RU2015134534A - Источник плазмы - Google Patents

Источник плазмы Download PDF

Info

Publication number
RU2015134534A
RU2015134534A RU2015134534A RU2015134534A RU2015134534A RU 2015134534 A RU2015134534 A RU 2015134534A RU 2015134534 A RU2015134534 A RU 2015134534A RU 2015134534 A RU2015134534 A RU 2015134534A RU 2015134534 A RU2015134534 A RU 2015134534A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plasma source
magnets
source according
electrode
magnet
Prior art date
Application number
RU2015134534A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2636389C2 (ru
Inventor
Флорин Даниель ДУМИНИКА
Венсан Леклерк
Эрик Сильберберг
Ален ДАНИЕЛЬ
Original Assignee
Арселормитталь Инвестигасион И Десаррольо Сл
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Арселормитталь Инвестигасион И Десаррольо Сл filed Critical Арселормитталь Инвестигасион И Десаррольо Сл
Publication of RU2015134534A publication Critical patent/RU2015134534A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2636389C2 publication Critical patent/RU2636389C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853Hygiene
    • H01J37/32871Means for trapping or directing unwanted particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32541Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32568Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266Magnetic control means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266Magnetic control means
    • H01J37/32669Particular magnets or magnet arrangements for controlling the discharge
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332Coating
    • H01J2237/3321CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332Coating
    • H01J2237/3322Problems associated with coating
    • H01J2237/3323Problems associated with coating uniformity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645Radiofrequency discharges
    • H05H1/466Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Claims (26)

1. Источник (1) плазмы, предназначенный для нанесения покрытия на подложку (9) и выполненный с возможностью соединения с источником (Р) энергии, содержащий:
a) электрод (2), ограничивающий разрядную камеру (3), выходящую в проем (6), напротив которого можно расположить упомянутую подложку, при этом поперечное сечение упомянутого электрода имеет первую и вторую боковую стенку (21, 22), расположенные с одной и другой стороны от дна (23, 24), имеющего центральную часть (25), выступающую в упомянутую разрядную камеру, при этом упомянутая центральная часть содержит первую и вторую центральную стенку (26, 27) и вершину (28), соединяющую две центральные стенки,
b) магнитный узел (4), находящийся на периферии упомянутого электрода и содержащий совокупность магнитов, соединенных между собой магнитной опорой (46), при этом каждый из упомянутых магнитов содержит открытый полюс, обращенный к разрядной камере, и защищенный полюс, ориентированный к упомянутой магнитной опоре, при этом упомянутая совокупность магнитов включает в себя:
i. по меньшей мере первый и второй боковой магнит (41, 42), при этом упомянутый первый боковой магнит, соответственно второй боковой магнит, расположены сзади упомянутой первой боковой стенки (21), соответственно второй боковой стенки, (22) вблизи упомянутого проема (6), при этом упомянутые два боковых магнита ориентированы таким образом, что их открытые полюсы имеют и одинаковую полярность,
ii. по меньшей мере первый и второй центральный магнит (43, 44), при этом упомянутый первый центральный магнит, соответственно второй центральный магнит, расположены сзади упомянутой первой центральной стенки (26), соответственно второй центральной стенки (27), при этом упомянутые два центральных магнита ориентированы таким образом, что их открытый полюс имеет полярность, противоположную полярности открытых полюсов боковых магнитов,
iii. по меньшей мере один головной магнит (45), расположенный сзади упомянутой вершины (28) и ориентированный таким образом, что его открытый полюс имеет такую же полярность, что и открытые полюсы боковых магнитов,
с) электрически изолирующую оболочку (5), расположенную таким образом, чтобы окружать электрод и магниты, не перекрывая при этом проема.
2. Источник плазмы по п. 1, в котором проем (6) имеет такую же ширину, что и разрядная камера.
3. Источник плазмы по любому из предыдущих пунктов, в котором магнитная опора имеет Е-образную форму, и ее средняя ветвь содержит конец, расширенный таким образом, что защищенный полюс головного магнита (45) полностью находится в контакте с магнитной опорой.
4. Источник плазмы по п. 1, в котором магнитная опора выполнена в виде единой детали.
5. Источник плазмы по п. 2, в котором магнитная опора выполнена в виде единой детали.
6. Источник плазмы по п. 3, в котором магнитная опора выполнена в виде единой детали.
7. Источник плазмы по п. 1, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
8. Источник плазмы по п. 2, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
9. Источник плазмы по п. 3, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
10. Источник плазмы по п. 4, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
11. Источник плазмы по п. 7, в котором средство охлаждения содержит пространство (7) между электродом и магнитным узлом, предназначенное для циркуляции текучей среды-теплоносителя.
12. Источник плазмы по п. 7, в котором средство (7) охлаждения содержит систему трубок.
13. Источник плазмы по п. 1, дополнительно содержащий средство (8) нагнетания, предназначенное для нагнетания ионизируемого газа в разрядную камеру (3).
14. Источник плазмы по п. 13, в котором средство (8) нагнетания расположено вблизи дна (23, 24).
15. Устройство вакуумного осаждения, содержащее источник плазмы по любому из пп. 1-14.
16. Устройство вакуумного осаждения по п. 15, дополнительно содержащее второй источник плазмы по любому из пп. 1-14, причем оба источника плазмы предназначены для сопряженной работы.
17. Устройство вакуумного осаждения по п. 16, в котором оси симметрии обоих источников плазмы образуют угол α, составляющий между 20 и 110°.
18. Устройство вакуумного осаждения по любому из пп. 16 или 17, в котором расположенные друг против друга полюсы боковых магнитов первого источника плазмы имеют полярность, противоположную полярности расположенных друг против друга полюсов боковых магнитов второго источника плазмы.
19. Устройство вакуумного осаждения по п. 15, дополнительно содержащее инжектор (10) исходного газа.
20. Устройство вакуумного осаждения по п. 15, дополнительно содержащее дополнительный магнит (11), расположенный напротив проема (6) и предназначенный для размещения вблизи подложки (9) со стороны, противоположной источнику (1) плазмы, и с полюсом, ориентированным к источнику (1) плазмы и имеющим полярность, обратную полярности расположенных друг напротив друга полюсов боковых магнитов.
RU2015134534A 2013-02-06 2013-02-06 Источник плазмы RU2636389C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2013/052340 WO2014121831A1 (fr) 2013-02-06 2013-02-06 Source de plasma

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015134534A true RU2015134534A (ru) 2017-03-13
RU2636389C2 RU2636389C2 (ru) 2017-11-23

Family

ID=47714063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015134534A RU2636389C2 (ru) 2013-02-06 2013-02-06 Источник плазмы

Country Status (16)

Country Link
US (1) US9805918B2 (ru)
EP (1) EP2954758B1 (ru)
JP (1) JP6134394B2 (ru)
KR (1) KR101797157B1 (ru)
CN (1) CN104996000B (ru)
BR (1) BR112015018598B1 (ru)
CA (1) CA2899229C (ru)
DK (1) DK2954758T5 (ru)
ES (1) ES2617962T3 (ru)
MA (1) MA38317A1 (ru)
MX (1) MX347720B (ru)
PL (1) PL2954758T3 (ru)
PT (1) PT2954758T (ru)
RU (1) RU2636389C2 (ru)
UA (1) UA112145C2 (ru)
WO (1) WO2014121831A1 (ru)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2620442C2 (ru) * 2015-05-29 2017-05-25 Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета" Источник ионов
KR20170067246A (ko) * 2015-12-08 2017-06-16 (주) 나인테크 인라인 증착장치용 리니어 소스
EP3285278A1 (en) * 2016-08-16 2018-02-21 FEI Company Magnet used with a plasma cleaner
KR101874495B1 (ko) * 2016-10-05 2018-07-04 (주)나인테크 Oled 보호막 증착용 인라인 원자층 증착장치
KR102085337B1 (ko) * 2017-07-25 2020-04-23 주식회사 지비라이트 플라즈마 화학 기상 증착 장치
KR102085335B1 (ko) * 2017-07-25 2020-03-05 주식회사 지비라이트 플라즈마 화학 기상 증착 장치
CN110331373A (zh) * 2019-07-04 2019-10-15 国家电网有限公司 一种实现固体绝缘件表面电导率调控的装置及方法
DE102020114162B3 (de) * 2020-05-27 2021-07-22 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Ionenquelle und Verfahren
CN111916326A (zh) * 2020-06-09 2020-11-10 哈尔滨工业大学 一种具有防护功能的离子源的导磁套筒结构

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0249385B2 (ja) * 1986-04-09 1990-10-30 Ulvac Corp Purazumacvdsochi
JP2537210B2 (ja) * 1986-09-18 1996-09-25 株式会社東芝 高密度プラズマの発生装置
US5508492A (en) * 1991-03-18 1996-04-16 Aluminum Company Of America Apparatus for extending broad metal surface areas with a magnetically impelled arc
US5482611A (en) * 1991-09-30 1996-01-09 Helmer; John C. Physical vapor deposition employing ion extraction from a plasma
JP3655334B2 (ja) * 1994-12-26 2005-06-02 松下電器産業株式会社 マグネトロンスパッタリング装置
US6153067A (en) * 1998-12-30 2000-11-28 Advanced Ion Technology, Inc. Method for combined treatment of an object with an ion beam and a magnetron plasma with a combined magnetron-plasma and ion-beam source
WO2001036701A1 (en) * 1999-11-18 2001-05-25 Tokyo Electron Limited High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target
US6251242B1 (en) * 2000-01-21 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Magnetron and target producing an extended plasma region in a sputter reactor
US6451177B1 (en) * 2000-01-21 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Vault shaped target and magnetron operable in two sputtering modes
JP2001267311A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Sanyo Shinku Kogyo Kk Tft用ゲート膜等の成膜方法とその装置
EP1362185A2 (en) * 2001-02-23 2003-11-19 KAUFMAN & ROBINSON, INC. Magnetic field for small closed-drift thruster
US7411352B2 (en) * 2002-09-19 2008-08-12 Applied Process Technologies, Inc. Dual plasma beam sources and method
US7327089B2 (en) 2002-09-19 2008-02-05 Applied Process Technologies, Inc. Beam plasma source
US6896775B2 (en) * 2002-10-29 2005-05-24 Zond, Inc. High-power pulsed magnetically enhanced plasma processing
US7084573B2 (en) * 2004-03-05 2006-08-01 Tokyo Electron Limited Magnetically enhanced capacitive plasma source for ionized physical vapor deposition
JP2008527177A (ja) * 2005-01-13 2008-07-24 日本板硝子株式会社 メンテナンスの手間の軽減されたスパッタリングチャンバ
US7420182B2 (en) * 2005-04-27 2008-09-02 Busek Company Combined radio frequency and hall effect ion source and plasma accelerator system
US20070205096A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-06 Makoto Nagashima Magnetron based wafer processing
US10784092B2 (en) * 2007-12-07 2020-09-22 Evatec Ag Reactive sputtering with HIPIMs
CN103403219A (zh) * 2011-02-25 2013-11-20 东丽株式会社 等离子体处理用磁控管电极
JP5688996B2 (ja) * 2011-03-07 2015-03-25 株式会社神戸製鋼所 プラズマ源及びこのプラズマ源を備えた成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
ES2617962T3 (es) 2017-06-20
UA112145C2 (uk) 2016-07-25
US9805918B2 (en) 2017-10-31
CA2899229C (fr) 2018-04-03
DK2954758T5 (en) 2017-03-20
US20160005575A1 (en) 2016-01-07
PT2954758T (pt) 2017-03-15
EP2954758B1 (fr) 2016-12-07
EP2954758A1 (fr) 2015-12-16
MX347720B (es) 2017-05-09
DK2954758T3 (en) 2017-03-06
BR112015018598A2 (pt) 2017-07-18
JP2016513336A (ja) 2016-05-12
KR101797157B1 (ko) 2017-11-13
JP6134394B2 (ja) 2017-05-24
BR112015018598B1 (pt) 2020-11-03
WO2014121831A1 (fr) 2014-08-14
MX2015010104A (es) 2016-04-27
MA38317A1 (fr) 2016-09-30
CN104996000B (zh) 2018-05-25
KR20150127038A (ko) 2015-11-16
PL2954758T3 (pl) 2017-06-30
CA2899229A1 (fr) 2014-08-14
CN104996000A (zh) 2015-10-21
RU2636389C2 (ru) 2017-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015134534A (ru) Источник плазмы
RU2016129486A (ru) Система и способ для лечения плазмой с использованием энергетической системы направленного диэлектрического барьерного разряда
EA201690643A1 (ru) Системы и способы формирования и поддержания высокоэффективной конфигурации с обращенным полем
EA201790940A1 (ru) Системы и способы формирования и поддержания высокоэффективной конфигурации с обращенным полем
EA201490775A1 (ru) Системы и способы формирования и поддержания высокоэффективной конфигурации с обращенным полем
EA201991202A1 (ru) Системы и способы улучшенного поддержания высокоэффективной конфигурации с обращенным полем и нагрева электронов посредством высших гармоник быстрых волн в высокоэффективной конфигурации с обращенным полем
RU2012103666A (ru) Фильтр для дугового источника
AR098225A1 (es) Disposición de recubrimiento al vacío y tratamiento con plasma, y método de recubrimiento de un sustrato
WO2012058184A3 (en) Plasma processing apparatus with reduced effects of process chamber asymmetry
RU2016138745A (ru) Способ и устройство для создания плазмы, возбуждаемой микроволновой энергией в области электронного циклотронного резонанса (ecr), для осуществления обработки поверхности или нанесения покрытия вокруг нитевидного компонента
RU2013112086A (ru) Устройство для защиты смотрового окна вакуумной камеры
RU2015108566A (ru) Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления
US10358713B2 (en) Surrounding field sputtering source
RU2013130852A (ru) Устройство свч плазменной обработки
JP2013218985A5 (ru)
RU2014110349A (ru) Ионный двигатель
RU2016116051A (ru) Устройство для нанесения покрытий в вакууме
UA122854U (uk) Коректор палива
RU2013130658A (ru) Анодный узел вакуумно-дугового источника катодной плазмы
WO2014204557A3 (en) Heating plasma for fusion power using neutral beam injection
RU2010131089A (ru) Магнетронная распылительная система
RU2014123487A (ru) Циклотронный плазменный двигатель
RU2015110694A (ru) Магниторазрядный насос
RU2012142744A (ru) Электронно-лучевая пушка
RU2008105690A (ru) Электронно-лучевая пушка с плазменным источником электронов