RU2015151596A - Способ получения нанопрофилированной ультратонкой пленки Al2O3 на поверхности пористого кремния - Google Patents

Способ получения нанопрофилированной ультратонкой пленки Al2O3 на поверхности пористого кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2015151596A
RU2015151596A RU2015151596A RU2015151596A RU2015151596A RU 2015151596 A RU2015151596 A RU 2015151596A RU 2015151596 A RU2015151596 A RU 2015151596A RU 2015151596 A RU2015151596 A RU 2015151596A RU 2015151596 A RU2015151596 A RU 2015151596A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
nanoprofiled
ultrafine
producing
porous silicon
Prior art date
Application number
RU2015151596A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2634326C2 (ru
Inventor
Александр Сергеевич Леньшин
Павел Владимирович Середин
Иван Никитич Арсентьев
Александр Дмитриевич Бондарев
Илья Сергеевич Тарасов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ)
Priority to RU2015151596A priority Critical patent/RU2634326C2/ru
Publication of RU2015151596A publication Critical patent/RU2015151596A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2634326C2 publication Critical patent/RU2634326C2/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Claims (3)

1. Способ получения нанопрофилированной ультратонкой пленки Al2O3 на поверхности пористого кремния заключается в осаждении наноразмерной пленки Al2O3 в виде ориентированных в одном направлении нанонитей высотой 80-100 нм, расположенных на поверхности на расстоянии 300-500 нм друг от друга, включающий анодное электрохимическое травление в электролите исходного монокристаллического кремния в ячейке электрохимического травления, нанесение методом ионно-плазменного распыления на слой пористого кремния пленки Al2O3.
2. Способ по п. 1 отличается тем, что формирование пленки проводят при рабочем давлении в камере в диапазоне 3-5⋅10-3 мм рт.ст. и потенциала мишени - 400-600 В.
3. Способ по п. 1 отличается тем, что механизм роста пленки задается кристаллографической ориентацией исходной пластины монокристаллического кремния, используемой для создания пористого слоя, методом и условиями создания пористого слоя, а также способом формирования пленки Al2O3 методом ионно-плазменного распыления.
RU2015151596A 2015-12-01 2015-12-01 Способ получения нанопрофилированной ультратонкой пленки Al2O3 на поверхности пористого кремния RU2634326C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015151596A RU2634326C2 (ru) 2015-12-01 2015-12-01 Способ получения нанопрофилированной ультратонкой пленки Al2O3 на поверхности пористого кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015151596A RU2634326C2 (ru) 2015-12-01 2015-12-01 Способ получения нанопрофилированной ультратонкой пленки Al2O3 на поверхности пористого кремния

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015151596A true RU2015151596A (ru) 2017-06-06
RU2634326C2 RU2634326C2 (ru) 2017-10-25

Family

ID=59031713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015151596A RU2634326C2 (ru) 2015-12-01 2015-12-01 Способ получения нанопрофилированной ультратонкой пленки Al2O3 на поверхности пористого кремния

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2634326C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113387370A (zh) * 2020-03-11 2021-09-14 中国科学院深圳先进技术研究院 一种使用低温等离子技术调节沸石分子筛晶体形貌与结构的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2059322C1 (ru) * 1991-06-03 1996-04-27 Научно-инженерно-технологический центр "Микроэлектроника" Белорусской инженерной технологической академии Способ фотохимического осаждения тонких пленок и устройство для его осуществления
KR100320796B1 (ko) * 1999-12-29 2002-01-17 박종섭 게이트 유전체막이 적용되는 반도체 소자의 제조 방법
RU2306631C2 (ru) * 2004-11-30 2007-09-20 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИМ им. Л.Я. Карпова) Способ импульсно-лазерного получения тонких пленок материалов с высокой диэлектрической проницаемостью
RU2516366C2 (ru) * 2012-09-10 2014-05-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова" (СОГУ) СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНОЙ ПЛЕНКИ АЛЬФА-Al2O3 (0001) НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113387370A (zh) * 2020-03-11 2021-09-14 中国科学院深圳先进技术研究院 一种使用低温等离子技术调节沸石分子筛晶体形貌与结构的方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2634326C2 (ru) 2017-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012061266A3 (en) Method of forming an array of nanostructures
RU2014109053A (ru) Двигатель внутреннего сгорания и способ его изготовления
ES2571602T3 (es) Método para transferir grafeno de forma no destructiva
CN103864009B (zh) 利用介质膜掩膜板实现具有斜坡状边缘金属薄膜图形方法
JP2016100593A5 (ru)
JP2016098166A5 (ru)
WO2015156874A3 (en) Integration of epitaxial lift-off solar cells with mini-parabolic concentrator arrays via printing method
TW201613103A (en) Self aligned replacement fin formation
NO20083569L (no) Fremgangsmate for a produsere silisiumtynnfilm pa en substratflate ved dampdeponering
RU2009122487A (ru) ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
CN103713466A (zh) 掩膜板及其制作方法
EP2570519A3 (en) Localized, In-Vacuum Modification of Small Structures
RU2018113432A (ru) Способ изготовления составной подложки из sic
RU2015134574A (ru) Катод в форме таблетки для применения в биосовместимой батарее
CN102321905A (zh) 利用微纳球排列进行图案预制制备多级结构氧化铝的方法
GB2534675A8 (en) Compound semiconductor device structures comprising polycrystalline CVD diamond
RU2015151596A (ru) Способ получения нанопрофилированной ультратонкой пленки Al2O3 на поверхности пористого кремния
WO2014072829A3 (en) Nanometer sized structures grown by pulsed laser deposition
EP2887386A3 (en) Method of etching
CN103700698B (zh) 一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板
WO2017023394A3 (en) NANOWIRE BENDING FOR PLANAR DEVICE PROCESS ON (001) Si SUBSTRATES
CN109713099B (zh) 一种图形化蓝宝石衬底结构及其制作工艺
WO2009085694A4 (en) Protective layer for implant photoresist
JP6337639B2 (ja) アルミニウム合金材のハイブリッド遮熱コーティング方法及びその構造並びにピストン
CN109786454A (zh) 一种hemt外延结构及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20181202