RU2011130940A - Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах - Google Patents
Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011130940A RU2011130940A RU2011130940/28A RU2011130940A RU2011130940A RU 2011130940 A RU2011130940 A RU 2011130940A RU 2011130940/28 A RU2011130940/28 A RU 2011130940/28A RU 2011130940 A RU2011130940 A RU 2011130940A RU 2011130940 A RU2011130940 A RU 2011130940A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- titanium
- silicon
- layer
- blocking layer
- nitrogen
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах, заключающийся в формировании активных и пассивных элементов интегральных схем на основе комплементарных транзисторов со структурой метал- окисел - полупроводник (КМОП ИС) и областей n и p типа проводимости в кремниевой подложке и слое поликристаллического кремния, осаждении блокирующего слоя, формировании фоторезистивной маски, плазмохимическом селективном травлении блокирующего слоя, удалении фоторезистивной маски, очистке поверхности кремния, нанесении слоя титана на поверхность кремния и блокирующего слоя, отжиге слоя титана в азоте, удалении непрореагировавшего с кремнием титана и дополнительном отжиге в азоте, отличающийся тем, что в качестве блокирующего слоя используют пленку нитрида титана толщиной 5-20 нм, полученную методом физического распыления титановой мишени в атмосфере азота, а блокирующий слой удаляют в процессе удаления непрореагировавшего с кремнием титана.
Claims (1)
- Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах, заключающийся в формировании активных и пассивных элементов интегральных схем на основе комплементарных транзисторов со структурой метал- окисел - полупроводник (КМОП ИС) и областей n и p типа проводимости в кремниевой подложке и слое поликристаллического кремния, осаждении блокирующего слоя, формировании фоторезистивной маски, плазмохимическом селективном травлении блокирующего слоя, удалении фоторезистивной маски, очистке поверхности кремния, нанесении слоя титана на поверхность кремния и блокирующего слоя, отжиге слоя титана в азоте, удалении непрореагировавшего с кремнием титана и дополнительном отжиге в азоте, отличающийся тем, что в качестве блокирующего слоя используют пленку нитрида титана толщиной 5-20 нм, полученную методом физического распыления титановой мишени в атмосфере азота, а блокирующий слой удаляют в процессе удаления непрореагировавшего с кремнием титана.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011130940/28A RU2474919C1 (ru) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011130940/28A RU2474919C1 (ru) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011130940A true RU2011130940A (ru) | 2013-01-27 |
| RU2474919C1 RU2474919C1 (ru) | 2013-02-10 |
Family
ID=48805413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011130940/28A RU2474919C1 (ru) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2474919C1 (ru) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU1389603C (ru) * | 1986-07-09 | 1993-03-07 | Организация П/Я М-5222 | Способ создани металлизации интегральных схем |
| US5365111A (en) * | 1992-12-23 | 1994-11-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stable local interconnect/active area silicide structure for VLSI applications |
| US6110818A (en) * | 1998-07-15 | 2000-08-29 | Philips Electronics North America Corp. | Semiconductor device with gate electrodes for sub-micron applications and fabrication thereof |
| US6569766B1 (en) * | 1999-04-28 | 2003-05-27 | Nec Electronics Corporation | Method for forming a silicide of metal with a high melting point in a semiconductor device |
| RU2217844C2 (ru) * | 2000-02-24 | 2003-11-27 | Николай Силович Болтовец | Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом |
| KR100617058B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-08-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조방법 |
-
2011
- 2011-07-25 RU RU2011130940/28A patent/RU2474919C1/ru active IP Right Revival
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2474919C1 (ru) | 2013-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2548279B (en) | Method of forming an low temperature Poly-Silicon Thin-Film Transistor LTPS TFT Having Dual Gate Structure | |
| US7812455B2 (en) | Interconnect in low-k interlayer dielectrics | |
| WO2012015550A3 (en) | Semiconductor device and structure | |
| CN102044426B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| JP2009071288A5 (ru) | ||
| JP2010135762A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2008501239A5 (ru) | ||
| TW200614507A (en) | Finfet transistor process | |
| CN103824812B (zh) | 用于平面衬底的双外延cmos集成 | |
| JP2009124123A5 (ru) | ||
| JP2008270780A5 (ru) | ||
| US9202875B2 (en) | High electron mobility transistor with indium nitride layer | |
| JP2016146478A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012169602A5 (ja) | 微結晶半導体膜の作製方法、及び、半導体装置の作製方法 | |
| JP2013084753A5 (ru) | ||
| JP2019528573A5 (ru) | ||
| JP2011009452A5 (ru) | ||
| TW200618298A (en) | Fabrication method of thin film transistor | |
| US20160268384A1 (en) | Method for preparing a nano-scale field-effect transistor | |
| KR101315584B1 (ko) | 스트레스드 반도체 디바이스 및 제조 방법 | |
| JP2018515904A5 (ru) | ||
| JP2014157893A5 (ru) | ||
| RU2011130940A (ru) | Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах | |
| WO2008084519A1 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2008098642A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130726 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20140920 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |