RU2013130900A - Полупроводниковый датчик кислорода - Google Patents
Полупроводниковый датчик кислорода Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013130900A RU2013130900A RU2013130900/28A RU2013130900A RU2013130900A RU 2013130900 A RU2013130900 A RU 2013130900A RU 2013130900/28 A RU2013130900/28 A RU 2013130900/28A RU 2013130900 A RU2013130900 A RU 2013130900A RU 2013130900 A RU2013130900 A RU 2013130900A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- oxygen sensor
- semiconductor
- semiconductor oxygen
- interval
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
- G01N27/4073—Composition or fabrication of the solid electrolyte
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
1. Полупроводниковый датчик кислорода, содержащий диэлектрическую подложку и полупроводниковый слой с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, отличающийся тем, что полупроводниковый слой выполнен из материала с составом SmLnS, где Ln представляет собой один из следующих элементов: La, Ce, Pr, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, a x имеет значение из интервала от 0 до 0,14.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что толщина полупроводникового слоя лежит в пределах от 0,07 мкм до 0,2 мкм.
Claims (2)
1. Полупроводниковый датчик кислорода, содержащий диэлектрическую подложку и полупроводниковый слой с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, отличающийся тем, что полупроводниковый слой выполнен из материала с составом Sm1-xLnxS, где Ln представляет собой один из следующих элементов: La, Ce, Pr, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, a x имеет значение из интервала от 0 до 0,14.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что толщина полупроводникового слоя лежит в пределах от 0,07 мкм до 0,2 мкм.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013130900/28A RU2546849C2 (ru) | 2013-07-05 | 2013-07-05 | Полупроводниковый датчик кислорода |
| PCT/RU2014/000464 WO2015002571A1 (ru) | 2013-07-05 | 2014-06-27 | Полупроводниковый датчик кислорода |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013130900/28A RU2546849C2 (ru) | 2013-07-05 | 2013-07-05 | Полупроводниковый датчик кислорода |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013130900A true RU2013130900A (ru) | 2015-01-10 |
| RU2546849C2 RU2546849C2 (ru) | 2015-04-10 |
Family
ID=52144041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013130900/28A RU2546849C2 (ru) | 2013-07-05 | 2013-07-05 | Полупроводниковый датчик кислорода |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2546849C2 (ru) |
| WO (1) | WO2015002571A1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2603337C1 (ru) * | 2015-07-16 | 2016-11-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" | Полупроводниковый газовый датчик микропримесей кислорода |
| RU187225U1 (ru) * | 2018-12-07 | 2019-02-25 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный технический университет" | Полупроводниковый газоанализатор кислорода |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884129A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-20 | Teijin Ltd | 金属酸化物複合体及び酸素センサ− |
| EP0677741A3 (en) * | 1994-04-12 | 1996-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oxygen sensor. |
| JP2002257775A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-11 | Ibiden Co Ltd | 酸素センサー |
| RU2235316C1 (ru) * | 2003-06-05 | 2004-08-27 | Омский государственный технический университет | Полупроводниковый газовый датчик |
-
2013
- 2013-07-05 RU RU2013130900/28A patent/RU2546849C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-06-27 WO PCT/RU2014/000464 patent/WO2015002571A1/ru active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2546849C2 (ru) | 2015-04-10 |
| WO2015002571A1 (ru) | 2015-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014033194A5 (ru) | ||
| JP2015060159A5 (ru) | ||
| JP2014045225A5 (ja) | 電子機器及び素子 | |
| JP2014057056A5 (ja) | 半導体装置 | |
| TW201612614A (en) | Electrochromic devices | |
| JP2011124556A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013140989A5 (ru) | ||
| ES2629901T3 (es) | Disposición de lunas con recubrimiento amortiguador de infrarrojos | |
| JP2012160720A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013077836A5 (ru) | ||
| JP2014143410A5 (ja) | 半導体装置 | |
| AR091244A1 (es) | Panel con un elemento de conexion electrica | |
| JP2013179294A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013211543A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011238912A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011124557A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2016006872A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011181906A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013191837A5 (ru) | ||
| TW201612558A (en) | Display device | |
| JP2014045192A5 (ru) | ||
| EP2908343A3 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2012216791A5 (ru) | ||
| JP2011146692A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015073089A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170706 |