CN112250312A - 微结构的生成方法及表面具有微结构的产品 - Google Patents

微结构的生成方法及表面具有微结构的产品 Download PDF

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CN112250312A CN202011127921.6A CN202011127921A CN112250312A CN 112250312 A CN112250312 A CN 112250312A CN 202011127921 A CN202011127921 A CN 202011127921A CN 112250312 A CN112250312 A CN 112250312A
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刘风雷
李其凡
王琳
高雅楠
蒋晓
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Abstract

本申请提供一种微结构的生成方法及表面具有微结构的产品，方法包括：根据表面具有微结构的第一模板，在基板上形成具有微结构的掩膜层，其中，微结构包含具有至少一项结构特征的多个单体结构，结构特征为：多个单体结构尺寸不一，或者，多个单体结构非均匀排布；对具有掩膜层的基板进行等离子刻蚀，以将掩膜层包含的微结构复刻到基板的本体上。微结构可以保证产品的抗眩光效果，而采用将第一模板具有的微结构复刻到基板的掩膜层，再通过等离子刻蚀的方式将掩膜层的微结构复刻到基板的本体上，可以提升产品的性能、精度和可靠性。

Description

微结构的生成方法及表面具有微结构的产品
技术领域
本申请涉及等离子刻蚀技术领域，具体而言，涉及一种微结构的生成方法及表面具有微结构的产品。
背景技术
当光照射到光滑的材料表面(如玻璃、石英、蓝宝石等)，会发生镜面反射，反射的光十分明亮(即眩光)，进入人眼会使人看不清材料表面及通过材料展示的影像，甚至会引起视觉疲劳等。而消费电子市场中，各种各样的电子产品表面设有用于显示的屏幕，而屏幕的材料及光滑的表面，很容易产生炫光。
目前，防眩光技术在各种显示类应用(如车载屏幕、手机屏幕等)中占很大比重，而随着微纳行业的兴起，现有技术已难以满足行业对高性能、高精度、高重复性和可靠性的产品的要求。现有的防眩光制作技术如磨砂技术中，将玻璃切割为指定规格尺寸的玻璃样片，并对玻璃样片进行清洗和干燥，然后将玻璃样片浸泡于过饱和蒙砂液中或在玻璃样片上喷淋过饱和蒙砂液，对玻璃样片进行蒙砂处理，使过饱和蒙砂液在玻璃表面析晶。最后将经过蒙砂处理的玻璃样片清洗干净后，进行抛光、清洗和干燥，得到抗眩光玻璃。但这种方式制作的产品精度低，重复性和可控性差。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种微结构的生成方法及表面具有微结构的产品，以提高防眩光产品的性能、精度和可靠性。
为了实现上述目的，本申请的实施例通过如下方式实现：
第一方面，本申请实施例提供一种微结构的生成方法，所述方法包括：根据表面具有微结构的第一模板，在基板上形成具有所述微结构的掩膜层，其中，所述微结构包含具有至少一项结构特征的多个单体结构，所述结构特征为：所述多个单体结构尺寸不一，或者，所述多个单体结构非均匀排布；对具有所述掩膜层的基板进行等离子刻蚀，以将所述掩膜层包含的所述微结构复刻到所述基板的本体上。
在本申请实施例中，通过利用具有微结构的第一模板在基板上形成具有微结构的掩膜层，然后对具有掩膜层的基板进行等离子刻蚀，以将掩膜层包含的微结构复刻到基板的本体上。其中，微结构包含多个单体结构，且多个单体结构至少具备以下结构特征的至少一项：所述多个单体结构尺寸不一，或者，所述多个单体结构非均匀排布。微结构可以保证产品的抗眩光效果，而采用将第一模板具有的微结构复刻到基板的掩膜层，再通过等离子刻蚀的方式将掩膜层的微结构复刻到基板的本体上，可以提升产品的性能、精度和可靠性。
结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述根据表面具有微结构的第一模板，在基板上形成具有所述微结构的掩膜层，包括：通过纳米压印工艺，将所述第一模板表面的所述微结构，复刻到所述基板上设置的掩膜层上，以在基板上形成具有所述微结构的掩膜层。
在该实现方式中，通过纳米压印工艺将第一模板表面的微结构复刻到基板上设置的掩膜层上，可以保证掩膜层上微结构的精度。并且，采用纳米压印的方式，可以保证微结构的一致性和可靠性，且具有可重复性。
结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述通过纳米压印工艺，将所述第一模板表面的所述微结构，复刻到所述基板上设置的掩膜层上，以在基板上形成具有所述微结构的掩膜层，包括：在所述第一模板旋涂压印胶，通过设备压在该压印胶上，并利用紫外灯照射该压印胶使其固化；将固化的压印胶从所述第一模板上脱离，得到与所述第一模板互补的第二模板；在所述基板上旋涂压印胶，并将所述第二模板压在基板上的压印胶上，利用紫外灯照射压印胶使其固化；将所述第二模板从所述基板上的压印胶上脱离，以在基板上形成包含具有所述微结构的所述掩膜层。
在该实现方式中，通过第一模板和压印胶制作与第一模板互补的第二模板，再通过第二模板与压印胶(例如纳米压印胶，可以实现纳米级别的结构复刻)在基板上制作具有微结构的掩膜层(掩膜层上的微结构与第二模板的结构互补，而第二模板的结构与第一模板的微结构互补)，从而能够高效简便地在基板上形成具有与第一模板的微结构一致的微结构的掩膜层，既能够保证具有微结构的掩膜层的制作效率，又能够保证掩膜层上微结构的精度，且此种方式可重复性高(例如第二模板可以多次使用)，可靠性也高。
结合第一方面，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述对具有所述掩膜层的基板进行等离子刻蚀，包括：根据具有所述掩膜层的基板的材质，确定出对应的刻蚀参数；根据所述刻蚀参数对具有所述掩膜层的基板进行等离子刻蚀。
在该实现方式中，可以根据具有掩膜层的基板的材质，确定对应的刻蚀参数，以便差异化地实现对不同材质的基板的刻蚀，从而保证刻蚀的精度和可靠性。
结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，刻蚀设备为ICP干法刻蚀设备，在具有所述掩膜层的基板的材质为2320型玻璃时，对应的刻蚀参数包括：所述ICP干法刻蚀设备内输入的BCl3气体流量范围为40～150sccm，CHF3气体流量为15～100sccm，O2气体流量为0～30sccm，CHF3/BCl3气体输入流量比范围为30～75％，O2/CHF3气体输入流量比范围为0～25％；所述ICP干法刻蚀设备的上电极功率为800～1600W，下电极功率为200～800W，内部压强调控范围为3.8～7.2mT，冷却温度的调控范围为20～40℃，He气压强调控范围为3～8T。
在该实现方式中，针对材质为2320型玻璃，可以将刻蚀参数确定在对应的范围(具体还可以根据各种产品的雾度、透过率、光泽度等确定更加合适的刻蚀参数)，以保证刻蚀的精度和可靠性。
结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，刻蚀设备为ICP干法刻蚀设备，在具有所述掩膜层的基板的材质为蓝宝石时，对应的刻蚀参数包括：所述ICP干法刻蚀设备内输入的BCl3气体流量范围为50～120sccm，CHF3气体流量为25～90sccm，O2气体流量为0～20sccm，CHF3/BCl3气体输入流量比范围为20～75％，O2/CHF3气体输入流量比范围为0～25％；所述ICP干法刻蚀设备的上电极功率为1000～1500W，下电极功率为200～800W，内部压强调控范围为3.8～7.2mT，冷却温度的调控范围为20～40℃，He气压强调控范围为3～8T。
在该实现方式中，针对材质为蓝宝石的基板，可以将刻蚀参数确定在对应的范围(同样可以根据各种产品的雾度、透过率、光泽度等确定更加合适的刻蚀参数)，以保证刻蚀的精度和可靠性。
结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，刻蚀设备为ICP干法刻蚀设备，在具有所述掩膜层的基板的材质为石英时，对应的刻蚀参数包括：所述ICP干法刻蚀设备内输入的BCl3气体流量范围为50～120sccm，CHF3气体流量为25～80sccm，CF4气体流量为15～80sccm，O2气体流量为0～30sccm，(CHF3+CF4)/BCl3气体输入流量比范围为20～75％，O2/(CHF3+CF4)气体输入流量比范围为0～25％；所述ICP干法刻蚀设备的上电极功率为800～1200W，下电极功率为200～800W，内部压强调控范围为3.8～6.0mT，冷却温度的调控范围为20～40℃，He气压强调控范围为3～8T。
在该实现方式中，针对材质为石英的基板，可以将刻蚀参数确定在对应的范围(同样可以根据各种产品的雾度、透过率、光泽度等确定更加合适的刻蚀参数)，以保证刻蚀的精度和可靠性。
结合第一方面，或者结合第一方面的第一种至第六种中任一可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的实现方式中，在所述根据表面具有微结构的第一模板，在基板上形成具有所述微结构的掩膜层之前，所述方法还包括：对所述基板进行清洗；以及，在所述对具有所述掩膜层的基板进行等离子刻蚀，以将所述掩膜层包含的所述微结构复刻到所述基板本体上之后，所述方法还包括：对复刻有所述微结构的基板进行清洗。
在该实现方式中，通过在基板上形成具有微结构的掩膜层之前对基板进行清洗，可以尽可能避免基板上附着的杂质对复刻微结构的影响，从而保证基板上微结构的复刻精度和可靠性，提升抗眩光产品的一致性。
结合第一方面，或者结合第一方面的第一种至第六种中任一可能的实现方式，在第一方面的第八种可能的实现方式中，所述第一模板通过电子束直写、激光直写、磨砂、刻蚀中的任一项进行制作得到。
在该实现方式中，通过电子束直写、激光直写、磨砂、刻蚀等方式制作第一模板，由于可以从多个模板中选择最合适的作为第一模板，因此可以保证第一模板可制作和获取，且无需花费额外的成本去研发第一模板的获取方式。
第二方面，本申请实施例提供一种表面具有微结构的产品，所述产品的表面上具有微结构，其中，所述微结构包含具有至少一项结构特征的多个单体结构，所述结构特征为：所述多个单体结构尺寸不一，或者，所述多个单体结构非均匀排布。
在本申请实施例中，具有微结构的产品具有更高的精度和可靠性，能够保证产品的抗眩光效果。
结合第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述产品为抗眩光蓝宝石产品、抗眩光玻璃产品和抗眩光石英产品中的任一项。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的一种微结构的生成方法的流程图。
图2为本申请实施例提供的第一模板上的微结构的示意图。
图3为本申请实施例提供的第一模板、第二模板及具有掩膜层的基板的示意图。
图4为本申请实施例提供的一种具有微结构的产品的效果图。
图5为本申请实施例提供的一种防眩光产品的表面结构共聚焦显微镜图。
图标：100-第一模板；200-第二模板；300-掩膜层；400-基板。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的一种微结构的生成方法的流程图。在本实施例中，微结构的生成方法可以包括步骤S10和步骤S20。
为了保证具有微结构的产品(抗眩光产品)的抗眩光效果，在进行步骤S10之前，先对具有微结构的第一模板进行简要的介绍。
在本实施例中，第一模板上具有微结构，此处的微结构表示：包含具有至少一项结构特征的多个单体结构。而此处的结构特征表示：多个单体结构尺寸不一，或者，多个单体结构非均匀排布。
例如，微结构可以包含尺寸不一的多个单体结构，或者，微结构可以包含非均匀排布的多个单体结构(尺寸可以一致，也可以不一致)。又例如，微结构可以包含尺寸不一，且非均匀排布的多个单体结构，或者，微结构可以包含尺寸不一且非均匀排布的多个单体结构。此处仅是示例性的举例说明，不应视为对本申请的限定，可以根据实际需要选取微结构的结构特征。
需要说明的是，非均匀排布的多个单体结构，可以尽可能保证抗眩光效果，且能够有效避免衍射现象的发生，而尺寸不一的多个单体结构，同样可以保证抗眩光效果，且能够有效避免衍射现象的发生。
另外，为了保证抗眩光效果，本实施例中微结构的单体结构尺寸可以在10nm-1000um之间(例如几十纳米至几百微米之间)，单体结构尺寸越小，表面具有微结构的材料越光滑，单体结构尺寸越大表面具有微结构的材料越粗糙，可以根据实际应用的需要进行选取，此处不作限定。
以及，第一模板(其表面上具有微结构)的制作，可以采用电子束直写、激光直写、磨砂、刻蚀中的任一项方式，当然，也可以选用其他方式制作的第一模板，此处不作限定。为了保证根据第一模板制作的具有微结构的产品的抗眩光效果，可以从多个模板中选择合适的作为第一模板100。还可以考虑对雾度、透过率、光泽度等产品参数的要求，选择更符合需求的模板(不同模板的表面上可以具有不同的微结构)作为第一模板100。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的第一模板100上的微结构的示意图。微结构中的多个单体结构，可以为柱状、正梯、倒梯等各种规则形状和不规则图形的单体结构，甚至还可以包括各种形状的孔状结构，并且，单体结构(或孔状结构)的大小也可以不同，此处不作限定。
通过电子束直写、激光直写、磨砂、刻蚀等方式制作第一模板100，由于可以从多个模板中选择最合适的作为第一模板100，因此可以保证第一模板100可制作和获取，且无需花费额外的成本去研发第一模板100的制作方式。并且，这样的微结构，可以保证基于第一模板100制作的具有微结构的产品的抗眩光效果。
为了尽可能避免基板上附着的杂质对复刻微结构的影响，还可以在执行步骤S10之前对基板进行清洗。
得到第一模板100，对基板进行清洗后，可以执行步骤S10。
步骤S10：根据表面具有微结构的第一模板，在基板上形成具有微结构的掩膜层，其中，微结构包含具有至少一项结构特征的多个单体结构，结构特征为：多个单体结构尺寸不一，或者，多个单体结构非均匀排布。
在本实施例中，可以根据表面具有微结构的第一模板100，在基板上形成具有微结构的掩膜层。
示例性的，可以通过纳米压印工艺，将第一模板100表面的微结构，复刻到基板上设置的掩膜层上，以在基板上形成具有微结构的掩膜层。通过纳米压印工艺将第一模板100表面的微结构复刻到基板上设置的掩膜层上，可以保证掩膜层上微结构的精度。并且，采用纳米压印的方式，可以保证微结构的一致性和可靠性，且具有可重复性。
具体的，可以在第一模板100旋涂压印胶(例如纳米压印胶)，通过设备压在该压印胶上，以使微结构的具体结构(例如单体结构，孔状结构等)能够充分压印在压印胶上，并利用紫外灯照射该压印胶使其固化，使压印胶上与第一模板100的微结构互补的结构定型。
而后，可以将固化的压印胶从第一模板100上脱离，得到与第一模板100互补的第二模板(第一模板100的微结构与第二模板的结构互补)。
之后，可以在基板上旋涂压印胶，并将第二模板压在基板上的压印胶上(使第二模板上的结构与压印胶充分接触，从而能够实现将第一模板100的微结构复刻到基板旋涂的压印胶上)，再利用紫外灯照射压印胶使其固化(使基板旋涂的压印胶上的微结构定型)，将第二模板从基板上的压印胶上脱离，即可在基板上形成包含具有微结构的掩膜层。
请参阅图3，图3为本申请实施例提供的第一模板100、第二模板200及具有掩膜层300的基板400的示意图。
第一模板100和第二模板200互补(第一模板100的微结构与第二模板200的结构互补)，而第二模板200与掩膜层300互补(第二模板200的结构与掩膜层300的微结构互补)，第一模板100与掩膜层300一致(第一模板100的微结构与掩膜层300的微结构一致)，从而实现将第一模板100的微结构复刻到基板400的掩膜层300上。
需要说明的是，由于在实际操作中的误差，第一模板100的微结构与第二模板200的结构并非绝对互补，第二模板200的结构与掩膜层300上的微结构并非绝对互补，因此，第一模板100的微结构与掩膜层300上的微结构并非绝对的一致。但这样的误差在可接受的范围内，因此，本实施例中所说的第一模板100的微结构与掩膜层300上的微结构一致，表示具有一定误差的一致，但这样的误差对制作具有微结构的产品的抗眩光效果、雾度、透过率、光泽度等的影响是极其微弱的，此处不应视为对本申请的限定。
通过第一模板100和压印胶制作与第一模板100互补的第二模板200，再通过第二模板200与压印胶(例如纳米压印胶，可以实现纳米级别的结构复刻)在基板400上制作具有微结构的掩膜层300(掩膜层300上的微结构与第二模板200的结构互补，而第二模板200的结构与第一模板100的微结构互补)，从而能够高效简便地在基板400上形成具有与第一模板100的微结构一致的微结构的掩膜层300，既能够保证具有微结构的掩膜层300的制作效率，又能够保证掩膜层300上微结构的精度，且此种方式可重复性高(例如第二模板200可以多次使用)，可靠性也高。
在得到具有掩膜层300(其表面上具有微结构)的基板400后，可以执行步骤S20。
步骤S20：对具有掩膜层的基板进行等离子刻蚀，以将掩膜层包含的微结构复刻到基板的本体上。
在本实施例中，可以对具有掩膜层300的基板400进行等离子刻蚀，以将掩膜层300包含的微结构复刻到基板400的本体上，从而可以得到表面具有微结构的产品(具有可靠的抗眩光效果)。
为了保证对具有掩膜层300的基板400进行的刻蚀的精度和可靠性，在本实施例中，可以根据具有掩膜层300的基板400的材质，确定出对应的刻蚀参数，并根据刻蚀参数对具有掩膜层300的基板400进行等离子刻蚀。
示例性的，可以采用ICP(Inductively Coupled Plasma，电感耦合等离子体)干法刻蚀(等离子刻蚀中的一种)实现对基板400的刻蚀(刻蚀设备为ICP干法刻蚀设备)，以将基板400上掩膜层300的微结构复刻到基板400的本体上，但不应视为对本申请的限定。
针对不同的基板400(具有掩膜层300)的材质，可以确定出与该材质对应的刻蚀参数，以便差异化地实现对不同材质的基板400的刻蚀，从而保证刻蚀的精度和可靠性。
例如，在具有掩膜层300的基板400的材质为2320型玻璃时，对应的刻蚀参数可以包括：ICP干法刻蚀设备内输入的BCl3(三氯化硼)气体流量范围为40～150sccm(一种体积流量单位)，CHF3(三氟甲烷)气体流量为15～100sccm，O2(氧气)气体流量为0～30sccm，CHF3/BCl3气体输入流量比范围为30～75％，O2/CHF3气体输入流量比范围为0～25％；ICP干法刻蚀设备的上电极功率为800～1600W(瓦特)，下电极功率为200～800W，内部压强调控范围为3.8～7.2mT(T，乇，真空压强单位,相当于真空中1毫米水银柱的压强)，冷却温度的调控范围为20～40℃(摄氏度)，He气压强调控范围为3～8T。
又如，在具有掩膜层300的基板400的材质为蓝宝石时，对应的刻蚀参数可以包括：ICP干法刻蚀设备内输入的BCl3气体流量范围为50～120sccm，CHF3气体流量为25～90sccm，O2气体流量为0～20sccm，CHF3/BCl3气体输入流量比范围为20～75％，O2/CHF3气体输入流量比范围为0～25％；ICP干法刻蚀设备的上电极功率为1000～1500W，下电极功率为200～800W，内部压强调控范围为3.8～7.2mT，冷却温度的调控范围为20～40℃，He气压强调控范围为3～8T。
又如，在具有掩膜层300的基板400的材质为石英时，对应的刻蚀参数可以包括：ICP干法刻蚀设备内输入的BCl3气体流量范围为50～120sccm，CHF3气体流量为25～80sccm，CF4(四氟化碳)气体流量为15～80sccm，O2气体流量为0～30sccm，(CHF3+CF4)/BCl3气体输入流量比范围为20～75％，O2/(CHF3+CF4)气体输入流量比范围为0～25％；ICP干法刻蚀设备的上电极功率为800～1200W，下电极功率为200～800W，内部压强调控范围为3.8～6.0mT，冷却温度的调控范围为20～40℃，He气压强调控范围为3～8T。
针对不同材质的基板400(例如2320型玻璃、蓝宝石、石英等，当然，还可以有其他材质的基板400，或者其他的刻蚀参数，此处不作限定)，可以将刻蚀参数确定在对应的范围，以保证刻蚀的精度和可靠性。
由于在实际的生产过程中，客户对产品的抗眩光效果、透过率、雾度、光泽度等的需求具有多样性，而不同透过率、雾度、光泽度等需求，可以对应一个更加合适的参数范围，以在满足对产品的需求(例如抗眩光效果、透过率、雾度、光泽度等)的同时，保证刻蚀的精度和可靠性。
需要说明的是，由于等离子刻蚀在将掩膜层300上的微结构复刻到基板400的本体上时，也可能存在细微的误差，但这样的误差，对得到的表面具有微结构的产品的抗眩光效果、雾度、透过率、光泽度等方面的影响是极其微弱的，本实施例中所说的第一模板100的微结构、掩膜层300上的微结构、基板400的本体上的微结构之间具有一致性，是指三者之间的误差在可接受的范围(例如1％，0.5％等)，此处不应视为对本申请的限定。
在基板400的本体上复刻掩膜层300上的微结构后，可以对复刻有微结构的基板400进行清洗，除去基板400表面残留的压印胶以及刻蚀过程中产生的杂质，从而得到表面具有微结构的产品。这样可以尽可能避免基板400上附着的杂质对产品的抗眩光效果、雾度、透过率、光泽度等的影响，从而保证产品的质量。
通过本实施例中的微结构的生成方法得到的表面具有微结构的产品，如图4(具有微结构的产品的效果图)所示。可见，处理前的蓝宝石材质的产品产生的眩光强烈，而处理后的蓝宝石材质的产品，表面产生的眩光较弱。
图5为本申请实施例提供的一种防眩光产品的表面结构共聚焦显微镜图，图5中主要显示的是防眩光产品刻蚀后的表面形貌，图中的凹陷和凸起结构，可以大大增加表面散射，防止眩光。以蓝宝石材质的产品为例，请参阅表1：
表1：产品处理前后抗眩光性能参数对比
样品 反射率 透过率 雾度
蓝宝石(处理前) 7.88％ 86.01％ 0.02％
抗眩光蓝宝石(处理后) 4.22％ 88.15％ 29.47％
由以上数据可知，在进行微结构的生成方法处理后的蓝宝石材料的产品，与处理前相比，在反射率(影响光泽度)、透过率、雾度等方面的性能上，均具有不同程度的改善。
在本申请实施例中，还提供一种表面具有微结构的产品，产品的表面上具有微结构，其中，微结构包含具有至少一项结构特征的多个单体结构，结构特征为：多个单体结构尺寸不一，或者，多个单体结构非均匀排布。这样的产品具有很好的抗眩光效果，且具有可靠的产品一致性。而表面具有微结构的产品可以通过本实施例中的微结构的生成方法对待处理的产品进行处理得到，但也不限于前述的方法，还可以是其他方法，例如通过湿法刻蚀等方式获得。而通过本申请实施例提供的微结构的生成方法的处理，能够得到高精度、防眩光、高可靠性的防眩光产品(即表面具有微结构的产品)。
综上所述，本申请实施例提供一种微结构的生成方法及表面具有微结构的产品，通过利用具有微结构的第一模板在基板上形成具有微结构的掩膜层，然后对具有掩膜层的基板进行等离子刻蚀，以将掩膜层包含的微结构复刻到基板的本体上。其中，微结构包含多个单体结构，且多个单体结构至少具备以下结构特征的至少一项：多个单体结构尺寸不一，或者，多个单体结构非均匀排布。微结构可以保证产品的抗眩光效果，而采用将第一模板具有的微结构复刻到基板的掩膜层，再通过等离子刻蚀的方式将掩膜层的微结构复刻到基板的本体上，可以提升产品的性能、精度和可靠性。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的方法，可以通过其它的方式实现，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种微结构的生成方法，其特征在于，所述方法包括：
根据表面具有微结构的第一模板，在基板上形成具有所述微结构的掩膜层，其中，所述微结构包含具有至少一项结构特征的多个单体结构，所述结构特征为：所述多个单体结构尺寸不一，或者，所述多个单体结构非均匀排布；
对具有所述掩膜层的基板进行等离子刻蚀，以将所述掩膜层包含的所述微结构复刻到所述基板的本体上。
2.根据权利要求1所述的微结构的生成方法，其特征在于，所述根据表面具有微结构的第一模板，在基板上形成具有所述微结构的掩膜层，包括：
通过纳米压印工艺，将所述第一模板表面的所述微结构，复刻到所述基板上设置的掩膜层上，以在基板上形成具有所述微结构的掩膜层。
3.根据权利要求2所述的微结构的生成方法，其特征在于，所述通过纳米压印工艺，将所述第一模板表面的所述微结构，复刻到所述基板上设置的掩膜层上，以在基板上形成具有所述微结构的掩膜层，包括：
在所述第一模板旋涂压印胶，通过设备压在该压印胶上，并利用紫外灯照射该压印胶使其固化；
将固化的压印胶从所述第一模板上脱离，得到与所述第一模板互补的第二模板；
在所述基板上旋涂压印胶，并将所述第二模板压在基板上的压印胶上，利用紫外灯照射压印胶使其固化；
将所述第二模板从所述基板上的压印胶上脱离，以在基板上形成包含具有所述微结构的所述掩膜层。
4.根据权利要求1所述的微结构的生成方法，其特征在于，所述对具有所述掩膜层的基板进行等离子刻蚀，包括：
根据具有所述掩膜层的基板的材质，确定出对应的刻蚀参数；
根据所述刻蚀参数对具有所述掩膜层的基板进行等离子刻蚀。
5.根据权利要求4所述的微结构的生成方法，其特征在于，刻蚀设备为ICP干法刻蚀设备，在具有所述掩膜层的基板的材质为2320型玻璃时，对应的刻蚀参数包括：
所述ICP干法刻蚀设备内输入的BCl3气体流量范围为40～150sccm，CHF3气体流量为15～100sccm，O2气体流量为0～30sccm，CHF3/BCl3气体输入流量比范围为30～75％，O2/CHF3气体输入流量比范围为0～25％；
所述ICP干法刻蚀设备的上电极功率为800～1600W，下电极功率为200～800W，内部压强调控范围为3.8～7.2mT，冷却温度的调控范围为20～40℃，He气压强调控范围为3～8T。
6.根据权利要求4所述的微结构的生成方法，其特征在于，刻蚀设备为ICP干法刻蚀设备，在具有所述掩膜层的基板的材质为蓝宝石时，对应的刻蚀参数包括：
所述ICP干法刻蚀设备内输入的BCl3气体流量范围为50～120sccm，CHF3气体流量为25～90sccm，O2气体流量为0～20sccm，CHF3/BCl3气体输入流量比范围为20～75％，O2/CHF3气体输入流量比范围为0～25％；
所述ICP干法刻蚀设备的上电极功率为1000～1500W，下电极功率为200～800W，内部压强调控范围为3.8～7.2mT，冷却温度的调控范围为20～40℃，He气压强调控范围为3～8T。
7.根据权利要求4所述的微结构的生成方法，其特征在于，刻蚀设备为ICP干法刻蚀设备，在具有所述掩膜层的基板的材质为石英时，对应的刻蚀参数包括：
所述ICP干法刻蚀设备内输入的BCl3气体流量范围为50～120sccm，CHF3气体流量为25～80sccm，CF4气体流量为15～80sccm，O2气体流量为0～30sccm，(CHF3+CF4)/BCl3气体输入流量比范围为20～75％，O2/(CHF3+CF4)气体输入流量比范围为0～25％；
所述ICP干法刻蚀设备的上电极功率为800～1200W，下电极功率为200～800W，内部压强调控范围为3.8～6.0mT，冷却温度的调控范围为20～40℃，He气压强调控范围为3～8T。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的微结构的生成方法，其特征在于，
在所述根据表面具有微结构的第一模板，在基板上形成具有所述微结构的掩膜层之前，所述方法还包括：对所述基板进行清洗；
以及，在所述对具有所述掩膜层的基板进行等离子刻蚀，以将所述掩膜层包含的所述微结构复刻到所述基板本体上之后，所述方法还包括：对复刻有所述微结构的基板进行清洗。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的微结构的生成方法，其特征在于，所述第一模板通过电子束直写、激光直写、磨砂、刻蚀中的任一项进行制作得到。
10.一种表面具有微结构的产品，其特征在于，所述产品的表面上具有微结构，其中，所述微结构包含具有至少一项结构特征的多个单体结构，所述结构特征为：所述多个单体结构尺寸不一，或者，所述多个单体结构非均匀排布。
11.根据权利要求10所述的表面具有微结构的产品，其特征在于，所述产品为抗眩光蓝宝石产品、抗眩光玻璃产品和抗眩光石英产品中的任一项。
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