RU2009122487A - ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ - Google Patents

ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ Download PDF

Info

Publication number
RU2009122487A
RU2009122487A RU2009122487/05A RU2009122487A RU2009122487A RU 2009122487 A RU2009122487 A RU 2009122487A RU 2009122487/05 A RU2009122487/05 A RU 2009122487/05A RU 2009122487 A RU2009122487 A RU 2009122487A RU 2009122487 A RU2009122487 A RU 2009122487A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gan layer
layer
gan
substrate
forming
Prior art date
Application number
RU2009122487/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Сейдзи НАКАХАТА (JP)
Сейдзи НАКАХАТА
Кенсаку МОТОКИ (JP)
Кенсаку МОТОКИ
Original Assignee
Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp)
Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp), Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. filed Critical Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp)
Publication of RU2009122487A publication Critical patent/RU2009122487A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/38—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2201—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure in a specific crystallographic orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
    • H01S5/0042—On wafer testing, e.g. lasers are tested before separating wafer into chips

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN, включающий в себя: ! этап формирования первого слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают первый слой GaN на подложке; ! следующий за упомянутым этапом формирования первого слоя GaN этап формирования ямок, на котором формируют ямки на передней стороне подложки; и ! следующий за упомянутым этапом формирования ямок этап формирования второго слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают второй слой GaN на первом слое GaN. ! 2. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1, включающий в себя этап формирования слоя маски, выполняемый до упомянутого этапа формирования первого слоя GaN, на котором формируют слой маски на передней стороне подложки. ! 3. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1 или 2, в котором подложка состоит из одного слоя. ! 4. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1 или 2, в котором: ! подложка состоит из множества слоев; и ! на упомянутом этапе формирования ямок ямки формируются на самом верхнем слое подложки. ! 5. Способ изготовления полупроводникового устройства, включающий в себя: ! этап формирования первого слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают первый слой GaN на подложке; ! следующий за упомянутым этапом формирования первого слоя GaN этап формирования ямок, на котором формируют ямки на передней стороне подложки; ! следующий за упомянутым этапом формирования ямок этап формирования второго слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают второй слой GaN на первом слое GaN, чтобы изготовить пластину с эпитаксиальным слоем GaN; и ! этап изготовления устройства, на котором используют пластину с эпитакс�

Claims (14)

1. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN, включающий в себя:
этап формирования первого слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают первый слой GaN на подложке;
следующий за упомянутым этапом формирования первого слоя GaN этап формирования ямок, на котором формируют ямки на передней стороне подложки; и
следующий за упомянутым этапом формирования ямок этап формирования второго слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают второй слой GaN на первом слое GaN.
2. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1, включающий в себя этап формирования слоя маски, выполняемый до упомянутого этапа формирования первого слоя GaN, на котором формируют слой маски на передней стороне подложки.
3. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1 или 2, в котором подложка состоит из одного слоя.
4. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1 или 2, в котором:
подложка состоит из множества слоев; и
на упомянутом этапе формирования ямок ямки формируются на самом верхнем слое подложки.
5. Способ изготовления полупроводникового устройства, включающий в себя:
этап формирования первого слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают первый слой GaN на подложке;
следующий за упомянутым этапом формирования первого слоя GaN этап формирования ямок, на котором формируют ямки на передней стороне подложки;
следующий за упомянутым этапом формирования ямок этап формирования второго слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают второй слой GaN на первом слое GaN, чтобы изготовить пластину с эпитаксиальным слоем GaN; и
этап изготовления устройства, на котором используют пластину с эпитаксиальным слоем GaN, чтобы изготовить полупроводниковое устройство.
6. Способ изготовления полупроводникового устройства по п.5, включающий в себя этап формирования слоя маски, выполняемый до упомянутого этапа формирования первого слоя GaN, на котором формируют слой маски на передней стороне подложки.
7. Способ изготовления полупроводникового устройства п.5 или 6, в котором подложка состоит из одного слоя.
8. Способ изготовления полупроводникового устройства по п.5 или 6, в котором:
подложка состоит из множества слоев; и
на упомянутом этапе формирования ямок ямки формируются на самом верхнем слое подложки.
9. Способ изготовления полупроводникового устройства по любому из пп.5-8, в котором для упомянутого этапа изготовления устройства пластина GaN, полученная путем удаления подложки с пластины с эпитаксиальным слоем GaN, используется для изготовления полупроводникового устройства.
10. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN, снабженная:
подложкой, имеющей ямки в главной поверхности; и
поликристаллический слой GaN, нанесенный на главную поверхность.
11. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN по п.10, включающая в себя слой маски, расположенный между упомянутой подложкой и упомянутым поликристаллическим слоем GaN.
12. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN по п.10 или 11, в которой подложка состоит из одного слоя.
13. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN по п.10 или 11, в которой:
упомянутая подложка состоит из множества слоев; и
самый верхний слой подложки имеет упомянутые ямки.
14. Полупроводниковое устройство, отличающееся тем, что оно снабжено:
подложкой, имеющей ямки в своей главной поверхности;
пластину с эпитаксиальным слоем GaN, имеющую поликристаллический слой GaN, нанесенный на упомянутую главную поверхность; и
полупроводниковый слой, нанесенный на упомянутый поликристаллический слой GaN на упомянутой пластине с эпитаксиальным слоем GaN.
RU2009122487/05A 2007-10-04 2008-09-19 ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ RU2009122487A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-261198 2007-10-04
JP2007261198A JP2009091175A (ja) 2007-10-04 2007-10-04 ＧａＮエピタキシャル基板、半導体デバイス、ＧａＮエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2009122487A true RU2009122487A (ru) 2010-12-20

Family

ID=40526066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009122487/05A RU2009122487A (ru) 2007-10-04 2008-09-19 ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20100148174A1 (ru)
EP (1) EP2199436A1 (ru)
JP (1) JP2009091175A (ru)
KR (1) KR20100057756A (ru)
CN (1) CN101568671A (ru)
CA (1) CA2672177A1 (ru)
RU (1) RU2009122487A (ru)
TW (1) TW200925340A (ru)
WO (1) WO2009044638A1 (ru)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA025414B1 (ru) * 2009-06-10 2016-12-30 Общество С Ограниченной Ответственностью "Митотех" Фармацевтическая композиция для применения в медицинской и ветеринарной офтальмологии
JP5891650B2 (ja) * 2011-08-18 2016-03-23 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
KR20130081956A (ko) 2012-01-10 2013-07-18 삼성전자주식회사 질화물 반도체층 성장 방법
TWI505331B (zh) * 2012-06-19 2015-10-21 Hermes Epitek Corp 磊晶成長製程及結構
US9312446B2 (en) 2013-05-31 2016-04-12 Ngk Insulators, Ltd. Gallium nitride self-supported substrate, light-emitting device and manufacturing method therefor
WO2015093335A1 (ja) * 2013-12-18 2015-06-25 日本碍子株式会社 発光素子用複合基板及びその製造方法
JP5770905B1 (ja) * 2013-12-18 2015-08-26 日本碍子株式会社 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法
CN105556685B (zh) * 2014-03-31 2018-05-18 日本碍子株式会社 多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件
JP6363403B2 (ja) 2014-06-10 2018-07-25 住友化学株式会社 半導体積層構造およびその製造方法
KR102311677B1 (ko) 2014-08-13 2021-10-12 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
KR102172356B1 (ko) * 2014-09-29 2020-10-30 엔지케이 인슐레이터 엘티디 질화갈륨 자립 기판, 발광 소자 및 이들의 제조 방법
EP3247824A1 (en) * 2015-01-22 2017-11-29 SixPoint Materials, Inc. Seed selection and growth methods for reduced-crack group iii nitride bulk crystals
JP6549552B2 (ja) * 2016-12-27 2019-07-24 トヨタ自動車株式会社 スイッチング素子の製造方法
JP6616280B2 (ja) 2016-12-27 2019-12-04 トヨタ自動車株式会社 スイッチング素子
WO2019187737A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 日本碍子株式会社 １３族元素窒化物層、自立基板、機能素子および１３族元素窒化物層の製造方法
CN113279054A (zh) * 2020-02-20 2021-08-20 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5233216A (en) * 1990-02-28 1993-08-03 Hitachi, Ltd. Dielectric isolated substrate and process for producing the same
US5834379A (en) * 1996-07-16 1998-11-10 Cornell Research Foundation, Inc. Process for synthesis of cubic GaN on GaAs using NH3 in an RF plasma process
CA2311132C (en) * 1997-10-30 2004-12-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gan single crystalline substrate and method of producing the same
US6288417B1 (en) * 1999-01-07 2001-09-11 Xerox Corporation Light-emitting devices including polycrystalline gan layers and method of forming devices
JP2001122693A (ja) * 1999-10-22 2001-05-08 Nec Corp 結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法
JP3595829B2 (ja) 2003-03-19 2004-12-02 株式会社東北テクノアーチ ＧａＮ基板作製方法
JP4333377B2 (ja) * 2004-01-28 2009-09-16 住友電気工業株式会社 ＧａＮ単結晶基板およびその製造方法ならびに発光デバイス
KR100707166B1 (ko) * 2005-10-12 2007-04-13 삼성코닝 주식회사 ＧａＮ 기판의 제조방법
WO2008048303A2 (en) * 2005-12-12 2008-04-24 Kyma Technologies, Inc. Group iii nitride articles and methods for making same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100057756A (ko) 2010-06-01
WO2009044638A1 (ja) 2009-04-09
CN101568671A (zh) 2009-10-28
CA2672177A1 (en) 2009-04-09
US20100148174A1 (en) 2010-06-17
JP2009091175A (ja) 2009-04-30
TW200925340A (en) 2009-06-16
EP2199436A1 (en) 2010-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009122487A (ru) ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ
US9422638B2 (en) Silicon substrate including an edge portion, epitaxial structure including the same, and method of manufacturing the silicon substrate
US7888779B2 (en) Method of fabrication InGaAIN film and light-emitting device on a silicon substrate
JP2009123717A5 (ru)
JP2008177586A5 (ru)
TW200618432A (en) Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
RU2013144315A (ru) Полупроводниковые устройства и способы изготовления
JP2012142545A (ja) テンプレート、その製造方法及びこれを用いた垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法
US9385278B2 (en) Semiconductor growth substrates and associated systems and methods for die singulation
RU2014144362A (ru) Оптическая подложка, полупроводниковый светоизлучающий элемент и способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента
JP2006210555A5 (ru)
JP2009514247A5 (ru)
SG144121A1 (en) Nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof
WO2011025290A3 (ko) 경사진 기판 상의 고품질 비극성／반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP2012054559A5 (ru)
JP2013149733A5 (ru)
TW201133561A (en) Stress compensation for large area gallium nitride or other nitride-based structures on semiconductor substrates
EP2525407A3 (en) Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer
TWI624879B (zh) Epitaxial substrate for electronic component, electronic component, method for producing epitaxial substrate for electronic component, and method for manufacturing electronic component
CN100508229C (zh) 一种无掩膜半导体外延片制作方法
JP2004134750A5 (ru)
TW201003981A (en) Substrate structure and method of removing the substrate structure
JP2007036210A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体デバイスの製造
JP4450202B2 (ja) 半導体の製造方法
CN209747453U (zh) 一种半导体器件

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20111012