RU2011139109A - Реактор с псевдоожиженным слоем для получения кремния высокой чистоты - Google Patents

Реактор с псевдоожиженным слоем для получения кремния высокой чистоты Download PDF

Info

Publication number
RU2011139109A
RU2011139109A RU2011139109/05A RU2011139109A RU2011139109A RU 2011139109 A RU2011139109 A RU 2011139109A RU 2011139109/05 A RU2011139109/05 A RU 2011139109/05A RU 2011139109 A RU2011139109 A RU 2011139109A RU 2011139109 A RU2011139109 A RU 2011139109A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chamber
fluidized bed
bed reactor
silicon
paragraph
Prior art date
Application number
RU2011139109/05A
Other languages
English (en)
Inventor
СЕГУНДО САНЧЕС Хавьер САН
БАРОНА Хосе Луис МОНТЕСИНОС
КОНЕХЕРО Эваристо АЙЮСО
КАНЛЕ Мануэль Висенте ВАЛЕС
РЕЛЬ Ксавьер БЕНАВИДЕС
ГАРСИЯ Педро-Томас ЛУХАН
Мэттью С. БЕТАРДС
Мария Томас МАРТИНЕС
Original Assignee
Силикен Кемикалз С.Л.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Силикен Кемикалз С.Л. filed Critical Силикен Кемикалз С.Л.
Publication of RU2011139109A publication Critical patent/RU2011139109A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/037—Purification
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/02—Apparatus characterised by being constructed of material selected for its chemically-resistant properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1818—Feeding of the fluidising gas
    • B01J8/1827—Feeding of the fluidising gas the fluidising gas being a reactant
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/24—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles according to "fluidised-bed" technique
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/029—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of monosilane
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00389—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
    • B01J2208/00407—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements outside the reactor bed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00389—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
    • B01J2208/00415—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements electric resistance heaters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00433—Controlling the temperature using electromagnetic heating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00433—Controlling the temperature using electromagnetic heating
    • B01J2208/0046—Infrared radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/0204—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
    • B01J2219/0236—Metal based

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)

Abstract

1. Реактор с псевдоожиженным слоем, содержащий:камеру, имеющую такие размеры, чтобы содержать частицы, способные к псевдоожижению в ней, причем камера имеет стенку, изготовленную из металлического сплава;впуск газа в камере, выполненный с возможностью принимать газ для псевдоожижения частиц внутри камеры;выпуск в камере, выполненный с возможностью позволять отходящему потоку покидать камеру; икерамический защитный слой, нанесенный на по меньшей мере часть внутренней поверхности камеры;при этом защитный слой содержит керамическую или составленную не на основе кремния или не на основе углерода композицию и выполнен устойчивым к коррозии под действием псевдоожижающего газа.2. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе железа, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: нержавеющая сталь и хромоникелевый сплав.3. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 2, при этом металлический сплав дополнительно включает по меньшей мере один из следующих: марганец, молибден, кремний, кобальт и вольфрам.4. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе никеля, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: никель-молибденовый сплав и никель-хром-молибденовый сплав.5. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 4, при этом металлический сплав дополнительно включает по меньшей мере один из следующих: марганец, молибден, кремний, кобальт и вольфрам.6. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом керамический защитный слой содержит по меньшей мере один из следующих: оксид алюминия (AlO), диокс�

Claims (28)

1. Реактор с псевдоожиженным слоем, содержащий:
камеру, имеющую такие размеры, чтобы содержать частицы, способные к псевдоожижению в ней, причем камера имеет стенку, изготовленную из металлического сплава;
впуск газа в камере, выполненный с возможностью принимать газ для псевдоожижения частиц внутри камеры;
выпуск в камере, выполненный с возможностью позволять отходящему потоку покидать камеру; и
керамический защитный слой, нанесенный на по меньшей мере часть внутренней поверхности камеры;
при этом защитный слой содержит керамическую или составленную не на основе кремния или не на основе углерода композицию и выполнен устойчивым к коррозии под действием псевдоожижающего газа.
2. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе железа, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: нержавеющая сталь и хромоникелевый сплав.
3. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 2, при этом металлический сплав дополнительно включает по меньшей мере один из следующих: марганец, молибден, кремний, кобальт и вольфрам.
4. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе никеля, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: никель-молибденовый сплав и никель-хром-молибденовый сплав.
5. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 4, при этом металлический сплав дополнительно включает по меньшей мере один из следующих: марганец, молибден, кремний, кобальт и вольфрам.
6. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом керамический защитный слой содержит по меньшей мере один из следующих: оксид алюминия (Al2O3), диоксид циркония (ZrO2) и стабилизированный иттрием диоксид циркония.
7. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, дополнительно содержащий адгезионный слой, расположенный между защитным слоем и внутренней поверхностью камеры.
8. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 7, при этом адгезионный слой содержит по меньшей мере один из следующих: слой никелевого сплава и слой никеля-хрома-иттрия.
9. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом керамический защитный слой, нанесенный на внутреннюю поверхность камеры, нанесен по меньшей мере одним из следующих: термическое набрасывание, химическое осаждение из паровой фазы, физическое осаждение из паровой фазы, золь-гель метод, электрофоретическое осаждение и термическое напыление аэрозоля.
10. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом камера содержит внешнюю поверхность, и при этом по меньшей мере часть внешней поверхности камеры обработана для улучшения эффективности передачи тепловой мощности камеры по сравнению с необработанной внешней поверхностью.
11. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 10, при этом внешняя поверхность камеры подвергнута пескоструйной обработке, чтобы улучшить эффективность передачи тепловой мощности камеры.
12. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом камера изготовлена из материала, выполненного с возможностью выдерживать внутренние давления в интервале от приблизительно 50 мбар до приблизительно 5000 мбар.
13. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом камера изготовлена из материала, выполненного с возможностью выдерживать температуры в интервале от приблизительно 500°C до приблизительно 1200°C.
14. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом частицы содержат частицы кремния, а газ содержит по меньшей мере один из следующих: водород, гелий, аргон, тетрахлорид кремния, тетрабромид кремния, тетраиодид кремния, моносилан, дисилан, трисилан, трихлорсилан, дихлорсилан, монохлорсилан, трибромсилан, дибромсилан, монобромсилан, трииодсилан, дииодсилан и моноиодсилан.
15. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, дополнительно содержащий по меньшей мере один нагреватель реактора, при этом упомянутый по меньшей мере один нагреватель реактора содержит по меньшей мере один из следующих: радиационный нагреватель и нагреватель теплопроводностью.
16. Реактор с псевдоожиженным слоем по пункту 1, при этом впуск газа в камере выполнен с возможностью также принимать кремнийсодержащий газ для псевдоожижения частиц внутри камеры.
17. Способ получения кремния высокой чистоты, содержащий:
инжекцию по меньшей мере одного псевдоожижающего газа в реактор с псевдоожиженным слоем, при этом реактор с псевдоожиженным слоем содержит:
камеру, изготовленную из металлического сплава, причем эта камера включает в себя впуск газа и выпуск отходящего потока;
керамический защитный слой, нанесенный на внутреннюю поверхность камеры;
слой шариков кремния, размещенный внутри камеры; и
по меньшей мере один нагреватель реактора;
инжекцию по меньшей мере одного кремнийсодержащего газа в реактор с псевдоожиженным слоем;
нагревание реактора с псевдоожиженным слоем упомянутым по меньшей мере одним нагревателем реактора до температуры, достаточной для термического разложения кремния; и
собирание кремния высокой чистоты, который был получен и осажден на псевдоожиженных шариках кремния;
при этом керамический защитный слой устойчив к коррозии под действием упомянутого по меньшей мере одного псевдоожижающего газа или упомянутого по меньшей мере одного кремнийсодержащего газа.
18. Способ по пункту 17, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе железа, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: нержавеющая сталь и хромоникелевый сплав.
19. Способ по пункту 17, при этом металлический сплав представляет собой сплав на основе никеля, выбранный из по меньшей мере одного из следующих: никель-молибденовый сплав и никель-хром-молибденовый сплав.
20. Способ по пункту 17, при этом керамический защитный слой содержит по меньшей мере один из следующих: оксид алюминия (Al2O3), диоксид циркония (ZrO2) и стабилизированный иттрием диоксид циркония.
21. Способ по пункту 17, дополнительно содержащий адгезионный слой, расположенный между защитным слоем и внутренней поверхностью камеры.
22. Способ по пункту 21, при этом адгезионный слой содержит слой никелевого сплава или слой никель-хром-иттриевого сплава.
23. Способ по пункту 17, при этом защитный слой нанесен на внутреннюю поверхность камеры по меньшей мере одним из следующих: термическое набрасывание, химическое осаждение из паровой фазы, физическое осаждение из паровой фазы, золь-гель метод, электрофоретическое осаждение и термическое напыление аэрозоля.
24. Способ по пункту 17, при этом внешняя поверхность камеры подвергнута пескоструйной обработке, чтобы улучшить эффективность передачи тепловой мощности камеры по сравнению с необработанной внешней поверхностью.
25. Способ по пункту 17, при этом псевдоожижающий газ является по меньшей мере одним из следующих: водород, гелий, аргон, тетрахлорид кремния, тетрабромид кремния и тетраиодид кремния.
26. Способ по пункту 17, при этом кремнийсодержащий газ является по меньшей мере одним из следующих: моносилан, дисилан, трисилан, трихлорсилан, дихлорсилан, монохлорсилан, трибромсилан, дибромсилан, монобромсилан, трииодсилан, дииодсилан и моноиодсилан.
27. Способ по пункту 17, при этом нагревание реактора с псевдоожиженным слоем упомянутым по меньшей мере одним нагревателем реактора до температуры, достаточной для термического разложения кремния, содержит нагревание реактора с псевдоожиженным слоем до температуры между приблизительно 500°C и приблизительно 1200°C.
28. Способ по пункту 27, при этом реактор с псевдоожиженным слоем нагревают до температуры в интервале от приблизительно 700°C до приблизительно 900°C.
RU2011139109/05A 2009-02-26 2009-11-20 Реактор с псевдоожиженным слоем для получения кремния высокой чистоты RU2011139109A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/393,852 2009-02-26
US12/393,852 US8168123B2 (en) 2009-02-26 2009-02-26 Fluidized bed reactor for production of high purity silicon
PCT/US2009/065345 WO2010098797A1 (en) 2009-02-26 2009-11-20 Fluidized bed reactor for production of high purity silicon

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2011139109A true RU2011139109A (ru) 2013-11-20

Family

ID=42631134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011139109/05A RU2011139109A (ru) 2009-02-26 2009-11-20 Реактор с псевдоожиженным слоем для получения кремния высокой чистоты

Country Status (12)

Country Link
US (3) US8168123B2 (ru)
EP (1) EP2318313A4 (ru)
JP (1) JP2012519130A (ru)
KR (1) KR20110132338A (ru)
CN (1) CN102239115A (ru)
AU (1) AU2009341100A1 (ru)
BR (1) BRPI0924261A2 (ru)
CA (1) CA2753354A1 (ru)
MX (1) MX2011008790A (ru)
RU (1) RU2011139109A (ru)
TW (1) TW201034757A (ru)
WO (1) WO2010098797A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2744449C1 (ru) * 2019-12-27 2021-03-09 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН) Кремнийсодержащий активный материал для отрицательного электрода и способ его получения

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103058194B (zh) 2008-09-16 2015-02-25 储晞 生产高纯颗粒硅的反应器
JP2010171388A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板処理用反応管
US8168123B2 (en) 2009-02-26 2012-05-01 Siliken Chemicals, S.L. Fluidized bed reactor for production of high purity silicon
WO2010108065A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Ae Polysilicon Corporation Silicide - coated metal surfaces and methods of utilizing same
TWI454309B (zh) * 2009-04-20 2014-10-01 Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Dev Co Ltd 用於將反應排出氣體冷卻之方法及系統
JP2012523963A (ja) * 2009-04-20 2012-10-11 エーイー ポリシリコン コーポレーション ケイ化物がコーティングされた金属表面を有する反応器
US8029756B1 (en) * 2010-03-30 2011-10-04 Peak Sun Sillcon Corporation Closed-loop silicon production
CN101935038B (zh) * 2010-08-13 2013-04-10 镇江环太硅科技有限公司 硅锭切割废料回收方法
US20120148728A1 (en) * 2010-12-09 2012-06-14 Siliken Sa Methods and apparatus for the production of high purity silicon
WO2012099796A2 (en) * 2011-01-19 2012-07-26 Rec Silicon Inc. Reactor system and method of polycrystalline silicon production therewith
DE102011077970A1 (de) * 2011-06-22 2012-12-27 Wacker Chemie Ag Vorrichtung und Verfahren zur Temperaturbehandlung von korrosiven Gasen
US8875728B2 (en) 2012-07-12 2014-11-04 Siliken Chemicals, S.L. Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods
US20150290650A1 (en) * 2012-08-13 2015-10-15 Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Development Co., Ltd. Method for generating high sphericity seed and fluidized bed granular silicon
MY172905A (en) * 2012-10-19 2019-12-13 Corner Star Ltd Using wavelet decomposition to determine the fluidization quality in a fluidized bed reactor
US9587993B2 (en) 2012-11-06 2017-03-07 Rec Silicon Inc Probe assembly for a fluid bed reactor
KR20150082349A (ko) * 2012-11-06 2015-07-15 알이씨 실리콘 인코포레이티드 유동상 반응기 내의 입자들의 오염을 감소시키는 방법 및 장치
US9212421B2 (en) 2013-07-10 2015-12-15 Rec Silicon Inc Method and apparatus to reduce contamination of particles in a fluidized bed reactor
DE112013006170T5 (de) * 2012-12-21 2015-09-17 Rec Silicon Inc Hitzebeständiger Stahl für Ausrüstungsteile von Fliessbettreaktoren
US9297765B2 (en) * 2013-03-14 2016-03-29 Sunedison, Inc. Gas decomposition reactor feedback control using Raman spectrometry
DE102013206339A1 (de) * 2013-04-10 2014-10-16 Wacker Chemie Ag Vorrichtung und Verfahren zum Ausbau von polykristallinen Siliciumstäben aus einem Reaktor
US20170021319A1 (en) * 2014-03-10 2017-01-26 Sitec Gmbh Hydrochlorination reactor
US9662628B2 (en) 2014-08-15 2017-05-30 Rec Silicon Inc Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor
US9446367B2 (en) 2014-08-15 2016-09-20 Rec Silicon Inc Joint design for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor
US9238211B1 (en) 2014-08-15 2016-01-19 Rec Silicon Inc Segmented silicon carbide liner
US20160045881A1 (en) * 2014-08-15 2016-02-18 Rec Silicon Inc High-purity silicon to form silicon carbide for use in a fluidized bed reactor
CN104383865B (zh) * 2014-11-20 2016-09-21 江苏科技大学 一种磁流化床装置及使用该装置的控制方法和试验方法
DE102015205727A1 (de) 2015-03-30 2016-10-06 Wacker Chemie Ag Wirbelschichtreaktor zur Herstellung von Chlorsilanen
TWI663281B (zh) 2015-06-16 2019-06-21 美商慧盛材料美國責任有限公司 鹵代矽烷化合物的製備方法、組合物及含有其的容器
WO2017062571A2 (en) * 2015-10-09 2017-04-13 Milwaukee Silicon, Llc Purified silicon, devices and systems for producing same
WO2019079879A1 (en) 2017-10-27 2019-05-02 Kevin Allan Dooley Inc. SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY SILICON
WO2022058576A1 (en) * 2020-09-21 2022-03-24 Dsm Ip Assets B.V. Ceramic coating on metal parts to reduce deposit of metallic transition metals in hydrogenation reactions

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2843458A (en) * 1955-10-20 1958-07-15 Cabot Godfrey L Inc Process for producing silicon tetrachloride
GB1159823A (en) * 1965-08-06 1969-07-30 Montedison Spa Protective Coatings
US4393013A (en) * 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
US3906605A (en) * 1973-06-18 1975-09-23 Olin Corp Process for preparing heat exchanger tube
US4084024A (en) * 1975-11-10 1978-04-11 J. C. Schumacher Co. Process for the production of silicon of high purity
US4134514A (en) * 1976-12-02 1979-01-16 J C Schumacher Co. Liquid source material container and method of use for semiconductor device manufacturing
US4298037A (en) * 1976-12-02 1981-11-03 J. C. Schumacher Co. Method of shipping and using semiconductor liquid source materials
US4140735A (en) * 1977-08-15 1979-02-20 J. C. Schumacher Co. Process and apparatus for bubbling gas through a high purity liquid
US4227291A (en) * 1978-06-22 1980-10-14 J. C. Schumacher Co. Energy efficient process for continuous production of thin semiconductor films on metallic substrates
US4341610A (en) * 1978-06-22 1982-07-27 Schumacher John C Energy efficient process for continuous production of thin semiconductor films on metallic substrates
US4318942A (en) * 1978-08-18 1982-03-09 J. C. Schumacher Company Process for producing polycrystalline silicon
US4298942A (en) * 1979-12-19 1981-11-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Nonlinear amplitude detector
US4436674A (en) * 1981-07-30 1984-03-13 J.C. Schumacher Co. Vapor mass flow control system
US4891201A (en) * 1982-07-12 1990-01-02 Diamond Cubic Liquidation Trust Ultra-pure epitaxial silicon
US4818495A (en) * 1982-11-05 1989-04-04 Union Carbide Corporation Reactor for fluidized bed silane decomposition
US4979643A (en) * 1985-06-21 1990-12-25 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical refill system
US4859375A (en) * 1986-12-29 1989-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical refill system
KR880000618B1 (ko) * 1985-12-28 1988-04-18 재단법인 한국화학연구소 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조 방법
US4820587A (en) * 1986-08-25 1989-04-11 Ethyl Corporation Polysilicon produced by a fluid bed process
US4883687A (en) * 1986-08-25 1989-11-28 Ethyl Corporation Fluid bed process for producing polysilicon
JPS63117906A (ja) * 1986-11-07 1988-05-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 多結晶シリコン製造装置用部材
JPS63230504A (ja) * 1987-03-18 1988-09-27 Mitsui Toatsu Chem Inc 塩素の製造方法
DE3711444A1 (de) * 1987-04-04 1988-10-13 Huels Troisdorf Verfahren und vorrichtung zur herstellung von dichlorsilan
US5139762A (en) * 1987-12-14 1992-08-18 Advanced Silicon Materials, Inc. Fluidized bed for production of polycrystalline silicon
US5242671A (en) * 1988-10-11 1993-09-07 Ethyl Corporation Process for preparing polysilicon with diminished hydrogen content by using a fluidized bed with a two-step heating process
US5326547A (en) * 1988-10-11 1994-07-05 Albemarle Corporation Process for preparing polysilicon with diminished hydrogen content by using a two-step heating process
JPH02233514A (ja) * 1989-03-06 1990-09-17 Osaka Titanium Co Ltd 多結晶シリコンの製造方法
US5284676A (en) * 1990-08-17 1994-02-08 Carbon Implants, Inc. Pyrolytic deposition in a fluidized bed
JPH06127922A (ja) * 1992-10-16 1994-05-10 Tonen Chem Corp 多結晶シリコン製造用流動層反応器
GB2271518B (en) * 1992-10-16 1996-09-25 Korea Res Inst Chem Tech Heating of fluidized bed reactor by microwave
US5445742A (en) * 1994-05-23 1995-08-29 Dow Corning Corporation Process for purifying halosilanes
US5516345A (en) * 1994-06-30 1996-05-14 Iowa State University Research Foundation, Inc. Latent heat-ballasted gasifier method
FI96541C (fi) * 1994-10-03 1996-07-10 Ahlstroem Oy Järjestely seinämässä sekä menetelmä seinämän pinnoittamiseksi
JP3705623B2 (ja) * 1995-03-24 2005-10-12 株式会社トクヤマ シラン類の分解・還元反応装置および高純度結晶シリコンの製造方法
US5798137A (en) * 1995-06-07 1998-08-25 Advanced Silicon Materials, Inc. Method for silicon deposition
US5976247A (en) * 1995-06-14 1999-11-02 Memc Electronic Materials, Inc. Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance
US5776416A (en) * 1995-11-14 1998-07-07 Tokuyama Corporation Cyclone and fluidized bed reactor having same
US6060021A (en) * 1997-05-07 2000-05-09 Tokuyama Corporation Method of storing trichlorosilane and silicon tetrachloride
DE19735378A1 (de) * 1997-08-14 1999-02-18 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumgranulat
US5910295A (en) * 1997-11-10 1999-06-08 Memc Electronic Materials, Inc. Closed loop process for producing polycrystalline silicon and fumed silica
GB9902099D0 (en) 1999-01-29 1999-03-24 Boc Group Plc Vacuum pump systems
DE19948395A1 (de) * 1999-10-06 2001-05-03 Wacker Chemie Gmbh Strahlungsbeheizter Fliessbettreaktor
WO2002012122A1 (fr) * 2000-08-02 2002-02-14 Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corporation Procédé de production d'hexachlorure de disilicium
ATE274471T1 (de) * 2000-09-14 2004-09-15 Solarworld Ag Verfahren zur herstellung von trichlorsilan
DE10057481A1 (de) * 2000-11-20 2002-05-23 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularem Silizium
DE10060469A1 (de) * 2000-12-06 2002-07-04 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularem Silizium
DE10061680A1 (de) * 2000-12-11 2002-06-20 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von Silan
DE10062419A1 (de) * 2000-12-14 2002-08-01 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularem Silizium
DE10063862A1 (de) * 2000-12-21 2002-07-11 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularen Silizium
KR100411180B1 (ko) * 2001-01-03 2003-12-18 한국화학연구원 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치
DE10118483C1 (de) * 2001-04-12 2002-04-18 Wacker Chemie Gmbh Staubrückführung bei der Direktsynthese von Chlor- und Methylchlorsilanen in Wirbelschicht
DE10124848A1 (de) * 2001-05-22 2002-11-28 Solarworld Ag Verfahren zur Herstellung von hochreinem, granularem Silizium in einer Wirbelschicht
US20020187096A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-12 Kendig James Edward Process for preparation of polycrystalline silicon
US7033561B2 (en) * 2001-06-08 2006-04-25 Dow Corning Corporation Process for preparation of polycrystalline silicon
CA2432213C (en) * 2001-10-19 2009-04-07 Tokuyama Corporation Silicon production process
DE10392291B4 (de) * 2002-02-14 2013-01-31 Rec Silicon Inc. Energie-effizientes Verfahren zum Züchten von polykristallinem Silicium
EP1550636A4 (en) * 2002-09-12 2012-03-07 Asahi Glass Co Ltd PROCESS FOR PRODUCING HIGH PURITY SILICON AND APPARATUS THEREFOR
NO321276B1 (no) * 2003-07-07 2006-04-18 Elkem Materials Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan
GB0327169D0 (en) * 2003-11-21 2003-12-24 Statoil Asa Method
TW200527491A (en) * 2003-12-23 2005-08-16 John C Schumacher Exhaust conditioning system for semiconductor reactor
US20070178028A1 (en) * 2004-02-23 2007-08-02 Eiichi Fukasawa Apparatus for production of metal chloride
DE102004010055A1 (de) 2004-03-02 2005-09-22 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium
US7141114B2 (en) * 2004-06-30 2006-11-28 Rec Silicon Inc Process for producing a crystalline silicon ingot
US20060105105A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Memc Electronic Materials, Inc. High purity granular silicon and method of manufacturing the same
US8029914B2 (en) * 2005-05-10 2011-10-04 Exxonmobile Research And Engineering Company High performance coated material with improved metal dusting corrosion resistance
US7462211B2 (en) * 2005-06-29 2008-12-09 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Gas-solids separation device and method
ATE456395T1 (de) * 2005-07-19 2010-02-15 Rec Silicon Inc Siliziumsprudelbett
DE102005039118A1 (de) * 2005-08-18 2007-02-22 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern von Silicium
DE102005042753A1 (de) * 2005-09-08 2007-03-15 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor
NO20054402L (no) 2005-09-22 2007-03-23 Elkem As Method for production of trichlorosilane and silicon for use in the production of trichlorosilane
EP2001797A4 (en) * 2006-03-15 2015-05-27 Reaction Science Inc SILICON MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELLS AND OTHER APPLICATIONS
US7780938B2 (en) * 2006-04-13 2010-08-24 Cabot Corporation Production of silicon through a closed-loop process
US7935327B2 (en) * 2006-08-30 2011-05-03 Hemlock Semiconductor Corporation Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a siemens-type process
DE102007021003A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-06 Wacker Chemie Ag Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von polykristallinem hochreinen Siliciumgranulat
US7927984B2 (en) * 2008-11-05 2011-04-19 Hemlock Semiconductor Corporation Silicon production with a fluidized bed reactor utilizing tetrachlorosilane to reduce wall deposition
US8168123B2 (en) 2009-02-26 2012-05-01 Siliken Chemicals, S.L. Fluidized bed reactor for production of high purity silicon

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2744449C1 (ru) * 2019-12-27 2021-03-09 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН) Кремнийсодержащий активный материал для отрицательного электрода и способ его получения

Also Published As

Publication number Publication date
CN102239115A (zh) 2011-11-09
TW201034757A (en) 2010-10-01
US8168123B2 (en) 2012-05-01
KR20110132338A (ko) 2011-12-07
US8158093B2 (en) 2012-04-17
US20100215562A1 (en) 2010-08-26
US20110027160A1 (en) 2011-02-03
AU2009341100A1 (en) 2011-09-08
MX2011008790A (es) 2011-12-14
JP2012519130A (ja) 2012-08-23
EP2318313A4 (en) 2013-05-01
EP2318313A1 (en) 2011-05-11
CA2753354A1 (en) 2010-09-02
WO2010098797A1 (en) 2010-09-02
BRPI0924261A2 (pt) 2015-08-25
US20120171102A1 (en) 2012-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011139109A (ru) Реактор с псевдоожиженным слоем для получения кремния высокой чистоты
JP5727362B2 (ja) 化学気相蒸着反応器内にガスを流通させるためのシステムおよび方法
US20100266466A1 (en) Reactor with silicide-coated metal surfaces
KR102137212B1 (ko) 유동층 반응기용 상부 머리부 조립체 및 이를 구비한 유동층 반응기
CA2648378A1 (en) Process for depositing polycrystalline silicon
CN102515871B (zh) 一种炭/炭加热器抗冲刷C/SiC涂层的制备方法
US20140017137A1 (en) Cooled gas distribution plate, thermal bridge breaking system, and related methods
EP2558411A1 (en) Bell jar for siemens reactor including thermal radiation shield
ES2700438T3 (es) Reactor de lecho turbulento y procedimiento para la producción de granulado de silicio policristalino
JP2003020217A (ja) シリコンおよびトリクロロシランの製造法
US20100273010A1 (en) Silicide-coated metal surfaces and methods of utilizing same
MY183991A (en) Process for converting silicon tetrachloride to trichlorosilane
US20160186319A1 (en) Silicon carbide stack bottom seal arrangement
JP6641473B2 (ja) 流動床反応器、および粒状の多結晶シリコンの製造方法
TWI618822B (zh) 用於製備多晶矽顆粒之流化床反應器及方法
KR102553973B1 (ko) 반응기를 위한 서셉터 배열체 및 반응기를 위한 공정 기체의 가열 방법
WO2010113265A1 (ja) 反応炉
US20230416095A1 (en) Nanomaterial manufacturing methods
CN201428008Y (zh) 一种多晶硅化学气相沉积装置
EP4306688A1 (en) Method and device for producing a sic solid material
WO2016108955A1 (en) Silicon deposition reactor with bottom seal arrangement
JP5436454B2 (ja) 発熱装置
MY145612A (en) Hot mesh chemical vapor deposition system for silicon carbide thin film deposition