в которых по меньшей мере одну мишень распыляют в атмосфере, содержащей по меньшей мере один активный газ, а значения характеристик распыления и/или скорости нанесения покрытия поддерживают по возможности в пределах заданных целевых значений, отличающийся тем, что отклонение значений характеристик распыления и/или скорости нанесения покрытия от целевых значений поддерживают в допустимом диапазоне отклонений для нужд промышленного применения путем регулирования парциального давления активного газа pактивного_газа в зависимости от веса мишени wмишени.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что мишень используют в качестве катода путем подачи мощности на мишень от источника питания таким образом, что плотность мощности на мишени поддерживают постоянной во время распыления мишени.
3. Способ по любому из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что парциальное давление активного газа pактивного_газа регулируют в зависимости от веса мишени wмишени в соответствии с корреляцией pактивного_газа/wмишени, предварительно определенной при соответствующих условиях нанесения покрытия.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что корреляцию pактивного_газа/wмишени определяют перед осуществлением процесса нанесения покрытия, используя способ, включающий по меньшей мере следующие этапы:
a) обеспечение установки нанесения покрытия и других необходимых элементов, а также по меньшей мере одной мишени, предпочтительно, мишени не бывшей в употреблении, того же типа, который необходим для осуществления процессов покрытия в соответствии с процессом нанесения покрытия, упомянутым в п. 3;
b) измерения веса мишени до осуществления i-го процесса нанесения покрытия для получения Wмишени_i_исходный;
c) осуществление i-го процесса нанесения покрытия для напыления пленки fi, с поддержанием всех параметров процесса нанесения покрытия в соответствии с процессом нанесения покрытия, упомянутым в п.3, за исключением парциального давления активного газа, которое варьируется в начале i-го процесса нанесения покрытия до регулирования значения парциального давления активного газа pактивного_газа_i, при котором достигаются заданные целевые значения характеристик распыления, после чего поддерживают постоянное значение парциального давления активного газа preactive_gas_i до завершения времени процесса нанесения покрытия ti;
d) измерение веса мишени после завершения i-го процесса нанесения покрытия для получения Wмишени_i_конечный, предпочтительно, также измерение толщины пленки fi, напыленной в процессе i-го нанесения покрытия;
e) повторение этапов b, c и d для i=1, 2, ..., N, где N>2;
g) определение корреляции pактивного_газа/wмишени, используя измеренные значения pактивного_газа_i и Wмишени_i_исходный или pактивного_газа_i и (Wмишени_i_исходный + Wмишени_i_конечный)/2.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что число i=n, соответствующее общему количеству процессов нанесения покрытий, которые необходимо выполнить для определения корреляции pактивного_газа/wмишени, выбирают с учетом толщины мишени, предпочтительно так, чтобы самая большая величина n была ограничена достижением самой низкой толщиной мишени, при которой механическая устойчивость мишени не была бы поставлена под угрозу.
6. Способ по любому из пп. 4 или 5, отличающийся тем, что время нанесения покрытия ti выбирают как можно большим с той целью, чтобы напылить пленку fi, с достаточно большой толщиной для достоверной оценки средней скорости напыления в процессе нанесения i-го покрытия, предпочтительно, чтобы ti сохранялось неизменным для каждого процесса нанесения i-го покрытия.
7. Способ по любому из пп. 4-6, отличающийся тем, что время покрытия ti для каждого i-го процесса нанесения покрытия выбирают таким образом, чтобы отклонение характеристик распыления и/или значения скорости покрытия от мишени к мишени поддерживалось в пределах допустимого диапазона отклонений для целей промышленного производства во время каждого процесса нанесения i-го покрытия, предпочтительно, чтобы ti сохранялось неизменным для каждого процесса нанесения i-го покрытия.
8. Способ по любому из пп. 1-7, отличающийся тем, что исходный вес мишени Wмишени_исходный измеряют перед началом процесса нанесения покрытия, а парциальное давление активного газа pактивного_газа регулируют с самого начала процесса нанесения покрытия и поддерживают постоянным в процессе нанесения покрытия.
9. Способ по любому из пп. 1-7, отличающийся тем, что вес мишени Wмишени измеряют с самого начала и/или во время процесса нанесения покрытия, а парциальное давление активного газа pактивного_газа регулируют с самого начала и/или во время процесса нанесения покрытия.
10. Способ по любому из пп. 1-9, отличающийся тем, что парциальное давление активного газа pактивного_газа регулируют автоматически.
11. Способ по любому из пп. 1-10, отличающийся тем, что по меньшей мере одна мишень содержит по меньшей мере один элемент, такой как Ti, Al, Si, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd.
12. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что по меньшей мере один активный газ является азотом или кислородом или углеродсодержащим газом или смесью, содержащей по меньшей мере два из них.
13. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что атмосфера покрытия содержит хотя бы один инертный газ, предпочтительно, аргон, или неон, или криптон или смесь, содержащую по меньшей мере два из них.
14. Способ по любому из пп. 1-13, отличающийся тем, что технология распыления включает метод магнетронного распыления и/или метод магнетронного распыления с ионным покрытием и/или метод HIPIMS.
15. Подложка, покрытая с использованием покрытия, включающего по меньшей мере одну пленку, полученную в процессе нанесения покрытия, выполненном согласно способу по любому из пп. 1-14.
16. Установка для осуществления процесса нанесения покрытия в соответствии со способом по любому из пп. 1-15, отличающаяся тем, что установка содержит устройство для автоматического измерения веса мишени Wмишени.
17. Установка для осуществления процесса нанесения покрытия в соответствии со способом по любому из пп. 1-15 или установка согласно п. 16, отличающаяся тем, что установка содержит устройство для автоматического регулирования парциального давления активного газа.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013011068.8 | 2013-07-03 | ||
DE102013011068.8A DE102013011068A1 (de) | 2013-07-03 | 2013-07-03 | Targetalter-Kompensationsverfahren zur Durchführung von stabilen reaktiven Sputterverfahren |
PCT/EP2014/001780 WO2015000575A1 (en) | 2013-07-03 | 2014-06-30 | Target age compensation method for performing stable reactive sputtering processes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2016103226A true RU2016103226A (ru) | 2017-08-08 |
Family
ID=51134002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016103226A RU2016103226A (ru) | 2013-07-03 | 2014-06-30 | Способ компенсации старения мишени для осуществления стабильного процесса реактивного распыления |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9957600B2 (ru) |
EP (1) | EP3017077B1 (ru) |
JP (1) | JP6397906B2 (ru) |
KR (1) | KR102233345B1 (ru) |
CN (1) | CN105339521B (ru) |
BR (1) | BR112015032133B1 (ru) |
CA (1) | CA2916765C (ru) |
DE (1) | DE102013011068A1 (ru) |
HK (1) | HK1219517A1 (ru) |
IL (1) | IL243138B (ru) |
MX (1) | MX2015016577A (ru) |
PH (1) | PH12015502622A1 (ru) |
RU (1) | RU2016103226A (ru) |
SG (1) | SG11201510185VA (ru) |
WO (1) | WO2015000575A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11158491B2 (en) * | 2017-06-01 | 2021-10-26 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Target assembly for safe and economic evaporation of brittle materials |
CN107740053B (zh) * | 2017-10-30 | 2019-10-15 | 广东工业大学 | 一种AlCrSiN/VSiN纳米多层涂层及其制备方法 |
WO2019162041A1 (en) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | Evatec Ag | Stabilizing stress in a layer with respect to thermal loading |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0288772A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Hitachi Metals Ltd | スパッタ装置の膜厚制御方法 |
JP2734588B2 (ja) | 1988-12-28 | 1998-03-30 | 日本電気株式会社 | スパッタ装置 |
US6224724B1 (en) | 1995-02-23 | 2001-05-01 | Tokyo Electron Limited | Physical vapor processing of a surface with non-uniformity compensation |
JP3814764B2 (ja) | 1995-02-23 | 2006-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | スパッタ処理方式 |
JPH08260142A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-08 | Kawasaki Steel Corp | スパッタリング装置のターゲット消費量推算方法 |
DE19605316C1 (de) * | 1996-02-14 | 1996-12-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zur Regelung von plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen |
US6537428B1 (en) | 1999-09-02 | 2003-03-25 | Veeco Instruments, Inc. | Stable high rate reactive sputtering |
US6562715B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer structure for copper metallization and method of forming the structure |
US7324865B1 (en) * | 2001-05-09 | 2008-01-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Run-to-run control method for automated control of metal deposition processes |
TWI269815B (en) * | 2002-05-20 | 2007-01-01 | Tosoh Smd Inc | Replaceable target sidewall insert with texturing |
DE10347521A1 (de) | 2002-12-04 | 2004-06-24 | Leybold Optics Gmbh | Verfahren zur Herstellung Multilayerschicht und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE102004024351A1 (de) | 2004-05-17 | 2005-12-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen eines Dünnschichtsystems mittels Zerstäuben |
JP4040607B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2008-01-30 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スパッタリング装置及び方法並びにスパッタリング制御用プログラム |
US7891536B2 (en) * | 2005-09-26 | 2011-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
US8133360B2 (en) * | 2007-12-20 | 2012-03-13 | Applied Materials, Inc. | Prediction and compensation of erosion in a magnetron sputtering target |
DE102011115145A1 (de) | 2011-09-27 | 2013-03-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Magnetronsputtern mit Ausgleich der Targeterosion |
-
2013
- 2013-07-03 DE DE102013011068.8A patent/DE102013011068A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-06-30 MX MX2015016577A patent/MX2015016577A/es unknown
- 2014-06-30 BR BR112015032133-0A patent/BR112015032133B1/pt active IP Right Grant
- 2014-06-30 JP JP2016522326A patent/JP6397906B2/ja active Active
- 2014-06-30 KR KR1020167001988A patent/KR102233345B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-30 CN CN201480034388.5A patent/CN105339521B/zh active Active
- 2014-06-30 US US14/902,575 patent/US9957600B2/en active Active
- 2014-06-30 SG SG11201510185VA patent/SG11201510185VA/en unknown
- 2014-06-30 CA CA2916765A patent/CA2916765C/en active Active
- 2014-06-30 WO PCT/EP2014/001780 patent/WO2015000575A1/en active Application Filing
- 2014-06-30 RU RU2016103226A patent/RU2016103226A/ru not_active Application Discontinuation
- 2014-06-30 EP EP14735854.3A patent/EP3017077B1/en active Active
-
2015
- 2015-11-24 PH PH12015502622A patent/PH12015502622A1/en unknown
- 2015-12-15 IL IL24313815A patent/IL243138B/en active IP Right Grant
-
2016
- 2016-06-29 HK HK16107569.8A patent/HK1219517A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BR112015032133A2 (pt) | 2017-07-25 |
CN105339521B (zh) | 2018-05-04 |
SG11201510185VA (en) | 2016-01-28 |
JP2016526604A (ja) | 2016-09-05 |
HK1219517A1 (zh) | 2017-04-07 |
PH12015502622A1 (en) | 2016-03-07 |
CN105339521A (zh) | 2016-02-17 |
EP3017077B1 (en) | 2019-11-27 |
KR102233345B1 (ko) | 2021-03-30 |
CA2916765C (en) | 2022-05-03 |
MX2015016577A (es) | 2017-01-18 |
IL243138B (en) | 2019-11-28 |
KR20160027022A (ko) | 2016-03-09 |
JP6397906B2 (ja) | 2018-09-26 |
DE102013011068A1 (de) | 2015-01-08 |
BR112015032133B1 (pt) | 2021-11-30 |
US20160168686A1 (en) | 2016-06-16 |
US9957600B2 (en) | 2018-05-01 |
WO2015000575A1 (en) | 2015-01-08 |
CA2916765A1 (en) | 2015-01-08 |
EP3017077A1 (en) | 2016-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2016103226A (ru) | Способ компенсации старения мишени для осуществления стабильного процесса реактивного распыления | |
JP2016066593A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2015501371A5 (ru) | ||
JP2011516728A5 (ru) | ||
US10392694B2 (en) | High-power pulse coating method | |
CN102912306B (zh) | 计算机自动控制的高功率脉冲磁控溅射设备及工艺 | |
US20160186306A1 (en) | TiB2 LAYERS AND MANUFACTURE THEREOF | |
RU2013151452A (ru) | Способ магнетронного распыления импульсами высокой мощности, обеспечивающий повышенную ионизацию распыленных частиц, и устройство для его осуществления | |
KR20150102726A (ko) | 복수의 희가스를 사용하는 도핑된 압전 재료의 압전 계수 튜닝 | |
JP2016032028A5 (ru) | ||
CA3021704C (en) | Ticn having reduced growth defects by means of hipims | |
JP2019094534A (ja) | スパッタリング装置及び膜の製造方法 | |
JP2018076558A (ja) | スパッタリング装置及び膜の製造方法 | |
DE102012110043B4 (de) | Verfahren zur Einstellung des Arbeitspunktes beim reaktiven Sputtern | |
RU2014117429A (ru) | Способ повышения адгезионной прочности композитных оксидных покрытий | |
JPS63469A (ja) | スパツタリング装置 | |
JPS596376A (ja) | スパツタ装置 | |
JP2013216957A5 (ru) | ||
FR3044020B1 (fr) | Revetement anti-corrosion a base de nickel et son procede d'obtention | |
RU2014108807A (ru) | Наноструктурное покрытие из оксида циркония и способ его нанесения | |
US20130248353A1 (en) | Deep-uv optical coating preparation method using sputtering deposition with pure metal target | |
Greene et al. | Plasma emission monitoring of low rate materials on rotating cylindrical magnetrons | |
RU2014117826A (ru) | Способ улучшения адгезионных свойств композитных покрытий на основе оксида циркония | |
UA55780U (ru) | СПОСОБ УПРАВЛЕНИя ионно-плазменным напылением ТОНКИХ ПЛЕНОК В вакууме |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20170703 |