RU2014145777A - Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения - Google Patents
Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014145777A RU2014145777A RU2014145777A RU2014145777A RU2014145777A RU 2014145777 A RU2014145777 A RU 2014145777A RU 2014145777 A RU2014145777 A RU 2014145777A RU 2014145777 A RU2014145777 A RU 2014145777A RU 2014145777 A RU2014145777 A RU 2014145777A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition according
- compound
- hydroxy
- zinc
- main subgroup
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 22
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract 9
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 title claims abstract 5
- YVZATJAPAZIWIL-UHFFFAOYSA-M [Zn]O Chemical compound [Zn]O YVZATJAPAZIWIL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Abstract
1. Аммиачная композиция, включающая в себяa) по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение иb) по меньшей мере одно соединение элемента 3-й главной подгруппы.2. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение имеет только один единственный центральный ион, в случае которого речь идет о цинке.3. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение имеет исключительно гидроксо- и при необходимости аммиачные лиганды.4. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение представляет собой, где 1 ≤ x ≤ 2 и 1 ≤ y ≤ 6.5. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что она содержит по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение в количествах от 50 до 99,95 мол.%, в пересчете на общее количество вещества ионов цинка и атомов/ионов элемента 3-й главной подгруппы.6. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одно соединение элемента 3-й главной подгруппы представляет собой соединение алюминия (Al), галлия (Ga) или индия (In).7. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что она включает в себя по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы.8. Композиция по п. 7, отличающаяся тем, что она содержит по меньшей мере одно соединение галлия и по меньшей мере одно соединение индия.9. Композиция по одному из пп. 1-8, отличающаяся тем, что она может получаться a) в результате растворения нитратной соли цинка и по меньшей мере одного элемента 3-й главной подгруппы в степени окисления, соответствующей трехвалентному состоянию, b) осаждения гидроксидсодержащего осадка с помощью гидроксидного основания, c) отделения растворителя и d) помещения этого осадка в аммиачную воду.10. Способ получения слоя, содержащего ZnO, отличающийся тем, что композиция по пп. 1-9 наносится на
Claims (15)
1. Аммиачная композиция, включающая в себя
a) по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение и
b) по меньшей мере одно соединение элемента 3-й главной подгруппы.
2. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение имеет только один единственный центральный ион, в случае которого речь идет о цинке.
3. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение имеет исключительно гидроксо- и при необходимости аммиачные лиганды.
4. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что гидроксоцинковое соединение представляет собой 
, где 1 ≤ x ≤ 2 и 1 ≤ y ≤ 6.
5. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что она содержит по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение в количествах от 50 до 99,95 мол.%, в пересчете на общее количество вещества ионов цинка и атомов/ионов элемента 3-й главной подгруппы.
6. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что по меньшей мере одно соединение элемента 3-й главной подгруппы представляет собой соединение алюминия (Al), галлия (Ga) или индия (In).
7. Композиция по п. 1, отличающаяся тем, что она включает в себя по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы.
8. Композиция по п. 7, отличающаяся тем, что она содержит по меньшей мере одно соединение галлия и по меньшей мере одно соединение индия.
9. Композиция по одному из пп. 1-8, отличающаяся тем, что она может получаться a) в результате растворения нитратной соли цинка и по меньшей мере одного элемента 3-й главной подгруппы в степени окисления, соответствующей трехвалентному состоянию, b) осаждения гидроксидсодержащего осадка с помощью гидроксидного основания, c) отделения растворителя и d) помещения этого осадка в аммиачную воду.
10. Способ получения слоя, содержащего ZnO, отличающийся тем, что композиция по пп. 1-9 наносится на подложку и затем на ней термически конвертируется.
11. Применение композиции по одному из пп. 1-9 для изготовления электронных компонентов, особенно для изготовления транзисторов, оптоэлектронных компонентов и сенсорных элементов.
12. Электронный компонент, содержащий по меньшей мере один слой, содержащий ZnO, который был получен по способу по п. 10.
13. Электронный компонент по п. 12, отличающийся тем, что он представляет собой транзистор.
14. Электронный компонент по п. 12, отличающийся тем, что он представляет собой оптоэлектронный компонент.
15. Электронный компонент по п. 12, отличающийся тем, что он представляет собой сенсорный элемент.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102012206234.3 | 2012-04-17 | ||
| DE102012206234A DE102012206234A1 (de) | 2012-04-17 | 2012-04-17 | Formulierungen enthaltend ammoniakalische Hydroxo-Zink-Verbindungen |
| PCT/EP2013/056341 WO2013156274A1 (de) | 2012-04-17 | 2013-03-26 | Formulierungen enthaltend ammoniakalische hydroxo-zink-verbindungen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014145777A true RU2014145777A (ru) | 2016-06-10 |
| RU2640237C2 RU2640237C2 (ru) | 2017-12-27 |
Family
ID=47997514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014145777A RU2640237C2 (ru) | 2012-04-17 | 2013-03-26 | Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9978591B2 (ru) |
| EP (1) | EP2839504A1 (ru) |
| JP (1) | JP6257585B2 (ru) |
| KR (1) | KR101993495B1 (ru) |
| CN (1) | CN104221133B (ru) |
| DE (1) | DE102012206234A1 (ru) |
| RU (1) | RU2640237C2 (ru) |
| TW (1) | TWI629245B (ru) |
| WO (1) | WO2013156274A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| GB2528908A (en) * | 2014-08-04 | 2016-02-10 | Isis Innovation | Thin film semiconductor |
| CN114695826A (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-01 | Tcl科技集团股份有限公司 | 调控氧化锌的电子迁移率的方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU897052A1 (ru) | 1980-07-18 | 1984-05-30 | Проектно-Технологический И Научно-Исследовательский Институт | Способ изготовлени полупроводниковых приборов с резисторами |
| DE59903364D1 (de) | 1998-02-19 | 2002-12-19 | Goldschmidt Ag Th | Phosphorsäureester und ihre Verwendung als Dispergiermittel |
| DE19940797A1 (de) | 1999-08-27 | 2001-03-01 | Goldschmidt Ag Th | Durch Akoxylierung erhaltene blockcopolymere, styrenoxidhaltige Polyalkylenoxide und deren Verwendung |
| DE10232115A1 (de) | 2002-07-16 | 2004-02-05 | Goldschmidt Ag | Organopolysiloxane zur Entschäumung wässriger Systeme |
| DE10348825A1 (de) | 2003-10-21 | 2005-06-02 | Goldschmidt Ag | Dispergiermittel zur Herstellung wässriger Pigmentpasten |
| CN102938420B (zh) | 2004-11-10 | 2015-12-02 | 佳能株式会社 | 无定形氧化物和场效应晶体管 |
| US7402506B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| DE202005010697U1 (de) | 2005-07-07 | 2005-09-15 | Schoen Hendrik | Flexibler, transparenter Feldeffekttransistor |
| KR101190917B1 (ko) * | 2006-02-09 | 2012-10-12 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 칼코게나이드-ｃｎｔ 하이브리드 박막 및 그 제조방법 |
| US20070287221A1 (en) | 2006-06-12 | 2007-12-13 | Xerox Corporation | Fabrication process for crystalline zinc oxide semiconductor layer |
| US7906415B2 (en) * | 2006-07-28 | 2011-03-15 | Xerox Corporation | Device having zinc oxide semiconductor and indium/zinc electrode |
| JP5123768B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2013-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置 |
| DE102008058040A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| US20100144088A1 (en) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for forming metal oxide and method for forming transistor structure with the same |
| WO2010125011A2 (de) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | Basf Se | Verfahren zur herstellung von halbleitenden schichten |
| KR20120039638A (ko) * | 2009-06-16 | 2012-04-25 | 바스프 에스이 | 반도체 금속 산화물 입자 층에서 미립자간 접촉 부위를 개선하고 간극을 충전하기 위한 열 불안정성 전구체 화합물 |
| CN102858690B (zh) * | 2010-04-28 | 2014-11-05 | 巴斯夫欧洲公司 | 制备呈溶液的锌配合物的方法 |
| CN102260907B (zh) * | 2011-06-17 | 2013-03-13 | 浙江大学 | 一种ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法 |
-
2012
- 2012-04-17 DE DE102012206234A patent/DE102012206234A1/de not_active Ceased
-
2013
- 2013-03-26 CN CN201380020604.6A patent/CN104221133B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-26 RU RU2014145777A patent/RU2640237C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2013-03-26 KR KR1020147028739A patent/KR101993495B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-26 JP JP2015506162A patent/JP6257585B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-26 US US14/395,339 patent/US9978591B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-26 WO PCT/EP2013/056341 patent/WO2013156274A1/de active Application Filing
- 2013-03-26 EP EP13712255.2A patent/EP2839504A1/de not_active Withdrawn
- 2013-04-15 TW TW102113291A patent/TWI629245B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201404724A (zh) | 2014-02-01 |
| DE102012206234A1 (de) | 2013-10-17 |
| US20150076421A1 (en) | 2015-03-19 |
| KR101993495B1 (ko) | 2019-06-26 |
| JP2015522502A (ja) | 2015-08-06 |
| KR20150010708A (ko) | 2015-01-28 |
| EP2839504A1 (de) | 2015-02-25 |
| TWI629245B (zh) | 2018-07-11 |
| RU2640237C2 (ru) | 2017-12-27 |
| WO2013156274A1 (de) | 2013-10-24 |
| CN104221133A (zh) | 2014-12-17 |
| CN104221133B (zh) | 2018-03-06 |
| US9978591B2 (en) | 2018-05-22 |
| JP6257585B2 (ja) | 2018-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kapsenberg et al. | Coastal ocean acidification and increasing total alkalinity in the northwestern Mediterranean Sea | |
| Baron et al. | SERS and electrochemical studies of the gold–electrolyte interface under thiosulfate based leaching conditions | |
| RU2014145777A (ru) | Композиции, содержащие аммиачные гидроксоцинковые соединения | |
| WO2012112927A3 (en) | Methods of forming semiconductor films including i2-ii-iv-vi4 and i2-(ii,iv)-iv-vi4 semiconductor films and electronic devices including the semiconductor films | |
| MX2012014230A (es) | Agente inorgánico son cromo para el tratamiento de superficies metálicas. | |
| WO2014091249A3 (en) | Method of estimating the position of a device | |
| EP2803961A3 (de) | Hermetisch gasdichtes optoelektronisches oder elektrooptisches Bauteil sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
| Jeong et al. | Accelerated formation of metal oxide thin film at 200 C using oxygen supplied by a nitric acid additive and residual organic suction vacuum annealing for thin-film transistor applications | |
| RU2016104907A (ru) | Приготовление и применение соединений цинка | |
| RU2012151491A (ru) | Флуорохромный материал и способ его применения | |
| Park et al. | Modification of electrode-etchant for sidewall profile control and reduced back-channel corrosion of inverted-staggered metal-oxide TFTs | |
| JP2016034887A5 (ru) | ||
| WO2015066573A3 (en) | Novel solution for electrophoretic deposition of nanoparticles into thin films | |
| RU2012143346A (ru) | Способ получения трис (перфторалкил) фосфиноксиды | |
| RU2006128805A (ru) | Способ получения 3-тиа-1,5-диазабицикло[4,3,1]декана и 5-[4-(1,3,5-дитиазинан-5-ил)бутил]1,3,5-дитиазинана | |
| RU2012149826A (ru) | Бис[2-(n-тозиламино)бензилиден-4'-диметиламинофенилиминато]цинка(ii) и электролюминесцентное устройство на его основе | |
| JP2015190886A5 (ru) | ||
| RU2013146641A (ru) | Электролюминесцентное устройство | |
| Lamothe | Assessing Past Surface Processes Rates Using Feldspar Luminescence | |
| TW200711732A (en) | Method of manufacturing aluminum oxide with high specific surface area using zinc addition and acid treatment | |
| Nigam | Design and Fabrication of ALGaN/GaN Transistors for Heavy Metal Ion Sensors. | |
| CL2018000892A1 (es) | Solucion de elementos traza | |
| MY193246A (en) | High phosphorus electroless nickel | |
| PL400235A1 (pl) | Sposób unieszkodliwiania odpadów radioaktywnych w sytetycznej skale | |
| MD4300B1 (ru) | Ингибитора роста клеток HepG2 при раке печени на основе хлоро-¢2-фенил(пиридин-2-ил)метанон-4-(3-метоксифенил)тиосемикарбазоно]никеля |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200327 |