RU2015117522A - Оптическая подложка, полупроводниковое светоизлучающее устройство и способ их производства - Google Patents
Оптическая подложка, полупроводниковое светоизлучающее устройство и способ их производства Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015117522A RU2015117522A RU2015117522A RU2015117522A RU2015117522A RU 2015117522 A RU2015117522 A RU 2015117522A RU 2015117522 A RU2015117522 A RU 2015117522A RU 2015117522 A RU2015117522 A RU 2015117522A RU 2015117522 A RU2015117522 A RU 2015117522A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- concave
- optical substrate
- convex structure
- semiconductor layer
- convex
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 4
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims 6
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 claims 3
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
1. Оптическая подложка, включающая в себя:тело подложки; иобеспеченную на главной поверхности тела подложки вогнуто-выпуклую структуру, состоящую из множества выпуклых участков или вогнутых участков,при этом на главной поверхности выполнен по меньшей мере один рисунок, наблюдаемый при любом увеличении в пределах диапазона от 10-кратного до 5000-кратного в оптическом микроскопе;интервал рисунка больше, чем шаг вогнуто-выпуклой структуры; ина изображении рисунка в оптическом микроскопе этот рисунок может быть различен на первую область и вторую область за счет различия светлого и темного, множество первых областей расположено отдельно друг от друга с интервалами, а вторая область соединяется между первыми областями.2. Оптическая подложка по п. 1, в которой рисунок является наблюдаемым при любом увеличении в пределах диапазона от 10-кратного до 1500-кратного в оптическом микроскопе.3. Оптическая подложка по п. 1, в которой рисунок является наблюдаемым при любом увеличении в пределах диапазона от 500-кратного до 1500-кратного в оптическом микроскопе.4. Оптическая подложка по п. 1, в которой рисунок является наблюдаемым при любом увеличении в пределах диапазона от 500-кратного до 5000-кратного в оптическом микроскопе.5. Оптическая подложка по любому из пп. 1-4, в которой рисунок выполнен за счет различия в по меньшей мере одном элементе, составляющем множество выпуклых участков или вогнутых участков, составляющих вогнуто-выпуклую структуру.6. Оптическая подложка по п. 1, в которой средний шаг вогнуто-выпуклой структуры составляет в диапазоне от 10 нм до 1500 нм.7. Оптическая подложка по п. 6, в которой средний шаг вогнуто-выпуклой структуры составляет в диапазоне от 10 нм до 900 нм, а высота
Claims (22)
1. Оптическая подложка, включающая в себя:
тело подложки; и
обеспеченную на главной поверхности тела подложки вогнуто-выпуклую структуру, состоящую из множества выпуклых участков или вогнутых участков,
при этом на главной поверхности выполнен по меньшей мере один рисунок, наблюдаемый при любом увеличении в пределах диапазона от 10-кратного до 5000-кратного в оптическом микроскопе;
интервал рисунка больше, чем шаг вогнуто-выпуклой структуры; и
на изображении рисунка в оптическом микроскопе этот рисунок может быть различен на первую область и вторую область за счет различия светлого и темного, множество первых областей расположено отдельно друг от друга с интервалами, а вторая область соединяется между первыми областями.
2. Оптическая подложка по п. 1, в которой рисунок является наблюдаемым при любом увеличении в пределах диапазона от 10-кратного до 1500-кратного в оптическом микроскопе.
3. Оптическая подложка по п. 1, в которой рисунок является наблюдаемым при любом увеличении в пределах диапазона от 500-кратного до 1500-кратного в оптическом микроскопе.
4. Оптическая подложка по п. 1, в которой рисунок является наблюдаемым при любом увеличении в пределах диапазона от 500-кратного до 5000-кратного в оптическом микроскопе.
5. Оптическая подложка по любому из пп. 1-4, в которой рисунок выполнен за счет различия в по меньшей мере одном элементе, составляющем множество выпуклых участков или вогнутых участков, составляющих вогнуто-выпуклую структуру.
6. Оптическая подложка по п. 1, в которой средний шаг вогнуто-выпуклой структуры составляет в диапазоне от 10 нм до 1500 нм.
7. Оптическая подложка по п. 6, в которой средний шаг вогнуто-выпуклой структуры составляет в диапазоне от 10 нм до 900 нм, а высота вогнуто-выпуклой структуры составляет в диапазоне от 10 нм до 500 нм.
8. Оптическая подложка по п. 1, при этом когда каждый из трех типов лазерных лучей соответственно с длинами волн от 640 нм до 660 нм, от 525 нм до 535 нм и от 460 нм до 480 нм направлен перпендикулярно главной поверхности данной оптической подложки со стороны первой поверхности, на которой существует вогнуто-выпуклая структура оптической подложки, относительно по меньшей мере одного лазерного луча или больше, этот лазерный луч, выходящий из второй поверхности на противоположной первой поверхности стороне, расщепляется на два или более луча.
9. Оптическая подложка по п. 1, в которой средний шаг вогнуто-выпуклой структуры составляет в диапазоне от 50 нм до 1500 нм, при этом вогнуто-выпуклая структура включает в себя по меньшей мере одно нарушение, и среднеквадратичное отклонение и среднее арифметическое элементов вогнуто-выпуклой структуры, которое является по меньшей мере одним фактором нарушения, удовлетворяют соотношению следующего уравнения (1)
0,025 ≤ (среднеквадратичное отклонение/среднее арифметическое) ≤ 0,5 (1)
10. Оптическая подложка по п. 1, которая применена в полупроводниковом светоизлучающем устройстве, состоящем по меньшей мере из слоя электронного полупроводника, светоизлучающего полупроводникового слоя и слоя дырочного полупроводника, причем вогнуто-выпуклая структура включает в себя точки, состоящие из множества выпуклых участков или вогнутых участков, и формирует двумерный фотонный кристалл, управляемый по меньшей мере одним из шага между упомянутыми точками, диаметра точек и высоты точек, а
период двумерного фотонного кристалла в два или более раз больше центральной длины волны излучения полупроводникового светоизлучающего устройства.
11. Оптическая подложка, снабженная на своей поверхности вогнуто-выпуклой структурой,
при этом средний шаг вогнуто-выпуклой структуры составляет в диапазоне от 50 нм до 1500 нм,
вогнуто-выпуклая структура включает в себя по меньшей мере одно нарушение, и среднеквадратичное отклонение и среднее арифметическое элементов вогнуто-выпуклой структуры, которое является по меньшей мере одним фактором нарушения, удовлетворяют соотношению следующего уравнения (1)
0,025 ≤ (среднеквадратичное отклонение/среднее арифметическое) ≤ 0,5 (1)
12. Оптическая подложка по п. 11, в которой дно вогнутого участка вогнуто-выпуклой структуры имеет плоскую поверхность.
13. Оптическая подложка по п. 11 или 12, в которой элемент вогнуто-выпуклой структуры представляет собой по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, состоящей из высоты выпуклого участка вогнуто-выпуклой структуры, наружного диаметра основания выпуклого участка вогнуто-выпуклой структуры, соотношения сторон вогнуто-выпуклой структуры, диаметра описанной окружности относительно контура основания выпуклого участка, диаметра вписанной окружности относительно контура основания выпуклого участка, отношения между диаметром описанной окружности относительно контура основания выпуклого участка и диаметром вписанной окружности относительно контура основания выпуклого участка, шага вогнуто-выпуклой структуры, заполняемости вогнуто-выпуклой структуры, угла наклона боковой поверхности выпуклого участка и площади плоской поверхности вершины выпуклого участка.
14. Оптическая подложка, примененная в полупроводниковом светоизлучающем устройстве, состоящем по меньшей мере из слоя электронного полупроводника, светоизлучающего полупроводникового слоя и слоя дырочного полупроводника,
при этом на главной поверхности оптической подложки обеспечена вогнуто-выпуклая структура, включающая в себя точки, состоящие из множества выпуклых участков или вогнутых участков,
вогнуто-выпуклая структура формирует двумерный фотонный кристалл, управляемый по меньшей мере одним из шага между точками, диаметра точек и высоты точек, и
период двумерного фотонного кристалла в два или более раз больше центральной длины волны излучения полупроводникового светоизлучающего устройства.
15. Оптическая подложка по п. 14, в которой период двумерного фотонного кристалла имеет период по меньшей мере в одном направлении оси главной поверхности.
16. Оптическая подложка по п. 14, в которой период двумерного фотонного кристалла имеет периоды по меньшей мере в двух взаимно независимых направлениях оси главной поверхности.
17. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, в котором по меньшей мере первый слой полупроводника, светоизлучающий полупроводниковый слой и второй слой полупроводника наслоены на главную поверхность оптической подложки по любому из пп. 1-16.
18. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п. 17, в котором отношение (Hbun/h) расстояния (Hbun) между поверхностью на стороне светоизлучающего полупроводникового слоя и поверхностью на стороне первого слоя полупроводника светоизлучающего полупроводникового слоя к средней высоте (h) вогнуто-выпуклой структуры, обеспеченной на поверхности оптической подложки со стороны светоизлучающего полупроводникового слоя, удовлетворяет следующему уравнению (12)
8≤Hbun/h≤300 (12)
19. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п. 18, в котором первый слой полупроводника состоит из нелегированного первого слоя полупроводника и легированного первого слоя полупроводника в указанном порядке от стороны оптической подложки, и
отношение (Hbu/h) расстояния (Hbu) между поверхностью оптической подложки со стороны светоизлучающего полупроводникового слоя и поверхностью нелегированного первого слоя полупроводника со стороны легированного первого слоя полупроводника к средней высоте (h) вогнуто-выпуклой структуры удовлетворяет следующему уравнению (13)
3,5≤Hbu/h≤200 (13)
20. Способ производства полупроводникового светоизлучающего устройства, включающий в себя:
выполнение оптического контроля оптической подложки по любому из пп. 1-16; и производство полупроводникового светоизлучающего устройства с использованием оптической подложки, подвергнутой оптическому контролю.
21. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, полученное путем отделения оптической подложки по любому из пп. 1-16 от промежуточного продукта, снабженного оптической подложкой, первым слоем полупроводника, светоизлучающим полупроводниковым слоем и вторым слоем полупроводника, последовательно наслоенными на имеющую вогнуто-выпуклую структуру поверхность, и поддерживающим продуктом, соединенным с упомянутым вторым слоем полупроводника.
22. Способ производства полупроводникового светоизлучающего устройства, включающий в себя:
наслоение первого слоя полупроводника, светоизлучающего полупроводникового слоя и второго слоя полупроводника в указанном порядке на имеющую вогнуто-выпуклую структуру поверхность оптической подложки по любому из пп. 1-16;
связывание поддерживающего продукта с поверхностью второго слоя полупроводника с получением промежуточного продукта; и
отделение оптической подложки от промежуточного продукта с получением полупроводникового светоизлучающего устройства, включающего в себя первый слой полупроводника, светоизлучающий полупроводниковый слой, второй слой полупроводника и поддерживающий продукт.
Applications Claiming Priority (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012227299 | 2012-10-12 | ||
| JP2012-227299 | 2012-10-12 | ||
| JP2012230000 | 2012-10-17 | ||
| JP2012-230000 | 2012-10-17 | ||
| JP2012-231861 | 2012-10-19 | ||
| JP2012231861 | 2012-10-19 | ||
| JP2012-280240 | 2012-12-21 | ||
| JP2012280240 | 2012-12-21 | ||
| JP2013-022576 | 2013-02-07 | ||
| JP2013022576 | 2013-02-07 | ||
| JP2013-111091 | 2013-05-27 | ||
| JP2013111091 | 2013-05-27 | ||
| PCT/JP2013/075943 WO2014057808A1 (ja) | 2012-10-12 | 2013-09-25 | 光学基板、半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015117522A true RU2015117522A (ru) | 2016-12-10 |
Family
ID=50477279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015117522A RU2015117522A (ru) | 2012-10-12 | 2013-09-25 | Оптическая подложка, полупроводниковое светоизлучающее устройство и способ их производства |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160056352A1 (ru) |
| EP (2) | EP2908353A4 (ru) |
| JP (2) | JP5719090B2 (ru) |
| KR (1) | KR20150052205A (ru) |
| CN (1) | CN104781941A (ru) |
| BR (1) | BR112015008057A2 (ru) |
| RU (1) | RU2015117522A (ru) |
| TW (2) | TWI514618B (ru) |
| WO (1) | WO2014057808A1 (ru) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008073400A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
| US9548419B2 (en) * | 2014-05-20 | 2017-01-17 | Southern Taiwan University Of Science And Technology | Light emitting diode chip having multi microstructure substrate surface |
| KR102200027B1 (ko) * | 2014-06-23 | 2021-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
| JP6415909B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2018-10-31 | 住友化学株式会社 | 窒化物半導体テンプレートの製造方法 |
| DE102015102365A1 (de) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungskörper und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskörpers |
| US11217735B2 (en) * | 2015-02-20 | 2022-01-04 | Luminus, Inc. | LED package with surface textures and methods of formation |
| EP3163634A4 (en) * | 2015-07-17 | 2018-01-17 | Scivax Corporation | Light emitting element |
| EP3358632A4 (en) * | 2015-09-30 | 2018-10-03 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Optical substrate, substrate for semiconductor light emitting element, and semiconductor light emitting element |
| JP6631639B2 (ja) * | 2015-12-10 | 2020-01-15 | 王子ホールディングス株式会社 | 基板、光学素子、金型、有機発光素子、有機薄膜太陽電池、および、基板の製造方法 |
| DE102015122768A1 (de) * | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Temicon Gmbh | Plattenförmiges optisches Element zur Auskopplung von Licht |
| DE102016101442A1 (de) | 2016-01-27 | 2017-07-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Konversionselement und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem solchen Konversionselement |
| TWI575770B (zh) * | 2016-02-18 | 2017-03-21 | Li chong-wei | Patterned substrate |
| CN107452849B (zh) * | 2016-06-01 | 2019-08-27 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| JP6818479B2 (ja) | 2016-09-16 | 2021-01-20 | デクセリアルズ株式会社 | 原盤の製造方法 |
| JP2018170333A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP6509976B2 (ja) * | 2017-08-24 | 2019-05-08 | リソテック ジャパン株式会社 | 樹脂製シートおよびチューブ |
| DE102018107615B4 (de) * | 2017-09-06 | 2024-08-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
| KR102506441B1 (ko) * | 2017-12-04 | 2023-03-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 어레이의 제조 방법 및 반도체 발광 어레이 |
| KR102244791B1 (ko) | 2017-12-15 | 2021-04-26 | 주식회사 엘지화학 | 편광판, 편광판-캐리어 필름 적층체, 편광판-캐리어 필름 적층체의 제조방법, 편광판의 제조방법 및 활성 에너지선 경화형 조성물 |
| KR102427640B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2022-08-01 | 삼성전자주식회사 | 자외선 반도체 발광소자 |
| TWI709761B (zh) * | 2019-04-15 | 2020-11-11 | 上暘光學股份有限公司 | 具有雷射誘發週期表面微結構之光學鏡片 |
| TWI693726B (zh) * | 2019-08-14 | 2020-05-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光元件及微型發光元件結構 |
| FR3105878B1 (fr) | 2019-12-26 | 2023-10-27 | Aledia | Dispositif à composants optoélectroniques tridimensionnels pour découpe au laser et procédé de découpe au laser d'un tel dispositif |
| US20210296530A1 (en) * | 2020-03-17 | 2021-09-23 | Magna Electronics Inc. | Vehicular display element comprising high density mini-pixel led array |
| CN112250312A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-22 | 浙江水晶光电科技股份有限公司 | 微结构的生成方法及表面具有微结构的产品 |
| TWI741911B (zh) * | 2020-12-16 | 2021-10-01 | 環球晶圓股份有限公司 | 磊晶層去除方法 |
| CN112687777B (zh) * | 2020-12-18 | 2021-12-03 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
| US20220367753A1 (en) * | 2021-05-17 | 2022-11-17 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Uv light emitting diode |
| WO2024119053A1 (en) * | 2022-12-01 | 2024-06-06 | Magic Leap, Inc. | Dummy imprinted regions |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4055503B2 (ja) | 2001-07-24 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP4201079B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2008-12-24 | 昭和電工株式会社 | 発光素子、その製造方法およびｌｅｄランプ |
| JP4248974B2 (ja) * | 2003-09-02 | 2009-04-02 | 日東電工株式会社 | 光源装置および液晶表示装置 |
| JP2005259970A (ja) | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| JP4843284B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2011-12-21 | パナソニック電工株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| CN101283313B (zh) * | 2005-10-04 | 2011-03-16 | 木本股份有限公司 | 表面凹凸的制作方法 |
| KR100828873B1 (ko) | 2006-04-25 | 2008-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| US20080121903A1 (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Sony Corporation | Method for manufacturing light-emitting diode, light-emitting diode, lightsource cell unit, light-emitting diode backlight, light-emitting diode illuminating device, light-emitting diode display, and electronic apparatus |
| US20090015142A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display devices |
| JP2011192880A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び液晶表示装置 |
| JP2012033521A (ja) * | 2010-07-28 | 2012-02-16 | Hitachi Cable Ltd | 基板、及び発光素子 |
| JP5185344B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2013-04-17 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
-
2013
- 2013-09-25 JP JP2014540798A patent/JP5719090B2/ja active Active
- 2013-09-25 KR KR1020157008391A patent/KR20150052205A/ko active IP Right Grant
- 2013-09-25 CN CN201380053159.3A patent/CN104781941A/zh not_active Withdrawn
- 2013-09-25 EP EP13846095.1A patent/EP2908353A4/en not_active Withdrawn
- 2013-09-25 RU RU2015117522A patent/RU2015117522A/ru not_active Application Discontinuation
- 2013-09-25 US US14/434,802 patent/US20160056352A1/en not_active Abandoned
- 2013-09-25 WO PCT/JP2013/075943 patent/WO2014057808A1/ja active Application Filing
- 2013-09-25 BR BR112015008057A patent/BR112015008057A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2013-09-25 EP EP16157412.4A patent/EP3043392A1/en not_active Withdrawn
- 2013-09-27 TW TW102135182A patent/TWI514618B/zh active
- 2013-09-27 TW TW104132883A patent/TW201603314A/zh unknown
-
2014
- 2014-11-21 JP JP2014236821A patent/JP2015092576A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2014057808A1 (ja) | 2016-09-05 |
| TWI514618B (zh) | 2015-12-21 |
| BR112015008057A2 (pt) | 2017-07-04 |
| EP3043392A1 (en) | 2016-07-13 |
| TW201421736A (zh) | 2014-06-01 |
| JP2015092576A (ja) | 2015-05-14 |
| CN104781941A (zh) | 2015-07-15 |
| KR20150052205A (ko) | 2015-05-13 |
| JP5719090B2 (ja) | 2015-05-13 |
| US20160056352A1 (en) | 2016-02-25 |
| EP2908353A4 (en) | 2015-10-28 |
| TW201603314A (zh) | 2016-01-16 |
| EP2908353A1 (en) | 2015-08-19 |
| WO2014057808A1 (ja) | 2014-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2015117522A (ru) | Оптическая подложка, полупроводниковое светоизлучающее устройство и способ их производства | |
| CN102003638B (zh) | 发光装置、面光源装置以及显示装置 | |
| CN111624817B (zh) | 背光模组及其制造方法、显示装置 | |
| RU2009139631A (ru) | Антиотражающее оптическое устройство и способ изготовления эталонной формы | |
| KR102136021B1 (ko) | 확산판 및 투영식 프로젝터 장치 | |
| CN102066990B (zh) | 薄片和发光装置 | |
| CN111466036A (zh) | 用来准直来自led的光发射的纳米结构的超材料和超表面 | |
| US8460585B2 (en) | Method of forming an optical diffusion module | |
| US20200117019A1 (en) | Diffuser plate and method for designing diffuser plate | |
| TWI751307B (zh) | 繞射光學元件 | |
| KR20170129926A (ko) | 복합 확산판 | |
| CN100370633C (zh) | 在发光二极管中制备光子晶体的方法及其装置 | |
| RU2014101983A (ru) | Структура, структурирующий способ и структурирующее устройство | |
| CN101110461A (zh) | 利用衍射效应的表面微柱阵列结构高效率发光二极管 | |
| CN102971137A (zh) | 经济的部分校准反射微光阵列 | |
| US9121980B2 (en) | Light guide element and method for manufacturing the same, and lighting fixture | |
| US9715058B1 (en) | Ultraviolet light device | |
| CN202013486U (zh) | 单折射棱镜大面积制作光子晶体和光子准晶的装置 | |
| US9660410B2 (en) | Laser lighting device and application thereof | |
| US11874476B1 (en) | Metalens collimators and condensers | |
| US9465143B2 (en) | Lens optical element and display apparatus | |
| EP2238496A2 (de) | Optoelektronische vorrichtung und bildaufnahmegerät | |
| JP2009163138A (ja) | 光拡散モジュール | |
| KR20130005998U (ko) | 복합 기능의 광 유도판을 형성하기 위한 주형 조립체 | |
| US9575235B2 (en) | Light guide element and lighting fixture |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20170929 |