RU2012119803A - Нанесение легированных пленок zno на полимерные подложки химическим осаждением из газовой фазы под воздействием уф - Google Patents

Нанесение легированных пленок zno на полимерные подложки химическим осаждением из газовой фазы под воздействием уф Download PDF

Info

Publication number
RU2012119803A
RU2012119803A RU2012119803/04A RU2012119803A RU2012119803A RU 2012119803 A RU2012119803 A RU 2012119803A RU 2012119803/04 A RU2012119803/04 A RU 2012119803/04A RU 2012119803 A RU2012119803 A RU 2012119803A RU 2012119803 A RU2012119803 A RU 2012119803A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
polymer substrate
forming
substrate according
precursor
Prior art date
Application number
RU2012119803/04A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2542977C2 (ru
Inventor
Чэнь СЮЙ
Гари С. СИЛВЕРМАН
Роман Ю. КОРОТКОВ
Роберт Г. СМИТ
Original Assignee
Аркема Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Аркема Инк. filed Critical Аркема Инк.
Publication of RU2012119803A publication Critical patent/RU2012119803A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2542977C2 publication Critical patent/RU2542977C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02554—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Способ образования слоя на полимерной подложке, включающий:(a) контактирование полимерной подложки по меньшей мере с одним прекурсором; и(b) действие ультрафиолетового света для разложения по меньшей мере одного прекурсора и нанесения слоя на полимерную подложку.2. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где по меньшей мере один прекурсор содержит легирующую добавку.3. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.2, где легирующая добавка представляет собой по меньшей мере один металл, выбранный из группы, состоящий из Al, Ga, In, Tl и B.4. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где по меньшей мере один прекурсор содержит цинк.5. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.4, где слой представляет собой легированный слой оксида цинка.6. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где слой представляет собой прозрачный электропроводящий оксидный слой.7. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.6, где прозрачный электропроводящий оксидный слой имеет удельное сопротивление менее чем приблизительно 1×10Ωсм.8. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где этап (b) происходит при менее чем около 200°C.9. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где этап (b) происходит при около 160-200°C.10. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где по меньшей мере один прекурсор вводят в газовой фазе на этапе (a).11. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где указанное контактирование проводят при приблизительно атмосферном давлении.12. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где полимерную подложку выбирают из группы, состоя

Claims (18)

1. Способ образования слоя на полимерной подложке, включающий:
(a) контактирование полимерной подложки по меньшей мере с одним прекурсором; и
(b) действие ультрафиолетового света для разложения по меньшей мере одного прекурсора и нанесения слоя на полимерную подложку.
2. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где по меньшей мере один прекурсор содержит легирующую добавку.
3. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.2, где легирующая добавка представляет собой по меньшей мере один металл, выбранный из группы, состоящий из Al, Ga, In, Tl и B.
4. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где по меньшей мере один прекурсор содержит цинк.
5. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.4, где слой представляет собой легированный слой оксида цинка.
6. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где слой представляет собой прозрачный электропроводящий оксидный слой.
7. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.6, где прозрачный электропроводящий оксидный слой имеет удельное сопротивление менее чем приблизительно 1×10-3 Ωсм.
8. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где этап (b) происходит при менее чем около 200°C.
9. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где этап (b) происходит при около 160-200°C.
10. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где по меньшей мере один прекурсор вводят в газовой фазе на этапе (a).
11. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где указанное контактирование проводят при приблизительно атмосферном давлении.
12. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где полимерную подложку выбирают из группы, состоящей из фторполимерных смол, сложных полиэфиров, полиакрилатов, полиамидов, полиимидов и поликарбонатов.
13. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где полимерную подложку выбирают из группы, состоящей из поливинилиденфторида (PVDF), полиэтилентерефталата (PET), полиэтиленнафталата (PEN) и полиметилметакрилата (PMMA).
14. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где ультрафиолетовый свет активирует по меньшей мере один прекурсор.
15. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где ультрафиолетовый свет имеет длину волны около 180-310 нм.
16. Способ образования слоя на полимерной подложке по п.1, где способ представляет собой способ химического осаждения из газовой фазы.
17. Способ образования легированного слоя, содержащего оксид цинка на полимерной подложке, включающий:
(a) контактирование полимерной подложки по меньшей мере с одним прекурсором, содержащим цинк и легирующую добавку, и
(b) действие ультрафиолетового света для разложения по меньшей мере одного прекурсора и нанесения слоя, содержащего легированный оксид цинка, на полимерную подложку.
18. Легированный слой, содержащий оксид цинка, нанесенный на полимерную подложку, полученный путем:
(a) введения по меньшей мере одного прекурсора, содержащего цинк и легирующую добавку, в сосуд, содержащий полимерную подложку, и
(b) действия ультрафиолетового света для разложения по меньшей мере одного прекурсора и для нанесения слоя, содержащего легированный оксид цинка, на полимерную подложку.
RU2012119803/04A 2009-10-15 2010-10-14 НАНЕСЕНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ZnO НА ПОЛИМЕРНЫЕ ПОДЛОЖКИ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ УФ RU2542977C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US25188409P 2009-10-15 2009-10-15
US61/251,884 2009-10-15
PCT/US2010/052599 WO2011047114A1 (en) 2009-10-15 2010-10-14 Deposition of doped zno films on polymer substrates by uv-assisted chemical vapor deposition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012119803A true RU2012119803A (ru) 2013-11-20
RU2542977C2 RU2542977C2 (ru) 2015-02-27

Family

ID=43876529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012119803/04A RU2542977C2 (ru) 2009-10-15 2010-10-14 НАНЕСЕНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ZnO НА ПОЛИМЕРНЫЕ ПОДЛОЖКИ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ УФ

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20120225320A1 (ru)
EP (1) EP2489065A4 (ru)
JP (2) JP2013508543A (ru)
KR (1) KR101790497B1 (ru)
CN (1) CN102640254B (ru)
AU (1) AU2010306798B2 (ru)
CA (1) CA2777687A1 (ru)
RU (1) RU2542977C2 (ru)
WO (1) WO2011047114A1 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120152247A1 (en) * 2010-12-21 2012-06-21 Labollita Steve Radiant barrier for heated air circuits
US9463999B2 (en) 2012-01-10 2016-10-11 Ppg Industries Ohio, Inc. Coated glasses having a low sheet resistance, a smooth surface, and/or a low thermal emissivity
US20150225845A1 (en) * 2014-02-12 2015-08-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Method for forming metal oxide thin film and device for printing metal oxide thin film
CN104475163A (zh) * 2014-12-18 2015-04-01 天津理工大学 一种用于可见光催化的聚偏氟乙烯膜及其制备方法
WO2019032753A1 (en) 2017-08-08 2019-02-14 Jaiswal Supriya MATERIALS, COMPONENT, AND METHODS OF USE WITH EXTREME ULTRAVIOLET RADIATION IN LITHOGRAPHY AND OTHER APPLICATIONS
RU2686065C1 (ru) * 2018-03-28 2019-04-24 Общество с ограниченной ответственностью "Катод" Способ изготовления ионно-барьерной пленки на микроканальной пластине

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60138073A (ja) * 1983-12-26 1985-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 透明導電膜の製造方法
JPH0682625B2 (ja) * 1985-06-04 1994-10-19 シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． 酸化亜鉛膜の蒸着方法
JP2545306B2 (ja) * 1991-03-11 1996-10-16 誠 小長井 ＺｎＯ透明導電膜の製造方法
US5387546A (en) * 1992-06-22 1995-02-07 Canon Sales Co., Inc. Method for manufacturing a semiconductor device
US5985356A (en) * 1994-10-18 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Combinatorial synthesis of novel materials
US5710079A (en) * 1996-05-24 1998-01-20 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for forming dielectric films
US20030148024A1 (en) * 2001-10-05 2003-08-07 Kodas Toivo T. Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features
US6631726B1 (en) * 1999-08-05 2003-10-14 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Apparatus and method for processing a substrate
EP1209708B1 (en) * 2000-11-24 2007-01-17 Sony Deutschland GmbH Hybrid solar cells with thermal deposited semiconductive oxide layer
JP2002294456A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Oki Electric Ind Co Ltd 膜の形成方法及びその方法を実施するためのｃｖｄ装置
JP4427924B2 (ja) * 2001-04-27 2010-03-10 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
TW541723B (en) * 2001-04-27 2003-07-11 Shinetsu Handotai Kk Method for manufacturing light-emitting element
JP3870253B2 (ja) * 2002-02-04 2007-01-17 独立行政法人産業技術総合研究所 無機−有機ハイブリッド薄膜及びその製造方法
WO2004017452A1 (ja) * 2002-08-13 2004-02-26 Bridgestone Corporation 色素増感型太陽電池の改良
RU2269146C2 (ru) * 2003-04-30 2006-01-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики имени академика М.Ф. Решетнева" Многослойное покрытие
US20050081907A1 (en) * 2003-10-20 2005-04-21 Lewis Larry N. Electro-active device having metal-containing layer
MD3029C2 (ru) * 2004-09-06 2006-11-30 ШИШЯНУ Серджиу Способ получения датчиков (варианты)
JP2006236747A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Konica Minolta Holdings Inc 透明電極及び透明電極の製造方法
JP4699092B2 (ja) * 2005-06-01 2011-06-08 日本パイオニクス株式会社 酸化亜鉛膜の成膜方法
US8197914B2 (en) * 2005-11-21 2012-06-12 Air Products And Chemicals, Inc. Method for depositing zinc oxide at low temperatures and products formed thereby
BRPI0716386A2 (pt) * 2006-08-29 2013-01-01 Pilkington Group Ltd E Arkema Inc método para preparar um artigo de vidro revestido com óxido de zinco dopado, de baixa resistividade, artigo de vidro
AU2007293468B2 (en) * 2006-09-08 2011-08-04 Arkema, Inc. Low temperature method of making a zinc oxide coated article
TW200834610A (en) * 2007-01-10 2008-08-16 Nitto Denko Corp Transparent conductive film and method for producing the same
US9064960B2 (en) * 2007-01-31 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Selective epitaxy process control
US7606448B2 (en) * 2007-03-13 2009-10-20 Micron Technology, Inc. Zinc oxide diodes for optical interconnections
JP4762961B2 (ja) * 2007-09-03 2011-08-31 独立行政法人科学技術振興機構 プラスチック基板上へのＺｎＯ単結晶の堆積方法
JP4720808B2 (ja) * 2007-09-21 2011-07-13 セイコーエプソン株式会社 接着シート、接合方法および接合体
WO2010035312A1 (ja) * 2008-09-24 2010-04-01 東芝三菱電機産業システム株式会社 酸化亜鉛膜（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム亜鉛膜（ＺｎＭｇＯ）の成膜方法および酸化亜鉛膜または酸化マグネシウム亜鉛膜の成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2489065A1 (en) 2012-08-22
KR101790497B1 (ko) 2017-10-26
US20120225320A1 (en) 2012-09-06
JP2013508543A (ja) 2013-03-07
EP2489065A4 (en) 2016-06-22
WO2011047114A1 (en) 2011-04-21
JP6129246B2 (ja) 2017-05-17
AU2010306798B2 (en) 2015-05-28
CN102640254A (zh) 2012-08-15
CN102640254B (zh) 2015-11-25
CA2777687A1 (en) 2011-04-21
RU2542977C2 (ru) 2015-02-27
KR20120103592A (ko) 2012-09-19
JP2016014189A (ja) 2016-01-28
AU2010306798A1 (en) 2012-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Islam et al. Investigation of the Changes in Electronic Properties of Nickel Oxide (NiO x) Due to UV/Ozone Treatment
RU2012119803A (ru) Нанесение легированных пленок zno на полимерные подложки химическим осаждением из газовой фазы под воздействием уф
Saarenpää et al. Aluminum doped zinc oxide films grown by atomic layer deposition for organic photovoltaic devices
Zhao et al. Efficient color-stable inverted white organic light-emitting diodes with outcoupling-enhanced ZnO layer
Han et al. High-performance all-solution-processed flexible photodetector arrays based on ultrashort channel amorphous oxide semiconductor transistors
Jeong et al. Photo-patternable ZnO thin films based on cross-linked zinc acrylate for organic/inorganic hybrid complementary inverters
AU2015300184A1 (en) Method for manufacturing member having irregular pattern
Hsu et al. Atomic layer deposition of NiO hole-transporting layers for polymer solar cells
CN102439197A (zh) 光电子元件及其制备方法
KR20160032218A (ko) 요철 구조를 가지는 기판의 제조 방법
Lee et al. Ultrasmooth, high electron mobility amorphous In–Zn–O films grown by atomic layer deposition
Tak et al. Multifunctional, room-temperature processable, heterogeneous organic passivation layer for oxide semiconductor thin-film transistors
TW201239986A (en) A barrier layer and a method of manufacturing the barrier layer
US8927310B2 (en) Method of fabricating patterned substrate
KR20150043412A (ko) 배리어 조립체의 제조방법
JP2012182303A (ja) 太陽電池バックシート
Mancinelli et al. Deep-UV-Enhanced Approach for Low-Temperature Solution Processing of IZO Transistors with High-k AlO x/YAlO x Dielectric
US20180157169A1 (en) Metal electrode formation for oled lighting applications
CN105448524A (zh) 银掺杂有机金属钙钛矿材料、太阳能电池及其制作方法
JP2015124117A (ja) 金属酸化物薄膜の製造方法
Han et al. Indium-free Cu/fluorine doped ZnO composite transparent conductive electrodes with stretchable and flexible performance on poly (ethylene terephthalate) substrate
Chang In‐Line Sputtered Gallium and Aluminum Codoped Zinc Oxide Films for Organic Solar Cells
CN102277570A (zh) ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法
Yang et al. Surface tailoring of newly developed amorphous ZnSiO thin films as electron injection/transport layer by plasma treatment: Application to inverted OLEDs and hybrid solar cells
Ali et al. Al2O3 coatings fabrication on silver nanowires through low temperature atomic layer deposition