RU2016102389A - Источник электронов, источник рентгеновского излучения и устройство, в котором используется источник рентгеновского излучения - Google Patents
Источник электронов, источник рентгеновского излучения и устройство, в котором используется источник рентгеновского излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2016102389A RU2016102389A RU2016102389A RU2016102389A RU2016102389A RU 2016102389 A RU2016102389 A RU 2016102389A RU 2016102389 A RU2016102389 A RU 2016102389A RU 2016102389 A RU2016102389 A RU 2016102389A RU 2016102389 A RU2016102389 A RU 2016102389A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electron
- emission
- source according
- source
- electron emission
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
- H01J35/065—Field emission, photo emission or secondary emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/112—Non-rotating anodes
- H01J35/116—Transmissive anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/14—Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/02—Constructional details
- H05G1/04—Mounting the X-ray tube within a closed housing
- H05G1/06—X-ray tube and at least part of the power supply apparatus being mounted within the same housing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/26—Measuring, controlling or protecting
- H05G1/30—Controlling
- H05G1/52—Target size or shape; Direction of electron beam, e.g. in tubes with one anode and more than one cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30469—Carbon nanotubes (CNTs)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2203/00—Electron or ion optical arrangements common to discharge tubes or lamps
- H01J2203/02—Electron guns
- H01J2203/0204—Electron guns using cold cathodes, e.g. field emission cathodes
- H01J2203/0208—Control electrodes
- H01J2203/0212—Gate electrodes
- H01J2203/0216—Gate electrodes characterised by the form or structure
- H01J2203/022—Shapes or dimensions of gate openings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2203/00—Electron or ion optical arrangements common to discharge tubes or lamps
- H01J2203/02—Electron guns
- H01J2203/0204—Electron guns using cold cathodes, e.g. field emission cathodes
- H01J2203/0208—Control electrodes
- H01J2203/0212—Gate electrodes
- H01J2203/0216—Gate electrodes characterised by the form or structure
- H01J2203/0224—Arrangement of gate openings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2203/00—Electron or ion optical arrangements common to discharge tubes or lamps
- H01J2203/02—Electron guns
- H01J2203/0204—Electron guns using cold cathodes, e.g. field emission cathodes
- H01J2203/0208—Control electrodes
- H01J2203/0212—Gate electrodes
- H01J2203/0236—Relative position to the emitters, cathodes or substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/06—Cathode assembly
- H01J2235/062—Cold cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/06—Cathode assembly
- H01J2235/068—Multi-cathode assembly
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/14—Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
- H01J35/147—Spot size control
Claims (38)
1. Источник электронов, содержащий:
одну или, по меньшей мере, две области эмиссии электронов, в каждой из которых предусмотрено множество электронно-эмиссионных микроблоков; при этом:
электронно-эмиссионный микроблок содержит: базовый слой; изолирующий слой, расположенный на базовом слое; слой сетки, расположенный на изолирующем слое; отверстие в слое сетки; и эмиттер электронов, который закреплен на базовом слое, и положение которого совпадает с положением отверстия; а
электронно-эмиссионные микроблоки в пределах одной области эмиссии электронов электрически соединены друг с другом, и могут одновременно испускать или не испускать электроны.
2. Источник электронов по п. 1, в котором, если указанный источник электронов содержит, по меньшей мере, две области эмиссии электронов, разные области эмиссии электронов гальванически развязаны между собой.
3. Источник электронов по п. 2, в котором разные области эмиссии электронов гальванически развязаны между собой, а это означает, что физически отделены друг от друга соответствующие базовые слои всех областей эмиссии электронов, или физически отделены друг от друга соответствующие слои сетки всех областей эмиссии электронов, или физически отделены друг от друга как соответствующие базовые слои, так соответствующие слои сетки всех областей эмиссии электронов.
4. Источник электронов по п. 1, в котором изолирующий слой характеризуется толщиной менее 200 мкм.
5. Источник электронов по п. 1, в котором слой сетки идет параллельно базовому слою.
6. Источник электронов по п. 1, в котором размер отверстия меньше толщины изолирующего слоя и меньше расстояния от эмиттера электронов до слоя сетки.
7. Источник электронов по п. 1, в котором эмиттер электронов характеризуется высотой, составляющей менее половины толщины изолирующего слоя.
8. Источник электронов по п. 1, в котором эмиттер электронов может быть изготовлен с использованием наноматериалов, и такими наноматериалами могут служить или одностенные углеродные нанотрубки, или двустенные углеродные нанотрубки, или многостенные углеродные нанотрубки, или комбинация указанных нанотрубок.
9. Источник электронов по п. 1, в котором:
базовый слой состоит из подложки и токопроводящего слоя, расположенного на подложке; а
эмиттер электронов закреплен на токопроводящем слое.
10. Источник электронов по п. 9, в котором эмиттер электронов составлен таким образом, что токопроводящий слой представляет собой пленку, выполненную из наноматериала, а часть наноматериала нанопленки в позиции, соответствующей отверстию, поднимается и идет перпендикулярно поверхности токопроводящего слоя.
11. Источник электронов по п. 1, в котором пространство, занимаемое электронно-эмиссионным микроблоком вдоль решетки, варьируется в пределах 1-200 мкм.
12. Источник электронов по п. 1, в котором соотношение между длиной и шириной области эмиссии электронов превышает 2 к 1.
13. Источник рентгеновского излучения, содержащий:
вакуумную камеру;
источник электронов, расположенный в вакуумной камере, который содержит:
одну или, по меньшей мере, две области эмиссии электронов, в каждой из которых предусмотрено множество электронно-эмиссионных микроблоков; при этом:
электронно-эмиссионный микроблок содержит: базовый слой; изолирующий слой, расположенный на базовом слое; слой сетки, расположенный на изолирующем слое; отверстие в слое сетки; и эмиттер электронов, который закреплен на базовом слое, и положение которого совпадает с положением отверстия; а
электронно-эмиссионные микроблоки в пределах одной области эмиссии электронов электрически соединены друг с другом, и могут одновременно испускать или не испускать электроны;
анод, расположенный напротив источника рентгеновского излучения в вакуумной камере;
управляющее устройство источника электронов, выполненное с возможностью подачи напряжения между базовым слоем и слоем сетки в области эмиссии электронов источника электронов; и
высоковольтный источник электропитания, подключенный к аноду и выполненный с возможностью подачи высокого напряжения на анод.
14. Источник рентгеновского излучения по п. 13, дополнительно содержащий:
первое соединительное устройство, смонтированное на стенке вакуумной камеры и выполненное с возможностью подключения к источнику электронов и управляющему устройству источника электронов; и
второе соединительное устройство, смонтированное на стенке вакуумной камеры и выполненное с возможностью подключения к аноду и высоковольтному источнику электропитания.
15. Источник рентгеновского излучения по п. 13, в котором анод характеризуется наличием участков с фокусными пятнами, которые соотносятся с конкретными областями эмиссии электронов источника электронов; при этом каждый из указанных участков на мишени может быть выполнен из множества разных материалов.
16. Источник рентгеновского излучения по п. 13, в котором управляющее устройство источника электронов осуществляет управление таким образом, чтобы области эмиссии электронов в источнике электронов испускали электроны в заданной последовательности.
17. Источник рентгеновского излучения по п. 13, в котором управляющее устройство источника электронов осуществляет управление таким образом, чтобы заданное число соседних областей эмиссии электронов в источнике электронов испускало электроны в заданной последовательности.
18. Источник рентгеновского излучения по п. 13, в котором поверхность области эмиссии электронов характеризуется дугообразной формой по ширине, а электроны, испускаемые всеми электронно-эмиссионными микроблоками, расположенными в этой области эмиссии электронов, фокусируются на некой точке в поперечном направлении.
19. Источник рентгеновского излучения по п. 13, дополнительно содержащий:
множество фокусировочных устройств, которые соотносятся с множеством областей эмиссии электронов, и которые расположены между источником электронов и анодом; при этом:
фокусировочные устройства закрывают сверху все электронно-эмиссионные микроблоки в области эмиссии электронов; и
фокусировочное устройство представляет собой электрод или соленоид.
20. Источник рентгеновского излучения по п. 13, в котором фокусные пятна на аноде располагаются по одной из следующих схем: по кругу, по дуге, в виде замкнутого прямоугольника, в виде ломаной линии или в виде отрезка прямой.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410419359.2 | 2014-08-25 | ||
CN201410419359.2A CN105374654B (zh) | 2014-08-25 | 2014-08-25 | 电子源、x射线源、使用了该x射线源的设备 |
PCT/CN2015/087488 WO2016029811A1 (zh) | 2014-08-25 | 2015-08-19 | 电子源、x射线源、使用了该x射线源的设备 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2016102389A true RU2016102389A (ru) | 2018-09-27 |
RU2016102389A3 RU2016102389A3 (ru) | 2018-09-27 |
RU2668268C2 RU2668268C2 (ru) | 2018-09-28 |
Family
ID=55376746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016102389A RU2668268C2 (ru) | 2014-08-25 | 2015-08-19 | Источник электронов, источник рентгеновского излучения и устройство, в котором используется источник рентгеновского излучения |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10014148B2 (ru) |
EP (1) | EP3188213A4 (ru) |
JP (1) | JP6523301B2 (ru) |
KR (1) | KR101810349B1 (ru) |
CN (1) | CN105374654B (ru) |
HK (1) | HK1222474A1 (ru) |
RU (1) | RU2668268C2 (ru) |
WO (1) | WO2016029811A1 (ru) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150117599A1 (en) | 2013-10-31 | 2015-04-30 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
US10295485B2 (en) | 2013-12-05 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray transmission spectrometer system |
US10297359B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray illumination system with multiple target microstructures |
US10269528B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-04-23 | Sigray, Inc. | Diverging X-ray sources using linear accumulation |
US10416099B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-09-17 | Sigray, Inc. | Method of performing X-ray spectroscopy and X-ray absorption spectrometer system |
US10304580B2 (en) | 2013-10-31 | 2019-05-28 | Sigray, Inc. | Talbot X-ray microscope |
USRE48612E1 (en) | 2013-10-31 | 2021-06-29 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
US10401309B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-09-03 | Sigray, Inc. | X-ray techniques using structured illumination |
GB2531326B (en) * | 2014-10-16 | 2020-08-05 | Adaptix Ltd | An X-Ray emitter panel and a method of designing such an X-Ray emitter panel |
US10352880B2 (en) | 2015-04-29 | 2019-07-16 | Sigray, Inc. | Method and apparatus for x-ray microscopy |
US10295486B2 (en) | 2015-08-18 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | Detector for X-rays with high spatial and high spectral resolution |
CN109310380B (zh) | 2016-06-15 | 2023-02-28 | 深圳市奥沃医学新技术发展有限公司 | 肿瘤位置的追踪方法及放射治疗设备 |
WO2018035171A1 (en) * | 2016-08-16 | 2018-02-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanoscale x-ray tomosynthesis for rapid analysis of integrated circuit (ic) dies |
US11145431B2 (en) * | 2016-08-16 | 2021-10-12 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for nanoscale X-ray imaging of biological specimen |
WO2018073554A1 (en) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | Adaptix Ltd. | X-ray source |
US10247683B2 (en) | 2016-12-03 | 2019-04-02 | Sigray, Inc. | Material measurement techniques using multiple X-ray micro-beams |
CN106970411B (zh) * | 2017-05-08 | 2023-05-02 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种电子束发散角分布测量装置及测量方法 |
CN109216138A (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-15 | 同方威视技术股份有限公司 | X射线管 |
CN107331430B (zh) * | 2017-08-10 | 2023-04-28 | 海默科技(集团)股份有限公司 | 一种多相流相分率测定装置双源双能级射线源仓 |
US10573483B2 (en) * | 2017-09-01 | 2020-02-25 | Varex Imaging Corporation | Multi-grid electron gun with single grid supply |
US10566170B2 (en) * | 2017-09-08 | 2020-02-18 | Electronics And Telecommunications Research Institute | X-ray imaging device and driving method thereof |
RU2697258C1 (ru) * | 2018-03-05 | 2019-08-13 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Рентгеновский источник и способ генерации рентгеновского излучения |
US10578566B2 (en) | 2018-04-03 | 2020-03-03 | Sigray, Inc. | X-ray emission spectrometer system |
US10845491B2 (en) | 2018-06-04 | 2020-11-24 | Sigray, Inc. | Energy-resolving x-ray detection system |
GB2591630B (en) | 2018-07-26 | 2023-05-24 | Sigray Inc | High brightness x-ray reflection source |
US10656105B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-05-19 | Sigray, Inc. | Talbot-lau x-ray source and interferometric system |
CN112638261A (zh) | 2018-09-04 | 2021-04-09 | 斯格瑞公司 | 利用滤波的x射线荧光的系统和方法 |
DE112019004478T5 (de) | 2018-09-07 | 2021-07-08 | Sigray, Inc. | System und verfahren zur röntgenanalyse mit wählbarer tiefe |
DE102018221177A1 (de) * | 2018-12-06 | 2020-06-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Röntgen-rückstreuuntersuchungstechnik für die serienprüfung |
JPWO2020122257A1 (ja) * | 2018-12-14 | 2021-10-21 | 株式会社堀場製作所 | X線管及びx線検出装置 |
WO2020141435A1 (en) * | 2018-12-31 | 2020-07-09 | Nano-X Imaging Ltd | System and method for providing a digitally switchable x-ray sources |
WO2021011209A1 (en) | 2019-07-15 | 2021-01-21 | Sigray, Inc. | X-ray source with rotating anode at atmospheric pressure |
US11437218B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-09-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus and method for nanoscale X-ray imaging |
EP3933881A1 (en) * | 2020-06-30 | 2022-01-05 | VEC Imaging GmbH & Co. KG | X-ray source with multiple grids |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4165472A (en) | 1978-05-12 | 1979-08-21 | Rockwell International Corporation | Rotating anode x-ray source and cooling technique therefor |
US5176557A (en) | 1987-02-06 | 1993-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission element and method of manufacturing the same |
US4721885A (en) * | 1987-02-11 | 1988-01-26 | Sri International | Very high speed integrated microelectronic tubes |
JP3402301B2 (ja) * | 1989-12-18 | 2003-05-06 | セイコーエプソン株式会社 | 発光型表示装置 |
JP2625370B2 (ja) * | 1993-12-22 | 1997-07-02 | 日本電気株式会社 | 電界放出冷陰極とこれを用いたマイクロ波管 |
DE4405768A1 (de) * | 1994-02-23 | 1995-08-24 | Till Keesmann | Feldemissionskathodeneinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US5872422A (en) | 1995-12-20 | 1999-02-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon fiber-based field emission devices |
KR100286828B1 (ko) * | 1996-09-18 | 2001-04-16 | 니시무로 타이죠 | 플랫패널표시장치 |
JP4214617B2 (ja) * | 1999-05-25 | 2009-01-28 | ソニー株式会社 | 冷陰極電界電子放出表示装置用のカソード・パネルの検査方法 |
US6553096B1 (en) | 2000-10-06 | 2003-04-22 | The University Of North Carolina Chapel Hill | X-ray generating mechanism using electron field emission cathode |
JP5055655B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2012-10-24 | 日本電気株式会社 | エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置 |
JP2002210029A (ja) | 2001-01-19 | 2002-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 放射線治療装置 |
US6760407B2 (en) * | 2002-04-17 | 2004-07-06 | Ge Medical Global Technology Company, Llc | X-ray source and method having cathode with curved emission surface |
EP1779403A4 (en) * | 2004-07-05 | 2009-05-06 | Cebt Co Ltd | METHOD FOR CONTROLLING AN ELECTRON BEAM IN A MULTIPLE-MICROSULE AND MULTIPLE MICROSULE THEREWITH |
WO2006116365A2 (en) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | X-ray imaging using temporal digital signal processing |
KR20080032532A (ko) | 2006-10-10 | 2008-04-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 디스플레이 |
JP4878311B2 (ja) | 2006-03-03 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | マルチx線発生装置 |
JP4990555B2 (ja) * | 2006-05-12 | 2012-08-01 | 株式会社アルバック | カソード基板及び表示素子 |
EP2049888B1 (en) | 2006-08-11 | 2014-05-14 | American Science & Engineering, Inc. | X-ray inspection with contemporaneous and proximal transmission and backscatter imaging |
CN101452797B (zh) | 2007-12-05 | 2011-11-09 | 清华大学 | 场发射电子源及其制备方法 |
JP4886713B2 (ja) | 2008-02-13 | 2012-02-29 | キヤノン株式会社 | X線撮影装置及びその制御方法 |
WO2011069024A1 (en) | 2009-12-03 | 2011-06-09 | Rapiscan Systems, Inc. | Time of flight backscatter imaging system |
WO2011119629A1 (en) | 2010-03-22 | 2011-09-29 | Xinray Systems Llc | Multibeam x-ray source with intelligent electronic control systems and related methods |
CN101961530B (zh) * | 2010-10-27 | 2013-11-13 | 玛西普医学科技发展(深圳)有限公司 | 一种影像引导下的放射治疗设备 |
CN102074429B (zh) * | 2010-12-27 | 2013-11-06 | 清华大学 | 场发射阴极结构及其制备方法 |
CN102306595B (zh) * | 2011-08-07 | 2014-12-17 | 上海康众光电科技有限公司 | 一种带有限流晶体管的碳纳米管场发射阵列及制备 |
KR101917742B1 (ko) * | 2012-07-06 | 2018-11-12 | 삼성전자주식회사 | 메쉬 전극 접합 구조체, 전자 방출 소자, 및 전자 방출 소자를 포함하는 전자 장치 |
KR102025970B1 (ko) * | 2012-08-16 | 2019-09-26 | 나녹스 이미징 피엘씨 | 영상 캡처 장치 |
CN203377194U (zh) | 2012-12-31 | 2014-01-01 | 同方威视技术股份有限公司 | 阴控多阴极分布式x射线装置及具有该装置的ct设备 |
RU135214U1 (ru) * | 2013-05-27 | 2013-11-27 | Владимир Фёдорович Бусаров | Рентгеновская терапевтическая установка для близкофокусной рентгенотерапии, излучатель рентгеновского излучения для этой установки и рентгеновская трубка для этой установки |
CN103400739B (zh) * | 2013-08-06 | 2016-08-10 | 苏州爱思源光电科技有限公司 | 具有大发射面积场发射复合材料的尖锥阵列冷阴极x光管 |
CN203537653U (zh) | 2013-09-18 | 2014-04-09 | 清华大学 | X射线装置以及具有该x射线装置的ct设备 |
CN203563254U (zh) * | 2013-09-18 | 2014-04-23 | 同方威视技术股份有限公司 | X射线装置及具有该x射线装置的ct设备 |
CN203590580U (zh) | 2013-09-18 | 2014-05-07 | 清华大学 | X射线装置以及具有该x射线装置的ct设备 |
-
2014
- 2014-08-25 CN CN201410419359.2A patent/CN105374654B/zh active Active
-
2015
- 2015-08-19 RU RU2016102389A patent/RU2668268C2/ru active
- 2015-08-19 EP EP15813227.4A patent/EP3188213A4/en active Pending
- 2015-08-19 JP JP2016544723A patent/JP6523301B2/ja active Active
- 2015-08-19 KR KR1020167010573A patent/KR101810349B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-19 US US14/904,061 patent/US10014148B2/en active Active
- 2015-08-19 WO PCT/CN2015/087488 patent/WO2016029811A1/zh active Application Filing
-
2016
- 2016-09-02 HK HK16110515.7A patent/HK1222474A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10014148B2 (en) | 2018-07-03 |
KR20160058931A (ko) | 2016-05-25 |
CN105374654A (zh) | 2016-03-02 |
RU2668268C2 (ru) | 2018-09-28 |
KR101810349B1 (ko) | 2017-12-18 |
HK1222474A1 (zh) | 2017-06-30 |
WO2016029811A1 (zh) | 2016-03-03 |
EP3188213A1 (en) | 2017-07-05 |
CN105374654B (zh) | 2018-11-06 |
JP2016536771A (ja) | 2016-11-24 |
US20170162359A1 (en) | 2017-06-08 |
EP3188213A4 (en) | 2018-07-18 |
RU2016102389A3 (ru) | 2018-09-27 |
JP6523301B2 (ja) | 2019-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2016102389A (ru) | Источник электронов, источник рентгеновского излучения и устройство, в котором используется источник рентгеновского излучения | |
CN106463320B (zh) | 用于x射线管的电子发射器 | |
US8761343B2 (en) | Field emission X-ray tube and method of operating the same | |
KR102259859B1 (ko) | 이온 내충격성을 가진 전자 방출 구조물 | |
KR102188080B1 (ko) | 그래핀을 이용한 전자방출소자 및 그 제조방법 | |
US10438764B2 (en) | Field emission apparatus | |
KR101547516B1 (ko) | 원통형 3극 전계 방출 x-선관 | |
US7864925B2 (en) | Cathode | |
JP2013122839A5 (ru) | ||
KR20100123143A (ko) | 전계방출소자 및 이를 채용한 전계방출 표시소자 | |
KR102238574B1 (ko) | 전계 방출 장치 | |
US10216088B2 (en) | Photolithography method based on electronic beam | |
KR100665881B1 (ko) | 탄소나노튜브 기반의 엑스-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈 | |
KR20150114366A (ko) | 나노 구조물을 이용한 엑스선 소스 장치 및 카트리지형 엑스선 소스 장치를 이용한 엑스선 방출 장치 | |
KR102312202B1 (ko) | 전계방출 장치 | |
US20210100088A1 (en) | X-ray generator | |
KR20150051820A (ko) | 투과형 평판 엑스레이 발생 장치 및 엑스레이 영상 시스템 | |
US20190139738A1 (en) | Electronic beam machining system | |
CN102842477B (zh) | X射线管 | |
JP2016517143A5 (ru) | ||
KR102324260B1 (ko) | 선으로 정렬된 탄소나노튜브 및 게이트를 갖는 x선 소스 | |
JP2013235656A (ja) | 電界放射装置及び携帯型非破壊検査装置 | |
KR102646636B1 (ko) | 전계방출 엑스선 소스 | |
KR102186644B1 (ko) | Cnt 엑스레이 소스 장치 | |
KR102515761B1 (ko) | 엑스레이 튜브 |