RU2013104889A - Способ и устройство для получения кромки полупроводниковых устройств - Google Patents
Способ и устройство для получения кромки полупроводниковых устройств Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013104889A RU2013104889A RU2013104889/28A RU2013104889A RU2013104889A RU 2013104889 A RU2013104889 A RU 2013104889A RU 2013104889/28 A RU2013104889/28 A RU 2013104889/28A RU 2013104889 A RU2013104889 A RU 2013104889A RU 2013104889 A RU2013104889 A RU 2013104889A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- etchant
- etching
- edge
- subjected
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0661—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
1. Способ получения кромки полупроводникового устройства, включающий следующие этапы:- подготовку полупроводниковой подложки (100), причем полупроводниковая подложка (100) имеет:- по меньшей мере две основные поверхности (102, 112), каждая из которых имеет край (104, 114) и- по меньшей мере одну краевую область (106, 116, 126), которая примыкает по меньшей мере к одному из краев (104, 114),- нанесение химического травителя при одновременном вращении полупроводниковой подложки (100) направленно по меньшей мере на одну краевую область (106, 116, 126) полупроводниковой подложки (100) так, что травление ограничено краевой областью (106, 116, 126).2. Способ по п. 1, при котором нанесение химического травителя контролируют путем направленной установки и контроля параметров травления, выбранных из группы, включающей место нанесения, направление нанесения, количество, давление, температуру наносимого травителя и скорость вращения полупроводниковой подложки (100).3. Способ по п. 1 или 2, при котором травитель наносят таким образом, что травление по меньшей мере в одном направлении краевой области (106, 116, 126) является неоднородным.4. Способ по п. 1 или 2, при котором травитель наносят одновременно на две краевые области (106, 116, 126).5. Способ по п. 3, при котором травитель наносят одновременно на две краевые области (106, 116, 126).6. Способ по одному из пп. 1, 2 или 5, при котором травитель наносят таким образом, что прилегающие к краевым областям (106, 116, 126) области полупроводниковой подложки (100), не подвергаемые травлению, не защищают маской.7. Способ по п. 3, при котором травитель наносят таким образом, что прилегающие к краевым областям (106, 116, 126) области полупроводниковой подложки (100), не по
Claims (14)
1. Способ получения кромки полупроводникового устройства, включающий следующие этапы:
- подготовку полупроводниковой подложки (100), причем полупроводниковая подложка (100) имеет:
- по меньшей мере две основные поверхности (102, 112), каждая из которых имеет край (104, 114) и
- по меньшей мере одну краевую область (106, 116, 126), которая примыкает по меньшей мере к одному из краев (104, 114),
- нанесение химического травителя при одновременном вращении полупроводниковой подложки (100) направленно по меньшей мере на одну краевую область (106, 116, 126) полупроводниковой подложки (100) так, что травление ограничено краевой областью (106, 116, 126).
2. Способ по п. 1, при котором нанесение химического травителя контролируют путем направленной установки и контроля параметров травления, выбранных из группы, включающей место нанесения, направление нанесения, количество, давление, температуру наносимого травителя и скорость вращения полупроводниковой подложки (100).
3. Способ по п. 1 или 2, при котором травитель наносят таким образом, что травление по меньшей мере в одном направлении краевой области (106, 116, 126) является неоднородным.
4. Способ по п. 1 или 2, при котором травитель наносят одновременно на две краевые области (106, 116, 126).
5. Способ по п. 3, при котором травитель наносят одновременно на две краевые области (106, 116, 126).
6. Способ по одному из пп. 1, 2 или 5, при котором травитель наносят таким образом, что прилегающие к краевым областям (106, 116, 126) области полупроводниковой подложки (100), не подвергаемые травлению, не защищают маской.
7. Способ по п. 3, при котором травитель наносят таким образом, что прилегающие к краевым областям (106, 116, 126) области полупроводниковой подложки (100), не подвергаемые травлению, не защищают маской.
8. Способ по п. 4, при котором травитель наносят таким образом, что прилегающие к краевым областям (106, 116, 126) области полупроводниковой подложки (100), не подвергаемые травлению, не защищают маской.
9. Способ по одному из пп. 1, 2, 5, 7 или 8, при котором полупроводниковую подложку (100) закрепляют во время нанесения травителя в зажимном средстве (205, 206) посредством зажимающего усилия, и по меньшей мере, части области полупроводниковой подложки (100), не подвергаемые травлению, промывают водой.
10. Способ по п. 3, при котором полупроводниковую подложку (100) закрепляют во время нанесения травителя в зажимном средстве (205, 206) посредством зажимающего усилия, и по меньшей мере, части области полупроводниковой подложки (100), не подвергаемые травлению, промывают водой.
11. Способ по п. 4, при котором полупроводниковую подложку (100) закрепляют во время нанесения травителя в зажимном средстве (205, 206) посредством зажимающего усилия, и по меньшей мере, части области полупроводниковой подложки (100), не подвергаемые травлению, промывают водой.
12. Способ по п. 6, при котором полупроводниковую подложку (100) закрепляют во время нанесения травителя в зажимном средстве (205, 206) посредством зажимающего усилия, и по меньшей мере, части области полупроводниковой подложки (100), не подвергаемые травлению, промывают водой.
13. Устройство для осуществления способа по одному из пп. 1-12, содержащее:
- по меньшей мере одно вращающееся зажимное средство (205, 206) для размещения полупроводниковой подложки (100),
- по меньшей мере одно подвижное струйное устройство (210) для нанесения химического травителя и
- средство управления для направленного регулирования и контроля параметров травления, выбранных из группы, включающей место обработки, направление подачи, количество, давление, температуру наносимого травителя и скорость вращения полупроводниковой подложки (100).
14. Применение устройства по п. 13 для устранения дефектов в приповерхностных слоях полупроводникового устройства.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102010017751.2 | 2010-07-06 | ||
| DE102010017751A DE102010017751A1 (de) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Randstruktur eines Halbleiterbauelements |
| PCT/EP2011/060697 WO2012004147A1 (de) | 2010-07-06 | 2011-06-27 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer randstruktur eines halbleiterbauelements |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013104889A true RU2013104889A (ru) | 2014-09-27 |
| RU2530454C1 RU2530454C1 (ru) | 2014-10-10 |
Family
ID=44280735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013104889/28A RU2530454C1 (ru) | 2010-07-06 | 2011-06-27 | Способ и устройство для получения кромки полупроводниковых устройств |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2591495B1 (ru) |
| DE (1) | DE102010017751A1 (ru) |
| LT (1) | LT2591495T (ru) |
| RU (1) | RU2530454C1 (ru) |
| WO (1) | WO2012004147A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011087473A1 (de) | 2011-11-30 | 2013-06-06 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Dotierung eines Halbleiterkörpers und Halbleiterbauelement |
| DE102021116206B3 (de) | 2021-06-23 | 2022-09-29 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Randstruktur eines Halbleiterbauelements |
| CN114695210B (zh) * | 2022-06-02 | 2022-09-09 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1208413B (de) * | 1959-11-21 | 1966-01-05 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von flaechenhaften pn-UEbergaengen an Halbleiterbauelementen |
| JPS6445168A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Toyoda Automatic Loom Works | Manufacture of high breakdown voltage semiconductor element |
| JP2719855B2 (ja) * | 1991-05-24 | 1998-02-25 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ外周の鏡面面取り装置 |
| DE19854743A1 (de) * | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe |
| US6516815B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| RU2163408C1 (ru) * | 2000-02-08 | 2001-02-20 | Воронежская государственная технологическая академия | Устройство для снятия фаски при финишной обработке полупроводниковых пластин |
| JP4179592B2 (ja) * | 2002-08-21 | 2008-11-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
| DE10302611B4 (de) * | 2003-01-23 | 2011-07-07 | Siltronic AG, 81737 | Polierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu deren Herstellung und Anordnung bestehend aus einer Halbleiterscheibe und einem Schild |
| DE102004045768B4 (de) | 2004-09-21 | 2007-01-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Randabschlusses eines Halbleiterbauelements |
| KR100618868B1 (ko) * | 2004-10-19 | 2006-08-31 | 삼성전자주식회사 | 스핀 장치 |
| JP4601452B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2010-12-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| DE102005028166A1 (de) * | 2005-06-17 | 2005-11-24 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Halbleiterscheibe mit einem Ätzmedium |
| US7972969B2 (en) * | 2008-03-06 | 2011-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for thinning a substrate |
| JP5012632B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2012-08-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-07-06 DE DE102010017751A patent/DE102010017751A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-06-27 RU RU2013104889/28A patent/RU2530454C1/ru active
- 2011-06-27 WO PCT/EP2011/060697 patent/WO2012004147A1/de active Application Filing
- 2011-06-27 EP EP11727469.6A patent/EP2591495B1/de active Active
- 2011-06-27 LT LTEP11727469.6T patent/LT2591495T/lt unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2591495A1 (de) | 2013-05-15 |
| WO2012004147A1 (de) | 2012-01-12 |
| DE102010017751A1 (de) | 2012-01-12 |
| EP2591495B1 (de) | 2019-04-17 |
| LT2591495T (lt) | 2019-06-25 |
| RU2530454C1 (ru) | 2014-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2015021132A5 (ja) | 有機膜研磨に用いられるｃｍｐ用スラリー組成物を利用してｃｍｐ工程を行う方法及びこれを利用する半導体装置の製造方法 | |
| US20150357241A1 (en) | Method of reducing residual contamination in singulated semiconductor die | |
| WO2012166770A3 (en) | Heated wafer carrier profiling | |
| JP2014523110A5 (ru) | ||
| WO2012173759A3 (en) | In-situ deposited mask layer for device singulation by laser scribing and plasma etch | |
| MY174538A (en) | Wafer processing method | |
| JP2014208883A5 (ru) | ||
| MY177495A (en) | Wafer thinning method | |
| WO2016138218A8 (en) | Methods and apparatus for using alkyl amines for the selective removal of metal nitride | |
| TW200737345A (en) | Method and system for selectively etching a dielectric material relative to silicon | |
| KR102210294B1 (ko) | 칩 정렬 방법 | |
| KR20120117682A (ko) | 에칭 방법, 에칭 장치 및 기억 매체 | |
| CN105336561A (zh) | 等离子体刻蚀装置 | |
| WO2017151254A3 (en) | Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process | |
| JP2014523117A5 (ru) | ||
| JP2018166142A5 (ru) | ||
| RU2013104889A (ru) | Способ и устройство для получения кромки полупроводниковых устройств | |
| JP2015095509A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| KR20120007524A (ko) | 반도체의 준비를 위한 그라인딩 공정 이전의 다이싱 | |
| CN106340490A (zh) | 晶片的加工方法 | |
| NO341687B1 (no) | Passiveringssabel på en solcelle av krystallinsk silisium | |
| EP3389082B1 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| WO2017048259A8 (en) | Methods for doping a sub-fin region of a semiconductor fin structure and devices containing the same | |
| US20150147852A1 (en) | Vacuum carrier module, method of using and process of making the same | |
| SG153733A1 (en) | Thin film etching method and semiconductor device fabrication using same |