RU2015134534A - Источник плазмы - Google Patents
Источник плазмы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015134534A RU2015134534A RU2015134534A RU2015134534A RU2015134534A RU 2015134534 A RU2015134534 A RU 2015134534A RU 2015134534 A RU2015134534 A RU 2015134534A RU 2015134534 A RU2015134534 A RU 2015134534A RU 2015134534 A RU2015134534 A RU 2015134534A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma source
- magnets
- source according
- electrode
- magnet
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32669—Particular magnets or magnet arrangements for controlling the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
- H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
- H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Claims (26)
1. Источник (1) плазмы, предназначенный для нанесения покрытия на подложку (9) и выполненный с возможностью соединения с источником (Р) энергии, содержащий:
a) электрод (2), ограничивающий разрядную камеру (3), выходящую в проем (6), напротив которого можно расположить упомянутую подложку, при этом поперечное сечение упомянутого электрода имеет первую и вторую боковую стенку (21, 22), расположенные с одной и другой стороны от дна (23, 24), имеющего центральную часть (25), выступающую в упомянутую разрядную камеру, при этом упомянутая центральная часть содержит первую и вторую центральную стенку (26, 27) и вершину (28), соединяющую две центральные стенки,
b) магнитный узел (4), находящийся на периферии упомянутого электрода и содержащий совокупность магнитов, соединенных между собой магнитной опорой (46), при этом каждый из упомянутых магнитов содержит открытый полюс, обращенный к разрядной камере, и защищенный полюс, ориентированный к упомянутой магнитной опоре, при этом упомянутая совокупность магнитов включает в себя:
i. по меньшей мере первый и второй боковой магнит (41, 42), при этом упомянутый первый боковой магнит, соответственно второй боковой магнит, расположены сзади упомянутой первой боковой стенки (21), соответственно второй боковой стенки, (22) вблизи упомянутого проема (6), при этом упомянутые два боковых магнита ориентированы таким образом, что их открытые полюсы имеют и одинаковую полярность,
ii. по меньшей мере первый и второй центральный магнит (43, 44), при этом упомянутый первый центральный магнит, соответственно второй центральный магнит, расположены сзади упомянутой первой центральной стенки (26), соответственно второй центральной стенки (27), при этом упомянутые два центральных магнита ориентированы таким образом, что их открытый полюс имеет полярность, противоположную полярности открытых полюсов боковых магнитов,
iii. по меньшей мере один головной магнит (45), расположенный сзади упомянутой вершины (28) и ориентированный таким образом, что его открытый полюс имеет такую же полярность, что и открытые полюсы боковых магнитов,
с) электрически изолирующую оболочку (5), расположенную таким образом, чтобы окружать электрод и магниты, не перекрывая при этом проема.
2. Источник плазмы по п. 1, в котором проем (6) имеет такую же ширину, что и разрядная камера.
3. Источник плазмы по любому из предыдущих пунктов, в котором магнитная опора имеет Е-образную форму, и ее средняя ветвь содержит конец, расширенный таким образом, что защищенный полюс головного магнита (45) полностью находится в контакте с магнитной опорой.
4. Источник плазмы по п. 1, в котором магнитная опора выполнена в виде единой детали.
5. Источник плазмы по п. 2, в котором магнитная опора выполнена в виде единой детали.
6. Источник плазмы по п. 3, в котором магнитная опора выполнена в виде единой детали.
7. Источник плазмы по п. 1, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
8. Источник плазмы по п. 2, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
9. Источник плазмы по п. 3, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
10. Источник плазмы по п. 4, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
11. Источник плазмы по п. 7, в котором средство охлаждения содержит пространство (7) между электродом и магнитным узлом, предназначенное для циркуляции текучей среды-теплоносителя.
12. Источник плазмы по п. 7, в котором средство (7) охлаждения содержит систему трубок.
13. Источник плазмы по п. 1, дополнительно содержащий средство (8) нагнетания, предназначенное для нагнетания ионизируемого газа в разрядную камеру (3).
14. Источник плазмы по п. 13, в котором средство (8) нагнетания расположено вблизи дна (23, 24).
15. Устройство вакуумного осаждения, содержащее источник плазмы по любому из пп. 1-14.
16. Устройство вакуумного осаждения по п. 15, дополнительно содержащее второй источник плазмы по любому из пп. 1-14, причем оба источника плазмы предназначены для сопряженной работы.
17. Устройство вакуумного осаждения по п. 16, в котором оси симметрии обоих источников плазмы образуют угол α, составляющий между 20 и 110°.
18. Устройство вакуумного осаждения по любому из пп. 16 или 17, в котором расположенные друг против друга полюсы боковых магнитов первого источника плазмы имеют полярность, противоположную полярности расположенных друг против друга полюсов боковых магнитов второго источника плазмы.
19. Устройство вакуумного осаждения по п. 15, дополнительно содержащее инжектор (10) исходного газа.
20. Устройство вакуумного осаждения по п. 15, дополнительно содержащее дополнительный магнит (11), расположенный напротив проема (6) и предназначенный для размещения вблизи подложки (9) со стороны, противоположной источнику (1) плазмы, и с полюсом, ориентированным к источнику (1) плазмы и имеющим полярность, обратную полярности расположенных друг напротив друга полюсов боковых магнитов.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2013/052340 WO2014121831A1 (fr) | 2013-02-06 | 2013-02-06 | Source de plasma |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2015134534A true RU2015134534A (ru) | 2017-03-13 |
RU2636389C2 RU2636389C2 (ru) | 2017-11-23 |
Family
ID=47714063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015134534A RU2636389C2 (ru) | 2013-02-06 | 2013-02-06 | Источник плазмы |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9805918B2 (ru) |
EP (1) | EP2954758B1 (ru) |
JP (1) | JP6134394B2 (ru) |
KR (1) | KR101797157B1 (ru) |
CN (1) | CN104996000B (ru) |
BR (1) | BR112015018598B1 (ru) |
CA (1) | CA2899229C (ru) |
DK (1) | DK2954758T5 (ru) |
ES (1) | ES2617962T3 (ru) |
MA (1) | MA38317A1 (ru) |
MX (1) | MX347720B (ru) |
PL (1) | PL2954758T3 (ru) |
PT (1) | PT2954758T (ru) |
RU (1) | RU2636389C2 (ru) |
UA (1) | UA112145C2 (ru) |
WO (1) | WO2014121831A1 (ru) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2620442C2 (ru) * | 2015-05-29 | 2017-05-25 | Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета" | Источник ионов |
KR20170067246A (ko) * | 2015-12-08 | 2017-06-16 | (주) 나인테크 | 인라인 증착장치용 리니어 소스 |
EP3285278A1 (en) * | 2016-08-16 | 2018-02-21 | FEI Company | Magnet used with a plasma cleaner |
KR101874495B1 (ko) * | 2016-10-05 | 2018-07-04 | (주)나인테크 | Oled 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치 |
KR102085337B1 (ko) * | 2017-07-25 | 2020-04-23 | 주식회사 지비라이트 | 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
KR102085335B1 (ko) * | 2017-07-25 | 2020-03-05 | 주식회사 지비라이트 | 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
CN110331373A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-15 | 国家电网有限公司 | 一种实现固体绝缘件表面电导率调控的装置及方法 |
DE102020114162B3 (de) * | 2020-05-27 | 2021-07-22 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Ionenquelle und Verfahren |
CN111916326A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-11-10 | 哈尔滨工业大学 | 一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0249385B2 (ja) * | 1986-04-09 | 1990-10-30 | Ulvac Corp | Purazumacvdsochi |
JP2537210B2 (ja) * | 1986-09-18 | 1996-09-25 | 株式会社東芝 | 高密度プラズマの発生装置 |
US5508492A (en) * | 1991-03-18 | 1996-04-16 | Aluminum Company Of America | Apparatus for extending broad metal surface areas with a magnetically impelled arc |
US5482611A (en) * | 1991-09-30 | 1996-01-09 | Helmer; John C. | Physical vapor deposition employing ion extraction from a plasma |
JP3655334B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2005-06-02 | 松下電器産業株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置 |
US6153067A (en) * | 1998-12-30 | 2000-11-28 | Advanced Ion Technology, Inc. | Method for combined treatment of an object with an ion beam and a magnetron plasma with a combined magnetron-plasma and ion-beam source |
WO2001036701A1 (en) * | 1999-11-18 | 2001-05-25 | Tokyo Electron Limited | High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target |
US6251242B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Magnetron and target producing an extended plasma region in a sputter reactor |
US6451177B1 (en) * | 2000-01-21 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Vault shaped target and magnetron operable in two sputtering modes |
JP2001267311A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | Tft用ゲート膜等の成膜方法とその装置 |
EP1362185A2 (en) * | 2001-02-23 | 2003-11-19 | KAUFMAN & ROBINSON, INC. | Magnetic field for small closed-drift thruster |
US7411352B2 (en) * | 2002-09-19 | 2008-08-12 | Applied Process Technologies, Inc. | Dual plasma beam sources and method |
US7327089B2 (en) | 2002-09-19 | 2008-02-05 | Applied Process Technologies, Inc. | Beam plasma source |
US6896775B2 (en) * | 2002-10-29 | 2005-05-24 | Zond, Inc. | High-power pulsed magnetically enhanced plasma processing |
US7084573B2 (en) * | 2004-03-05 | 2006-08-01 | Tokyo Electron Limited | Magnetically enhanced capacitive plasma source for ionized physical vapor deposition |
JP2008527177A (ja) * | 2005-01-13 | 2008-07-24 | 日本板硝子株式会社 | メンテナンスの手間の軽減されたスパッタリングチャンバ |
US7420182B2 (en) * | 2005-04-27 | 2008-09-02 | Busek Company | Combined radio frequency and hall effect ion source and plasma accelerator system |
US20070205096A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-06 | Makoto Nagashima | Magnetron based wafer processing |
US10784092B2 (en) * | 2007-12-07 | 2020-09-22 | Evatec Ag | Reactive sputtering with HIPIMs |
CN103403219A (zh) * | 2011-02-25 | 2013-11-20 | 东丽株式会社 | 等离子体处理用磁控管电极 |
JP5688996B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2015-03-25 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマ源及びこのプラズマ源を備えた成膜装置 |
-
2013
- 2013-02-06 US US14/765,817 patent/US9805918B2/en active Active
- 2013-02-06 WO PCT/EP2013/052340 patent/WO2014121831A1/fr active Application Filing
- 2013-02-06 JP JP2015555599A patent/JP6134394B2/ja active Active
- 2013-02-06 DK DK13704058.0T patent/DK2954758T5/en active
- 2013-02-06 KR KR1020157021263A patent/KR101797157B1/ko active IP Right Grant
- 2013-02-06 RU RU2015134534A patent/RU2636389C2/ru active
- 2013-02-06 CN CN201380073180.XA patent/CN104996000B/zh active Active
- 2013-02-06 EP EP13704058.0A patent/EP2954758B1/fr active Active
- 2013-02-06 MA MA38317A patent/MA38317A1/fr unknown
- 2013-02-06 PT PT137040580T patent/PT2954758T/pt unknown
- 2013-02-06 ES ES13704058.0T patent/ES2617962T3/es active Active
- 2013-02-06 CA CA2899229A patent/CA2899229C/fr active Active
- 2013-02-06 BR BR112015018598-3A patent/BR112015018598B1/pt active IP Right Grant
- 2013-02-06 PL PL13704058T patent/PL2954758T3/pl unknown
- 2013-02-06 MX MX2015010104A patent/MX347720B/es active IP Right Grant
- 2013-06-02 UA UAA201508171A patent/UA112145C2/uk unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2617962T3 (es) | 2017-06-20 |
UA112145C2 (uk) | 2016-07-25 |
US9805918B2 (en) | 2017-10-31 |
CA2899229C (fr) | 2018-04-03 |
DK2954758T5 (en) | 2017-03-20 |
US20160005575A1 (en) | 2016-01-07 |
PT2954758T (pt) | 2017-03-15 |
EP2954758B1 (fr) | 2016-12-07 |
EP2954758A1 (fr) | 2015-12-16 |
MX347720B (es) | 2017-05-09 |
DK2954758T3 (en) | 2017-03-06 |
BR112015018598A2 (pt) | 2017-07-18 |
JP2016513336A (ja) | 2016-05-12 |
KR101797157B1 (ko) | 2017-11-13 |
JP6134394B2 (ja) | 2017-05-24 |
BR112015018598B1 (pt) | 2020-11-03 |
WO2014121831A1 (fr) | 2014-08-14 |
MX2015010104A (es) | 2016-04-27 |
MA38317A1 (fr) | 2016-09-30 |
CN104996000B (zh) | 2018-05-25 |
KR20150127038A (ko) | 2015-11-16 |
PL2954758T3 (pl) | 2017-06-30 |
CA2899229A1 (fr) | 2014-08-14 |
CN104996000A (zh) | 2015-10-21 |
RU2636389C2 (ru) | 2017-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2015134534A (ru) | Источник плазмы | |
RU2016129486A (ru) | Система и способ для лечения плазмой с использованием энергетической системы направленного диэлектрического барьерного разряда | |
EA201690643A1 (ru) | Системы и способы формирования и поддержания высокоэффективной конфигурации с обращенным полем | |
EA201790940A1 (ru) | Системы и способы формирования и поддержания высокоэффективной конфигурации с обращенным полем | |
EA201490775A1 (ru) | Системы и способы формирования и поддержания высокоэффективной конфигурации с обращенным полем | |
EA201991202A1 (ru) | Системы и способы улучшенного поддержания высокоэффективной конфигурации с обращенным полем и нагрева электронов посредством высших гармоник быстрых волн в высокоэффективной конфигурации с обращенным полем | |
RU2012103666A (ru) | Фильтр для дугового источника | |
AR098225A1 (es) | Disposición de recubrimiento al vacío y tratamiento con plasma, y método de recubrimiento de un sustrato | |
WO2012058184A3 (en) | Plasma processing apparatus with reduced effects of process chamber asymmetry | |
RU2016138745A (ru) | Способ и устройство для создания плазмы, возбуждаемой микроволновой энергией в области электронного циклотронного резонанса (ecr), для осуществления обработки поверхности или нанесения покрытия вокруг нитевидного компонента | |
RU2013112086A (ru) | Устройство для защиты смотрового окна вакуумной камеры | |
RU2015108566A (ru) | Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления | |
US10358713B2 (en) | Surrounding field sputtering source | |
RU2013130852A (ru) | Устройство свч плазменной обработки | |
JP2013218985A5 (ru) | ||
RU2014110349A (ru) | Ионный двигатель | |
RU2016116051A (ru) | Устройство для нанесения покрытий в вакууме | |
UA122854U (uk) | Коректор палива | |
RU2013130658A (ru) | Анодный узел вакуумно-дугового источника катодной плазмы | |
WO2014204557A3 (en) | Heating plasma for fusion power using neutral beam injection | |
RU2010131089A (ru) | Магнетронная распылительная система | |
RU2014123487A (ru) | Циклотронный плазменный двигатель | |
RU2015110694A (ru) | Магниторазрядный насос | |
RU2012142744A (ru) | Электронно-лучевая пушка | |
RU2008105690A (ru) | Электронно-лучевая пушка с плазменным источником электронов |