RU2012140492A - Способ и устройство для быстрого нагревания и охлаждения подложки и немедленного последующего нанесения на нее покрытия в вакууме - Google Patents

Способ и устройство для быстрого нагревания и охлаждения подложки и немедленного последующего нанесения на нее покрытия в вакууме Download PDF

Info

Publication number
RU2012140492A
RU2012140492A RU2012140492/02A RU2012140492A RU2012140492A RU 2012140492 A RU2012140492 A RU 2012140492A RU 2012140492/02 A RU2012140492/02 A RU 2012140492/02A RU 2012140492 A RU2012140492 A RU 2012140492A RU 2012140492 A RU2012140492 A RU 2012140492A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
substrate holder
holder
coating
heating
Prior art date
Application number
RU2012140492/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2550464C2 (ru
Inventor
Вольфрам МААСС
Бертольд ОККЕР
Юрген ЛАНГЕР
Хельмут ДЖОН
Original Assignee
Сингулус Текнолоджиз Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сингулус Текнолоджиз Аг filed Critical Сингулус Текнолоджиз Аг
Publication of RU2012140492A publication Critical patent/RU2012140492A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2550464C2 publication Critical patent/RU2550464C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

1. Способ нагрева подложки (20) и немедленного последующего нанесения покрытия на подложку в вакуумной камере, содержащий следующие этапы:(a) размещение подложки (20) на подложкодержателе (24) таким образом, чтобы нижняя поверхность (21а) подложки контактировала с подложкодержателем поверхность к поверхности,(b) подъем подложки (20) на расстояние d относительно подложкодержателя,(c) нагрев поднятой подложки через ее верхнюю поверхность (21b) с помощью нагревательного устройства (22),(d) немедленное последующее нанесение покрытия на горячую подложку и(e) опускание подложки на подложкодержатель (24) и охлаждение подложки.2. Способ по п.1, в котором на охлажденную подложку наносят покрытие.3. Способ по п.1, в котором нагревательным устройством (22) управляют с помощью температурного датчика (26, 28) для определения температуры подложки и с помощью регулятора температуры для установки заданной температуры.4. Способ по пп.1, 2 или 3, в котором этап (d) содержит немедленное перемещение нагретой подложки вместе с подложкодержателем (24) в положение нанесения покрытия и нанесение покрытия на подложку.5. Способ по пп.1, 2 или 3, в котором подложку (20) поднимают на этапе (d) способа на расстояние от 0,1 до 20 мм, в частности от 1 до 10 мм, относительно подложкодержателя (24).6. Способ по пп.1, 2 или 3, в котором нагревательное устройство состоит из инфракрасных излучателей, использующих фильтрующие слои, чтобы испущенный инфракрасный свет содержал только такие длины волн, которые поглощаются либо подложкой, либо уже осажденной системой слоев.7. Способ по п.4, в котором нагревательное устройство состоит из инфракрасных излучателей, использующих фильтрующие слои, что

Claims (24)

1. Способ нагрева подложки (20) и немедленного последующего нанесения покрытия на подложку в вакуумной камере, содержащий следующие этапы:
(a) размещение подложки (20) на подложкодержателе (24) таким образом, чтобы нижняя поверхность (21а) подложки контактировала с подложкодержателем поверхность к поверхности,
(b) подъем подложки (20) на расстояние d относительно подложкодержателя,
(c) нагрев поднятой подложки через ее верхнюю поверхность (21b) с помощью нагревательного устройства (22),
(d) немедленное последующее нанесение покрытия на горячую подложку и
(e) опускание подложки на подложкодержатель (24) и охлаждение подложки.
2. Способ по п.1, в котором на охлажденную подложку наносят покрытие.
3. Способ по п.1, в котором нагревательным устройством (22) управляют с помощью температурного датчика (26, 28) для определения температуры подложки и с помощью регулятора температуры для установки заданной температуры.
4. Способ по пп.1, 2 или 3, в котором этап (d) содержит немедленное перемещение нагретой подложки вместе с подложкодержателем (24) в положение нанесения покрытия и нанесение покрытия на подложку.
5. Способ по пп.1, 2 или 3, в котором подложку (20) поднимают на этапе (d) способа на расстояние от 0,1 до 20 мм, в частности от 1 до 10 мм, относительно подложкодержателя (24).
6. Способ по пп.1, 2 или 3, в котором нагревательное устройство состоит из инфракрасных излучателей, использующих фильтрующие слои, чтобы испущенный инфракрасный свет содержал только такие длины волн, которые поглощаются либо подложкой, либо уже осажденной системой слоев.
7. Способ по п.4, в котором нагревательное устройство состоит из инфракрасных излучателей, использующих фильтрующие слои, чтобы испущенный инфракрасный свет содержал только такие длины волн, которые поглощаются либо подложкой, либо уже осажденной системой слоев.
8. Способ по пп.1, 2 или 3, содержащий этап размещения теплового аккумулятора (30) между подложкодержателем (24) и поднятой подложкой (20).
9. Способ по п.7, содержащий этап размещения теплового аккумулятора (30) между подложкодержателем (24) и поднятой подложкой (20).
10. Способ по пп.1, 2 или 3, в котором подложкодержатель (24) охлаждают.
11. Способ по п.8, в котором подложкодержатель (24) охлаждают.
12. Способ по пп.1, 2 или 3, в котором сразу после охлаждения охлажденную подложку перемещают вместе с подложкодержателем (24) в положение нанесения покрытия и там наносят покрытие.
13. Способ по п.4, в котором сразу после охлаждения охлажденную подложку перемещают вместе с подложкодержателем (24) в положение нанесения покрытия и там наносят покрытие.
14. Способ по п.8, в котором сразу после охлаждения охлажденную подложку перемещают вместе с подложкодержателем (24) в положение нанесения покрытия и там наносят покрытие.
15. Способ по пп.1, 2 или 3, в котором доведение подложки до различных температур с последующим нанесением покрытия проводят последовательно в несколько отдельных этапов.
16. Способ по п.4, в котором доведение подложки до различных температур с последующим нанесением покрытия проводят последовательно в несколько отдельных этапов.
17. Способ по п.12, в котором доведение подложки до различных температур с последующим нанесением покрытия проводят последовательно в несколько отдельных этапов.
18. Система для нагревания подложки (20) в вакуумной камере, содержащая:
- подложкодержатель (24), причем подложкодержатель содержит подъемное устройство (23) для подъема подложки (20), нижняя поверхность (21а) которой размещена на подложкодержателе (24), и
- нагревательное устройство (22) для нагрева поднятой подложки (20) через ее верхнюю поверхность.
19. Система по п.18, в которой подъемное устройство (23) выполнено так, чтобы предотвратить значительный тепловой поток между подложкодержателем (24) и подложкой (20).
20. Система по п.18 или 19, в которой подложкодержатель (24) содержит по меньшей мере один канал для контактного газа и система содержит, в частности, контроллер для охлаждения подложкодержателя (24) управляемым способом.
21. Система по п.18 или 19, содержащая температурный датчик (26, 28) для нагрева подложки (20) управляемым способом.
22. Система по п.20, содержащая температурный датчик (26, 28) для нагрева подложки (20) управляемым способом.
23. Система по п.18 или 19, в которой подъемное устройство предусмотрено на подложкодержателе (24).
24. Система по п.18 или 19, в которой подложкодержатель (24) может перемещаться, в частности, вместе с подложкой (20), в направлении, параллельном (25) нижней поверхности (21а) подложки.
RU2012140492/02A 2010-02-24 2011-02-22 Способ и устройство для быстрого нагревания и охлаждения подложки и немедленного последующего нанесения на нее покрытия в вакууме RU2550464C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10154561.4 2010-02-24
EP10154561A EP2360291A1 (de) 2010-02-24 2010-02-24 Verfahren und Vorrichtung zum schnellen Heizen und Kühlen eines Substrates und sofort anschließender Beschichtung desselben unter Vakuum
PCT/EP2011/052600 WO2011104232A1 (de) 2010-02-24 2011-02-22 Verfahren und vorrichtung zum schnellen heizen und kühlen eines substrates und sofort anschliessender beschichtung desselben unter vakuum

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012140492A true RU2012140492A (ru) 2014-03-27
RU2550464C2 RU2550464C2 (ru) 2015-05-10

Family

ID=42341453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012140492/02A RU2550464C2 (ru) 2010-02-24 2011-02-22 Способ и устройство для быстрого нагревания и охлаждения подложки и немедленного последующего нанесения на нее покрытия в вакууме

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120328797A1 (ru)
EP (2) EP2360291A1 (ru)
JP (1) JP5707422B2 (ru)
KR (1) KR20130025365A (ru)
RU (1) RU2550464C2 (ru)
WO (1) WO2011104232A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101661275B1 (ko) * 2014-04-18 2016-09-29 한양대학교 산학협력단 메모리 소자
US10186444B2 (en) 2015-03-20 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Gas flow for condensation reduction with a substrate processing chuck
KR102541744B1 (ko) * 2019-04-25 2023-06-13 엔지케이 인슐레이터 엘티디 3차원 소성체의 제법
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
US11199562B2 (en) 2019-08-08 2021-12-14 Western Digital Technologies, Inc. Wafer testing system including a wafer-flattening multi-zone vacuum chuck and method for operating the same
CN111026192B (zh) * 2019-12-23 2021-11-23 金马工业集团股份有限公司 一种对热挤压件控温冷却系统
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
US12002668B2 (en) 2021-06-25 2024-06-04 Applied Materials, Inc. Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1724729A1 (ru) * 1989-04-11 1992-04-07 Нижегородское станкостроительное производственное объединение Установка дл нанесени покрытий из паровой (газовой) фазы
SU1680798A1 (ru) * 1989-09-21 1991-09-30 Нижегородское станкостроительное производственное объединение Способ нитроцементации стальных изделий
SU1066230A1 (ru) * 1991-01-19 1995-09-10 Э.В. Крафт Установка для нанесения покрытий в вакууме
JP3489875B2 (ja) * 1994-08-09 2004-01-26 アネルバ株式会社 真空処理装置の基板加熱機構
US5762419A (en) * 1995-07-26 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a thermal processing system
JPH0978225A (ja) * 1995-09-08 1997-03-25 Canon Inc 薄膜の形成方法
US5824566A (en) * 1995-09-26 1998-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing a photovoltaic device
US6706334B1 (en) * 1997-06-04 2004-03-16 Tokyo Electron Limited Processing method and apparatus for removing oxide film
WO1999049101A1 (en) * 1998-03-23 1999-09-30 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for cvd and thermal processing of semiconductor substrates
JP4625183B2 (ja) * 1998-11-20 2011-02-02 ステアーグ アール ティ ピー システムズ インコーポレイテッド 半導体ウェハのための急速加熱及び冷却装置
JP4065619B2 (ja) * 1999-01-29 2008-03-26 住友重機械工業株式会社 真空成膜装置
JP2001319885A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造方法
JP2002050809A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Anelva Corp 基板処理装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5707422B2 (ja) 2015-04-30
RU2550464C2 (ru) 2015-05-10
WO2011104232A1 (de) 2011-09-01
EP2539483A1 (de) 2013-01-02
EP2360291A1 (de) 2011-08-24
US20120328797A1 (en) 2012-12-27
KR20130025365A (ko) 2013-03-11
JP2013520569A (ja) 2013-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012140492A (ru) Способ и устройство для быстрого нагревания и охлаждения подложки и немедленного последующего нанесения на нее покрытия в вакууме
RU2013131005A (ru) Изделия, включающие противоконденсатные и/или энергосберегающие покрытия, и/или способы их изготовления
RU2018103201A (ru) Способ, устройство и система, генерирующие аэрозоль, с датчиком нагретого газа
RU2012141044A (ru) Изделия, включающие противоконденсатные и/или низкоэмиссионные покрытия, и/или способы их изготовления
MY166477A (en) Method and apparatus for cleaning a heating element of aerosol-generating device
JP6457498B2 (ja) 半導体処理チャンバ用の被覆されたライナーアセンブリ
WO2010024943A3 (en) Wafer carrier with varying thermal resistance
WO2009031450A1 (ja) 基板熱処理装置及び基板の熱処理方法
WO2010006156A3 (en) Rapid thermal processing chamber with shower head
WO2011094142A3 (en) Apparatus for controlling temperature uniformity of a substrate
JP2016213456A5 (ru)
WO2012125469A3 (en) Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly
JP2008235010A5 (ru)
JP2010507082A5 (ru)
RU2008120031A (ru) Система формования стеклянного листа и способ
JP2011511459A5 (ru)
JP2014143304A5 (ru)
CN101055433B (zh) 加热处理装置
WO2009103706A3 (en) Method of thermocleaving a polymer layer
WO2015068038A3 (en) Device and method for heating a fluid chamber
JP2016519418A (ja) 効率的な熱サイクリングのためのモジュール式基板ヒータ
CN107236932A (zh) 一种坩埚装置及蒸镀设备
JP2004069905A5 (ru)
WO2015100787A1 (zh) 真空蒸镀装置及蒸镀方法
KR101593833B1 (ko) 기판 히팅 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170223