RU2013158315A - Способ удаления слоев для твердых углеродных слоев - Google Patents
Способ удаления слоев для твердых углеродных слоев Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013158315A RU2013158315A RU2013158315/02A RU2013158315A RU2013158315A RU 2013158315 A RU2013158315 A RU 2013158315A RU 2013158315/02 A RU2013158315/02 A RU 2013158315/02A RU 2013158315 A RU2013158315 A RU 2013158315A RU 2013158315 A RU2013158315 A RU 2013158315A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- reaction
- coating
- removal
- gas
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
Abstract
1. Способ реакционного удаления покрытий из углеродных слоев с подложки, в частности, реакционного удаления покрытий из ta-C-слоев, с поверхностей конструкционных деталей и инструментов, в котором освобождаемая от покрытия подложка размещается на держателе подложки в вакуумной камере, в вакуумную камеру подается по меньшей мере один реакционный газ, стимулирующий вынос углерода в газообразной форме, и в вакуумной камере для стимулирования требуемой химической реакции или, соответственно, реакций для удаления покрытий с покрытой подложки зажигается плазменный разряд, и реакционное удаление покрытия проводится в одной стадии или в нескольких стадиях, отличающийся тем, что плазменный разряд создают как низковольтный дуговой разряд постоянного тока, который имеет разрядные токи между 20 А и 1000 А, предпочтительно между 50 А и 300 А, и разрядное напряжение максимально 120 В, предпочтительно между 20 В и 80 В, причем для удаления по меньшей мере части углеродного покрытия с подложки во время по меньшей мере одной стадии реакционного удаления покрытия, предпочтительно во время последней стадии реакционного удаления покрытия, в качестве реакционного газа используют азотсодержащий газ, причем предпочтительно используемый азотсодержащий реакционный газ включает в основном газообразный азот, и в особенности предпочтительно используемый азотсодержащий реакционный газ по существу представляет собой газообразный азот.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложку для низковольтного дугового разряда постоянного тока подключают в качестве анода, и благодаря этому поверхность подложки бомбардируют по существу исключител
Claims (8)
1. Способ реакционного удаления покрытий из углеродных слоев с подложки, в частности, реакционного удаления покрытий из ta-C-слоев, с поверхностей конструкционных деталей и инструментов, в котором освобождаемая от покрытия подложка размещается на держателе подложки в вакуумной камере, в вакуумную камеру подается по меньшей мере один реакционный газ, стимулирующий вынос углерода в газообразной форме, и в вакуумной камере для стимулирования требуемой химической реакции или, соответственно, реакций для удаления покрытий с покрытой подложки зажигается плазменный разряд, и реакционное удаление покрытия проводится в одной стадии или в нескольких стадиях, отличающийся тем, что плазменный разряд создают как низковольтный дуговой разряд постоянного тока, который имеет разрядные токи между 20 А и 1000 А, предпочтительно между 50 А и 300 А, и разрядное напряжение максимально 120 В, предпочтительно между 20 В и 80 В, причем для удаления по меньшей мере части углеродного покрытия с подложки во время по меньшей мере одной стадии реакционного удаления покрытия, предпочтительно во время последней стадии реакционного удаления покрытия, в качестве реакционного газа используют азотсодержащий газ, причем предпочтительно используемый азотсодержащий реакционный газ включает в основном газообразный азот, и в особенности предпочтительно используемый азотсодержащий реакционный газ по существу представляет собой газообразный азот.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложку для низковольтного дугового разряда постоянного тока подключают в качестве анода, и благодаря этому поверхность подложки бомбардируют по существу исключительно электронами, которые вследствие их незначительной массы исключают распыление.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложку вносят в низковольтный дуговой разряд постоянного тока, будучи изолированной, благодаря чему попадающие на подложку ионы имеют энергию по существу ниже 20 эВ, и тем самым ниже энергетического порога распыления.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для низковольтного дугового разряда постоянного тока в качестве анода применяют отличающийся от держателя подложки и стенки камеры электрод, и подложки поддерживаются при плавающем потенциале.
5. Способ по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что для удаления по меньшей мере части углеродного покрытия с подложки во время по меньшей мере одной стадии реакционного удаления покрытия, однако не во время последней стадии реакционного удаления покрытия, предпочтительно во время первой стадии реакционного удаления покрытия, в качестве реакционного газа используется кислородсодержащий газ, причем предпочтительно применяемый кислородсодержащий реакционный газ в основном включает газообразный кислород, и в особенности предпочтительно используемый кислородсодержащий реакционный газ по существу представляет собой газообразный кислород.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что поток кислородсодержащего газа отключают до того, как углеродный слой на каком-нибудь участке подложки будет полностью удален в результате реакции с кислородом, и тем самым предотвращают то, что освобожденная от покрытия поверхность подложки начнет окисляться также в результате реакции с кислородом.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что после того, как поток кислородсодержащего реакционного газа был отключен, в камеру для удаления покрытия вводят газообразный водород, и благодаря этому как кислородные компоненты в слое, так и нежелательные остатки кислорода на поверхности подложки восстанавливают.
8. Применение способа по одному из предшествующих пунктов для удаления покрытий с подложек, которые покрыты углеродными слоями, причем углеродные слои, наряду с углеродом, также содержат другие неметаллические элементы, в частности водород (Н), бор (В), кремний (Si) и/или германий (Ge).
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011105645A DE102011105645A1 (de) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | Entschichtungsverfahren für harte Kohlenstoffschichten |
DE102011105645.2 | 2011-06-07 | ||
PCT/EP2012/002305 WO2012167886A1 (de) | 2011-06-07 | 2012-05-31 | Entschichtungsverfahren für harte kohlenstoffschichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013158315A true RU2013158315A (ru) | 2015-07-20 |
RU2606899C2 RU2606899C2 (ru) | 2017-01-10 |
Family
ID=47220581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013158315A RU2606899C2 (ru) | 2011-06-07 | 2012-05-31 | Способ удаления слоев для твердых углеродных слоев |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2718481B1 (ru) |
JP (1) | JP5933701B2 (ru) |
KR (2) | KR101784638B1 (ru) |
CN (1) | CN103717788B (ru) |
BR (1) | BR112013031584B1 (ru) |
CA (1) | CA2846434C (ru) |
DE (1) | DE102011105645A1 (ru) |
RU (1) | RU2606899C2 (ru) |
SG (1) | SG2014001168A (ru) |
WO (1) | WO2012167886A1 (ru) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6381984B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2018-08-29 | 学校法人 芝浦工業大学 | 脱膜方法及び脱膜装置 |
KR101864877B1 (ko) * | 2015-04-08 | 2018-06-07 | 신메이와 고교 가부시키가이샤 | 이온 조사에 의한 피복재의 탈막 방법 및 탈막 장치 |
KR102648936B1 (ko) * | 2015-08-18 | 2024-03-18 | 타타 스틸 네덜란드 테크날러지 베.뷔. | 금속 스트립을 세정 및 코팅하는 방법 및 장치 |
RU2632702C1 (ru) * | 2016-10-28 | 2017-10-09 | Арчил Важаевич Цискарашвили | Антиадгезивное антибактериальное покрытие для ортопедических имплантатов из титана и нержавеющей стали |
US10347463B2 (en) * | 2016-12-09 | 2019-07-09 | Fei Company | Enhanced charged particle beam processes for carbon removal |
CN108987255A (zh) * | 2018-06-19 | 2018-12-11 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 类金刚石膜表面处理工艺 |
CN108754520A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-06 | 四川大学 | 硬质合金表面涂层去除方法和设备 |
CN114207178B (zh) * | 2019-07-31 | 2024-06-04 | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 | 涂覆于基材上的梯级无氢碳基硬材料层 |
JP7422540B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2024-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
CN111871973A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-11-03 | 成都光明光电股份有限公司 | Dlc膜的脱膜方法及脱膜机 |
CN114645281B (zh) * | 2022-04-06 | 2023-11-24 | 岭南师范学院 | 一种褪除金属工件表面碳膜的方法 |
CN115954269A (zh) * | 2022-12-20 | 2023-04-11 | 西安理工大学 | 实现离子轰击和电子轰击辅助转换的氧等离子体刻蚀方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU375326A1 (ru) * | 1971-02-01 | 1973-03-23 | ПОТОЧНАЯ ЛИНИЯ ДЛЯ очистки ДЕТАЛЕЙ | |
SU1227280A1 (ru) * | 1984-06-26 | 1986-04-30 | Магнитогорский горно-металлургический институт им.Г.И.Носова | Способ очистки поверхности металлических изделий |
JPS63211630A (ja) * | 1988-01-29 | 1988-09-02 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP3513811B2 (ja) * | 1988-08-11 | 2004-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法 |
JP2763172B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1998-06-11 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド薄膜のエッチング方法 |
EP0510340B1 (de) | 1991-04-23 | 1995-05-10 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zur Abtragung von Material von einer Oberfläche in einer Vakuumkammer |
JPH0598412A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-20 | Nippon Steel Corp | 被溶射材料の前処理方法 |
JPH05339758A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-21 | Nachi Fujikoshi Corp | ダイヤモンド被覆工具の再研磨・再被覆方法 |
US5401543A (en) | 1993-11-09 | 1995-03-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for forming macroparticle-free DLC films by cathodic arc discharge |
DE4401986A1 (de) | 1994-01-25 | 1995-07-27 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vakuumlichtbogenverdampfers und Stromversorgungseinrichtung dafür |
DE19780806C2 (de) * | 1996-08-15 | 1999-12-30 | Citizen Watch Co Ltd | Verfahren zum Entfernen eines über der inneren Oberfläche einer Führungsbuchse gebildeten Hartkohlenstoffilmes |
DE19831914A1 (de) | 1998-07-16 | 2000-01-20 | Laser & Med Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Säuberung und Entschichtung transparenter Werkstücke |
US6605175B1 (en) * | 1999-02-19 | 2003-08-12 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Process for manufacturing component parts, use of same, with air bearing supported workpieces and vacuum processing chamber |
CN1138020C (zh) | 1999-09-29 | 2004-02-11 | 永源科技股份有限公司 | 阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜的制备方法 |
JP3439423B2 (ja) * | 2000-04-11 | 2003-08-25 | オーエスジー株式会社 | ダイヤモンド被膜除去方法およびダイヤモンド被覆部材の製造方法 |
JP3997084B2 (ja) | 2001-12-27 | 2007-10-24 | 株式会社不二越 | 硬質炭素被覆膜の脱膜方法及び再生方法並びに再生基材 |
US6902774B2 (en) | 2002-07-25 | 2005-06-07 | Inficon Gmbh | Method of manufacturing a device |
US7381311B2 (en) | 2003-10-21 | 2008-06-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Filtered cathodic-arc plasma source |
KR100886029B1 (ko) * | 2004-01-28 | 2009-02-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치의 처리실 청정화 방법, 기판 처리 장치 및기판 처리 방법 |
EP1725700B1 (de) | 2004-01-29 | 2009-12-30 | Oerlikon Trading AG, Trübbach | Entschichtungsverfahren |
DE112005002085A5 (de) * | 2004-09-23 | 2007-08-16 | Cemecon Ag | Zerspanungswerkzeug und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2007134425A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE102006032568A1 (de) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Stein, Ralf | Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung an der Innenwand eines Hohlkörpers |
US7914692B2 (en) * | 2006-08-29 | 2011-03-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Methods of generating plasma, of etching an organic material film, of generating minus ions, of oxidation and nitriding |
CN101308764B (zh) | 2007-05-15 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 消除蚀刻工序残留聚合物的方法 |
WO2008149824A1 (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Onward Ceramic Coating Co., Ltd. | Dlc被覆工具 |
KR101599085B1 (ko) | 2008-05-02 | 2016-03-14 | 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 트뤼프바흐 | 워크피스를 박리하는 방법 및 박리 용액 |
DE102008053254A1 (de) | 2008-10-25 | 2010-04-29 | Ab Solut Chemie Gmbh | Verfahren zum substratschonenden Entfernen von Hartstoffschichten |
-
2011
- 2011-06-07 DE DE102011105645A patent/DE102011105645A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-05-31 WO PCT/EP2012/002305 patent/WO2012167886A1/de active Application Filing
- 2012-05-31 SG SG2014001168A patent/SG2014001168A/en unknown
- 2012-05-31 BR BR112013031584-9A patent/BR112013031584B1/pt active IP Right Grant
- 2012-05-31 CA CA2846434A patent/CA2846434C/en active Active
- 2012-05-31 RU RU2013158315A patent/RU2606899C2/ru active
- 2012-05-31 KR KR1020167002198A patent/KR101784638B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-31 EP EP12725315.1A patent/EP2718481B1/de active Active
- 2012-05-31 JP JP2014513932A patent/JP5933701B2/ja active Active
- 2012-05-31 CN CN201280038683.9A patent/CN103717788B/zh active Active
- 2012-05-31 KR KR1020147000018A patent/KR20140019018A/ko active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012167886A1 (de) | 2012-12-13 |
KR20140019018A (ko) | 2014-02-13 |
CN103717788B (zh) | 2016-06-29 |
JP2014525982A (ja) | 2014-10-02 |
KR101784638B1 (ko) | 2017-10-11 |
JP5933701B2 (ja) | 2016-06-15 |
EP2718481A1 (de) | 2014-04-16 |
BR112013031584A2 (pt) | 2016-12-13 |
CN103717788A (zh) | 2014-04-09 |
EP2718481B1 (de) | 2017-04-05 |
DE102011105645A1 (de) | 2012-12-13 |
BR112013031584A8 (pt) | 2018-02-06 |
CA2846434A1 (en) | 2013-12-13 |
WO2012167886A8 (de) | 2014-01-23 |
SG2014001168A (en) | 2014-05-29 |
BR112013031584B1 (pt) | 2020-11-03 |
RU2606899C2 (ru) | 2017-01-10 |
CA2846434C (en) | 2019-01-15 |
KR20160017662A (ko) | 2016-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2013158315A (ru) | Способ удаления слоев для твердых углеродных слоев | |
JP2014525982A5 (ru) | ||
JP2011511473A5 (ru) | ||
MX2009012750A (es) | Instalacion de tratamiento al vacio y metodo de tratamiento al vacio. | |
US7335601B2 (en) | Method of processing an object and method of controlling processing apparatus to prevent contamination of the object | |
US9840772B2 (en) | Method of improving ion beam quality in a non-mass-analyzed ion implantation system | |
TW201735092A (zh) | 具有遠端電漿源及dc電極的原子層蝕刻系統 | |
JP4677612B2 (ja) | 炭素材料が被着した被処理物の清浄方法 | |
TW202209474A (zh) | 基板處理方法及電漿處理裝置 | |
CN104576305A (zh) | 自清洁真空处理腔室 | |
EP3168857B1 (en) | Covering material stripping method using ion irradiation | |
US9230778B2 (en) | Method for removing hard carbon layers | |
KR20210114072A (ko) | 하나 이상의 플라즈마를 시간적으로 그리고/또는 공간적으로 변조할 수 있는 기판 프로세싱 툴 | |
RU2008112387A (ru) | Способ осаждения аморфных углеводородных покрытий | |
RU2003111984A (ru) | Способ ионно-плазменной обработки стальной поверхности режущего инструмента | |
CN105810579A (zh) | 蚀刻方法 | |
RU1834911C (ru) | Способ обработки изделий в установках вакуумно-плазменного нанесени покрытий | |
RU2004117399A (ru) | Способ очистки изделий из берилиевой керамики от примеси углерода | |
Shi et al. | Experimental investigation on the effect of vacuum arc on removing oxide layer on metal-tube surface in a transverse magnetic field | |
JP2005142596A (ja) | 半導体製造装置の洗浄方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2001189301A (ja) | 静電チャックの除電方法 | |
TH146323A (th) | กระบวนการดึงออกสำหรับชั้นเคลือบคาร์บอนแบบแข็ง |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant | ||
HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant |