DE19605316C1 - Verfahren und Einrichtung zur Regelung von plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Regelung von plasmagestützten Vakuumbeschich­ tungsprozessen durch Zerstäuben oder Verdampfen von Beschichtungsmaterial, bei denen eine elektrische Entladung zur Erzeugung eines Plasmas aufrechterhalten wird und bei denen die Katode der elektrischen Entladung als Beschichtungsquelle verwendet wird, sowie eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Nach dem Verfahren werden insbesondere Bauteile und Werkzeuge sowie Substrate, z. B. Spiegel und Glasscheiben, mit Funktions­ schichten bedampft.

Es sind eine Vielzahl von Vakuumbeschichtungsprozessen bekannt, bei denen durch elektri­ sche Entladungen erzeugte Plasmen zur Anwendung kommen. So sind Katodenzerstäu­ bungsprozesse Vakuumbeschichtungsprozesse, bei denen eine Glimmentladung oder Ma­ gnetronentladung gezündet und durch das Bombardement von Ionen aus dem Plasma auf die Katode Material von der Katode zerstäubt wird.

Desweiteren werden bei Vakuumbeschichtungsprozessen Plasmen zur Ionisierung und Anre­ gung des durch andere Prozesse erzeugten Dampfes genutzt. Zu diesen Vakuumbeschich­ tungsprozessen zählen insbesondere die Prozesse der plasmaaktivierten Verdampfung. Bei diesen plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen hängen die Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten in starkem Maße vom Zustand des durch die elektrische Entla­ dung erzeugten Plasmas ab. So führen Plasmen mit hoher Ladungsträgerdichte dazu, daß ein hoher Anteil des Dampfes ionisiert oder angeregt wird. Daraus resultiert ein Strom von energiereichen Teilchen zum Substrat, der zu den geforderten Schichteigenschaften, insbe­ sondere zu sehr dichten Schichten führt. Durch den Einsatz von Plasmen bei reaktiven Vaku­ umbeschichtungsprozessen steigt die Reaktivität zwischen Dampfteilchen und Reaktivgasteil­ chen erheblich. Dadurch kommt es zu einer Veränderung der Dampfdichteverteilung im Raum zwischen dem Ort der Dampfentstehung und dem Ort der Dampfabscheidung. Das führt zu einer Veränderung des Schichtdickenprofils auf dem Substrat. Diese Einflüsse des Plasmas auf die Schichtbildung sind oft erwünscht, aber mitunter auch ein nicht erwünschter Nebeneffekt.

In jedem Fall ist es jedoch wichtig, die Plasmaparameter, z. B. Ionendichte, Energie der Ionen, Elektronendichte, mit ihren Einflüssen auf die Schichtbildung zu kennen, zu überwachen und über Regelprozesse konstant zu halten oder entsprechend einer Beschichtungstechnologie gezielt zu verändern.

Es ist allgemein bekannt, für die Regelung von plasmagestützten Vakuumbeschichtungspro­ zessen die Parameter der elektrischen Entladung zu nutzen, indem diese elektrischen Para­ meter der Energieeinkopplung, wie z. B. die elektrische Leistung, zu messen und konstant zu halten. Ebenso kann die Stromstärke oder die Spannung der Entladung als Meßgröße für eine Regelung genutzt werden. Der Nachteil dieser Verfahren ist es, daß der Gesamt- Ladungsfluß, der aus Elektronen und Ionen gebildet wird, gemessen und zur Regelung ge­ nutzt wird. Der Anteil und die Energie der Ionen können nicht geregelt werden, obwohl die Eigenschaften der abgeschiedenen Schicht im starken Maße vom Anteil und der Energie dieser Ionen abhängen. Weiterhin können bei der Verwendung von mehreren Katoden die Einflüsse der elektrischen Entladung auf die einzelnen Katoden und auf den Dampfstrom zum Substrat nicht separiert werden.

Es ist auch bekannt, die Plasmaparameter am Substrat zu bestimmen. So wird z. B. das Floa­ tingpotential eines elektrisch isolierten, leitfähigen Substrats durch Spannungsmessung be­ stimmt, oder es wird der Strom zum Substrat nach Anlegen einer Spannung an das Substrat ausgewertet (Schade, K. et al.; Plasmatechnik: Anwendung in der Elektronik, Verlag Technik Berlin, 1990, S. 96ff). Diese Verfahren haben den Nachteil, daß sie bei elektrisch isolierenden Substraten oder elektrisch isolierenden Schichten nicht anwendbar sind, da bei elektrisch isolierenden Substraten oder Schichten keine Spannung gemessen werden kann.

Es ist weiterhin ein Verfahren mit Sondenmessung bekannt, bei dem eine kleine elektrische Sonde definierter Geometrie im Plasma angeordnet ist (Janzen, G.; Plasmatechnik - Grundla­ gen, Anwendungen, Diagnostik, Heidelberg: Hüftig, 1992, S. 255ff). Die Strom- Spannungskennlinie wird ausgewertet und die Plasmaparameter werden errechnet. Nachtei­ lig ist, daß die Sonde im Plasma einer hohen Dampf- und Temperaturbelastung unterliegt, daß dadurch die Meßergebnisse verfälscht werden und daß insbesondere bei Beschich­ tungsprozessen mit hoher Beschichtungsrate nur eine kurze Betriebszeit der Sonden erreicht wird.

Weiterhin ist ein Verfahren bekannt, in dem die Emission des Plasmas, insbesondere eine definierte Linie der Plasmaemission zur Charakterisierung der elektrischen Entladung und zur Regelung des plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozesses herangezogen wird (DD 239 810 A1). Dabei wird ein Lichtleitkabel in die Nähe des Plasmas geführt und mit einem Kollimator weitestgehend vor einer Beschichtung geschützt. Das Licht wird über ein Filter einem Verstärker, z. B. einem Sekundärelektronenvervielfacher zugeführt, der einen Regel­ kreis ansteuert. Der Nachteil dieses Verfahrens ist, daß nur ein kleiner Bereich des Plasmas zur Bestimmung der Plasmaparameter herangezogen wird, mit dem auf den gesamten Plas­ mabereich extrapoliert wird. Außerdem muß dieses Regelverfahren für jedes Beschichtungs­ material eingestellt werden und auch während des Vakuumbeschichtungsprozesses häufig kalibriert werden, so daß die Durchführung dieses Verfahrens sehr aufwendig ist.

Weiterhin ist bekannt, elektrisch isolierende Schichten durch plasmagestützte Vakuumbe­ schichtungsprozesse unter Nutzung mittelfrequent gepulster Plasmen im Frequenzbereich von 1 kHz bis 100 kHz aufzubringen (DD 2 52 205 A1). Der Nachteil dieser Verfahren mit gepulsten Plasmen besteht darin, daß keine Verfahren mit ausreichender Genauigkeit zur Messung bzw. Regelung solcher Vakuumbeschichtungsprozesse zur Verfügung stehen, auf­ grund der komplizierten, von zahlreichen Parametern abhängigen Pulsformen der elektri­ schen Größen.

Es sind auch Verfahren zur Plasmaaktivierung beim Elektronenstrahlverdampfen bekannt (DE 43 36 680 A1, DE 43 36 681 A1). Dabei werden Bogenentladungen auf mindestens einem als Katode geschalteten Elektronenstrahlverdampfer betrieben. Der Nachteil dieser Verfahren ist es, daß der Elektronenstrahl und der im Dampf brennende Bogen sich gegenseitig beein­ flussen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Einrichtung zur Regelung plasmagestützter Vakuumbeschichtungsprozesse durch Zerstäuben oder Verdampfen des Beschichtungsmaterials mit Gleichstromplasma oder gepulstem Plasma zu schaffen, um Schichten mit definierten Schichteigenschaften zu erzeugen. Das Verfahren soll die Regelung des Anteils von Ionen im Dampfraum des plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozesses ermöglichen. Es soll unabhängig von der elektrischen Leitfähigkeit der erzeugten Schichten und/oder der Substrate sein und in einfacher Weise über lange Zeiträume durchführbar sein. Die Einrichtung soll apparativ einfach ausgeführt sein.

Die Aufgabe wird nach den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Ansprüchen 2 bis 6 beschrieben. Die Einrichtung zur Durchfüh­ rung des Verfahrens ist in den Ansprüchen 7 und 8 beschrieben.

Das Wesen der Erfindung besteht darin, daß ein Verfahren gefunden wurde, um die an sich bekannte Kraft von Ionen eines Plasmas beim Ionenbombardement auf eine Katode zu nut­ zen, um ein daraus zu gewinnendes Signal zur Prozeßregelung zu verwerten. Durch diese Erkenntnis ist es möglich, die Kraft der Ionen des Plasmas beim Ionenbombardement auf die Beschichtungsquelle zu erfassen und als Signal weiter zu verarbeiten. Die Beschichtungsquel­ le ist eine Zerstäubungsquelle, vorzugsweise vom Typ Magnetron, oder ein Verdampfer, vor­ zugsweise ein durch Elektronenstrahl beheizter Verdampfer.

Diese Kraft der Ionen ergibt sich aus der Potentialdifferenz zwischen der Katodenfläche und dem Plasma, durch die die Ionen eine entsprechend hohe Energie, die sich je nach Ionen­ masse in einem hohen Ionenimpuls ausdrückt, erhalten. Außer von der Potentialdifferenz wird diese Kraft auf die Katode von der Anzahl der pro Zeiteinheit auf die Katode beschleu­ nigten Ionen bestimmt.

Ein Vorteil der Erfindung ist, daß durch Ermittlung dieser auf die Katode wirkenden Kraft eine Meßgröße ermittelt wird, aus der ein Signal gewonnen wird, mit dem es möglich ist, über einen an sich bekannten Regelkreis die Wirkung der elektrischen Entladung auf den Strom von Teilchen zum Substrat definiert zu regeln und somit die Eigenschaften der auf das Substrat aufgebrachten Schicht zu beeinflussen.

Weitere Vorteile der Erfindung bestehen darin, daß durch Mittelung des Signals plasmage­ stützte Vakuumbeschichtungsprozesse mit gepulsten Plasmen mit beliebiger Pulsform der elektrischen Parameter derart geregelt werden, daß sich beschichtete Substrate mit den ge­ forderten Schichteigenschaften herstellen lassen.

Bei der Verwendung von mindestens zwei als Katode wirkenden Beschichtungsquellen läßt sich mit diesem Verfahren die Wirkung der Entladung für jede einzelne Katode separieren und die Signale aus den einzelnen Katoden zur Regelung des gesamten Vakuumbeschich­ tungsprozesses verwenden, indem z. B. durch die Überlagerung einer Gleichspannung die elektrische Entladung im Mittel gleichermaßen auf die beiden Katoden verteilt wird. Das ist besonders vorteilhaft, wenn die einzelnen Katoden unterschiedliche Eigenschaften - z. B. unterschiedliche Magnetisierungen oder unterschiedliche Baugrößen - haben, und dadurch z. B. eine Wechselspannung von der Sinusform abweicht oder ungleich verteilt ist.

Durch die Anordnung der Sensoren zur Ermittelung der Kraft auf die Katode, auf der dem Plasma abgewandten Seite, werden Störungen durch Beschichtung oder thermische Einwir­ kungen auf die Sensoren vermieden. D.h. das Verfahren ist unabhängig von der Beschich­ tung mit elektrisch leitenden oder elektrisch isolierenden Materialien und/oder Substraten durchführbar.

Dadurch erhöht sich die Zuverlässigkeit und mögliche Betriebsdauer der Einrichtung, so daß sie langzeitstabil und sicher betrieben werden kann.

Zur Ausübung des Verfahrens wird jede Katode mit Kraftmeßzellen als Sensoren in der Va­ kuumkammer angeordnet. Die Kraftmeßzellen sind vorzugsweise elastische Elemente mit aufgebrachten Dehnmeßstreifen. Alle Versorgungsleitungen werden so angeschlossen, daß kein Kraftnebenschluß auftritt bzw. die daraus resultierenden Fehler vernachlässigbar klein sind. Ist beim Zerstäuben die Katodenoberfläche senkrecht angeordnet, d. h. wenn die Vor­ zugsrichtung des Ionenbombardements auf die Katode waagerecht ist, wird die Kraft der elektrischen Entladung auf die Katode direkt in waagerechter Richtung gemessen. In allen anderen Fällen, z. B. wenn die Vorzugsrichtung des Ionenbombardements auf die Katode senkrecht ist, ist dieser Kraft die Gewichtskraft der Katode und beim Verdampfen, z. B. Elek­ tronenstrahlverdampfen, die Rückstoßkraft der verdampften Teilchen überlagert. Zusätzlich ändert sich zeitlich das Gewicht der Katode durch Zerstäuben oder Verdampfen. Folglich muß eine meßtechnische Trennung der Gewichtskraft von der Kraft der elektrischen Entla­ dung erfolgen. Die Rückstoßkraft ist meist vernachlässigbar klein, oder sie wird zusammen mit der Gewichtskraft von der Kraft der elektrischen Entladung getrennt. Diese meßtechni­ sche Trennung wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß ein Parameter, der die Kraft der elektrischen Entladung, die die Ionen auf die Katode ausüben, bestimmt, in seiner Größe so schnell verändert wird, daß die Änderungsgeschwindigkeit der Kraft der elektrischen Entla­ dung groß gegen die Änderungsgeschwindigkeit der Gewichtskraft der Katode ist. Das kann z. B. durch kurzes Aus- und Wiedereinschalten der elektrischen Entladung oder kurzzeitige Änderung der elektrischen Parameter der elektrischen Entladung (z. B. Stromstärke, elektri­ sche Leistung) erfolgen. Die Kraftänderung der Gesamtkraft während der Einschalt- oder Ausschaltphase bzw. Änderungsphase ist dann ein Maß für die Kraft der elektrischen Entla­ dung auf die Katode.

Die Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens hat den Vorteil, daß auch bereits vorhan­ dene Einrichtungen ohne großen Aufwand nachgerüstet werden können, indem die Be­ schichtungsquellen nicht mehr direkt mit der Vakuumkammer verbunden sind, sondern Kraftmeßzellen zwischen Beschichtungsquelle und Vakuumkammer angeordnet sind. Des­ weiteren ist ein herkömmlicher Regelkreis notwendig, der im einfachsten Fall aus einem Filter und einem Regler besteht, mit dem das Signal verarbeitet und die entsprechenden Parameter zur Regelung des Vakuumbeschichtungsprozesses angesteuert werden.

An zwei Ausführungsbeispielen wird die Erfindung näher erläutert. Die zugehörigen Zeich­ nungen zeigen:

Fig. 1 einen Schnitt durch eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens mit zwei Ma­ gnetron-Zerstäubungsquellen

Fig. 2 einen Schnitt durch eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens mit einem Elektronenstrahlverdampfer

Fig. 3 ein Diagramm der Kraft, der Stromstärke der elektrischen Entladung und der Elektro­ nenstrahlleistung, in Abhängigkeit von der Zeit, beim plasmaaktivierten Elektronen­ strahlverdampfen.

In Fig. 1 sind an den Seitenwänden einer Vakuumkammer 1 zwei Magnetron- Zerstäubungsquellen 2 senkrecht mittels jeweils zweier Kraftmeßzellen 3, die elastische Ele­ mente mit aufgebrachten Dehnmeßstreifen sind, angeordnet. Zwischen beiden Magnetrons 2 ist ein beidseitig zu beschichtendes Substrat 4 angeordnet. Die Magnetrons 2 sind mit den Ausgängen einer Wechselspannungsquelle 5 verbunden und dadurch abwechselnd als Ka­ tode oder Anode der elektrischen Entladung mit einer Frequenz von 50 kHz und einer Spit­ zenspannung U_s geschaltet. Weiterhin ist eine Gleichspannungsquelle 6 derart mit den Ma­ gnetrons 2 verbunden, daß der Wechselspannung die Gleichspannung so überlagert wird, daß der zeitliche Mittelwert über eine Periode der Wechselspannung auf Werte von -½ U_s bis +½ U_s verschoben werden kann.

Brennt die elektrische Entladung zwischen den Magnetrons 2, so werden die auf die Magne­ trons 2 waagerecht wirkenden Kräfte mit den Kraftmeßzellen 3 gemessen. Die so gewonne­ nen Signale werden einem bekannten Regelkreis zugeführt, indem die Signale von jeweils einem Filter 7 geglättet werden. Anschließend werden die Ausgangssignale der Filter 7 ei­ nem Subtraktionsglied 8 zugeführt, in dem die beiden geglätteten Signale voneinander sub­ trahiert werden. Das Ausgangssignal des Subtraktionsgliedes 8, das Differenzsignal, wird einem Regler 9 zugeführt. Dieser beeinflußt die überlagerte Gleichspannung so lange, bis die Abweichung des Differenzsignals von Null minimal wird.

In Fig. 2 ist an einer Seite einer Vakuumkammer 1 eine Elektronenkanone 10 vom Axialtyp angeordnet, deren Elektronenstrahl 11 einen mit Titan gefüllten Verdampfer 12 beauf­ schlagt. Der Verdampfer 12 ist mittels Kraftmeßzellen 3, bestehend aus elastischen Elemen­ ten mit aufgebrachten Dehnmeßstreifen, waagerecht in der Vakuumkammer 1 befestigt. Über dem Verdampfer 12 ist ein zu beschichtendes Substrat 13 angeordnet.

Die Ausgänge einer Gleichstromquelle 14 zur Bogenstromversorgung zur Aufrechterhaltung der elektrischen Entladung sind so mit der Vakuumkammer 1 und dem Verdampfer 12, der als Katode geschaltet ist, verbunden, daß die elektrische Entladung brennt. Die Elektronen­ kanone 10 arbeitet mit einer konstanten Spannung und variabler Leistung. Zunächst werden eine bestimmte Leistung der Elektronenkanone 10 und ein fester Wert der Stromstärke l_arc der elektrischen Entladung eingestellt, so daß ausreichend Titan verdampft. Das Regelungs­ verfahren mit Hilfe der Kraftmessung wird zyklisch in den Phasen des Substratwechsels durchgeführt.

Fig. 3 zeigt, wie nun die Kraft der elektrischen Entladung ermittelt wird. Die Elektronenstrahl­ leistung P_eb, die Stromstärke der elektrischen Entladung I_arc und die Kraft F als Summe der Signale der Kraftmeßzelle 3 sind als Funktion über der Zeit t dargestellt. Die Verdampfung erfolgt mit der Elektronenstrahlleistung P_eb. Zu der Zeit t₁ wird die Kraft F₁ gemessen, wel­ che sich aus der Kraft der elektrischen Entladung, der Rückstoßkraft des verdampfenden Titans und der Gewichtskraft des schmelzflüssigen Titans und des Verdampfers 12 zusam­ mensetzt. Zunächst wird die Stromstärke I_arc ohne Verzögerung von 1₁ auf I₂ = 0 geschaltet. Zur Zeit t₂(t₂<t₁) wird die Kraft F₂ gemessen. Zur Zeit t₃ unmittelbar vor dem Wiedereinschal­ ten der Entladung auf den Strom I₁, wird F₃ gemessen. Anschließend wird die Stromstärke I_arc ohne Verzögerung wieder auf den Wert I₁ geschaltet. Zu der Zeit t₄(t₄<t₃) wird die Kraft F₄ gemessen. Diese Kraft F₄ setzt sich wieder aus der Kraft der elektrischen Entladung, der Rückstoßkraft, der Gewichtskraft des schmelzflüssigen Titans und des Verdampfers 12 zu­ sammen.

Die vor und nach dem Vorgang der Reduzierung der Stromstärke I_arc aus den gemessenen Kräften ermittelten Signale werden von einem Filter 7 geglättet. Anschließend werden die Ausgangssignale des Filter 7 einem Regler 9 zugeführt. Im Regler 9 wird aus der Differenz zwischen den zum Zeitpunkt t₁ und t₂ gemessenen Kräften F₁ und F₂ die Kraft der elektri­ schen Entladung ermittelt. Der Regler 9 vergleicht diese ermittelte Kraft mit vorgegebenen Sollwerten. Die Kraft der elektrischen Entladung aus der Differenz zwischen den zum Zeit­ punkt t₃ und t₄ gemessenen Kräften F₃ und F₄ wird für Kontrollzwecke ermittelt. Weicht die Kraft der elektrischen Entladung von einem vorgegebenen Sollwert ab, wird über einen Leistungssteller 15 die Größe der Elektronenstrahlleistung P_eb der Elektronenkanone 10 so verändert, daß die Abweichung der Kraft der elektrischen Entladung vom vorgegebe­ nen Sollwert minimal wird.

Claims (8)

1. Verfahren zur Regelung von plasmagestützten Vakuumbeschichtungsprozessen, bei denen eine elektrische Entladung zur Erzeugung eines Plasmas aufrechterhalten wird, und bei denen mindestens eine Katode der elektrischen Entladung als Beschichtungs­ quelle, die ein Verdampfer, vorzugsweise ein Elektronenstrahlverdampfer, oder eine Zerstäubungsquelle ist, verwendet wird, und mindestens ein Prozeßparameter über ei­ nen Regelkreis den Beschichtungsbedingungen angepaßt wird, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die durch die elektrische Entladung auf die als Katode geschaltete Be­ schichtungsquelle wirkende Kraft an mindestens einer Stelle ermittelt wird, indem die auf die Befestigung der Beschichtungsquelle wirkende Kraft gemessen wird, daß diese gewonnene Meßgröße als Signal erfaßt wird, und daß dieses Signal als Regelgröße dem Regelkreis zugeführt wird, der die Prozeßparameter regelt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer von der vertika­ len Lage abweichend in der Vakuumkammer angeordneten Zerstäubungsquelle oder einem waagerecht angeordneten Elektronenstrahlverdampfer die durch die elektrische Entladung auf die Katode wirkende Kraft derart ermittelt wird, daß die auf die Be­ schichtungsquelle wirkenden Kräfte als Summe gemessen werden, daß aus der Sum­ me der Kräfte die Kraft der elektrischen Entladung meßtechnisch getrennt wird, indem mindestens ein diese Kraft bestimmender Prozeßparameter in seiner Größe so schnell verändert wird, daß die Änderungsgeschwindigkeit dieser Kraft groß gegen die Ände­ rungsgeschwindigkeit der Gewichtskraft ist, und daß durch Differenzbildung aus der Summe der Kräfte vor der Änderung und der Summe der Kräfte nach der Änderung die auf die Katode wirkende Kraft der elektrischen Entladung ermittelt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Änderung eines die elektrische Entladung bestimmenden Prozeßparameters, insbesondere Stromstärke und elektrische Leistung, derart erfolgt, daß die elektrische Entladung aus- und wie­ dereingeschaltet oder kurzzeitig verändert wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß beim Betreiben mindestens zweier Zerstäubungsquellen mit einer pulsförmigen Wechselspannung mit den aus der Kraft der elektrischen Entladung gewonnenen Signalen über einen Regel­ kreis die elektrischen Parameter der pulsförmigen Wechselspannung so verändert wer­ den, daß die Kräfte der elektrischen Entladung auf die einzelnen Zerstäubungsquellen auf vorgegebene Sollwerte geregelt werden.

5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Verwen­ dung von zwei Zerstäubungsquellen mit den aus der Kraft der elektrischen Entladung gewonnenen Signalen der zeitliche Mittelwert der pulsförmigen Wechselspannung über eine Periode durch Veränderung des Tastverhältnisses oder durch Überlagerung einer Gleichspannung derart verändert wird, daß auf beide Zerstäubungsquellen die gleiche mittlere Kraft der elektrischen Entladung wirkt.

6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Verwen­ dung eines Elektronenstrahlverdampfers mit dem aus der elektrischen Entladung ge­ wonnenen Signal die Regelung der Leistung der Energiezufuhr zum Beschichtungsma­ terial derart erfolgt, daß die Kraft der elektrischen Entladung auf einen vorgegebenen Sollwert geregelt wird.

7. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, bestehend aus einer Vakuumkammer, in der mindestens eine Zerstäubungsquelle oder mindestens ein Elek­ tronenstrahlverdampfer als Beschichtungsquelle angeordnet ist, wobei mindestens eine Beschichtungsquelle als Katode einer elektrischen Entladung geschaltet ist, und daß die Zerstäubungsquelle in beliebiger Lage in der Vakuumkammer angeordnet ist, ei­ nem Gaseinlaß und einem Regelkreis zur Regelung der Prozeßparameter, dadurch gekennzeichnet, daß die als Katode (2) geschaltete Beschichtungsquelle mit minde­ stens einer Kraftmeßzelle (3) in der Vakuumkammer (1) befestigt ist und daß die Kraftmeßzelle (3) mit dem Regelkreis elektrisch verbunden ist.

8. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kraftmeßzelle (3) ein elastisches Element mit aufgebrachtem Dehnmeßstreifen ist.