RU2015120619A - Нитридный полупроводниковый элемент и способ его производства - Google Patents
Нитридный полупроводниковый элемент и способ его производства Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015120619A RU2015120619A RU2015120619A RU2015120619A RU2015120619A RU 2015120619 A RU2015120619 A RU 2015120619A RU 2015120619 A RU2015120619 A RU 2015120619A RU 2015120619 A RU2015120619 A RU 2015120619A RU 2015120619 A RU2015120619 A RU 2015120619A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- protrusions
- longitudinal direction
- nitride semiconductor
- semiconductor element
- protrusion
- Prior art date
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract 18
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 18
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
1. Нитридный полупроводниковый элемент, содержащий:сапфировую подложку, содержащую:основную поверхность, проходящую в с-плоскости сапфировой подложки, имножество выступов, расположенных на основной поверхности, причем множество выступов содержат по меньшей мере один выступ, имеющий удлиненную форму на виде в плане;ислой нитридного полупроводника, расположенный на основной поверхности сапфировой подложки,при этом по меньшей мере один выступ имеет внешний край, проходящий в продольном направлении удлиненной формы, причем внешний край проходит в направлении, ориентированном под углом в диапазоне от -10° до +10° относительно а-плоскости сапфировой подложки на виде в плане.2. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 1, в котором длина по меньшей мере одного выступа в продольном направлении в два раза или более превышает ширину по меньшей мере одного выступа в направлении ширины, которое перпендикулярно продольному направлению.3. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 1, в котором верхняя часть по меньшей мере одного выступа в поперечном сечении, параллельном направлению ширины, которое перпендикулярно продольному направлению, имеет острую форму.4. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 2, в котором верхняя часть по меньшей мере одного выступа в поперечном сечении, параллельном направлению ширины, которое перпендикулярно продольному направлению, имеет острую форму.5. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 1, в котором верхушка концевого участка по меньшей мере одного выступа в продольном направлении имеет на виде в плане полукруглую форму.6. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 2, в котором верхушка концевого участка по меньшей
Claims (15)
1. Нитридный полупроводниковый элемент, содержащий:
сапфировую подложку, содержащую:
основную поверхность, проходящую в с-плоскости сапфировой подложки, и
множество выступов, расположенных на основной поверхности, причем множество выступов содержат по меньшей мере один выступ, имеющий удлиненную форму на виде в плане;
и
слой нитридного полупроводника, расположенный на основной поверхности сапфировой подложки,
при этом по меньшей мере один выступ имеет внешний край, проходящий в продольном направлении удлиненной формы, причем внешний край проходит в направлении, ориентированном под углом в диапазоне от -10° до +10° относительно а-плоскости сапфировой подложки на виде в плане.
2. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 1, в котором длина по меньшей мере одного выступа в продольном направлении в два раза или более превышает ширину по меньшей мере одного выступа в направлении ширины, которое перпендикулярно продольному направлению.
3. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 1, в котором верхняя часть по меньшей мере одного выступа в поперечном сечении, параллельном направлению ширины, которое перпендикулярно продольному направлению, имеет острую форму.
4. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 2, в котором верхняя часть по меньшей мере одного выступа в поперечном сечении, параллельном направлению ширины, которое перпендикулярно продольному направлению, имеет острую форму.
5. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 1, в котором верхушка концевого участка по меньшей мере одного выступа в продольном направлении имеет на виде в плане полукруглую форму.
6. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 2, в котором верхушка концевого участка по меньшей мере одного выступа в продольном направлении имеет на виде в плане полукруглую форму.
7. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 3, в котором верхушка концевого участка по меньшей мере одного выступа в продольном направлении имеет на виде в плане полукруглую форму.
8. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 4, в котором верхушка концевого участка по меньшей мере одного выступа в продольном направлении имеет на виде в плане полукруглую форму.
9. Нитридный полупроводниковый элемент по любому из пп. 1-8, в котором выступы расположены с соответствующими заданными интервалами в направлении строки и в направлении столбца, причем направление строки является продольным направлением удлиненной формы, а направление столбца является направлением по ширине удлиненной формы, которое перпендикулярно продольному направлению,
при этом выступы в строках, соседствующих друг с другом в направлении столбца, расположены так, чтобы быть смещенными относительно друг друга в направлении строки.
10. Нитридный полупроводниковый элемент по любому из пп. 1-8, в котором выступы расположены с соответствующими заданными интервалами в направлении строки и в направлении столбца, причем направление строки является продольным направлением удлиненной формы, а направление столбца является направлением по ширине удлиненной формы, которое перпендикулярно продольному направлению,
при этом выступы в строках, соседствующих друг с другом в направлении столбца, расположены так, чтобы быть выровненными в направлении строки.
11. Нитридный полупроводниковый элемент по любому из пп. 1-8, в котором сапфировая подложка содержит:
первую группу, содержащую первые выступы, причем каждый из первых выступов имеет внешний край в продольном направлении удлиненной формы выступов, проходящий в направлении, ориентированном под углом в диапазоне от -10° до +10° относительно а-плоскости, линия нормали которой является первой а-осью сапфировой подложки; и
вторую группу, содержащую вторые выступы, причем каждый из вторых выступов имеет внешний край в продольном направлении удлиненной формы выступов, проходящий в направлении, ориентированном под углом в диапазоне от -10° до +10° относительно а-плоскости, линия нормали которой является второй а-осью, отличной от первой а-оси сапфировой подложки.
12. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 11, в котором:
вторые выступы, содержащиеся во второй группе, расположены на соответствующих линиях, проходящих в продольном направлении первых выступов, содержащихся в первой группе, а
первые выступы, содержащиеся в первой группе, расположены на соответствующих линиях, проходящих в продольном направлении вторых выступов, содержащихся во второй группе.
13. Нитридный полупроводниковый элемент по любому из пп. 1-8, в котором сапфировая подложка содержит:
первую группу, содержащую первые выступы, причем каждый из первых выступов имеет внешний край в продольном направлении удлиненной формы выступов, проходящий в направлении, ориентированном под углом в диапазоне от -10° до +10° относительно а-плоскости, линия нормали которой является первой а-осью сапфировой подложки;
вторую группу, содержащую вторые выступы, причем каждый из вторых выступов имеет внешний край в продольном направлении удлиненной формы выступов, проходящий в направлении, ориентированном под углом в диапазоне от -10° до +10° относительно а-плоскости, линия нормали которой является второй а-осью, отличной от первой а-оси сапфировой подложки; и
третью группу, содержащую третьи выступы, причем каждый из третьих выступов имеет внешний край в продольном направлении удлиненной формы выступов, проходящий в направлении, ориентированном под углом в диапазоне от -10° до +10° относительно а-плоскости, линия нормали которой является третьей а-осью, отличной от первой а-оси и второй а-оси сапфировой подложки.
14. Нитридный полупроводниковый элемент по п. 13, в котором:
вторые выступы, содержащиеся во второй группе, расположены на соответствующих линиях, проходящих в продольном направлении первых выступов, содержащихся в первой группе,
третьи выступы, содержащиеся в третьей группе, расположены на соответствующих линиях, проходящих в продольном направлении вторых выступов, содержащихся во второй группе, и
первые выступы, содержащиеся в первой группе, расположены на соответствующих линиях, проходящих в продольном направлении третьих выступов, содержащихся в третьей группе.
15. Способ изготовления нитридного полупроводникового элемента, содержащий этапы, на которых:
осуществляют сухое травление поверхности на стороне с-плоскости сапфировой подложки, обеспечивая маску на поверхности, чтобы сформировать множество выступов, причем множество выступов содержат по меньшей мере один выступ, имеющий удлиненную форму на виде в плане, при этом внешний край выступа в продольном направлении удлиненной формы расположен под углом в диапазоне от -10° до +10° относительно а-плоскости сапфировой подложки; и
выращивают слой нитридного полупроводника на поверхности сапфировой подложки со сформированными на ней выступами.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014111966 | 2014-05-30 | ||
| JP2014-111966 | 2014-05-30 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015120619A true RU2015120619A (ru) | 2016-12-20 |
| RU2015120619A3 RU2015120619A3 (ru) | 2018-07-05 |
| RU2663684C2 RU2663684C2 (ru) | 2018-08-08 |
Family
ID=53274434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015120619A RU2663684C2 (ru) | 2014-05-30 | 2015-05-29 | Нитридный полупроводниковый элемент и способ его производства |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2950356B1 (ru) |
| KR (1) | KR102334161B1 (ru) |
| CN (1) | CN105280776B (ru) |
| BR (1) | BR102015012604B1 (ru) |
| MX (1) | MX364561B (ru) |
| RU (1) | RU2663684C2 (ru) |
| TW (1) | TWI640104B (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6135751B2 (ja) * | 2015-02-18 | 2017-05-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
| US9773946B2 (en) | 2015-02-18 | 2017-09-26 | Nichia Corporation | Light-emitting element comprising a partitioned sapphire substrate |
| JP7305428B2 (ja) * | 2018-06-05 | 2023-07-10 | 株式会社小糸製作所 | 半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子および半導体素子製造方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3556916B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2004-08-25 | 三菱電線工業株式会社 | 半導体基材の製造方法 |
| JP3595277B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2004-12-02 | 三菱電線工業株式会社 | ＧａＮ系半導体発光ダイオード |
| JP4055503B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| US7071494B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-07-04 | Lumileds Lighting U.S. Llc | Light emitting device with enhanced optical scattering |
| JP4201079B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2008-12-24 | 昭和電工株式会社 | 発光素子、その製造方法およびｌｅｄランプ |
| DE102004002132A1 (de) * | 2004-01-15 | 2005-08-11 | Man Roland Druckmaschinen Ag | Einrichtung zur Erzeugung einer Beschichtung von Druckprodukten einer Druckmaschine |
| EP3166152B1 (en) * | 2003-08-19 | 2020-04-15 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing its substrate |
| CN101232067B (zh) * | 2005-05-16 | 2013-05-15 | 索尼株式会社 | 发光二极管及其制造方法、集成发光二极管、以及显示器 |
| JP4462249B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法 |
| JP2008053385A (ja) | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード素子 |
| CN101330002A (zh) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | 中国科学院半导体研究所 | 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 |
| JP2008091942A (ja) | 2007-11-22 | 2008-04-17 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
| WO2009139376A1 (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-19 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| KR101533296B1 (ko) * | 2008-07-08 | 2015-07-02 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 기판을 구비한 질화물 반도체 발광소자 및 그제조방법 |
| RU2402837C1 (ru) * | 2009-10-21 | 2010-10-27 | Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР" | Полупроводниковый светоизлучающий прибор с пористым буферным слоем |
| US8476658B2 (en) * | 2009-11-25 | 2013-07-02 | Jing Jie Dai | Semiconductor light-emitting devices |
| JP5273081B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-08-28 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
| US8765509B2 (en) * | 2010-09-30 | 2014-07-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device |
| JP2012114204A (ja) | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP5811009B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-11-11 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体 |
| RU134362U1 (ru) * | 2012-06-26 | 2013-11-10 | Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" | Гетероструктура на профилированной подложке |
-
2015
- 2015-05-28 CN CN201510282291.2A patent/CN105280776B/zh active Active
- 2015-05-28 TW TW104117242A patent/TWI640104B/zh active
- 2015-05-29 MX MX2015006833A patent/MX364561B/es active IP Right Grant
- 2015-05-29 EP EP15169765.3A patent/EP2950356B1/en active Active
- 2015-05-29 BR BR102015012604-2A patent/BR102015012604B1/pt active IP Right Grant
- 2015-05-29 RU RU2015120619A patent/RU2663684C2/ru active
- 2015-05-29 KR KR1020150075907A patent/KR102334161B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150138092A (ko) | 2015-12-09 |
| CN105280776A (zh) | 2016-01-27 |
| CN105280776B (zh) | 2019-01-01 |
| RU2015120619A3 (ru) | 2018-07-05 |
| KR102334161B1 (ko) | 2021-12-02 |
| MX364561B (es) | 2019-04-30 |
| TW201607075A (zh) | 2016-02-16 |
| EP2950356A1 (en) | 2015-12-02 |
| TWI640104B (zh) | 2018-11-01 |
| RU2663684C2 (ru) | 2018-08-08 |
| BR102015012604B1 (pt) | 2022-04-05 |
| EP2950356B1 (en) | 2017-04-05 |
| BR102015012604A2 (pt) | 2015-12-01 |
| MX2015006833A (es) | 2016-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USD704479S1 (en) | Pillow | |
| USD771831S1 (en) | Wand | |
| CL2015002195A1 (es) | Conjuntos ópticos con conectividad gestionada | |
| USD709715S1 (en) | Pillow | |
| RU2015120619A (ru) | Нитридный полупроводниковый элемент и способ его производства | |
| RU2019101915A (ru) | Улучшенное приспособление для прорезывания зубов | |
| CL2015003291E1 (es) | Dibujo industrial de ornamentacion para pantalon corto formada por dos lineas paralelas con zona central punteada y seis filas de rectangulos formando diagonales; perpendiculares bajo la linea inferior comprende dos franjas paralelas, de ancho y longitud indefinido, cada una punteada y con siete lineas rectas centrales, paralelas y longitudinales. | |
| EA201500463A1 (ru) | Плуг с множеством закрепленных на плужной балке плужных элементов | |
| AR098322A1 (es) | Un aparato para el trasplante de plantas | |
| ES2533759R1 (es) | Sujeción | |
| AR119641A1 (es) | Barra del cóncavo y rejilla de separación de cosechadora | |
| USD745965S1 (en) | Surgical instrument shaft with hole pattern | |
| JP2016122704A5 (ru) | ||
| EA201792666A1 (ru) | Мягкие абсорбирующие листы, структурирующие материалы для изготовления мягких абсорбирующих листов и способы изготовления мягких абсорбирующих листов | |
| USD746450S1 (en) | Surgical instrument shaft with hole pattern | |
| DE112019004879A5 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip mit kontaktelementen und dessen erstellungsverfahren | |
| USD745964S1 (en) | Surgical instrument shaft with hole pattern | |
| USD782607S1 (en) | Fishing reel portion | |
| EA201690293A1 (ru) | Способ изготовления модулей пола, включающих элементы с криволинейными краями, изготовленные из пиломатериалов, имеющих края с естественной кривизной древесного материала | |
| RU2015141461A (ru) | Абсорбирующее изделие, демонстрирующее управляемую деформацию и продольное распределение текучей среды | |
| USD781996S1 (en) | Fishing reel portion | |
| JP2015211142A5 (ru) | ||
| RU2015125303A (ru) | Протектор шины с направленной скульптурой | |
| CL2012000571A1 (es) | Escurridor que comprende un cuerpo unitario con un extremo superior de forma conica y un primer perimetro inferior que define una perforacion central, y un extremo inferior que comprende una pluralidad de surcos que se extienden hacia el exterior y una terminacion que define un segundo perimetro. | |
| DE112016002001A5 (de) | Anordnung mit einem Substrat und einem Halbleiterlaser |