RU2012126604A - Композиция для электрического осаждеия металла, содержащая выравнивающий агент - Google Patents
Композиция для электрического осаждеия металла, содержащая выравнивающий агент Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012126604A RU2012126604A RU2012126604/05A RU2012126604A RU2012126604A RU 2012126604 A RU2012126604 A RU 2012126604A RU 2012126604/05 A RU2012126604/05 A RU 2012126604/05A RU 2012126604 A RU2012126604 A RU 2012126604A RU 2012126604 A RU2012126604 A RU 2012126604A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- acid
- alkyl
- composition according
- independently selected
- hydrogen
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 230000010933 acylation Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000005917 acylation reaction Methods 0.000 claims abstract 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 229920001577 copolymer Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract 3
- 230000005588 protonation Effects 0.000 claims abstract 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract 2
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 claims abstract 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 claims 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N suberic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCC(O)=O TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 claims 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 claims 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 claims 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 claims 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]ethylamino]ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCNCCN LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims 1
- MTKUTYOMTJQXAY-UHFFFAOYSA-N pent-1-ene-1,1-diamine Chemical group CCCC=C(N)N MTKUTYOMTJQXAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SCHTXWZFMCQMBH-UHFFFAOYSA-N pentane-1,3,5-triamine Chemical compound NCCC(N)CCN SCHTXWZFMCQMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229960001124 trientine Drugs 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract 2
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/02—Polyamines
- C08G73/028—Polyamidoamines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/02—Polyamines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Polyamides (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
1. Композиция, содержащая источник металлических ионов и по меньшей мере одну добавку, содержащую по меньшей мере один полиаминоамид формулы Iили производные полиаминоамида формулы I, получаемые путем полного или частичного протонирования или ацилирования,гдеDдля каждого повторяющегося звена от 1 до p независимо выбирается из химической связи или дивалентной группы, выбранной из C-C-алкандиильной группы, которая при необходимости может прерываться (двойной связью и/или имино группой) и/или при необходимости полностью или частично состоит из одного или более насыщенных или ненасыщенных карбоциклических 5-8-членных колец,D, Dнезависимо выбираются из неразветвленного или разветвленного C1-C6 алкандиила,Rдля каждого повторяющегося звена от 1 до n независимо выбирается из R, C-C-алкила и C-C-алкенила, которые при необходимости могут быть замещены гидроксильной группой, алкокси группой или алкоксикарбонилом,Rвыбирается из водорода или -(CRR-CRR-O)-H,R, R, R, Rкаждый независимо выбирается из водорода, C-C-алкила, CH-O-алкила,E, Eнезависимо выбираются из(a) нуклеофильно замещаемой уходящей группы X,(b) NH-C-C-алкил или NH-C-C-алкенил,(c) H-{NH-[D-NR]-D-NH} или R-{NR-[D-NR]-D-NH},(d) C-C-алкил-CO-{NH-[D-NR]-D-NH}, и(e) C-C-алкенил-CO{NH-[D-NR]-D-NH},n представляет собой целое число от 1 до 250,p представляет собой целое число от 2 до 150,q равно от 0.01 до 5.2. Композиция по п.1, где металлические ионы содержат ион меди.3. Композиция по п.1, где Rпредставляет собой R, и R, Rи Rпредставляют собой водород, и Rпредставляет собой водород или метил.4. Композиция по п.3, где Rпредставляет собой R, и R, R, Rи Rпредставляют собой водород.5. Композиция по п.3, где Rпредставляет собой водород или сополимер по меньшей мере двух алкил
Claims (16)
1. Композиция, содержащая источник металлических ионов и по меньшей мере одну добавку, содержащую по меньшей мере один полиаминоамид формулы I
или производные полиаминоамида формулы I, получаемые путем полного или частичного протонирования или ацилирования,
где
D1 для каждого повторяющегося звена от 1 до p независимо выбирается из химической связи или дивалентной группы, выбранной из C1-C20-алкандиильной группы, которая при необходимости может прерываться (двойной связью и/или имино группой) и/или при необходимости полностью или частично состоит из одного или более насыщенных или ненасыщенных карбоциклических 5-8-членных колец,
D2, D3 независимо выбираются из неразветвленного или разветвленного C1-C6 алкандиила,
R1 для каждого повторяющегося звена от 1 до n независимо выбирается из R2, C1-C20-алкила и C1-C20-алкенила, которые при необходимости могут быть замещены гидроксильной группой, алкокси группой или алкоксикарбонилом,
R2 выбирается из водорода или -(CR11R12-CR13R14-O)q-H,
R11, R12, R13, R14 каждый независимо выбирается из водорода, C1-C10-алкила, CH2-O-алкила,
E1, E2 независимо выбираются из
(a) нуклеофильно замещаемой уходящей группы X,
(b) NH-C1-C20-алкил или NH-C1-C20-алкенил,
(c) H-{NH-[D2-NR1]n-D3-NH} или R2-{NR2-[D2-NR1]n-D3-NH},
(d) C1-C20-алкил-CO-{NH-[D2-NR2]n-D3-NH}, и
(e) C1-C20-алкенил-CO{NH-[D2-NR2]n-D3-NH},
n представляет собой целое число от 1 до 250,
p представляет собой целое число от 2 до 150,
q равно от 0.01 до 5.
2. Композиция по п.1, где металлические ионы содержат ион меди.
3. Композиция по п.1, где R1 представляет собой R2, и R11, R12 и R13 представляют собой водород, и R14 представляет собой водород или метил.
4. Композиция по п.3, где R1 представляет собой R2, и R11, R12, R13 и R14 представляют собой водород.
5. Композиция по п.3, где R1 представляет собой водород или сополимер по меньшей мере двух алкиленоксидов.
6. Композиция по п.4, где R2 представляет собой сополимер этиленок-сида и пропиленоксида.
7. Композиция по п.1, где
D1 выбирается из химической связи или C1-C20-алкандиильной группы,
D2, D3 независимо выбираются из (CH2)m,
R1 выбирается из R2 или метила,
R11, R12, R13, R14 каждый независимо выбирается из водорода, C1-C3-алкила и CH2-O-алкила,
Е1, Е2 независимо выбираются из ОН, алкокси, галогена, H-{NH-[D2-NR1]n-D3-NH} или R2-{NR2-[D2-NR1]n-D3-NH,
m равно 2 или 3
n равно 1 или 2,
p представляет собой целое число от 5 до 70,
q представляет собой число от 0.1 до 2.
8. Композиция по п.1, где по меньшей мере один полиаминоамид получают путем реакции по меньшей мере одного полиалкиленполиамина с по меньшей мере одной дикарбоновой кислотой.
9. Композиция по п.8, где по меньшей мере один полиалкиленполиамин выбирается из группы, состоящей из диэтилентриамина, триэтилен-тетрамина, тетраэтиленпентамина, пентаэтиленгексамина, диамино-пропилэтилендиамина, этиленпропилентриамина, 3-(2-аминоэтил)-аминопропиламина, дипропилентриамина, полиэтилениминов и их смесей.
10. Композиция по п.8, где по меньшей мере одна дикарбоновая кислота выбирается из группы, состоящей из щавелевой кислоты, малоновой кислоты, янтарной кислоты, винной кислоты, малеиновой кислоты, итаконовой кислоты, глутаровой кислоты, адипиновой кислоты, субериновой кислоты, себациновой кислоты, фталевой кислоты и терефталевой кислоты, иминодиуксусной кислоты, аспарагиновой кислоты, глутаминовой кислоты и их смесей.
11. Композиция по любому из п.п.1-10, дополнительно содержащая ускоряющий агент.
12. Композиция по любому из п.п.1-10, дополнительно содержащая подавляющий агент.
13. Применение полиаминоамида формулы I по любому из п.п.1-12 или его производных, получаемых путем полного или частичного протонирования или ацилирования, в ванне для осаждения слоев, содержащих металл.
14. Способ осаждения металлического слоя на подложке путем:
а) контакта электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из п.п.1-12, с подложкой
и
b) создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что подложка содержит элементы поверхности микрометрового или субмикрометрового размера, и осаждение осуществляется с заполнением элементов поверхности микрометрового или субмикрометрового размера.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что элементы поверхности микрометрового или субмикрометрового размера имеют размер от 1 до 1000 нм и/или коэффициент пропорциональности 4 или более.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US26470509P | 2009-11-27 | 2009-11-27 | |
| US61/264,705 | 2009-11-27 | ||
| PCT/EP2010/067874 WO2011064154A2 (en) | 2009-11-27 | 2010-11-22 | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012126604A true RU2012126604A (ru) | 2014-01-10 |
| RU2585184C2 RU2585184C2 (ru) | 2016-05-27 |
Family
ID=43986721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012126604/05A RU2585184C2 (ru) | 2009-11-27 | 2010-11-22 | Композиция для электрического осаждения металла, содержащая выравнивающий агент |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9598540B2 (ru) |
| EP (2) | EP3848417A1 (ru) |
| JP (2) | JP5952738B2 (ru) |
| KR (1) | KR101072338B1 (ru) |
| CN (1) | CN102639639B (ru) |
| IL (1) | IL219556A (ru) |
| MY (1) | MY156200A (ru) |
| RU (1) | RU2585184C2 (ru) |
| TW (1) | TWI513862B (ru) |
| WO (1) | WO2011064154A2 (ru) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102639639B (zh) * | 2009-11-27 | 2015-06-03 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含流平试剂的金属电镀用组合物 |
| EP2655457B1 (en) | 2010-12-21 | 2019-04-10 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| RU2013158459A (ru) | 2011-06-01 | 2015-07-20 | Басф Се | Композиция для электроосаждения металла, содержащая добавку для заполнения снизу вверх переходных отверстий в кремнии и межсоединительных элементов |
| US20130133243A1 (en) | 2011-06-28 | 2013-05-30 | Basf Se | Quaternized nitrogen compounds and use thereof as additives in fuels and lubricants |
| EP2917265B1 (en) * | 2012-11-09 | 2019-01-02 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| CN103397354B (zh) * | 2013-08-08 | 2016-10-26 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂 |
| EP3068819B1 (en) * | 2013-11-06 | 2019-03-27 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Nitrogen containing polymers as levelers |
| KR101665617B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2016-10-14 | 주식회사 필머티리얼즈 | 저열팽창 철-니켈-코발트 3원계 합금의 전주도금 조성물 및 이를 이용하여 전주도금된 저열팽창 철-니켈-코발트 3원계 합금 |
| US9783905B2 (en) * | 2014-12-30 | 2017-10-10 | Rohm and Haas Electronic Mateirals LLC | Reaction products of amino acids and epoxies |
| KR101713686B1 (ko) * | 2015-06-11 | 2017-03-09 | 서울대학교 산학협력단 | 실리콘 관통 비아의 무결함 필링용 평탄제 및 필링방법 |
| US10006136B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-06-26 | Dow Global Technologies Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of imidazole compounds, bisepoxides and halobenzyl compounds |
| TWI608132B (zh) | 2015-08-06 | 2017-12-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 自含有吡啶基烷基胺及雙環氧化物之反應產物的銅電鍍覆浴液電鍍覆光阻劑限定之特徵的方法 |
| US9932684B2 (en) * | 2015-08-06 | 2018-04-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of alpha amino acids and bisepoxides |
| US10100421B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-10-16 | Dow Global Technologies Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of imidazole and bisepoxide compounds |
| CN105401181A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-03-16 | 苏州市金星工艺镀饰有限公司 | 一种环保无氰镀金电镀液的电镀方法 |
| US10190228B2 (en) * | 2016-03-29 | 2019-01-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Copper electroplating baths and electroplating methods capable of electroplating megasized photoresist defined features |
| WO2018073011A1 (en) | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
| CN110100048B (zh) | 2016-12-20 | 2022-06-21 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含用于无空隙填充的抑制试剂的用于金属电镀的组合物 |
| US11387108B2 (en) | 2017-09-04 | 2022-07-12 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| KR102483615B1 (ko) * | 2018-01-24 | 2023-01-03 | 삼성전기주식회사 | 비스-아릴 암모늄 화합물을 포함하는 도금용 평탄제 및 이를 이용한 구리 도금 방법 |
| EP3802665B1 (en) * | 2018-06-06 | 2023-07-19 | Basf Se | Alkoxylated polyamidoamines as dispersant agents |
| JP7208913B2 (ja) * | 2018-08-28 | 2023-01-19 | 株式会社Jcu | 硫酸銅めっき液およびこれを用いた硫酸銅めっき方法 |
| KR20220030267A (ko) * | 2019-06-28 | 2022-03-10 | 램 리써치 코포레이션 | 코발트 텅스텐 막들의 전착 (electrodeposition) |
| CN110284162B (zh) * | 2019-07-22 | 2020-06-30 | 广州三孚新材料科技股份有限公司 | 一种光伏汇流焊带无氰碱性镀铜液及其制备方法 |
| EP4034696A1 (en) | 2019-09-27 | 2022-08-03 | Basf Se | Composition for copper bump electrodeposition comprising a leveling agent |
| KR20220069012A (ko) | 2019-09-27 | 2022-05-26 | 바스프 에스이 | 레벨링제를 포함하는 구리 범프 전착용 조성물 |
| CN115335434A (zh) | 2020-04-03 | 2022-11-11 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于铜凸块电沉积的包含聚氨基酰胺型流平剂的组合物 |
| EP3922662A1 (en) | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Basf Se | Polyalkanolamine |
| CN115720598A (zh) | 2020-07-13 | 2023-02-28 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于在钴晶种上电镀铜的组合物 |
| CN113430596A (zh) * | 2021-07-23 | 2021-09-24 | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 | 一种硅通孔铜电镀液及其电镀方法 |
| CN118043502A (zh) | 2021-10-01 | 2024-05-14 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于铜电沉积的包含聚氨基酰胺型流平剂的组合物 |
| CN114031769B (zh) * | 2021-11-29 | 2024-03-26 | 广州市慧科高新材料科技有限公司 | 一种季铵盐类整平剂及其制备方法、含其的电镀液和电镀方法 |
| WO2023110599A2 (en) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Basf Se | Compositions and their applications |
| WO2024008562A1 (en) | 2022-07-07 | 2024-01-11 | Basf Se | Use of a composition comprising a polyaminoamide type compound for copper nanotwin electrodeposition |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1218394A (en) | 1967-03-08 | 1971-01-06 | Toho Kagaku Kogyo Kabushiki Ka | Process for producing water-soluble thermosetting polymer |
| NL7004910A (ru) * | 1969-05-03 | 1970-11-05 | ||
| DE2733973A1 (de) * | 1977-07-28 | 1979-02-15 | Basf Ag | Wasserloesliche, vernetzte stickstoffhaltige kondensationsprodukte |
| DE3111713A1 (de) * | 1981-03-25 | 1982-10-07 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Wasserloesliche benzylierte polyamidoamine |
| US5917811A (en) | 1996-05-22 | 1999-06-29 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for measurement directed hard handoff in a CDMA system |
| DE19625991A1 (de) | 1996-06-28 | 1998-01-02 | Philips Patentverwaltung | Bildschirm mit haftungsvermittelnder Silikatschicht |
| US6004681A (en) | 1996-08-02 | 1999-12-21 | The Ohio State University Research Foundation | Light-emitting devices containing network electrode polymers in electron blocking layer |
| DE19643091B4 (de) * | 1996-10-18 | 2006-11-23 | Raschig Gmbh | Verwendung von wasserlöslichen Reaktionsprodukten aus Polyamidoaminen, Polyaminen und Epihalogenhydrin in galvanischen Bädern sowie Verfahren zu ihrer Herstellung und galvanische Bäder, die diese enthalten |
| US6024857A (en) | 1997-10-08 | 2000-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating additive for filling sub-micron features |
| DE19758121C2 (de) | 1997-12-17 | 2000-04-06 | Atotech Deutschland Gmbh | Wäßriges Bad und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferschichten |
| FR2788973B1 (fr) | 1999-02-03 | 2002-04-05 | Oreal | Composition cosmetique comprenant un tensioactif anionique, un tensioactif amphotere, une huile de type polyolefine, un polymere cationique et un sel ou un alcool hydrosoluble, utilisation et procede |
| JP2001073182A (ja) | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
| JP2001279228A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Ajinomoto Co Inc | 新規なキレート剤 |
| FR2814363B1 (fr) | 2000-09-28 | 2004-05-07 | Oreal | Composition de lavage contenant des alkylamidoethersulfates, des tensiocatifs anioniques et des polymeres cationiques |
| US6610192B1 (en) | 2000-11-02 | 2003-08-26 | Shipley Company, L.L.C. | Copper electroplating |
| DE10160993A1 (de) | 2001-12-12 | 2003-06-18 | Basf Ag | Stickstoffhaltige Polymere umfassende Reinigungsmittelzusammensetzungen |
| US8002962B2 (en) * | 2002-03-05 | 2011-08-23 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
| US7316772B2 (en) | 2002-03-05 | 2008-01-08 | Enthone Inc. | Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications |
| DE10243361A1 (de) | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Basf Ag | Alkoxylatgemische und diese enthaltende Waschmittel |
| TW200401848A (en) | 2002-06-03 | 2004-02-01 | Shipley Co Llc | Leveler compounds |
| TW200613586A (en) | 2004-07-22 | 2006-05-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Leveler compounds |
| CN101213242A (zh) * | 2005-06-30 | 2008-07-02 | 阿克佐诺贝尔公司 | 化学方法 |
| JP2007107074A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 酸性電気銅めっき液及び電気銅めっき方法 |
| JP5558675B2 (ja) * | 2007-04-03 | 2014-07-23 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 金属メッキ組成物 |
| US8012334B2 (en) * | 2007-04-03 | 2011-09-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Metal plating compositions and methods |
| EP2199315B1 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-11 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| CN102639639B (zh) * | 2009-11-27 | 2015-06-03 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含流平试剂的金属电镀用组合物 |
-
2010
- 2010-11-22 CN CN201080053395.1A patent/CN102639639B/zh active Active
- 2010-11-22 RU RU2012126604/05A patent/RU2585184C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-11-22 EP EP21152561.3A patent/EP3848417A1/en active Pending
- 2010-11-22 EP EP10782262.9A patent/EP2504396B1/en active Active
- 2010-11-22 KR KR1020117007705A patent/KR101072338B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-22 JP JP2012540374A patent/JP5952738B2/ja active Active
- 2010-11-22 MY MYPI2012002167A patent/MY156200A/en unknown
- 2010-11-22 US US13/510,328 patent/US9598540B2/en active Active
- 2010-11-22 WO PCT/EP2010/067874 patent/WO2011064154A2/en active Application Filing
- 2010-11-26 TW TW099141069A patent/TWI513862B/zh active
-
2012
- 2012-05-03 IL IL219556A patent/IL219556A/en active IP Right Grant
-
2016
- 2016-06-09 JP JP2016114981A patent/JP6411405B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110063810A (ko) | 2011-06-14 |
| JP2013512333A (ja) | 2013-04-11 |
| CN102639639A (zh) | 2012-08-15 |
| JP6411405B2 (ja) | 2018-10-24 |
| US20120292193A1 (en) | 2012-11-22 |
| WO2011064154A3 (en) | 2011-09-22 |
| RU2585184C2 (ru) | 2016-05-27 |
| EP2504396B1 (en) | 2021-02-24 |
| JP2017002299A (ja) | 2017-01-05 |
| TWI513862B (zh) | 2015-12-21 |
| EP3848417A1 (en) | 2021-07-14 |
| MY156200A (en) | 2016-01-29 |
| IL219556A0 (en) | 2012-06-28 |
| KR101072338B1 (ko) | 2011-10-11 |
| TW201126025A (en) | 2011-08-01 |
| US9598540B2 (en) | 2017-03-21 |
| EP2504396A2 (en) | 2012-10-03 |
| WO2011064154A2 (en) | 2011-06-03 |
| JP5952738B2 (ja) | 2016-07-13 |
| CN102639639B (zh) | 2015-06-03 |
| IL219556A (en) | 2016-12-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012126604A (ru) | Композиция для электрического осаждеия металла, содержащая выравнивающий агент | |
| RU2011144619A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| RU2011144618A (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| JP2013512333A5 (ru) | ||
| RU2013158459A (ru) | Композиция для электроосаждения металла, содержащая добавку для заполнения снизу вверх переходных отверстий в кремнии и межсоединительных элементов | |
| RU2015121797A (ru) | Композиция для электролитического осаждения металла, содержащая выравнивающий агент | |
| JP2012522898A5 (ru) | ||
| KR101720365B1 (ko) | 무공극 서브미크론 특징부 충전을 위한 억제제를 포함하는 금속 도금용 조성물 | |
| JP2008519908A5 (ru) | ||
| EP3116970A1 (en) | Composition for tungsten cmp | |
| CN102803389A (zh) | 包含流平剂的金属电镀用组合物 | |
| EP3679179B1 (en) | Composition for metal electroplating comprising leveling agent | |
| JP2011508660A5 (ru) | ||
| US20200347503A1 (en) | Composition for cobalt electroplating comprising leveling agent | |
| WO2019201623A2 (en) | Composition for cobalt or cobalt alloy electroplating | |
| WO2020126687A1 (en) | Composition for cobalt plating comprising additive for void-free submicron feature filling | |
| TWI239360B (en) | Nickel electroplating solution | |
| CN101487124A (zh) | 在铜表面形成精氨酸自组装缓蚀膜的方法 | |
| JP4931196B2 (ja) | 無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びｕｌｓｉ銅配線形成方法 | |
| JP2011046989A (ja) | 金属めっき液添加剤及び金属めっき方法 | |
| Ghareba et al. | Inhibition of carbon steel corrosion by 11-aminoundecanoic acid | |
| JP5901466B2 (ja) | 磁石用コーティング液 | |
| JP2011052296A (ja) | 金属部材の表面処理方法 | |
| KR20150027369A (ko) | 마그네슘 또는 마그네슘 합금의 표면처리 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161123 |