RU2015143900A - Высокопроизводительная система для производства частиц с использованием плазмы - Google Patents
Высокопроизводительная система для производства частиц с использованием плазмы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015143900A RU2015143900A RU2015143900A RU2015143900A RU2015143900A RU 2015143900 A RU2015143900 A RU 2015143900A RU 2015143900 A RU2015143900 A RU 2015143900A RU 2015143900 A RU2015143900 A RU 2015143900A RU 2015143900 A RU2015143900 A RU 2015143900A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- production
- nanoparticles according
- plasma gun
- nanoparticles
- filter
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/42—Plasma torches using an arc with provisions for introducing materials into the plasma, e.g. powder, liquid
Claims (149)
1. Система для производства наночастиц, содержащая:
плазменную пушку, содержащую охватываемый электрод, охватывающий электрод и систему подачи рабочего газа, выполненную с возможностью доставлять рабочий газ в направлении завихрения спирального потока через область генерации плазмы, образованную между охватываемым электродом и охватывающим электродом;
системы непрерывной подачи, выполненные с возможностью подавать материал в плазменную пушку со скоростью по меньшей мере 9 г/мин;
камеру гашения, расположенную после плазменной пушки и включающую по меньшей мере один ввод для реакционной смеси и по меньшей мере один ввод для кондиционирующей текучей среды;
охлаждающий патрубок, выполненный с возможностью пропускать наночастицы, захваченные потоком кондиционирующей текучей среды, из камеры гашения к коллектору, причем охлаждающий патрубок содержит дезинтегратор ламинарного потока;
модуль избыточного давления в системе для поддержания давления в системе выше измеренного давления окружающей среды; и
систему рециркуляции и очищения кондиционирующей текучей среды.
2. Система для производства наночастиц по п. 1, в которой система непрерывной подачи содержит элемент возвратно-поступательного движения, который непрерывно очищает канал подачи исходного материала во время работы системы производства наночастиц.
3. Система для производства наночастиц по п. 2, в которой элемент возвратно-поступательного движения осуществляет возвратно-поступательное движение с частотой по меньшей мере 2 раза в секунду.
4. Система для производства наночастиц по п. 1, в которой система непрерывной подачи содержит пульсирующий газовый эжектор для непрерывной очистки канала подачи исходного материала во время работы системы производства наночастиц.
5. Система для производства наночастиц по п. 1, в которой система нанопроизводства способна работать по меньшей мере 336 часов без замены охватываемого электрода или охватывающего электрода.
6. Система для производства наночастиц по п. 1, в которой камера гашения имеет форму усеченного конуса и выполнена с возможностью создавать во время работы турбулентность с числом Рейнольдса более 1000.
7. Система для производства наночастиц по п. 1, в которой дезинтегратор ламинарного потока содержит лопасти, перегородки, винтовой элемент, гребни или неровности.
8. Система для производства наночастиц по п. 1, в которой система производства частиц выполнена с возможностью непрерывно работать в течение по меньшей мере 336 часов без возникновения закупорки в охлаждающем трубопроводе.
9. Система для производства наночастиц по п. 1, в которой давление в системе поддерживается на величине давления по меньшей мере на 1 дюйм водяного столба выше измеренного давления окружающей среды.
10. Система для производства наночастиц по п. 1, в которой по меньшей мере 80% кондиционирующей текучей среды, введенной в систему производства наночастиц, очищается и повторно используется.
11. Система для производства наночастиц, содержащая:
плазменную пушку, содержащую охватываемый электрод, охватывающий электрод и систему подачи рабочего газа, выполненную с возможностью доставлять рабочий газ в направлении завихрения спирального потока через область генерации плазмы, образованную между охватываемым электродом и охватывающим электродом;
системы непрерывной подачи, выполненные с возможностью подавать материал в плазменную пушку со скоростью по меньшей мере 9 г/мин;
камеру гашения, расположенную после плазменной пушки и включающую по меньшей мере один вход для реакционной смеси и по меньшей мере один вход для кондиционирующей текучей среды;
охлаждающий патрубок, выполненный с возможностью пропускать наночастицы, захваченные потоком кондиционирующей текучей среды, из камеры гашения к коллектору, при этом охлаждающий патрубок содержит дезинтегратор ламинарного потока;
модуль избыточного давления в системе, поддерживающий давление в системе выше измеренного давления окружающей среды;
устройство сбора частиц, содержащее фильтр и насос, выполненный с возможностью применять всасывающее усилие к фильтру, так чтобы кондиционирующая текучая среда всасывалась через фильтр, и наночастицы собирались на поверхности фильтра во время работы системы производства наночастиц;
систему обратного импульса, выполненную с возможностью применять один или несколько обратных импульсов к фильтру в процессе работы системы производства наночастиц для высвобождения наночастиц, собранных на поверхности фильтра; и
систему рециркуляции и очищения кондиционирующей текучей среды.
12. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой система непрерывной подачи содержит элемент возвратно-поступательного движения для непрерывной очистки канала поставки исходного материала во время работы системы производства наночастиц.
13. Система для производства наночастиц по п. 12, в которой элемент возвратно-поступательного движения осуществляет возвратно-поступательное движение с частотой по меньшей мере 2 раза в секунду.
14. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой система непрерывной подачи содержит пульсирующий газовый эжектор для непрерывной очистки канала подачи исходного материала во время работы системы производства наночастиц.
15. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой система нанопроизводства способна работать по меньшей мере 336 часов без замены охватываемого электрода или охватывающего электрода.
16. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой камера гашения имеет форму усеченного конуса и выполнена с возможностью создавать во время работы турбулентность с числом Рейнольдса более 1000.
17. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой дезинтегратор ламинарного потока содержит лопасти, перегородки, винтовой элемент, гребни или неровности.
18. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой система производства частиц выполнена с возможностью непрерывно работать в течение по меньшей мере 336 часов без возникновения закупорки в охлаждающем патрубке.
19. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой давление в системе поддерживается на величине давления по меньшей мере на 1 дюйм водяного столба выше измеренного давления окружающей среды.
20. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой по меньшей мере 80% кондиционирующей текучей среды, вводимой в систему производства наночастиц, очищается и повторно используется.
21. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой плазменная пушка содержит охлаждающее кольцо кольцеобразно расположенное вокруг выпускного отверстия плазменной пушки.
22. Система для производства наночастиц по п. 12, в которой плазменная пушка содержит лицевую панель, которая расположена на внешней поверхности плазменной пушки и присоединена к охлаждающему кольцу.
23. Система для производства наночастиц по п. 22, в которой лицевая панель поддерживается при температуре менее 900°С во время непрерывной работы плазменной пушки в течение более 160 часов.
24. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой система непрерывной подачи содержит множество инжекционных портов для впрыска материала, имеющих минимальный диаметр по меньшей мере 1 мм.
25. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой охватываемый электрод или охватывающий электрод покрыт вольфрамом.
26. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой среднее время пребывания частиц в плазменной пушке составляет по меньшей мере 3 мс.
27. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью автоматически применять один или несколько обратных импульсов к фильтру, когда датчик обнаруживает снижение потока материала ниже заданного порогового значения.
28. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью автоматически применять один или несколько обратных импульсов к фильтру, когда всасывающая сила через фильтр увеличивается выше заданного порогового значения.
29. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью применять один или несколько обратных импульсов с давлением 100-120 psi (фунтов на кв. дюйм).
30. Система для производства наночастиц по п. 11, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью применять один или несколько обратных импульсов, содержащих аргон.
31. Плазменная пушка, используемая для производства наночастиц, содержащая:
охватываемый электрод и охватывающий электрод, причем охватываемый электрод или охватывающий электрод содержит проводящий термостойкий металл;
систему подачи рабочего газа, выполненную с возможностью поставлять рабочий газ в направлении завихрения спирального потока через область генерации плазмы, образованную между охватываемым электродом и охватывающим электродом; и
лицевую панель, расположенную на внешней поверхности плазменной пушки, отделенной от охлаждающего кольца.
32. Плазменная пушка по п. 31, в которой среднее время пребывания частиц в плазменной пушке составляет по меньшей мере 3 мс.
33. Плазменная пушка по п. 31, в которой охватываемый электрод или охватывающий электрод покрыт вольфрамом.
34. Плазменная пушка по п. 31, в которой передняя панель поддерживается при температуре менее 900°С во время непрерывной работы плазменной пушки в течение более 160 часов.
35. Система для производства наночастиц, содержащая плазменную пушку по любому из пп. 31-34.
36. Система для производства наночастиц, содержащая:
плазменную пушку; и
системы непрерывной подачи, выполненные с возможностью подавать материал в плазменную пушку с расходом по меньшей мере 9 г/мин.
37. Система для производства наночастиц по п. 36, в которой система непрерывной подачи выполнена с возможностью подавать материал в плазменную пушку в течение по меньшей мере 336 часов без закупоривания.
38. Система для производства наночастиц по п. 36, в которой система непрерывной подачи материала содержит множество каналов подачи исходного материала для подачи исходного материала в плазменную пушку.
39. Система для производства наночастиц по п. 36, в которой система непрерывной подачи содержит элемент возвратно-поступательного движения для непрерывного очищения канала подачи исходного материала во время работы системы производства наночастиц.
40. Система для производства наночастиц по п. 39, в которой элемент возвратно-поступательного движения выполняет возвратно-поступательное движение с частотой по меньшей мере 2 раза в секунду.
41. Система для производства наночастиц по п. 36, в которой система непрерывной подачи содержит пульсирующий газовый эжектор для непрерывной очистки канала подачи исходного материала во время работы системы производства наночастиц.
42. Система для производства наночастиц по п. 36, в которой плазменная пушка содержит охлаждающее кольцо, кольцеобразно расположенное вокруг выпускного отверстия плазменной пушки.
43. Система для производства наночастиц по п. 42, в которой плазменная пушка содержит лицевую панель, которая расположена на внешней поверхности плазменной пушки и присоединена к охлаждающему кольцу.
44. Система для производства наночастиц по п. 43, в которой лицевая панель поддерживается при температуре менее 900°С во время непрерывной работы плазменной пушки в течение более чем 160 часов.
45. Система для производства наночастиц по п. 36, в которой плазменная пушка также содержит множество инжекционных портов для впрыска материала, имеющих минимальный диаметр по меньшей мере 1 мм.
46. Система для производства наночастиц по п. 36, в которой среднее время пребывания частиц в плазменной пушке составляет по меньшей мере 3 мс.
47. Система для производства наночастиц по п. 36, дополнительно содержащая устройство сбора частиц, расположенное после плазменной пушки, для отделения наночастиц, произведенных плазменной пушкой, от кондиционирующей текучей среды.
48. Система для производства наночастиц по п. 47, в которой устройство производства частиц содержит фильтр и насос, выполненный с возможностью применять всасывающее усилие к фильтру, так чтобы кондиционирующая текучая среда всасывалась через фильтр и наночастицы собирались на поверхности фильтра во время работы системы производства наночастиц.
49. Система для производства наночастиц по п. 48, в которой устройство производства частиц дополнительно содержит систему обратного импульса, выполненную с возможностью применять один или несколько обратных импульсов к фильтру в процессе работы системы производства наночастиц для сбрасывания наночастиц, собранных на поверхности фильтра.
50. Система для производства наночастиц по п. 49, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью автоматического применять один или несколько обратных импульсов к фильтру, когда датчик обнаруживает падение потока материала ниже заданного порогового значения.
51. Система для производства наночастиц по п. 49, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью автоматического применять один или несколько обратных импульсов к фильтру, когда всасывающее усилие через фильтр превышает заданное пороговое значение.
52. Система для производства наночастиц по п. 49, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью применять один или несколько обратных импульсов с давлением 100-120 psi (фунтов на кв. дюйм).
53. Система для производства наночастиц по п. 49, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью применять один или несколько обратных импульсов, содержащих аргон.
54. Система для производства наночастиц по п. 36, в которой плазменная пушка содержит охватываемый электрод, охватывающий электрод и систему подачи рабочего газа, выполненную с возможностью доставлять рабочий газ в направлении завихрения спирального потока через область генерации плазмы, образованную между охватываемым электродом и охватывающим электродом.
55. Система для производства наночастиц по п. 54, в которой охватываемый электрод или охватывающий электрод покрыт вольфрамом.
56. Система для производства наночастиц по п. 54, в которой система подачи рабочего газа содержит кольцо форсунок, расположенное перед областью генерации плазмы, для создания направления завихрения спирального потока.
57. Система для производства наночастиц по п. 56, в которой кольцо форсунок содержит множество инжекционных портов.
58. Система для производства наночастиц по п. 57, в которой инжекционные порты расположены в кольцевом образовании вокруг охватываемого электрода.
59. Система для производства наночастиц по п. 58, в которой инжекционные порты расположены под углом по направлению к охватываемому электроду.
60. Система для производства наночастиц по п. 58, в которой инжекционные порты расположены под углом от охватываемого электрода.
61. Система для производства наночастиц по п. 54, в которой система нанопроизводства выполнена с возможностью функционировать в течение по меньшей мере 336 часов без замены охватываемого электрода или охватывающего электрода.
62. Система для производства наночастиц по п. 36, также содержащая камеру гашения, расположенную после плазменной пушки и содержащую по меньшей мере один ввод для реакционной смеси и по меньшей мере один ввод для кондиционирующей текучей среды.
63. Система для производства наночастиц по п. 62, в которой камера гашения имеет форму усеченного конуса и выполнена с возможностью создавать турбулентность с числом Рейнольдса более 1000 во время работы.
64. Система для производства наночастиц по п. 54, также содержащая камеру гашения, расположенную после плазменной пушки и содержащую по меньшей мере один вход для реакционной смеси и по меньшей мере один вход для кондиционирующей текучей среды.
65. Система для производства наночастиц по п. 64, в которой камера гашения имеет форму усеченного конуса и выполнена с возможностью создавать турбулентность с числом Рейнольдса более 1000 во время работы.
66. Система для производства наночастиц по п. 62, также содержащая охлаждающий патрубок, выполненный с возможностью проводить наночастицы, захваченные в потоке кондиционирующей текучей среды, из камеры гашения к коллектору.
67. Система для производства наночастиц по п. 66, в которой охлаждающий патрубок содержит дезинтегратор ламинарного потока.
68. Система для производства наночастиц по п. 67, в которой дезинтегратор ламинарного потока содержит лезвия, перегородки, винтовой элемент, гребни или неровности.
69. Система для производства наночастиц по п. 67, в которой система производства частиц выполнена с возможностью непрерывно работать в течение по меньшей мере 6 часов без закупорки в охлаждающем патрубке.
70. Система для производства наночастиц по п. 64, также содержащая охлаждающий патрубок, выполненный с возможностью проводить наночастицы, захваченные в потоке кондиционирующей текучей среды, из камеры гашения к коллектору.
71. Система для производства наночастиц по п. 70, в которой охлаждающий патрубок содержит дезинтегратор ламинарного потока.
72. Система для производства наночастиц по п. 71, в которой дезинтегратор ламинарного потока содержит лезвия, перегородки, винтовой элемент, гребни или неровности.
73. Система для производства наночастиц по п. 71, в которой система производства частиц выполнена с возможностью непрерывно работать в течение по меньшей мере 336 часов без закупорки в охлаждающем патрубке.
74. Система для производства наночастиц по п. 36, также содержащая модуль избыточного давления в системе, который поддерживает давление в системе выше измеренного давления окружающей среды.
75. Система для производства наночастиц по п. 74, в которой давление в системе поддерживается под давлением по меньшей мере на 1 дюйм водяного столба выше измеренного давления окружающей среды.
76. Система для производства наночастиц по п. 54, также содержащая модуль избыточного давления в системе, который поддерживает давление в системе выше измеренного давления окружающей среды.
77. Система для производства наночастиц по п. 62, также содержащая модуль избыточного давления в системе, который поддерживает давление в системе выше измеренного давления окружающей среды.
78. Система для производства наночастиц по п. 67, также содержащая модуль избыточного давления в системе, который поддерживает давление в системе выше измеренного давления окружающей среды.
79. Система для производства наночастиц по п. 76, также содержащая систему рециркуляции и очистки кондиционирующей текучей среды.
80. Система для производства наночастиц по п. 79, в которой по меньшей мере 80% кондиционирующей текучей среды, введенной в систему производства наночастиц, очищается и рециркулируется.
81. Способ непрерывной подачи исходного материала в системе производства наночастиц, включающий:
подачу исходного материала в плазменную пушку через первую заменяемую трубку для подачи материала;
подачу исходного материала в плазменную пушку через вторую заменяемую трубку для подачи материала после снижения скорости потока исходного материала через первую заменяемую трубку для подачи материала;
остановку потока исходного материала через первую заменяемую трубку для подачи материала; и
очистку или замену первой заменяемой трубки для подачи материала, и затем повторный запуск подачи исходного материала в плазменную пушку через первую заменяемую трубку для подачи материала.
82. Способ непрерывной подачи исходного материала в системе производства наночастиц, включающий:
подачу исходного материала в плазменную пушку через канал поставки исходного материала; и
непрерывную очистку канала поставки исходного материала, посредством продвижения исходного материала в плазменную пушку с расходом по меньшей мере 9 г/мин.
83. Способ по п. 81, в котором исходный материал продвигается в плазменную пушку посредством установки элемента возвратно-поступательного движения в канал поставки исходного материала.
84. Способ по п. 82, в котором элемент возвратно-поступательного движения осуществляет возвратно-поступательное движение с частотой по меньшей мере 2 раза в секунду.
85. Способ по п. 81, в котором исходный материал продвигают в плазменную пушку посредством воздействия на него пульсирующим газом в канале поставки исходного материала.
86. Система для производства наночастиц, содержащая:
плазменную пушку;
камеру гашения, расположенную после плазменной пушки и включающую по меньшей мере один вход для турбулентной текучей среды; и
охлаждающий патрубок, выполненный с возможностью проводить наночастицы, захваченные потоком кондиционирующей текучей среды, из камеры гашения к коллектору, при этом охлаждающий патрубок содержит дезинтегратор ламинарного потока, а система производства наночастиц выполнена с возможностью работать непрерывно в течение по меньшей мере 6 часов без закупорки.
87. Система для производства наночастиц по п. 86, в которой камера гашения имеет форму усеченного конуса и выполнена с возможностью создавать турбулентность с числом Рейнольдса более 1000 во время работы.
88. Система для производства наночастиц по п. 86, в которой дезинтегратор ламинарного потока содержит лезвия, перегородки, винтовой элемент, гребни или неровности.
89. Система для производства наночастиц по п. 86, в которой система производства частиц выполнена с возможностью непрерывно работать в течение по меньшей мере 336 часов без закупорки в охлаждающем патрубке.
90. Система для производства наночастиц по п. 86, в которой вводы для турбулентной текучей среды расположены по окружности вокруг ввода реакционной смеси.
91. Система для производства наночастиц по п. 90, в которой один или более вводов для турбулентной текучей среды являются эжектором турбулентной струи.
92. Система для производства наночастиц по п. 91, в которой эжектор турбулентной струи направлен к вводу реакционной смеси.
93. Система для производства наночастиц по п. 91, в которой эжектор турбулентной струи направлен в сторону от ввода реакционной смеси.
94. Система для производства наночастиц по п. 91, в которой эжектор турбулентной струи направлен перпендикулярно к вводу реакционной смеси.
95. Система для производства наночастиц по п. 90, в которой вводы турбулентной текучей среды образуют взаимосвязанное кольцо.
96. Система для производства наночастиц, содержащая:
плазменную пушку;
устройство сбора частиц, содержащее фильтр и насос, выполненный с возможностью применять всасывающее усилие к фильтру, так чтобы кондиционирующая текучая среда всасывалась через фильтр и наночастицы собирались на поверхности фильтра во время работы системы производства наночастиц; и
систему обратного импульса, выполненную с возможностью применять один или несколько обратных импульсов к фильтру во время работы системы производства наночастиц, чтобы сбросить наночастицы, собранные на поверхности фильтра.
97. Система для производства наночастиц по п. 96, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью автоматически применять один или несколько обратных импульсов к фильтру, когда датчик обнаруживает падение потока материала ниже заданного порогового значения.
98. Система для производства наночастиц по п. 96, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью автоматического применения одного или нескольких обратных импульсов к фильтру, когда всасывающее усилие через фильтр увеличивается выше заданного порогового значения.
99. Система для производства наночастиц по п. 96, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью применять один или несколько обратных импульсов с давлением 100-120 psi (фунтов на кв. дюйм).
100. Система для производства наночастиц по п. 96, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью применять один или несколько обратных импульсов, содержащих аргон.
101. Система для производства наночастиц по п. 96, в которой система производства наночастиц выполнена с возможностью работать по меньшей мере 6 часов без замены фильтра.
102. Система для производства наночастиц по п. 96, также содержащая модуль избыточного давления в системе, который поддерживает давление в системе выше измеренного давления окружающей среды.
103. Система для производства наночастиц по п. 102, в которой давление в системе поддерживается под давлением по меньшей мере на 1 дюйм водяного столба выше измеренного давления окружающей среды.
104. Система для производства наночастиц по п. 96, также содержащая систему рециркуляции и очистки кондиционирующей текучей среды.
105. Система для производства наночастиц по п. 104, в которой по меньшей мере 80% кондиционирующей текучей среды, введенной в систему производства наночастиц, очищается и рециркулируется.
106. Система для производства наночастиц, содержащая:
плазменную пушку;
модуль избыточного давления в системе, который поддерживает давление в системе выше измеренного давления окружающей среды;
систему рециркуляции и очитки кондиционирующей текучей среды;
устройство сбора частиц, содержащее фильтр и насос, выполненный с возможностью применять всасывающее усилие к фильтру, так чтобы кондиционирующая текучая среда всасывалась через фильтр и наночастицы собирались на поверхности фильтра во время работы системы производства наночастиц; и
систему обратного импульса, выполненную с возможностью применять один или несколько обратных импульсов к фильтру во время работы системы производства наночастиц, чтобы сбрасывать наночастицы, собранные на поверхности фильтра.
107. Система для производства наночастиц по п. 106, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью автоматически применять один или несколько обратных импульсов к фильтру, когда датчик обнаруживает падение потока материала ниже заданного порогового значения.
108. Система для производства наночастиц по п. 106, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью автоматически применять один или несколько обратных импульсов к фильтру, когда всасывающее усилие через фильтр увеличивается выше заданного порогового значения.
109. Система для производства наночастиц по п. 106, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью применять один или несколько обратных импульсов с давлением 100-120 psi (фунтов на кв. дюйм).
110. Система для производства наночастиц по п. 106, в которой система обратного импульса выполнена с возможностью применять один или несколько обратных импульсов, содержащих аргон.
111. Система для производства наночастиц по п. 106, в которой система производства наночастиц выполнена с возможностью работать в течение по меньшей мере 6 часов без замены фильтра.
112. Система для производства наночастиц по п. 106, в которой давление в системе поддерживается под давлением по меньшей мере на 1 дюйм водяного столба выше измеренного давления окружающей среды.
113. Система для производства наночастиц по п. 106, в которой по меньшей мере 80% кондиционирующей текучей среды, введенной в систему производства наночастиц, очищается и рециркулируется.
Applications Claiming Priority (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361784299P | 2013-03-14 | 2013-03-14 | |
| US61/784,299 | 2013-03-14 | ||
| US201361864350P | 2013-08-09 | 2013-08-09 | |
| US61/864,350 | 2013-08-09 | ||
| US201361885988P | 2013-10-02 | 2013-10-02 | |
| US201361885998P | 2013-10-02 | 2013-10-02 | |
| US201361885996P | 2013-10-02 | 2013-10-02 | |
| US201361885990P | 2013-10-02 | 2013-10-02 | |
| US61/885,990 | 2013-10-02 | ||
| US61/885,988 | 2013-10-02 | ||
| US61/885,998 | 2013-10-02 | ||
| US61/885,996 | 2013-10-02 | ||
| PCT/US2014/024933 WO2014159736A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-03-12 | High-throughput particle production using a plasma system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015143900A true RU2015143900A (ru) | 2017-04-19 |
Family
ID=51625239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015143900A RU2015143900A (ru) | 2013-03-14 | 2014-03-12 | Высокопроизводительная система для производства частиц с использованием плазмы |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2974560A4 (ru) |
| JP (1) | JP2016522734A (ru) |
| KR (1) | KR20150128732A (ru) |
| CN (1) | CN105284193B (ru) |
| AU (1) | AU2014244509A1 (ru) |
| BR (1) | BR112015022424A2 (ru) |
| CA (1) | CA2903449A1 (ru) |
| HK (1) | HK1220857A1 (ru) |
| IL (1) | IL241205A0 (ru) |
| MX (1) | MX2015011656A (ru) |
| RU (1) | RU2015143900A (ru) |
| TW (1) | TW201446325A (ru) |
| WO (1) | WO2014159736A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017157298A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | シャープ株式会社 | プラズマ生成装置 |
| CN106378460B (zh) * | 2016-09-22 | 2018-05-11 | 成都优材科技有限公司 | 制备球形纯钛或钛合金粉末的等离子雾化方法及设备 |
| JP6924944B2 (ja) | 2017-04-05 | 2021-08-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 微粒子製造装置及び微粒子製造方法 |
| WO2018202827A1 (en) * | 2017-05-04 | 2018-11-08 | Umicore Ag & Co. Kg | Plasma gun and plasma system for low melting point or low boiling point materials |
| JP6997633B2 (ja) * | 2018-01-17 | 2022-01-17 | 太平洋セメント株式会社 | 噴霧熱分解による微粒子製造装置 |
| WO2020217466A1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | 株式会社Ｆｕｊｉ | プラズマ処理装置 |
| CL2019003757A1 (es) * | 2019-12-19 | 2020-07-10 | Univ Concepcion | Sistema de descarga de arco en atmósfera controlable de electrodo variable consumible y electrodo fijo, con precipitador electrostático diferencial de descarga de corona, útil para la síntesis y recolección de material nanométrico de naturaleza metálica y de óxido metálico. |
| WO2024009422A1 (ja) * | 2022-07-06 | 2024-01-11 | 株式会社Fuji | プラズマヘッド及びプラズマ発生装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1571153A1 (de) * | 1962-08-25 | 1970-08-13 | Siemens Ag | Plasmaspritzpistole |
| US4233277A (en) * | 1975-02-03 | 1980-11-11 | Ppg Industries, Inc. | Preparing refractory metal boride powder |
| JPS6023999A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | 三協電業株式会社 | 活性化装置 |
| US4780591A (en) * | 1986-06-13 | 1988-10-25 | The Perkin-Elmer Corporation | Plasma gun with adjustable cathode |
| US5225656A (en) * | 1990-06-20 | 1993-07-06 | General Electric Company | Injection tube for powder melting apparatus |
| JP3336665B2 (ja) * | 1993-03-17 | 2002-10-21 | 日新電機株式会社 | 微粒子発生方法及び装置 |
| EP0727504A3 (en) * | 1995-02-14 | 1996-10-23 | Gen Electric | Plasma coating process for improved adhesive properties of coatings on objects |
| US6452338B1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
| CN100441501C (zh) * | 2002-09-09 | 2008-12-10 | 张芬红 | 制备纳米氮化硅粉体的系统 |
| JP3803757B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2006-08-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 超微粒子作製装置 |
| AU2005328642A1 (en) * | 2004-08-04 | 2006-09-14 | Nanotechnologies, Inc. | Carbon and metal nanomaterial composition and synthesis |
| EP1810001A4 (en) * | 2004-10-08 | 2008-08-27 | Sdc Materials Llc | DEVICE AND METHOD FOR SAMPLING AND COLLECTING POWDERS FLOWING IN A GASSTROM |
| US7601294B2 (en) * | 2006-05-02 | 2009-10-13 | Babcock & Wilcox Technical Services Y-12, Llc | High volume production of nanostructured materials |
| CN101653047B (zh) * | 2007-02-02 | 2013-08-14 | 普拉斯马外科投资有限公司 | 等离子体喷涂装置和方法 |
| US8945219B1 (en) * | 2007-05-11 | 2015-02-03 | SDCmaterials, Inc. | System for and method of introducing additives to biological materials using supercritical fluids |
| US20100323118A1 (en) * | 2009-05-01 | 2010-12-23 | Mohanty Pravansu S | Direct thermal spray synthesis of li ion battery components |
| US8803025B2 (en) * | 2009-12-15 | 2014-08-12 | SDCmaterials, Inc. | Non-plugging D.C. plasma gun |
| US8895962B2 (en) * | 2010-06-29 | 2014-11-25 | Nanogram Corporation | Silicon/germanium nanoparticle inks, laser pyrolysis reactors for the synthesis of nanoparticles and associated methods |
| US8669202B2 (en) * | 2011-02-23 | 2014-03-11 | SDCmaterials, Inc. | Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts |
-
2014
- 2014-03-12 RU RU2015143900A patent/RU2015143900A/ru not_active Application Discontinuation
- 2014-03-12 JP JP2016501681A patent/JP2016522734A/ja active Pending
- 2014-03-12 WO PCT/US2014/024933 patent/WO2014159736A1/en active Application Filing
- 2014-03-12 KR KR1020157025557A patent/KR20150128732A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-03-12 CN CN201480013645.7A patent/CN105284193B/zh active Active
- 2014-03-12 CA CA2903449A patent/CA2903449A1/en not_active Abandoned
- 2014-03-12 AU AU2014244509A patent/AU2014244509A1/en not_active Abandoned
- 2014-03-12 EP EP14775144.0A patent/EP2974560A4/en not_active Withdrawn
- 2014-03-12 BR BR112015022424A patent/BR112015022424A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2014-03-12 MX MX2015011656A patent/MX2015011656A/es unknown
- 2014-03-14 TW TW103109803A patent/TW201446325A/zh unknown
-
2015
- 2015-09-06 IL IL241205A patent/IL241205A0/en unknown
-
2016
- 2016-07-20 HK HK16108706.0A patent/HK1220857A1/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105284193B (zh) | 2018-03-09 |
| EP2974560A4 (en) | 2016-12-07 |
| KR20150128732A (ko) | 2015-11-18 |
| WO2014159736A1 (en) | 2014-10-02 |
| HK1220857A1 (zh) | 2017-05-12 |
| IL241205A0 (en) | 2015-11-30 |
| MX2015011656A (es) | 2015-12-16 |
| CN105284193A (zh) | 2016-01-27 |
| TW201446325A (zh) | 2014-12-16 |
| BR112015022424A2 (pt) | 2017-07-18 |
| JP2016522734A (ja) | 2016-08-04 |
| CA2903449A1 (en) | 2014-10-02 |
| EP2974560A1 (en) | 2016-01-20 |
| AU2014244509A1 (en) | 2015-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2015143900A (ru) | Высокопроизводительная система для производства частиц с использованием плазмы | |
| US20160030910A1 (en) | High-throughput particle production using a plasma system | |
| MX2012014999A (es) | Produccion en particulas ultrafinas en un sistema de plasma que tiene zonas de presion controlada. | |
| RU2482902C1 (ru) | Скруббер вентури | |
| WO2006135272A1 (fr) | Installation de synthese de dioxyde de titane et reacteur plasmochimique | |
| CN105080252A (zh) | 一种用于矿山颚式破碎机的除尘方法及其装置 | |
| RU97933U1 (ru) | Аппарат для промывки и охлаждения отходящих сернистых газов | |
| CN201752863U (zh) | 细长盲孔管件内壁喷砂清理装置 | |
| CN109603451A (zh) | 一种烟气净化装置 | |
| RU2541019C1 (ru) | Скруббер вентури | |
| RU2462292C2 (ru) | Система для очистки дымовых газов | |
| RU147796U1 (ru) | Аппарат для промывки и охлаждения сернистых газов | |
| RU106924U1 (ru) | Жидкостно-струйный компрессор | |
| RU2394669C1 (ru) | Установка для пиролиза | |
| RU2011111906A (ru) | Способ охлаждения и смазки режущих инструментов | |
| JP2018143946A (ja) | 噴霧微粒子製造装置 | |
| TW201420168A (zh) | 袋式過濾器用空氣增幅裝置及使用該袋式過濾器用空氣增幅裝置的袋式過濾器用空氣增幅系統 | |
| RU112073U1 (ru) | Плазменно-акустическая установка для получения нанодисперсных порошков | |
| RU2669832C2 (ru) | Скруббер вентури | |
| RU2427413C1 (ru) | Фильтр щелевой центробежный | |
| CN202122848U (zh) | 醋酸精馏塔的防堵装置 | |
| RU2548092C1 (ru) | Аппарат для мокрой очистки газов | |
| RU2008110034A (ru) | Способ охлаждения и смазки режущих инструментов | |
| RU117426U1 (ru) | Устройство для очистки воды от соединения железа | |
| RU2516658C1 (ru) | Газопромыватель |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20170313 |