RU2009122487A - ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ - Google Patents
ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009122487A RU2009122487A RU2009122487/05A RU2009122487A RU2009122487A RU 2009122487 A RU2009122487 A RU 2009122487A RU 2009122487/05 A RU2009122487/05 A RU 2009122487/05A RU 2009122487 A RU2009122487 A RU 2009122487A RU 2009122487 A RU2009122487 A RU 2009122487A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gan layer
- layer
- gan
- substrate
- forming
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/38—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2201—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure in a specific crystallographic orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0042—On wafer testing, e.g. lasers are tested before separating wafer into chips
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN, включающий в себя: ! этап формирования первого слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают первый слой GaN на подложке; ! следующий за упомянутым этапом формирования первого слоя GaN этап формирования ямок, на котором формируют ямки на передней стороне подложки; и ! следующий за упомянутым этапом формирования ямок этап формирования второго слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают второй слой GaN на первом слое GaN. ! 2. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1, включающий в себя этап формирования слоя маски, выполняемый до упомянутого этапа формирования первого слоя GaN, на котором формируют слой маски на передней стороне подложки. ! 3. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1 или 2, в котором подложка состоит из одного слоя. ! 4. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1 или 2, в котором: ! подложка состоит из множества слоев; и ! на упомянутом этапе формирования ямок ямки формируются на самом верхнем слое подложки. ! 5. Способ изготовления полупроводникового устройства, включающий в себя: ! этап формирования первого слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают первый слой GaN на подложке; ! следующий за упомянутым этапом формирования первого слоя GaN этап формирования ямок, на котором формируют ямки на передней стороне подложки; ! следующий за упомянутым этапом формирования ямок этап формирования второго слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают второй слой GaN на первом слое GaN, чтобы изготовить пластину с эпитаксиальным слоем GaN; и ! этап изготовления устройства, на котором используют пластину с эпитакс�
Claims (14)
1. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN, включающий в себя:
этап формирования первого слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают первый слой GaN на подложке;
следующий за упомянутым этапом формирования первого слоя GaN этап формирования ямок, на котором формируют ямки на передней стороне подложки; и
следующий за упомянутым этапом формирования ямок этап формирования второго слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают второй слой GaN на первом слое GaN.
2. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1, включающий в себя этап формирования слоя маски, выполняемый до упомянутого этапа формирования первого слоя GaN, на котором формируют слой маски на передней стороне подложки.
3. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1 или 2, в котором подложка состоит из одного слоя.
4. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1 или 2, в котором:
подложка состоит из множества слоев; и
на упомянутом этапе формирования ямок ямки формируются на самом верхнем слое подложки.
5. Способ изготовления полупроводникового устройства, включающий в себя:
этап формирования первого слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают первый слой GaN на подложке;
следующий за упомянутым этапом формирования первого слоя GaN этап формирования ямок, на котором формируют ямки на передней стороне подложки;
следующий за упомянутым этапом формирования ямок этап формирования второго слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают второй слой GaN на первом слое GaN, чтобы изготовить пластину с эпитаксиальным слоем GaN; и
этап изготовления устройства, на котором используют пластину с эпитаксиальным слоем GaN, чтобы изготовить полупроводниковое устройство.
6. Способ изготовления полупроводникового устройства по п.5, включающий в себя этап формирования слоя маски, выполняемый до упомянутого этапа формирования первого слоя GaN, на котором формируют слой маски на передней стороне подложки.
7. Способ изготовления полупроводникового устройства п.5 или 6, в котором подложка состоит из одного слоя.
8. Способ изготовления полупроводникового устройства по п.5 или 6, в котором:
подложка состоит из множества слоев; и
на упомянутом этапе формирования ямок ямки формируются на самом верхнем слое подложки.
9. Способ изготовления полупроводникового устройства по любому из пп.5-8, в котором для упомянутого этапа изготовления устройства пластина GaN, полученная путем удаления подложки с пластины с эпитаксиальным слоем GaN, используется для изготовления полупроводникового устройства.
10. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN, снабженная:
подложкой, имеющей ямки в главной поверхности; и
поликристаллический слой GaN, нанесенный на главную поверхность.
11. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN по п.10, включающая в себя слой маски, расположенный между упомянутой подложкой и упомянутым поликристаллическим слоем GaN.
12. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN по п.10 или 11, в которой подложка состоит из одного слоя.
13. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN по п.10 или 11, в которой:
упомянутая подложка состоит из множества слоев; и
самый верхний слой подложки имеет упомянутые ямки.
14. Полупроводниковое устройство, отличающееся тем, что оно снабжено:
подложкой, имеющей ямки в своей главной поверхности;
пластину с эпитаксиальным слоем GaN, имеющую поликристаллический слой GaN, нанесенный на упомянутую главную поверхность; и
полупроводниковый слой, нанесенный на упомянутый поликристаллический слой GaN на упомянутой пластине с эпитаксиальным слоем GaN.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007-261198 | 2007-10-04 | ||
JP2007261198A JP2009091175A (ja) | 2007-10-04 | 2007-10-04 | GaNエピタキシャル基板、半導体デバイス、GaNエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009122487A true RU2009122487A (ru) | 2010-12-20 |
Family
ID=40526066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009122487/05A RU2009122487A (ru) | 2007-10-04 | 2008-09-19 | ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100148174A1 (ru) |
EP (1) | EP2199436A1 (ru) |
JP (1) | JP2009091175A (ru) |
KR (1) | KR20100057756A (ru) |
CN (1) | CN101568671A (ru) |
CA (1) | CA2672177A1 (ru) |
RU (1) | RU2009122487A (ru) |
TW (1) | TW200925340A (ru) |
WO (1) | WO2009044638A1 (ru) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5659388B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2015-01-28 | マイトテック ソシエテ アノニム | 医学及び獣医眼科の使用のための医薬組成物 |
JP5891650B2 (ja) | 2011-08-18 | 2016-03-23 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
KR20130081956A (ko) | 2012-01-10 | 2013-07-18 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체층 성장 방법 |
TWI505331B (zh) * | 2012-06-19 | 2015-10-21 | Hermes Epitek Corp | 磊晶成長製程及結構 |
US9312446B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-04-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Gallium nitride self-supported substrate, light-emitting device and manufacturing method therefor |
CN105830237B (zh) * | 2013-12-18 | 2019-09-06 | 日本碍子株式会社 | 发光元件用复合基板及其制造方法 |
JP5770905B1 (ja) * | 2013-12-18 | 2015-08-26 | 日本碍子株式会社 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
JP6154066B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-06-28 | 日本碍子株式会社 | 多結晶窒化ガリウム自立基板及びそれを用いた発光素子 |
JP6363403B2 (ja) | 2014-06-10 | 2018-07-25 | 住友化学株式会社 | 半導体積層構造およびその製造方法 |
KR102311677B1 (ko) | 2014-08-13 | 2021-10-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
WO2016051890A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 日本碍子株式会社 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
EP3247824A1 (en) * | 2015-01-22 | 2017-11-29 | SixPoint Materials, Inc. | Seed selection and growth methods for reduced-crack group iii nitride bulk crystals |
JP6616280B2 (ja) | 2016-12-27 | 2019-12-04 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子 |
JP6549552B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2019-07-24 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子の製造方法 |
WO2019187737A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物層、自立基板、機能素子および13族元素窒化物層の製造方法 |
CN113279054A (zh) * | 2020-02-20 | 2021-08-20 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5233216A (en) * | 1990-02-28 | 1993-08-03 | Hitachi, Ltd. | Dielectric isolated substrate and process for producing the same |
US5834379A (en) * | 1996-07-16 | 1998-11-10 | Cornell Research Foundation, Inc. | Process for synthesis of cubic GaN on GaAs using NH3 in an RF plasma process |
DE69842052D1 (de) * | 1997-10-30 | 2011-01-27 | Sumitomo Electric Industries | Gan einkristall-substrat und herstellungsmethode |
US6288417B1 (en) * | 1999-01-07 | 2001-09-11 | Xerox Corporation | Light-emitting devices including polycrystalline gan layers and method of forming devices |
JP2001122693A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-05-08 | Nec Corp | 結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法 |
JP3595829B2 (ja) | 2003-03-19 | 2004-12-02 | 株式会社東北テクノアーチ | GaN基板作製方法 |
JP4333377B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2009-09-16 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板およびその製造方法ならびに発光デバイス |
KR100707166B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-04-13 | 삼성코닝 주식회사 | GaN 기판의 제조방법 |
US8435879B2 (en) * | 2005-12-12 | 2013-05-07 | Kyma Technologies, Inc. | Method for making group III nitride articles |
-
2007
- 2007-10-04 JP JP2007261198A patent/JP2009091175A/ja active Pending
-
2008
- 2008-09-19 RU RU2009122487/05A patent/RU2009122487A/ru not_active Application Discontinuation
- 2008-09-19 EP EP08835691A patent/EP2199436A1/en not_active Withdrawn
- 2008-09-19 KR KR1020097010013A patent/KR20100057756A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-09-19 US US12/518,884 patent/US20100148174A1/en not_active Abandoned
- 2008-09-19 CA CA002672177A patent/CA2672177A1/en not_active Abandoned
- 2008-09-19 CN CNA200880001356XA patent/CN101568671A/zh active Pending
- 2008-09-19 WO PCT/JP2008/066945 patent/WO2009044638A1/ja active Application Filing
- 2008-10-01 TW TW097137788A patent/TW200925340A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009044638A1 (ja) | 2009-04-09 |
EP2199436A1 (en) | 2010-06-23 |
KR20100057756A (ko) | 2010-06-01 |
JP2009091175A (ja) | 2009-04-30 |
CA2672177A1 (en) | 2009-04-09 |
CN101568671A (zh) | 2009-10-28 |
US20100148174A1 (en) | 2010-06-17 |
TW200925340A (en) | 2009-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2009122487A (ru) | ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ | |
US9422638B2 (en) | Silicon substrate including an edge portion, epitaxial structure including the same, and method of manufacturing the silicon substrate | |
US7888779B2 (en) | Method of fabrication InGaAIN film and light-emitting device on a silicon substrate | |
JP2009123717A5 (ru) | ||
JP2008177586A5 (ru) | ||
RU2013144315A (ru) | Полупроводниковые устройства и способы изготовления | |
TW200618432A (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
JP2012142545A (ja) | テンプレート、その製造方法及びこれを用いた垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
US9385278B2 (en) | Semiconductor growth substrates and associated systems and methods for die singulation | |
RU2014144362A (ru) | Оптическая подложка, полупроводниковый светоизлучающий элемент и способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента | |
JP2006024914A5 (ru) | ||
JP2007243155A (ja) | GaN半導体装置および多結晶炭化ケイ素基板上のサファイア薄層上のGaNを用いる方法 | |
JP2006210555A5 (ru) | ||
JP2012054559A5 (ru) | ||
TW200945416A (en) | Method of fabricating photoelectric device of III-nitride based semiconductor and structure thereof | |
TW201133561A (en) | Stress compensation for large area gallium nitride or other nitride-based structures on semiconductor substrates | |
JP2013149733A5 (ru) | ||
EP2525407A3 (en) | Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer | |
TWI624879B (zh) | Epitaxial substrate for electronic component, electronic component, method for producing epitaxial substrate for electronic component, and method for manufacturing electronic component | |
CN100508229C (zh) | 一种无掩膜半导体外延片制作方法 | |
JP2004134750A5 (ru) | ||
TW201003981A (en) | Substrate structure and method of removing the substrate structure | |
JP2007036210A (ja) | Iii族窒化物半導体デバイスの製造 | |
WO2008084519A1 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
CN209747453U (zh) | 一种半导体器件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20111012 |