RU2013106223A - Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод, имеющий высокую допустимую токовую нагрузку - Google Patents
Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод, имеющий высокую допустимую токовую нагрузку Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013106223A RU2013106223A RU2013106223/28A RU2013106223A RU2013106223A RU 2013106223 A RU2013106223 A RU 2013106223A RU 2013106223/28 A RU2013106223/28 A RU 2013106223/28A RU 2013106223 A RU2013106223 A RU 2013106223A RU 2013106223 A RU2013106223 A RU 2013106223A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature superconducting
- high temperature
- terraces
- layer
- intermediate layer
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
- H01B12/06—Films or wires on bases or cores
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
1. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод с гибкой металлической подложкой, который содержит:a. по меньшей мере один промежуточный слой, который расположен на гибкой металлической подложке, и который на стороне, противоположной гибкой металлической подложке, содержит террасы,b. причем средняя ширина террас меньше 1 мкм, а средняя высота террас больше 20 нм, иc. по меньшей мере один расположенный на промежуточном слое высокотемпературный сверхпроводящий слой, который расположен на по меньшей мере одном промежуточном слое и имеет толщину слоя более 3 мкм,d. причем допустимая токовая нагрузка высокотемпературного сверхпроводящего ленточного провода, отнесенная к ширине провода, при 77 K превышает 600 А/см.2. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что высокотемпературный сверхпроводящий слой имеет толщину в диапазоне от 5 мкм до 10 мкм.3. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что средняя высота террас по меньшей мере одного промежуточного слоя лежит в диапазоне от 50 нм до 200 нм.4. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что максимальная средняя высота террас по меньшей мере одного промежуточного слоя не превышает 20% от толщины высокотемпературного сверхпроводящего слоя.5. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что средняя ширина террас по меньшей мере одного промежуточного слоя меньше 400 нм.6. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что металлическая подложка содержит фольгу из хастеллоя толщиной до 200 мкм.7. Вы
Claims (10)
1. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод с гибкой металлической подложкой, который содержит:
a. по меньшей мере один промежуточный слой, который расположен на гибкой металлической подложке, и который на стороне, противоположной гибкой металлической подложке, содержит террасы,
b. причем средняя ширина террас меньше 1 мкм, а средняя высота террас больше 20 нм, и
c. по меньшей мере один расположенный на промежуточном слое высокотемпературный сверхпроводящий слой, который расположен на по меньшей мере одном промежуточном слое и имеет толщину слоя более 3 мкм,
d. причем допустимая токовая нагрузка высокотемпературного сверхпроводящего ленточного провода, отнесенная к ширине провода, при 77 K превышает 600 А/см.
2. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что высокотемпературный сверхпроводящий слой имеет толщину в диапазоне от 5 мкм до 10 мкм.
3. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что средняя высота террас по меньшей мере одного промежуточного слоя лежит в диапазоне от 50 нм до 200 нм.
4. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что максимальная средняя высота террас по меньшей мере одного промежуточного слоя не превышает 20% от толщины высокотемпературного сверхпроводящего слоя.
5. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что средняя ширина террас по меньшей мере одного промежуточного слоя меньше 400 нм.
6. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что металлическая подложка содержит фольгу из хастеллоя толщиной до 200 мкм.
7. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один промежуточный слой является слоем оксида магния с толщиной от 1,5 мкм до 3,5 мкм.
8. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что высокотемпературный сверхпроводящий слой содержит слой RBa2Cu3O7, где R обозначает элемент, выбранный из группы, которая включает элементы диспрозий (Dy), гадолиний (Gd), гольмий (Ho) и иттрий (Y), в частности - высокотемпературный сверхпроводящий слой из DyBa2Cu3O7.
9. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.1, отличающийся тем, что поверхность террас по существу параллельна плоскости металлической подложки.
10. Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод по п.9, отличающийся тем, что террасы по меньшей мере одного промежуточного слоя получены посредством анизотропного травления.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102010038656.1 | 2010-07-29 | ||
| DE102010038656A DE102010038656A1 (de) | 2010-07-29 | 2010-07-29 | Hochtemperatur-Supraleiter-Bandleiter mit hoher kritischer Stromtragfähigkeit |
| PCT/EP2011/059956 WO2012013415A1 (de) | 2010-07-29 | 2011-06-15 | Hochtemperatur-supraleiter-bandleiter mit hoher kritischer stromtragfähigkeit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013106223A true RU2013106223A (ru) | 2014-09-10 |
| RU2548946C2 RU2548946C2 (ru) | 2015-04-20 |
Family
ID=44479375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013106223/28A RU2548946C2 (ru) | 2010-07-29 | 2011-06-15 | Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод, имеющий высокую допустимую токовую нагрузку |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8983563B2 (ru) |
| EP (1) | EP2599135B1 (ru) |
| JP (1) | JP5820880B2 (ru) |
| KR (1) | KR101837789B1 (ru) |
| DE (1) | DE102010038656A1 (ru) |
| RU (1) | RU2548946C2 (ru) |
| WO (1) | WO2012013415A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2834860B1 (de) * | 2012-04-04 | 2015-12-30 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Reproduzierbarerer stufen-josephson-kontakt |
| JP6244142B2 (ja) * | 2013-09-04 | 2017-12-06 | 東洋鋼鈑株式会社 | 超電導線材用基板及びその製造方法、並びに超電導線材 |
| DE102015202638A1 (de) * | 2014-06-17 | 2015-12-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Stromzuführung für eine supraleitende Spuleneinrichtung |
| CN107978394A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-05-01 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 超导带及其制造方法 |
| GB201814357D0 (en) * | 2018-09-04 | 2018-10-17 | Tokamak Energy Ltd | Alignment of HTS tapes |
| CN111613383B (zh) * | 2020-06-16 | 2021-12-21 | 深圳供电局有限公司 | 一种提高热稳定性的高温超导带材 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3037514B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2000-04-24 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜超伝導体及びその製造方法 |
| US5432151A (en) | 1993-07-12 | 1995-07-11 | Regents Of The University Of California | Process for ion-assisted laser deposition of biaxially textured layer on substrate |
| JP3623001B2 (ja) | 1994-02-25 | 2005-02-23 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶性薄膜の形成方法 |
| JPH0974232A (ja) | 1995-09-04 | 1997-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジョセフソン接合素子 |
| WO1998017846A1 (fr) | 1996-10-23 | 1998-04-30 | Fujikura, Ltd. | Procede pour preparer une couche mince polycristalline, procede pour preparer un supraconducteur de type oxyde, et dispositif associe |
| DE59709577D1 (de) * | 1996-12-06 | 2003-04-24 | Theva Duennschichttechnik Gmbh | Schichtmaterial sowie vorrichtung und verfahren zum herstellen von schichtmaterial |
| US5964966A (en) | 1997-09-19 | 1999-10-12 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Method of forming biaxially textured alloy substrates and devices thereon |
| JP4433589B2 (ja) | 2000-08-29 | 2010-03-17 | 住友電気工業株式会社 | 高温超電導厚膜部材およびその製造方法 |
| EP1422313A1 (de) | 2002-11-05 | 2004-05-26 | Theva Dünnschichttechnik GmbH | Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials im Vakuum mit kontinuierlicher Materialnachführung |
| JP4984466B2 (ja) * | 2005-09-21 | 2012-07-25 | 住友電気工業株式会社 | 超電導テープ線材の製造方法 |
| JP2007220467A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜材料の製造方法、超電導機器、および超電導薄膜材料 |
| US7879763B2 (en) * | 2006-11-10 | 2011-02-01 | Superpower, Inc. | Superconducting article and method of making |
| JP2008251564A (ja) | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Kyushu Univ | 高温超伝導電流リードと臨界電流密度増加方法 |
| JP5100276B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2012-12-19 | 株式会社東芝 | 超伝導部材 |
-
2010
- 2010-07-29 DE DE102010038656A patent/DE102010038656A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-06-15 WO PCT/EP2011/059956 patent/WO2012013415A1/de active Application Filing
- 2011-06-15 RU RU2013106223/28A patent/RU2548946C2/ru active
- 2011-06-15 JP JP2013521029A patent/JP5820880B2/ja active Active
- 2011-06-15 US US13/812,940 patent/US8983563B2/en active Active
- 2011-06-15 KR KR1020137004063A patent/KR101837789B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-15 EP EP11729277.1A patent/EP2599135B1/de active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101837789B1 (ko) | 2018-03-12 |
| RU2548946C2 (ru) | 2015-04-20 |
| EP2599135B1 (de) | 2014-09-10 |
| WO2012013415A1 (de) | 2012-02-02 |
| KR20130097159A (ko) | 2013-09-02 |
| EP2599135A1 (de) | 2013-06-05 |
| CN103069596A (zh) | 2013-04-24 |
| DE102010038656A1 (de) | 2012-02-02 |
| US20130210635A1 (en) | 2013-08-15 |
| JP5820880B2 (ja) | 2015-11-24 |
| JP2013535778A (ja) | 2013-09-12 |
| US8983563B2 (en) | 2015-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013106223A (ru) | Высокотемпературный сверхпроводящий ленточный провод, имеющий высокую допустимую токовую нагрузку | |
| Li et al. | Defect-reduced green GaInN/GaN light-emitting diode on nanopatterned sapphire | |
| JP2013021296A5 (ru) | ||
| US10381590B2 (en) | Electrode laminate and organic light emitting device element | |
| WO2008100281A3 (en) | High temperature superconductors having planar magnetic flux pinning centers and methods for making the same | |
| JP2011029667A5 (ru) | ||
| EP2713403A3 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
| JP2012156508A5 (ru) | ||
| Yu et al. | A 10× 10 deep ultraviolet light-emitting micro-LED array | |
| WO2012039800A3 (en) | Surface passivation by quantum exclusion using multiple layers | |
| JP5622778B2 (ja) | 酸化物超電導体、及び、配向酸化物薄膜 | |
| EP2369697A3 (en) | Semiconductor laser element and method of manufacturing thereof | |
| JP2018523293A5 (ja) | 超伝導故障電流限流器システムおよび超伝導テープを接続するための接続システム | |
| JP6507173B2 (ja) | 集積超伝導体デバイス及びその製造方法 | |
| CN208862012U (zh) | 一种多量子阱结构及其发光二极管 | |
| JP2011146636A5 (ru) | ||
| TWI344707B (en) | Semiconductor light-emitting device with high light extraction efficiency | |
| JPWO2014010286A1 (ja) | 熱電変換素子及びその製造方法 | |
| SG195218A1 (en) | Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film | |
| TW201228023A (en) | LED and making method thereof | |
| JP6136073B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜とその製造方法、および酸化物超電導薄膜線材 | |
| Zhao et al. | Enhanced light extraction of GaN-based light-emitting diodes with periodic textured SiO2 on Al-doped ZnO transparent conductive layer | |
| US20150349159A1 (en) | Bendable solar cell capable of optimizing thickness and conversion efficiency | |
| KR101234870B1 (ko) | 반도체-초전도체 전이 트랜지스터 | |
| JP5474339B2 (ja) | 超電導線材の前駆体の製造方法、超電導線材の製造方法 |