RU2013140419A - Светодиодная сборка, включающая в себя светорассеивающий слой - Google Patents
Светодиодная сборка, включающая в себя светорассеивающий слой Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013140419A RU2013140419A RU2013140419/28A RU2013140419A RU2013140419A RU 2013140419 A RU2013140419 A RU 2013140419A RU 2013140419/28 A RU2013140419/28 A RU 2013140419/28A RU 2013140419 A RU2013140419 A RU 2013140419A RU 2013140419 A RU2013140419 A RU 2013140419A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- light
- lighting systems
- scattering layer
- systems
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
Abstract
1. Светодиодная сборка, включающая в себя:светодиодный кристалл (10), слой люминофора (12), слой фильтра (14)и светорассеивающий слой (16), обеспеченный между слоем люминофора и слоем фильтра на пути света, излучаемого светодиодным кристаллом (10), при этом- разница показателей преломления Δn между светорассеивающим слоем (16) и материалом, примыкающим к светорассеивающему слою (16), слоя фильтра (14), составляет Δn≥0,2 и;- разница показателей преломления Δn между светорассеивающим слоем и материалом слоя (12), примыкающего к светорассеивающему слою, составляет Δn≥0,2;- и произведение толщины светорассеивающего слоя (16) D и показателя преломления n светорассеивающего слоя составляет1900нм≥n·D≥400нм.2. Светодиодная сборка по п. 1, при этом 1400нм≥n·D≥1000нм, предпочтительно 1200нм≥n·D≥1100нм.3. Светодиодная сборка по п. 1 или 2, при этом светорассеивающий слой (16) выбран, по существу, из группы, включающей в себя неорганические оксиды, предпочтительно из группы, включающей в себя ZrO, YO, TaO, NbO, SiO, TiO, AlO, HfOили их смеси.4. Светодиодная сборка по п. 1 или 2, при этом толщина светорассеивающего слоя (16) D составляет 800нм≥D≥300нм.5. Светодиодная сборка по п. 1 или 2, при этом упомянутыйслой фильтра (14) включает диэлектрическое покрытие слоя из чередующихся материалов с низким и высоким показателем преломления.6. Система, включающая в себя светодиодную сборку по любому из пп. 1-5, причем система используется для одного или более из следующих практических применений:офисных систем освещения,домашних прикладных систем,систем освещения магазина,систем домашнего освещения,систем направленного освещения,точечных систем освещения,театральных систем освещения,волоконно-
Claims (6)
1. Светодиодная сборка, включающая в себя:
светодиодный кристалл (10), слой люминофора (12), слой фильтра (14)
и светорассеивающий слой (16), обеспеченный между слоем люминофора и слоем фильтра на пути света, излучаемого светодиодным кристаллом (10), при этом
- разница показателей преломления Δn между светорассеивающим слоем (16) и материалом, примыкающим к светорассеивающему слою (16), слоя фильтра (14), составляет Δn≥0,2 и;
- разница показателей преломления Δn между светорассеивающим слоем и материалом слоя (12), примыкающего к светорассеивающему слою, составляет Δn≥0,2;
- и произведение толщины светорассеивающего слоя (16) D и показателя преломления n светорассеивающего слоя составляет
1900нм≥n·D≥400нм.
2. Светодиодная сборка по п. 1, при этом 1400нм≥n·D≥1000нм, предпочтительно 1200нм≥n·D≥1100нм.
3. Светодиодная сборка по п. 1 или 2, при этом светорассеивающий слой (16) выбран, по существу, из группы, включающей в себя неорганические оксиды, предпочтительно из группы, включающей в себя ZrO2, Y2O3, Ta2O5, Nb2O5, SiO2, TiO2, Al2O3, HfO2 или их смеси.
4. Светодиодная сборка по п. 1 или 2, при этом толщина светорассеивающего слоя (16) D составляет 800нм≥D≥300нм.
5. Светодиодная сборка по п. 1 или 2, при этом упомянутый
слой фильтра (14) включает диэлектрическое покрытие слоя из чередующихся материалов с низким и высоким показателем преломления.
6. Система, включающая в себя светодиодную сборку по любому из пп. 1-5, причем система используется для одного или более из следующих практических применений:
офисных систем освещения,
домашних прикладных систем,
систем освещения магазина,
систем домашнего освещения,
систем направленного освещения,
точечных систем освещения,
театральных систем освещения,
волоконно-оптических прикладных систем освещения,
проекционных систем,
самоосвещаемых дисплейных систем,
мозаичных дисплейных систем,
сегментированных дисплейных систем,
систем предупредительных знаков,
медицинских прикладных систем освещения,
систем индикаторных знаков,
декоративных систем освещения,
портативных систем освещения,
применения на автотранспорте,
систем освещения теплицы.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP11152838A EP2482350A1 (en) | 2011-02-01 | 2011-02-01 | LED assembly comprising a light scattering layer |
| EP11152838.6 | 2011-02-01 | ||
| PCT/IB2012/050322 WO2012104744A1 (en) | 2011-02-01 | 2012-01-24 | Led assembly comprising a light scattering layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013140419A true RU2013140419A (ru) | 2015-03-10 |
| RU2586268C2 RU2586268C2 (ru) | 2016-06-10 |
Family
ID=44144732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013140419/28A RU2586268C2 (ru) | 2011-02-01 | 2012-01-24 | Светодиодная сборка, включающая в себя светорассеивающий слой |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9214609B2 (ru) |
| EP (2) | EP2482350A1 (ru) |
| JP (2) | JP2014504030A (ru) |
| KR (1) | KR102066063B1 (ru) |
| CN (1) | CN103329294B (ru) |
| RU (1) | RU2586268C2 (ru) |
| WO (1) | WO2012104744A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2831933B1 (en) * | 2012-03-30 | 2021-05-12 | Lumileds LLC | Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material |
| DE102014112973A1 (de) * | 2014-09-09 | 2016-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
| KR102252994B1 (ko) | 2014-12-18 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름 |
| KR102415331B1 (ko) | 2015-08-26 | 2022-06-30 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치 |
| CN109411590B (zh) * | 2017-08-17 | 2020-01-07 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管结构及发光单元 |
| US11335835B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-05-17 | Lumileds Llc | Converter fill for LED array |
| US10686596B2 (en) * | 2018-03-01 | 2020-06-16 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Mutually authenticated adaptive management interfaces for interaction with sensitive infrastructure |
| JP2023134141A (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-27 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびそれを備えた車両用灯具 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006261540A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Stanley Electric Co Ltd | 発光デバイス |
| US7795625B2 (en) * | 2006-01-16 | 2010-09-14 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting device |
| DE102006051746A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht |
| US7521862B2 (en) * | 2006-11-20 | 2009-04-21 | Philips Lumileds Lighting Co., Llc | Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material |
| KR101654514B1 (ko) * | 2008-12-02 | 2016-09-07 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | Ｌｅｄ 어셈블리 |
| US8721098B2 (en) * | 2009-05-19 | 2014-05-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light scattering and conversion plate for LEDs |
| US20110012147A1 (en) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Wavelength-converted semiconductor light emitting device including a filter and a scattering structure |
| RU2402108C1 (ru) * | 2009-11-09 | 2010-10-20 | Владимир Семенович Абрамов | Светодиодный источник излучения для систем управления транспортом |
| EP2323184A1 (en) | 2009-11-13 | 2011-05-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED assembly |
-
2011
- 2011-02-01 EP EP11152838A patent/EP2482350A1/en not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-01-24 WO PCT/IB2012/050322 patent/WO2012104744A1/en active Application Filing
- 2012-01-24 US US13/976,479 patent/US9214609B2/en active Active
- 2012-01-24 JP JP2013550984A patent/JP2014504030A/ja active Pending
- 2012-01-24 CN CN201280007301.6A patent/CN103329294B/zh active Active
- 2012-01-24 KR KR1020137023008A patent/KR102066063B1/ko active IP Right Grant
- 2012-01-24 EP EP12701956.0A patent/EP2671266B1/en active Active
- 2012-01-24 RU RU2013140419/28A patent/RU2586268C2/ru active
-
2016
- 2016-06-30 JP JP2016129893A patent/JP6646536B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2671266A1 (en) | 2013-12-11 |
| EP2482350A1 (en) | 2012-08-01 |
| EP2671266B1 (en) | 2016-07-20 |
| US20130299865A1 (en) | 2013-11-14 |
| JP2014504030A (ja) | 2014-02-13 |
| KR20140004745A (ko) | 2014-01-13 |
| RU2586268C2 (ru) | 2016-06-10 |
| CN103329294A (zh) | 2013-09-25 |
| US9214609B2 (en) | 2015-12-15 |
| CN103329294B (zh) | 2016-08-10 |
| JP6646536B2 (ja) | 2020-02-14 |
| KR102066063B1 (ko) | 2020-01-15 |
| JP2016197738A (ja) | 2016-11-24 |
| WO2012104744A1 (en) | 2012-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013140419A (ru) | Светодиодная сборка, включающая в себя светорассеивающий слой | |
| WO2016082431A1 (zh) | 光学膜层、发光器件及显示装置 | |
| WO2008078618A1 (ja) | 偏光素子、および液晶表示装置 | |
| EP2708922A3 (en) | Anti-reflection coating, optical member having it, and optical equipment comprising such optical member | |
| JP5893271B2 (ja) | 反射防止膜、光学系、及び光学機器 | |
| JP2013508779A5 (ru) | ||
| EA201691598A1 (ru) | Светящаяся стеклопанель с оптическим изолятором | |
| RU2009106671A (ru) | Керамический гранатовый материал на основе аиг, содержащий по меньшей мере один многоузельный элемент | |
| JP2012230893A5 (ja) | バックライトユニット | |
| ATE522838T1 (de) | Lichtfilter/-modulator und array von filtern/modulatoren | |
| RU2011127140A (ru) | Блок светодиода | |
| JP2007334357A5 (ru) | ||
| GB201109572D0 (en) | Display screen with low-index region surrounding phosphors | |
| AU2014223791A8 (en) | Reflective color filter and color display device | |
| RU2011151606A (ru) | Рассеивающая и преобразующая свет пластина для сид | |
| WO2014202462A3 (de) | Elektrode und optoelektronisches bauelement sowie ein verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements | |
| JP2012527763A5 (ru) | ||
| ES2723350T3 (es) | Espejo dieléctrico | |
| EP2779164A3 (en) | Layered optical waveguide and near field transducer | |
| JP6880548B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| CN104863287A (zh) | 一种玻璃墙 | |
| CN105068303A (zh) | 阵列基板和液晶显示面板 | |
| EA201290885A1 (ru) | Высокоотражающая стеклянная панель | |
| PH12017502397A1 (en) | Optical product, plastic lens, and eye glasses | |
| JP2015125084A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190823 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |