RU2013158315A - Способ удаления слоев для твердых углеродных слоев - Google Patents

Способ удаления слоев для твердых углеродных слоев Download PDF

Info

Publication number
RU2013158315A
RU2013158315A RU2013158315/02A RU2013158315A RU2013158315A RU 2013158315 A RU2013158315 A RU 2013158315A RU 2013158315/02 A RU2013158315/02 A RU 2013158315/02A RU 2013158315 A RU2013158315 A RU 2013158315A RU 2013158315 A RU2013158315 A RU 2013158315A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
reaction
coating
removal
gas
Prior art date
Application number
RU2013158315/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2606899C2 (ru
Inventor
Юрген РАММ
Бено ВИДРИГ
Original Assignee
Эрликон Трэйдинг Аг, Трюббах
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эрликон Трэйдинг Аг, Трюббах filed Critical Эрликон Трэйдинг Аг, Трюббах
Publication of RU2013158315A publication Critical patent/RU2013158315A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2606899C2 publication Critical patent/RU2606899C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23GCLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02Pretreatment of the material to be coated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)

Abstract

1. Способ реакционного удаления покрытий из углеродных слоев с подложки, в частности, реакционного удаления покрытий из ta-C-слоев, с поверхностей конструкционных деталей и инструментов, в котором освобождаемая от покрытия подложка размещается на держателе подложки в вакуумной камере, в вакуумную камеру подается по меньшей мере один реакционный газ, стимулирующий вынос углерода в газообразной форме, и в вакуумной камере для стимулирования требуемой химической реакции или, соответственно, реакций для удаления покрытий с покрытой подложки зажигается плазменный разряд, и реакционное удаление покрытия проводится в одной стадии или в нескольких стадиях, отличающийся тем, что плазменный разряд создают как низковольтный дуговой разряд постоянного тока, который имеет разрядные токи между 20 А и 1000 А, предпочтительно между 50 А и 300 А, и разрядное напряжение максимально 120 В, предпочтительно между 20 В и 80 В, причем для удаления по меньшей мере части углеродного покрытия с подложки во время по меньшей мере одной стадии реакционного удаления покрытия, предпочтительно во время последней стадии реакционного удаления покрытия, в качестве реакционного газа используют азотсодержащий газ, причем предпочтительно используемый азотсодержащий реакционный газ включает в основном газообразный азот, и в особенности предпочтительно используемый азотсодержащий реакционный газ по существу представляет собой газообразный азот.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложку для низковольтного дугового разряда постоянного тока подключают в качестве анода, и благодаря этому поверхность подложки бомбардируют по существу исключител

Claims (8)

1. Способ реакционного удаления покрытий из углеродных слоев с подложки, в частности, реакционного удаления покрытий из ta-C-слоев, с поверхностей конструкционных деталей и инструментов, в котором освобождаемая от покрытия подложка размещается на держателе подложки в вакуумной камере, в вакуумную камеру подается по меньшей мере один реакционный газ, стимулирующий вынос углерода в газообразной форме, и в вакуумной камере для стимулирования требуемой химической реакции или, соответственно, реакций для удаления покрытий с покрытой подложки зажигается плазменный разряд, и реакционное удаление покрытия проводится в одной стадии или в нескольких стадиях, отличающийся тем, что плазменный разряд создают как низковольтный дуговой разряд постоянного тока, который имеет разрядные токи между 20 А и 1000 А, предпочтительно между 50 А и 300 А, и разрядное напряжение максимально 120 В, предпочтительно между 20 В и 80 В, причем для удаления по меньшей мере части углеродного покрытия с подложки во время по меньшей мере одной стадии реакционного удаления покрытия, предпочтительно во время последней стадии реакционного удаления покрытия, в качестве реакционного газа используют азотсодержащий газ, причем предпочтительно используемый азотсодержащий реакционный газ включает в основном газообразный азот, и в особенности предпочтительно используемый азотсодержащий реакционный газ по существу представляет собой газообразный азот.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложку для низковольтного дугового разряда постоянного тока подключают в качестве анода, и благодаря этому поверхность подложки бомбардируют по существу исключительно электронами, которые вследствие их незначительной массы исключают распыление.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложку вносят в низковольтный дуговой разряд постоянного тока, будучи изолированной, благодаря чему попадающие на подложку ионы имеют энергию по существу ниже 20 эВ, и тем самым ниже энергетического порога распыления.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для низковольтного дугового разряда постоянного тока в качестве анода применяют отличающийся от держателя подложки и стенки камеры электрод, и подложки поддерживаются при плавающем потенциале.
5. Способ по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что для удаления по меньшей мере части углеродного покрытия с подложки во время по меньшей мере одной стадии реакционного удаления покрытия, однако не во время последней стадии реакционного удаления покрытия, предпочтительно во время первой стадии реакционного удаления покрытия, в качестве реакционного газа используется кислородсодержащий газ, причем предпочтительно применяемый кислородсодержащий реакционный газ в основном включает газообразный кислород, и в особенности предпочтительно используемый кислородсодержащий реакционный газ по существу представляет собой газообразный кислород.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что поток кислородсодержащего газа отключают до того, как углеродный слой на каком-нибудь участке подложки будет полностью удален в результате реакции с кислородом, и тем самым предотвращают то, что освобожденная от покрытия поверхность подложки начнет окисляться также в результате реакции с кислородом.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что после того, как поток кислородсодержащего реакционного газа был отключен, в камеру для удаления покрытия вводят газообразный водород, и благодаря этому как кислородные компоненты в слое, так и нежелательные остатки кислорода на поверхности подложки восстанавливают.
8. Применение способа по одному из предшествующих пунктов для удаления покрытий с подложек, которые покрыты углеродными слоями, причем углеродные слои, наряду с углеродом, также содержат другие неметаллические элементы, в частности водород (Н), бор (В), кремний (Si) и/или германий (Ge).
RU2013158315A 2011-06-07 2012-05-31 Способ удаления слоев для твердых углеродных слоев RU2606899C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011105645A DE102011105645A1 (de) 2011-06-07 2011-06-07 Entschichtungsverfahren für harte Kohlenstoffschichten
DE102011105645.2 2011-06-07
PCT/EP2012/002305 WO2012167886A1 (de) 2011-06-07 2012-05-31 Entschichtungsverfahren für harte kohlenstoffschichten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013158315A true RU2013158315A (ru) 2015-07-20
RU2606899C2 RU2606899C2 (ru) 2017-01-10

Family

ID=47220581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013158315A RU2606899C2 (ru) 2011-06-07 2012-05-31 Способ удаления слоев для твердых углеродных слоев

Country Status (10)

Country Link
EP (1) EP2718481B1 (ru)
JP (1) JP5933701B2 (ru)
KR (2) KR101784638B1 (ru)
CN (1) CN103717788B (ru)
BR (1) BR112013031584B1 (ru)
CA (1) CA2846434C (ru)
DE (1) DE102011105645A1 (ru)
RU (1) RU2606899C2 (ru)
SG (1) SG2014001168A (ru)
WO (1) WO2012167886A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6381984B2 (ja) * 2014-06-13 2018-08-29 学校法人 芝浦工業大学 脱膜方法及び脱膜装置
KR101864877B1 (ko) * 2015-04-08 2018-06-07 신메이와 고교 가부시키가이샤 이온 조사에 의한 피복재의 탈막 방법 및 탈막 장치
KR102648936B1 (ko) * 2015-08-18 2024-03-18 타타 스틸 네덜란드 테크날러지 베.뷔. 금속 스트립을 세정 및 코팅하는 방법 및 장치
RU2632702C1 (ru) * 2016-10-28 2017-10-09 Арчил Важаевич Цискарашвили Антиадгезивное антибактериальное покрытие для ортопедических имплантатов из титана и нержавеющей стали
US10347463B2 (en) * 2016-12-09 2019-07-09 Fei Company Enhanced charged particle beam processes for carbon removal
CN108987255A (zh) * 2018-06-19 2018-12-11 广东先导先进材料股份有限公司 类金刚石膜表面处理工艺
CN108754520A (zh) * 2018-06-29 2018-11-06 四川大学 硬质合金表面涂层去除方法和设备
CN114207178B (zh) * 2019-07-31 2024-06-04 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 涂覆于基材上的梯级无氢碳基硬材料层
JP7422540B2 (ja) * 2019-12-26 2024-01-26 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
CN111871973A (zh) * 2020-07-30 2020-11-03 成都光明光电股份有限公司 Dlc膜的脱膜方法及脱膜机
CN114645281B (zh) * 2022-04-06 2023-11-24 岭南师范学院 一种褪除金属工件表面碳膜的方法
CN115954269A (zh) * 2022-12-20 2023-04-11 西安理工大学 实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU375326A1 (ru) * 1971-02-01 1973-03-23 ПОТОЧНАЯ ЛИНИЯ ДЛЯ очистки ДЕТАЛЕЙ
SU1227280A1 (ru) * 1984-06-26 1986-04-30 Магнитогорский горно-металлургический институт им.Г.И.Носова Способ очистки поверхности металлических изделий
JPS63211630A (ja) * 1988-01-29 1988-09-02 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP3513811B2 (ja) * 1988-08-11 2004-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法
JP2763172B2 (ja) * 1990-03-19 1998-06-11 株式会社神戸製鋼所 ダイヤモンド薄膜のエッチング方法
EP0510340B1 (de) 1991-04-23 1995-05-10 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren zur Abtragung von Material von einer Oberfläche in einer Vakuumkammer
JPH0598412A (ja) * 1991-10-07 1993-04-20 Nippon Steel Corp 被溶射材料の前処理方法
JPH05339758A (ja) * 1992-06-08 1993-12-21 Nachi Fujikoshi Corp ダイヤモンド被覆工具の再研磨・再被覆方法
US5401543A (en) 1993-11-09 1995-03-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for forming macroparticle-free DLC films by cathodic arc discharge
DE4401986A1 (de) 1994-01-25 1995-07-27 Dresden Vakuumtech Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vakuumlichtbogenverdampfers und Stromversorgungseinrichtung dafür
DE19780806C2 (de) * 1996-08-15 1999-12-30 Citizen Watch Co Ltd Verfahren zum Entfernen eines über der inneren Oberfläche einer Führungsbuchse gebildeten Hartkohlenstoffilmes
DE19831914A1 (de) 1998-07-16 2000-01-20 Laser & Med Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Säuberung und Entschichtung transparenter Werkstücke
US6605175B1 (en) * 1999-02-19 2003-08-12 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Process for manufacturing component parts, use of same, with air bearing supported workpieces and vacuum processing chamber
CN1138020C (zh) 1999-09-29 2004-02-11 永源科技股份有限公司 阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜的制备方法
JP3439423B2 (ja) * 2000-04-11 2003-08-25 オーエスジー株式会社 ダイヤモンド被膜除去方法およびダイヤモンド被覆部材の製造方法
JP3997084B2 (ja) 2001-12-27 2007-10-24 株式会社不二越 硬質炭素被覆膜の脱膜方法及び再生方法並びに再生基材
US6902774B2 (en) 2002-07-25 2005-06-07 Inficon Gmbh Method of manufacturing a device
US7381311B2 (en) 2003-10-21 2008-06-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Filtered cathodic-arc plasma source
KR100886029B1 (ko) * 2004-01-28 2009-02-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치의 처리실 청정화 방법, 기판 처리 장치 및기판 처리 방법
EP1725700B1 (de) 2004-01-29 2009-12-30 Oerlikon Trading AG, Trübbach Entschichtungsverfahren
DE112005002085A5 (de) * 2004-09-23 2007-08-16 Cemecon Ag Zerspanungswerkzeug und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2007134425A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
DE102006032568A1 (de) * 2006-07-12 2008-01-17 Stein, Ralf Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung an der Innenwand eines Hohlkörpers
US7914692B2 (en) * 2006-08-29 2011-03-29 Ngk Insulators, Ltd. Methods of generating plasma, of etching an organic material film, of generating minus ions, of oxidation and nitriding
CN101308764B (zh) 2007-05-15 2011-03-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 消除蚀刻工序残留聚合物的方法
WO2008149824A1 (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Onward Ceramic Coating Co., Ltd. Dlc被覆工具
KR101599085B1 (ko) 2008-05-02 2016-03-14 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 트뤼프바흐 워크피스를 박리하는 방법 및 박리 용액
DE102008053254A1 (de) 2008-10-25 2010-04-29 Ab Solut Chemie Gmbh Verfahren zum substratschonenden Entfernen von Hartstoffschichten

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012167886A1 (de) 2012-12-13
KR20140019018A (ko) 2014-02-13
CN103717788B (zh) 2016-06-29
JP2014525982A (ja) 2014-10-02
KR101784638B1 (ko) 2017-10-11
JP5933701B2 (ja) 2016-06-15
EP2718481A1 (de) 2014-04-16
BR112013031584A2 (pt) 2016-12-13
CN103717788A (zh) 2014-04-09
EP2718481B1 (de) 2017-04-05
DE102011105645A1 (de) 2012-12-13
BR112013031584A8 (pt) 2018-02-06
CA2846434A1 (en) 2013-12-13
WO2012167886A8 (de) 2014-01-23
SG2014001168A (en) 2014-05-29
BR112013031584B1 (pt) 2020-11-03
RU2606899C2 (ru) 2017-01-10
CA2846434C (en) 2019-01-15
KR20160017662A (ko) 2016-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013158315A (ru) Способ удаления слоев для твердых углеродных слоев
JP2014525982A5 (ru)
JP2011511473A5 (ru)
MX2009012750A (es) Instalacion de tratamiento al vacio y metodo de tratamiento al vacio.
US7335601B2 (en) Method of processing an object and method of controlling processing apparatus to prevent contamination of the object
US9840772B2 (en) Method of improving ion beam quality in a non-mass-analyzed ion implantation system
TW201735092A (zh) 具有遠端電漿源及dc電極的原子層蝕刻系統
JP4677612B2 (ja) 炭素材料が被着した被処理物の清浄方法
TW202209474A (zh) 基板處理方法及電漿處理裝置
CN104576305A (zh) 自清洁真空处理腔室
EP3168857B1 (en) Covering material stripping method using ion irradiation
US9230778B2 (en) Method for removing hard carbon layers
KR20210114072A (ko) 하나 이상의 플라즈마를 시간적으로 그리고/또는 공간적으로 변조할 수 있는 기판 프로세싱 툴
RU2008112387A (ru) Способ осаждения аморфных углеводородных покрытий
RU2003111984A (ru) Способ ионно-плазменной обработки стальной поверхности режущего инструмента
CN105810579A (zh) 蚀刻方法
RU1834911C (ru) Способ обработки изделий в установках вакуумно-плазменного нанесени покрытий
RU2004117399A (ru) Способ очистки изделий из берилиевой керамики от примеси углерода
Shi et al. Experimental investigation on the effect of vacuum arc on removing oxide layer on metal-tube surface in a transverse magnetic field
JP2005142596A (ja) 半導体製造装置の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法
JP2001189301A (ja) 静電チャックの除電方法
TH146323A (th) กระบวนการดึงออกสำหรับชั้นเคลือบคาร์บอนแบบแข็ง

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant