RU2008112387A - Способ осаждения аморфных углеводородных покрытий - Google Patents

Способ осаждения аморфных углеводородных покрытий Download PDF

Info

Publication number
RU2008112387A
RU2008112387A RU2008112387/02A RU2008112387A RU2008112387A RU 2008112387 A RU2008112387 A RU 2008112387A RU 2008112387/02 A RU2008112387/02 A RU 2008112387/02A RU 2008112387 A RU2008112387 A RU 2008112387A RU 2008112387 A RU2008112387 A RU 2008112387A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plasma
anode
hydrocarbon
plasma chamber
discharge
Prior art date
Application number
RU2008112387/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2382116C2 (ru
Inventor
Николай Васильевич Гаврилов (RU)
Николай Васильевич Гаврилов
Александр Сергеевич Мамаев (RU)
Александр Сергеевич Мамаев
Original Assignee
Институт электрофизики Уральского отделения РАН (RU)
Институт электрофизики Уральского отделения РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт электрофизики Уральского отделения РАН (RU), Институт электрофизики Уральского отделения РАН filed Critical Институт электрофизики Уральского отделения РАН (RU)
Priority to RU2008112387/02A priority Critical patent/RU2382116C2/ru
Publication of RU2008112387A publication Critical patent/RU2008112387A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2382116C2 publication Critical patent/RU2382116C2/ru

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Способ осаждения аморфных углеводородных покрытий на изделия из металлических материалов, имеющих потенциал катода плазменной камеры, разложением углеводородсодержащих газов в плазме тлеющего разряда импульсно-периодического действия, поддерживаемого между катодом и анодом плазменной камеры в смеси инертного газа и, по меньшей мере, одного углеводородсодержащего газа, отличающийся тем, что между анодом и стенками плазменной камеры создают несамостоятельный импульсно-периодический электрический разряд, который поддерживают в широком диапазоне изменения давления и состава газовой смеси, плотности плазмы, напряжения между анодом и стенками плазменной камеры, находящимися под катодным потенциалом, электронной эмиссией плазменного катода с сеточной стабилизацией, эмитирующая плазма которого генерируется разрядом постоянного тока, причем энергию ионов, бомбардирующих растущее аморфное углеводородное покрытие, задают амплитудой импульсного напряжения, прикладываемого между анодом и стенками плазменной камеры, а плотность плазмы несамостоятельного разряда регулируют величиной тока эмиссии плазменного катода, причем высокую адгезию осажденного углеводородсодержащего покрытия обеспечивают предварительной ионной очисткой поверхности помещенных в плазменную камеру изделий ионами из плазмы химически инертного газа, например аргона, создаваемой электрическим разрядом между анодом и стенками плазменной камеры; формированием переходного слоя иммерсионной ионной имплантацией и имплантацией атомов отдачи в результате бомбардировки поверхности изделий ионами из плазмы разряда между анодом и ст�

Claims (1)

  1. Способ осаждения аморфных углеводородных покрытий на изделия из металлических материалов, имеющих потенциал катода плазменной камеры, разложением углеводородсодержащих газов в плазме тлеющего разряда импульсно-периодического действия, поддерживаемого между катодом и анодом плазменной камеры в смеси инертного газа и, по меньшей мере, одного углеводородсодержащего газа, отличающийся тем, что между анодом и стенками плазменной камеры создают несамостоятельный импульсно-периодический электрический разряд, который поддерживают в широком диапазоне изменения давления и состава газовой смеси, плотности плазмы, напряжения между анодом и стенками плазменной камеры, находящимися под катодным потенциалом, электронной эмиссией плазменного катода с сеточной стабилизацией, эмитирующая плазма которого генерируется разрядом постоянного тока, причем энергию ионов, бомбардирующих растущее аморфное углеводородное покрытие, задают амплитудой импульсного напряжения, прикладываемого между анодом и стенками плазменной камеры, а плотность плазмы несамостоятельного разряда регулируют величиной тока эмиссии плазменного катода, причем высокую адгезию осажденного углеводородсодержащего покрытия обеспечивают предварительной ионной очисткой поверхности помещенных в плазменную камеру изделий ионами из плазмы химически инертного газа, например аргона, создаваемой электрическим разрядом между анодом и стенками плазменной камеры; формированием переходного слоя иммерсионной ионной имплантацией и имплантацией атомов отдачи в результате бомбардировки поверхности изделий ионами из плазмы разряда между анодом и стенками плазменной камеры в смеси химически инертного газа и, по меньшей мере, одного углеводородсодержащего газа, ускоренными приложенным между изделиями и стенками плазменной камеры напряжением смещения величиной 1-10 кВ; и последующим осаждением на поверхность изделий аморфного углеводородного покрытия в результате поступления углеводородсодержащих частиц и ионов из плазмы импульсно-периодического разряда между анодом и стенками плазменной камеры в смеси инертного газа и, по меньшей мере, одного углеводородсодержащего газа.
RU2008112387/02A 2008-03-31 2008-03-31 Способ нанесения аморфных углеводородных покрытий RU2382116C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008112387/02A RU2382116C2 (ru) 2008-03-31 2008-03-31 Способ нанесения аморфных углеводородных покрытий

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008112387/02A RU2382116C2 (ru) 2008-03-31 2008-03-31 Способ нанесения аморфных углеводородных покрытий

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008112387A true RU2008112387A (ru) 2009-10-10
RU2382116C2 RU2382116C2 (ru) 2010-02-20

Family

ID=41260315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008112387/02A RU2382116C2 (ru) 2008-03-31 2008-03-31 Способ нанесения аморфных углеводородных покрытий

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2382116C2 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2637455C1 (ru) * 2016-10-10 2017-12-04 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" Способ импульсно-периодического плазменного формирования покрытия с диффузионным слоем карбида молибдена на изделии из молибдена
RU2760018C1 (ru) * 2020-11-03 2021-11-22 ООО "ТехноТерм-Саратов" Способ получения аморфного наноструктурированного алмазоподобного покрытия

Also Published As

Publication number Publication date
RU2382116C2 (ru) 2010-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Sarakinos et al. Exploring the potential of high power impulse magnetron sputtering for growth of diamond-like carbon films
Grigoriev et al. Broad fast neutral molecule beam sources for industrial-scale beam-assisted deposition
CN107615888B (zh) 利用宏粒子减少涂层的等离子体源和将等离子体源用于沉积薄膜涂层和表面改性的方法
AU2006349512B2 (en) Method and apparatus for manufacturing cleaned substrates or clean substrates which are further processed
US20090314633A1 (en) Electron beam enhanced large area deposition system
Pedersen et al. A novel high-power pulse PECVD method
JP2005248322A (ja) 表面上への複合コーティングの蒸着プロセス
JP2010065240A (ja) スパッタ装置
Marcu et al. Simultaneous carbon and tungsten thin film deposition using two thermionic vacuum arcs
US20150318151A1 (en) Plasma source
JP2013049885A (ja) 炭素薄膜成膜方法
Aijaz et al. Principles for designing sputtering-based strategies for high-rate synthesis of dense and hard hydrogenated amorphous carbon thin films
RU2008112387A (ru) Способ осаждения аморфных углеводородных покрытий
US20170280548A1 (en) Plasma densification method
WO2013099044A1 (ja) イオンビーム処理装置および中和器
Gavrilov et al. Magnetron sputtering system for coatings deposition with activation of working gas mixture by low-energy high-current electron beam
JPH03274269A (ja) ダイヤモンド状薄膜の合成方法及びダイヤモンド状薄膜
US10083822B2 (en) Physical vapour deposition coating device as well as a physical vapour deposition method
Oskomov et al. Investigation of plasma ion composition generated by high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) of graphite
Azuma et al. Electrical and optical characteristics of high-power pulsed sputtering glow discharge
CN113366600A (zh) 等离子体源的用于执行等离子体处理的电极装置
Akhmadeev et al. Plasma sources based on a low-pressure arc discharge
Grenadyorov et al. Investigation of parameters of plasma generated by high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) of graphite
RU2190484C1 (ru) Способ плазменного осаждения полимерных покрытий и способ генерации плазмы
JP6104126B2 (ja) 皮膜形成装置及び皮膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180401