RU2012156867A - Структура умножения электронов для использования в вакуумной трубке, использующей умножение электронов, и вакуумная трубка, использующая умножение электронов, снабженная такой структурой умножения электронов - Google Patents

Структура умножения электронов для использования в вакуумной трубке, использующей умножение электронов, и вакуумная трубка, использующая умножение электронов, снабженная такой структурой умножения электронов Download PDF

Info

Publication number
RU2012156867A
RU2012156867A RU2012156867/07A RU2012156867A RU2012156867A RU 2012156867 A RU2012156867 A RU 2012156867A RU 2012156867/07 A RU2012156867/07 A RU 2012156867/07A RU 2012156867 A RU2012156867 A RU 2012156867A RU 2012156867 A RU2012156867 A RU 2012156867A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electron multiplication
layer
multiplication structure
semiconductor material
structure according
Prior art date
Application number
RU2012156867/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2576326C2 (ru
Inventor
Герг НЮТЗЕЛ
Паскаль ЛАВУТ
Ричард ДЖЕКМЭН
Original Assignee
Фотонис Франс Сас
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фотонис Франс Сас filed Critical Фотонис Франс Сас
Publication of RU2012156867A publication Critical patent/RU2012156867A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2576326C2 publication Critical patent/RU2576326C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04—Electron multipliers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/32—Secondary-electron-emitting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
    • H01J31/48—Tubes with amplification of output effected by electron multiplier arrangements within the vacuum space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
    • H01J31/506—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output tubes using secondary emission effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04—Electron multipliers
    • H01J43/06—Electrode arrangements
    • H01J43/16—Electrode arrangements using essentially one dynode

Landscapes

  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

1. Структура (70) умножения электронов в вакуумной трубке, использующей умножение электронов, причем структура (70) умножения электронов включает в себя входную поверхность, которая должна быть направлена в сторону входного окна вакуумной трубки, выходную поверхность, которая должна быть направлена в сторону регистрирующей поверхности вакуумной трубки, причем структура умножения электронов, по меньшей мере, составлена из слоя полупроводникового материала, отличающаяся тем, что слой полупроводникового материала расположен вблизи с регистрационной поверхностью вакуумной трубки.2. Структура умножения электронов по п.1, в которой слой полупроводникового материала имеет ширину запрещенной энергетической зоны, равную 2 эВ.3. Структура умножения электронов по п.1 или 2, в которой указанный слой полупроводникового материала включает в себя, по меньшей мере, одно вещество, взятое из групп III-V или группы II-VI Периодической таблицы химических элементов.4. Структура умножения электронов по п.1 или 2, в которой указанный слой полупроводникового материала включает в себя что-либо из группы, состоящей из слоя материала, подобного алмазу, монокристаллической алмазной пленки, поликристаллической алмазной пленки и нанокристаллической алмазной пленки.5. Структура умножения электронов по п.4, в которой слой материала, подобного алмазу, наносится в виде покрытия из наночастиц алмаза, подобного алмазу углерода или графена.6. Структура умножения электронов по п.1, в которой структура умножения электронов включает в себя электролюминесцентный материал, причем на этом электролюминесцентном материале расположен слой полупроводниково

Claims (20)

1. Структура (70) умножения электронов в вакуумной трубке, использующей умножение электронов, причем структура (70) умножения электронов включает в себя входную поверхность, которая должна быть направлена в сторону входного окна вакуумной трубки, выходную поверхность, которая должна быть направлена в сторону регистрирующей поверхности вакуумной трубки, причем структура умножения электронов, по меньшей мере, составлена из слоя полупроводникового материала, отличающаяся тем, что слой полупроводникового материала расположен вблизи с регистрационной поверхностью вакуумной трубки.
2. Структура умножения электронов по п.1, в которой слой полупроводникового материала имеет ширину запрещенной энергетической зоны, равную 2 эВ.
3. Структура умножения электронов по п.1 или 2, в которой указанный слой полупроводникового материала включает в себя, по меньшей мере, одно вещество, взятое из групп III-V или группы II-VI Периодической таблицы химических элементов.
4. Структура умножения электронов по п.1 или 2, в которой указанный слой полупроводникового материала включает в себя что-либо из группы, состоящей из слоя материала, подобного алмазу, монокристаллической алмазной пленки, поликристаллической алмазной пленки и нанокристаллической алмазной пленки.
5. Структура умножения электронов по п.4, в которой слой материала, подобного алмазу, наносится в виде покрытия из наночастиц алмаза, подобного алмазу углерода или графена.
6. Структура умножения электронов по п.1, в которой структура умножения электронов включает в себя электролюминесцентный материал, причем на этом электролюминесцентном материале расположен слой полупроводникового материала.
7. Структура умножения электронов по п.6, в которой электролюминесцентная структура является органическим светоизлучающим слоем.
8. Структура умножения электронов по п.6 или 7, в которой структура умножения электронов включает в себя анодный слой, причем на этом анодном слое расположен органический светоизлучающий слой.
9. Структура умножения электронов по п.8, в которой анодный слой сконструирован в виде слоя оксида индия и олова.
10. Структура умножения электронов по любому из пп.1, 2, 5, 6, 7, 9, в которой структура умножения электронов включает в себя средства генерации электрического поля для генерации электрического поля поперек слоя полупроводникового материала.
11. Структура умножения электронов по 8, в которой структура умножения электронов включает в себя средства генерации электрического поля для генерации электрического поля поперек слоя полупроводникового материала.
12. Структура умножения электронов по любому из пп.1, 2, 5, 6, 7, 9, в которой структура умножения электронов включает в себя средства генерации электрического поля для генерации электрического поля поперек как слоя полупроводникового материала, так и регистрирующей поверхности.
13. Структура умножения электронов по п.8, в которой структура умножения электронов включает в себя средства генерации электрического поля для генерации электрического поля поперек как слоя полупроводникового материала, так и регистрирующей поверхности.
14. Структура умножения электронов по п.11 или 13, в которой слой полупроводникового материала обеспечен рисунком электродов, расположенных на входной поверхности структуры умножения электронов.
15. Структура умножения электронов по п.12, в которой слой полупроводникового материала обеспечен рисунком электродов, расположенных на входной поверхности структуры умножения электронов.
16. Структура умножения электронов по любому из пп.11, 13, 15, в которой между слоем полупроводникового материала и органическим светоизлучающим слоем расположена металлическая пиксельная структура.
17. Структура умножения электронов по п.12, в которой между слоем полупроводникового материала и органическим светоизлучающим слоем расположена металлическая пиксельная структура.
18. Структура умножения электронов по п.14, в которой между слоем полупроводникового материала и органическим светоизлучающим слоем расположена металлическая пиксельная структура.
19. Структура умножения электронов по п.16, в которой зазоры между пикселями металлической пиксельной структуры заполнены заполняющим материалом, имеющим непрозрачные световые характеристики.
20. Вакуумная трубка для использования в качестве электронного умножителя, по меньшей мере, имеющая структуру умножения электронов в соответствии с любым из предыдущих пунктов.
RU2012156867/07A 2010-05-28 2011-05-27 Структура умножения электронов для использования в вакуумной трубке, использующей умножение электронов, и вакуумная трубка, использующая умножение электронов, снабженная такой структурой умножения электронов RU2576326C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US34967610P 2010-05-28 2010-05-28
US61/349,676 2010-05-28
NL1037989 2010-05-28
NL1037989A NL1037989C2 (en) 2010-05-28 2010-05-28 An electron multiplying structure for use in a vacuum tube using electron multiplying as well as a vacuum tube using electron multiplying provided with such an electron multiplying structure.
PCT/NL2011/050372 WO2011149351A1 (en) 2010-05-28 2011-05-27 An electron multiplying structure for use in a vacuum tube using electron multiplying as well as a vacuum tube using electron multiplying provided with such an electron multiplying structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012156867A true RU2012156867A (ru) 2014-07-10
RU2576326C2 RU2576326C2 (ru) 2016-02-27

Family

ID=43065701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012156867/07A RU2576326C2 (ru) 2010-05-28 2011-05-27 Структура умножения электронов для использования в вакуумной трубке, использующей умножение электронов, и вакуумная трубка, использующая умножение электронов, снабженная такой структурой умножения электронов

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9184033B2 (ru)
EP (1) EP2577704B1 (ru)
JP (2) JP2013530499A (ru)
CN (1) CN103026449B (ru)
IL (1) IL223312A (ru)
NL (1) NL1037989C2 (ru)
RU (1) RU2576326C2 (ru)
WO (1) WO2011149351A1 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013088352A2 (en) * 2011-12-13 2013-06-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector
CN104465295B (zh) * 2014-10-27 2018-02-27 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种带离子阻挡功能的新型微通道板电极及其制作方法
KR102266615B1 (ko) 2014-11-17 2021-06-21 삼성전자주식회사 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10886095B2 (en) 2016-01-08 2021-01-05 Photonis Netherlands B.V. Image intensifier for night vision device
EP3758041A1 (en) * 2019-06-26 2020-12-30 Hamamatsu Photonics K.K. Electron tube and imaging device
RU2738767C1 (ru) * 2020-07-06 2020-12-16 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Вакуумный эмиссионный приемник изображений ультрафиолетового диапазона
CN114157279B (zh) * 2021-11-19 2022-06-28 北京是卓科技有限公司 一种门控pmt电路及其控制方法和光电探测器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4628273A (en) * 1983-12-12 1986-12-09 International Telephone And Telegraph Corporation Optical amplifier
JP3441101B2 (ja) * 1993-02-12 2003-08-25 浜松ホトニクス株式会社 電子管
US6045677A (en) * 1996-02-28 2000-04-04 Nanosciences Corporation Microporous microchannel plates and method of manufacturing same
JP3598184B2 (ja) * 1996-11-07 2004-12-08 浜松ホトニクス株式会社 透過型２次電子面及び電子管
JP4031557B2 (ja) * 1997-07-23 2008-01-09 浜松ホトニクス株式会社 電子管
JP3524459B2 (ja) * 1999-03-04 2004-05-10 キヤノン株式会社 画像形成装置、フェースプレートの製造方法及び画像形成装置の製造方法
US7102284B2 (en) * 2001-02-23 2006-09-05 Hamamatsu Photonics K.K. Photomultiplier
JP2002343278A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 表示装置及び表示装置製造方法
JP2003263952A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Hamamatsu Photonics Kk 透過型２次電子面及び電子管
US6836059B2 (en) * 2003-03-25 2004-12-28 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Image intensifier and electron multiplier therefor
JP4993541B2 (ja) 2005-02-28 2012-08-08 株式会社日本総合研究所 引き落とし処理システム、引き落とし処理方法および引き落とし処理プログラム
TWI296416B (en) * 2006-01-17 2008-05-01 Itc Inc Ltd Field emission organic light emitting diode
JP5102580B2 (ja) 2007-10-18 2012-12-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置

Also Published As

Publication number Publication date
IL223312A (en) 2017-03-30
IL223312A0 (en) 2013-02-03
US9184033B2 (en) 2015-11-10
JP2017076620A (ja) 2017-04-20
JP2013530499A (ja) 2013-07-25
US20130134864A1 (en) 2013-05-30
EP2577704B1 (en) 2015-10-21
WO2011149351A1 (en) 2011-12-01
EP2577704A1 (en) 2013-04-10
CN103026449A (zh) 2013-04-03
CN103026449B (zh) 2016-07-20
JP6532852B2 (ja) 2019-06-19
NL1037989C2 (en) 2011-11-29
RU2576326C2 (ru) 2016-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012156867A (ru) Структура умножения электронов для использования в вакуумной трубке, использующей умножение электронов, и вакуумная трубка, использующая умножение электронов, снабженная такой структурой умножения электронов
Wang et al. Light induced double ‘on’state anti-ambipolar behavior and self-driven photoswitching in p-WSe2/n-SnS2 heterostructures
Li et al. 18.5% efficient graphene/GaAs van der Waals heterostructure solar cell
Ahn et al. Transition metal dichalcogenide heterojunction PN diode toward ultimate photovoltaic benefits
WO2009132165A3 (en) Microfabrication of carbon-based devices such as gate-controlled graphene devices
MY149756A (en) Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials
Liu et al. Suppression of photo-bias induced instability for amorphous indium tungsten oxide thin film transistors with bi-layer structure
Omata et al. Ultraviolet electroluminescence from colloidal ZnO quantum dots in an all-inorganic multilayer light-emitting device
Chandiramouli et al. Investigation on band structure and electronic transport properties of indium nitride nanoribbon–A first-principles study
Kwon et al. Phosphorus-doped zinc oxide p–n homojunction thin film for flexible piezoelectric nanogenerators
Zulkifli et al. Fabrication of graphene and ZnO nanocones hybrid structure for transparent field emission device
Lei et al. Comparative studies on damages to organic layer during the deposition of ITO films by various sputtering methods
Sinha et al. Enhanced interlayer coupling and efficient photodetection response of in-situ grown MoS2–WS2 van der Waals heterostructures
Kang et al. Ultraviolet emission from a multi-layer graphene/MgZnO/ZnO light-emitting diode
Wu et al. Modification of CuPc/graphene interfacial electronic structure with F16CuPc
Shen et al. Research on Cs activation mechanism for Ga0. 5Al0. 5As (0 0 1) and GaN (0 0 0 1) surface
Hwang et al. Carrier transport mechanism on ZnO nanorods/p-Si heterojunction diodes with various atmospheres annealing hydrothermal seed-layer
Ryu et al. Effect of characteristic properties of graphene oxide on reduced graphene oxide/Si schottky diodes performance
Park et al. Effect of Al2O3 passivation layer on the stability of aluminum-indium-zinc oxide thin film transistors
KR20150047840A (ko) 일함수 조절막을 구비한 전극 소자
JP6719563B2 (ja) Ｏｌｅｄ表示パネル及び表示装置
Tian et al. Electrically pumped simultaneous ultraviolet and visible random laser actions from ZnO-CdO interdiffused film
Paletti et al. Can graphene outperform indium tin oxide as transparent electrode in organic solar cells?
Kwang Cho et al. Electrical, electronic and optical characterization of multilayer graphene films for transparent electrodes
KR20110001854A (ko) 탄소기반 나노소재 투명전극의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180528