RU2012150431A - Усовершенствование фотоэлектрических элементов с переходом шоттки посредством электронного управления - Google Patents
Усовершенствование фотоэлектрических элементов с переходом шоттки посредством электронного управления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012150431A RU2012150431A RU2012150431/28A RU2012150431A RU2012150431A RU 2012150431 A RU2012150431 A RU 2012150431A RU 2012150431/28 A RU2012150431/28 A RU 2012150431/28A RU 2012150431 A RU2012150431 A RU 2012150431A RU 2012150431 A RU2012150431 A RU 2012150431A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- photovoltaic cell
- mesh
- semiconductor
- cell according
- Prior art date
Links
- 230000007704 transition Effects 0.000 title claims abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 19
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract 11
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/07—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the Schottky type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
1. Фотоэлектрический элемент, содержащий:сетчатый слой, сформированный на полупроводниковом слое, при этом сетчатый слой содержит электропроводящую, прозрачную пористую сетку нанотрубок; и ионный слой, сформированный на сетчатом слое, при этом ионный слой просачивается через пористую сетку нанотрубок и непосредственно контактирует с полупроводниковым слоем.2. Фотоэлектрический элемент, содержащий:первый сетчатый слой, сформированный на полупроводниковом слое, при этом первый сетчатый слой содержит пористую сетку из нанотрубок;первый слой металлизации, соединенный с первым сетчатым слоем;второй электропроводящий электрод с большой площадью поверхности, соединенный с первым слоем металлизации с помощью источника управляющего напряжения; иионный слой, электрически связанный с первым сетчатым слоем и вторым электропроводящим электродом с большой площадью поверхности.3. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором внутренняя разность потенциалов перехода между первым сетчатым слоем и полупроводниковым слоем чувствительна к напряжению, прикладываемому источником управляющего напряжения.4. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором диполь на границе раздела перехода между первым сетчатым слоем и полупроводниковым слоем чувствителен к напряжению, прикладываемому источником управляющего напряжения.5. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором источник управляющего напряжения содержит несколько фотоэлектрических элементов.6. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором первый слой металлизации образует первый электрод, а второй электропроводящий электрод с большой площадью поверхности образует второ
Claims (20)
1. Фотоэлектрический элемент, содержащий:
сетчатый слой, сформированный на полупроводниковом слое, при этом сетчатый слой содержит электропроводящую, прозрачную пористую сетку нанотрубок; и ионный слой, сформированный на сетчатом слое, при этом ионный слой просачивается через пористую сетку нанотрубок и непосредственно контактирует с полупроводниковым слоем.
2. Фотоэлектрический элемент, содержащий:
первый сетчатый слой, сформированный на полупроводниковом слое, при этом первый сетчатый слой содержит пористую сетку из нанотрубок;
первый слой металлизации, соединенный с первым сетчатым слоем;
второй электропроводящий электрод с большой площадью поверхности, соединенный с первым слоем металлизации с помощью источника управляющего напряжения; и
ионный слой, электрически связанный с первым сетчатым слоем и вторым электропроводящим электродом с большой площадью поверхности.
3. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором внутренняя разность потенциалов перехода между первым сетчатым слоем и полупроводниковым слоем чувствительна к напряжению, прикладываемому источником управляющего напряжения.
4. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором диполь на границе раздела перехода между первым сетчатым слоем и полупроводниковым слоем чувствителен к напряжению, прикладываемому источником управляющего напряжения.
5. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором источник управляющего напряжения содержит несколько фотоэлектрических элементов.
6. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором первый слой металлизации образует первый электрод, а второй электропроводящий электрод с большой площадью поверхности образует второй электрод.
7. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором первый слой металлизации изолирован от полупроводникового слоя изолирующим слоем.
8. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором первый слой металлизации непосредственно контактирует с полупроводниковым слоем.
9. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором первый сетчатый слой содержит графеновый слой.
10. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором первый сетчатый слой содержит полупроводниковые нанопровода.
11. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором первый сетчатый слой содержит металлические нанопровода.
12. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором поверхность полупроводника модифицирована таким образом, чтобы изменилась плотность поверхностных состояний, что позволяет дополнительно улучшить эффективность посредством прикладываемого управляющего напряжения.
13. Фотоэлектрический элемент по п.2, характеризующийся тем, что последовательно соединенное сопротивление фотоэлектрического элемента чувствительно к напряжению, прикладываемому посредством источника управляющего напряжения.
14. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором первый сетчатый слой содержит металлическую решетку.
15. Фотоэлектрический элемент по п.2, в котором первый сетчатый слой содержит полупроводниковую решетку.
16. Фотоэлектрический элемент, содержащий:
решетчатый слой, сформированный на полупроводниковом слое;
первый слой металлизации, соединенный с решетчатым слоем; и
ионный слой, электрически связанный с решетчатым слоем и полупроводниковым слоем.
17. Фотоэлектрический элемент по п.16, в котором решетчатый слой содержит электропроводящую решетку нанотрубок.
18. Фотоэлектрический элемент по п.16, в котором решетчатый слой содержит электропроводящую металлическую решетку.
19. Фотоэлектрический элемент по п.16, дополнительно содержащий изолирующий слой, расположенный между полупроводниковым слоем и первым слоем металлизации.
20. Фотоэлектрический элемент по п.19, дополнительно содержащий:
сетчатый слой, сформированный на полупроводниковом слое, при этом сетчатый слой электрически изолирован от решетчатого слоя; и
второй слой металлизации, соединенный с сетчатым слоем.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US32841710P | 2010-04-27 | 2010-04-27 | |
| US61/328,417 | 2010-04-27 | ||
| PCT/US2011/034107 WO2011139754A2 (en) | 2010-04-27 | 2011-04-27 | Electronic gate enhancement of schottky junction solar cells |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012150431A true RU2012150431A (ru) | 2014-06-10 |
Family
ID=44904353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012150431/28A RU2012150431A (ru) | 2010-04-27 | 2011-04-27 | Усовершенствование фотоэлектрических элементов с переходом шоттки посредством электронного управления |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9331217B2 (ru) |
| EP (1) | EP2564432A2 (ru) |
| JP (1) | JP2013528903A (ru) |
| KR (1) | KR20130086930A (ru) |
| CN (1) | CN102870233A (ru) |
| AU (1) | AU2011248568A1 (ru) |
| BR (1) | BR112012027754A2 (ru) |
| CA (1) | CA2797615A1 (ru) |
| RU (1) | RU2012150431A (ru) |
| SG (1) | SG184829A1 (ru) |
| WO (1) | WO2011139754A2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2576353C1 (ru) * | 2014-11-05 | 2016-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук | Чувствительный элемент оптического датчика |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9116537B2 (en) * | 2010-05-21 | 2015-08-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Thermophotovoltaic energy generation |
| WO2012012450A1 (en) | 2010-07-19 | 2012-01-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Discriminating electromagnetic radiation based on angle of incidence |
| US9024367B2 (en) * | 2012-02-24 | 2015-05-05 | The Regents Of The University Of California | Field-effect P-N junction |
| KR101920724B1 (ko) * | 2012-12-11 | 2018-11-21 | 삼성전자주식회사 | 그래핀을 포함하는 전자 소자 |
| CN105874610B (zh) * | 2013-11-04 | 2018-11-09 | 哥伦布光伏有限责任公司 | 光伏电池 |
| KR102243381B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2021-04-22 | 삼성전자주식회사 | 안테나 장치 |
| KR101741077B1 (ko) * | 2015-05-15 | 2017-06-15 | 부경대학교 산학협력단 | 산화물 반도체 소자의 전기적 스위칭 방법 |
| KR101714184B1 (ko) | 2015-08-05 | 2017-03-08 | 현대자동차주식회사 | 연료전지 스택 활성화 공법 |
| CN106653892B (zh) * | 2015-11-03 | 2018-06-26 | 中国科学院物理研究所 | 一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法 |
| KR102546316B1 (ko) | 2016-08-09 | 2023-06-21 | 삼성전자주식회사 | 금속-반도체 접합을 가지는 반도체 소자 |
| WO2020188449A1 (en) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Kamereon, Inc. | Graphic appearance for solar modules |
| AU2020357567A1 (en) * | 2019-10-02 | 2022-04-14 | Columbus Photovoltaics LLC | Improvements in direct semiconductor solar devices |
| DE102022206729A1 (de) | 2022-06-30 | 2024-01-04 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | System und entsprechendes Herstellungsverfahren |
| CN116094461A (zh) * | 2022-12-13 | 2023-05-09 | 内蒙古工业大学 | 一种薄膜光伏组件的器件性能分析方法及系统 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4215185A (en) * | 1979-03-26 | 1980-07-29 | Rca Corporation | Liquid junction schottky barrier solar cell |
| US4388383A (en) * | 1981-05-14 | 1983-06-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Devices having chemically modified p-type InP surfaces |
| US4385971A (en) * | 1981-06-26 | 1983-05-31 | Rca Corporation | Electrolytic etch for eliminating shorts and shunts in large area amorphous silicon solar cells |
| US4806496A (en) * | 1986-01-29 | 1989-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Method for manufacturing photoelectric conversion devices |
| US5082505A (en) * | 1988-12-29 | 1992-01-21 | Cota Albert O | Self-sustaining power module |
| JP3099957B2 (ja) * | 1990-01-17 | 2000-10-16 | 株式会社リコー | 光導電部材 |
| CN1122520A (zh) | 1994-12-20 | 1996-05-15 | 解青华 | 高光电转换效率的金属-半导体复合膜 |
| US20060175601A1 (en) | 2000-08-22 | 2006-08-10 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
| US7019391B2 (en) * | 2004-04-06 | 2006-03-28 | Bao Tran | NANO IC packaging |
| KR101131834B1 (ko) | 2004-08-11 | 2012-03-30 | 다이솔 엘티디 | 광전기화학 광전지 패널 및 그의 제조 방법 |
| JP4779370B2 (ja) | 2005-01-28 | 2011-09-28 | 東洋製罐株式会社 | 太陽電池及びその製造法 |
| WO2006138671A2 (en) | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Illuminex Corporation | Photovoltaic wire |
| JP4755882B2 (ja) | 2005-10-24 | 2011-08-24 | ペクセル・テクノロジーズ株式会社 | 色素増感型太陽電池ブラインド |
| US7449668B2 (en) * | 2005-11-14 | 2008-11-11 | General Electric Company | Optically powered drive circuit and method for controlling a semiconductor switch |
| JP4523549B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2010-08-11 | シャープ株式会社 | 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池モジュール |
| US7235736B1 (en) * | 2006-03-18 | 2007-06-26 | Solyndra, Inc. | Monolithic integration of cylindrical solar cells |
| KR20080006735A (ko) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | 삼성전자주식회사 | 촉매 담지 탄소나노튜브를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 |
| US7964788B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8431818B2 (en) * | 2007-05-08 | 2013-04-30 | Vanguard Solar, Inc. | Solar cells and photodetectors with semiconducting nanostructures |
| US7999176B2 (en) * | 2007-05-08 | 2011-08-16 | Vanguard Solar, Inc. | Nanostructured solar cells |
| KR101429654B1 (ko) | 2007-07-25 | 2014-08-14 | 소켄 케미칼 앤드 엔지니어링 캄파니, 리미티드 | 색소 증감 태양전지 |
| EP2245673A4 (en) | 2008-02-03 | 2016-09-21 | Nliten Energy Corp | THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHODS OF MAKING SAME |
| EP2258007A2 (en) * | 2008-02-21 | 2010-12-08 | Konarka Technologies, Inc. | Tandem photovoltaic cells |
| RU77505U1 (ru) | 2008-05-15 | 2008-10-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ГОУВПО "ТУСУР") | Фотоэлектрический элемент |
| GB0809034D0 (en) | 2008-05-19 | 2008-06-25 | Univ Nottingham | Solar cells |
| US8269100B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-09-18 | Uchicago Argonne, Llc | Hybrid solar cells via UV-polymerization of polymer precursor |
| CN101694816B (zh) | 2009-10-16 | 2011-05-11 | 清华大学 | 一种异质结和光电化学混合太阳能电池 |
-
2011
- 2011-04-27 CN CN2011800184870A patent/CN102870233A/zh active Pending
- 2011-04-27 RU RU2012150431/28A patent/RU2012150431A/ru not_active Application Discontinuation
- 2011-04-27 KR KR1020127027287A patent/KR20130086930A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-04-27 SG SG2012075768A patent/SG184829A1/en unknown
- 2011-04-27 US US13/580,205 patent/US9331217B2/en active Active
- 2011-04-27 AU AU2011248568A patent/AU2011248568A1/en not_active Abandoned
- 2011-04-27 JP JP2013508201A patent/JP2013528903A/ja active Pending
- 2011-04-27 EP EP11777948A patent/EP2564432A2/en not_active Withdrawn
- 2011-04-27 CA CA2797615A patent/CA2797615A1/en not_active Abandoned
- 2011-04-27 BR BR112012027754A patent/BR112012027754A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2011-04-27 WO PCT/US2011/034107 patent/WO2011139754A2/en active Application Filing
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2576353C1 (ru) * | 2014-11-05 | 2016-02-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук | Чувствительный элемент оптического датчика |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2564432A2 (en) | 2013-03-06 |
| WO2011139754A2 (en) | 2011-11-10 |
| US9331217B2 (en) | 2016-05-03 |
| BR112012027754A2 (pt) | 2017-06-06 |
| JP2013528903A (ja) | 2013-07-11 |
| CA2797615A1 (en) | 2011-11-10 |
| US20120312371A1 (en) | 2012-12-13 |
| WO2011139754A3 (en) | 2012-02-02 |
| SG184829A1 (en) | 2012-11-29 |
| CN102870233A (zh) | 2013-01-09 |
| KR20130086930A (ko) | 2013-08-05 |
| AU2011248568A1 (en) | 2012-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012150431A (ru) | Усовершенствование фотоэлектрических элементов с переходом шоттки посредством электронного управления | |
| EA200870211A1 (ru) | Топливный элемент | |
| JP5646586B2 (ja) | 太陽電池 | |
| CN105720127A (zh) | 基于石墨烯/半导体异质结的多功能发电机及其制造方法 | |
| TW201431104A (zh) | 太陽能電池 | |
| CN103077977B (zh) | 太阳电池芯片及其制作方法 | |
| CN102903770A (zh) | 薄膜太阳能电池模块 | |
| KR101221501B1 (ko) | 나노와이어를 이용한 발전 장치 | |
| CN105990525B (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 | |
| CN108963003A (zh) | 太阳能电池 | |
| CN205016536U (zh) | 一种异质结太阳能电池 | |
| WO2011098069A3 (de) | Rückseitenkontaktierte solarzelle mit unstrukturierter absorberschicht | |
| CN202363427U (zh) | 一种用于背接触太阳能电池片的贯穿孔测试装置 | |
| CN202712204U (zh) | 太阳能电池组件 | |
| CN203277402U (zh) | 一种太阳能电池片受光面栅线 | |
| US11177398B2 (en) | Solar cell | |
| TW201327858A (zh) | 太陽能電池 | |
| CN105280744A (zh) | 一种高转化效率抗pid晶体硅太阳能电池及其制造方法 | |
| JP2014209844A (ja) | 発電装置及びそのような発電装置を備えた発電システム | |
| CN102664207A (zh) | 太阳能电池 | |
| CN209312779U (zh) | 一种串联太阳能电池 | |
| KR20140109634A (ko) | 태양 전지 측정 장치 | |
| CN206076244U (zh) | 新型弱光型非晶硅太阳能电池 | |
| CN112447866A (zh) | 一种异质结光伏电池表面电极结构 | |
| CN106158863A (zh) | 基于晶体管结构的存储器单元 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20160224 |