RU2217844C2 - Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом - Google Patents

Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом Download PDF

Info

Publication number
RU2217844C2
RU2217844C2 RU2000112560/28A RU2000112560A RU2217844C2 RU 2217844 C2 RU2217844 C2 RU 2217844C2 RU 2000112560/28 A RU2000112560/28 A RU 2000112560/28A RU 2000112560 A RU2000112560 A RU 2000112560A RU 2217844 C2 RU2217844 C2 RU 2217844C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
barrier layer
layer
titanium
contact
titanium nitride
Prior art date
Application number
RU2000112560/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Силович Болтовец (UA)
Николай Силович Болтовец
Георгий Никитович Веремейченко (UA)
Георгий Никитович Веремейченко
Тамара Васильевна Коростинска (UA)
Тамара Васильевна Коростинская
Original Assignee
Николай Силович Болтовец
Георгий Никитович Веремейченко
Тамара Васильевна Коростинская
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Николай Силович Болтовец, Георгий Никитович Веремейченко, Тамара Васильевна Коростинская filed Critical Николай Силович Болтовец
Application granted granted Critical
Publication of RU2217844C2 publication Critical patent/RU2217844C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами. Сущность изобретения: многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом содержит омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана. На адгезионный слой последовательно нанесены взаимоконтактирующий слой и контактный слой из гальванически осажденного золота. Контактная система отличается тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированного термоионным способом, имеет состав, в котором соотношение титана и азота составляет 2:1, и оптимальную толщину, которая удовлетворяет определенному математическому соотношению. Технический результат изобретения заключается в уменьшении объемного электрического сопротивления барьерного слоя и, как следствие, существенном повышении термической и радиационной стойкости приборов с предлагаемой контактной системой. 3 ил.

Description

Таблицы

Claims (1)

  1. Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом, содержащая омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана, взаимно контактирующий слой и контактный слой гальванически осажденного золота, отличающаяся тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированный термоионным способом, имеет состав, в котором отношение титана к азоту составляет 2:1, а оптимальная толщина L барьерного слоя определяется соотношением
    Figure 00000012
    где λ - коэффициент теплопроводности барьерного слоя, Вт/м·К;
    b - постоянная, характеризующая изменение коэффициента теплопроводности от температуры
    Figure 00000013
    λ0 - коэффициент теплопроводности при минимальных температурах, Вт/м·К;
    Т1 - температура поверхности барьерного слоя со стороны р-n перехода, К;
    Т2 - температура наружной поверхности барьерного слоя, К;
    Р - тепловая мощность, выделяемая в единице объема, Вт/м3;
    ν - плотность границ зерен в барьерном слое, безразм.;
    D - коэффициент диффузии по границам зерен, см2/с;
    t - время наработки прибора на отказ, ч;
    α0 - концентрация атомов металла на границе барьерного слоя, атом/м3;
    Q - количество вещества, накопленного на поверхности раздела металл - барьерный слой, атом/м2.
RU2000112560/28A 2000-02-24 2000-05-22 Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом RU2217844C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA2000021087 2000-02-24
UA2000021087 2000-02-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2217844C2 true RU2217844C2 (ru) 2003-11-27

Family

ID=32028429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000112560/28A RU2217844C2 (ru) 2000-02-24 2000-05-22 Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2217844C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2474919C1 (ru) * 2011-07-25 2013-02-10 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации (Минобороны России) Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2474919C1 (ru) * 2011-07-25 2013-02-10 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации (Минобороны России) Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yang et al. Measurements of anisotropic thermoelectric properties in superlattices
Venkatasubramanian Lattice thermal conductivity reduction and phonon localizationlike behavior in superlattice structures
Rainey et al. Effect of pressure, subcooling, and dissolved gas on pool boiling heat transfer from microporous, square pin-finned surfaces in FC-72
Seo et al. Surface charge density of unpassivated and passivated metal-catalyzed silicon nanowires
KR930003449A (ko) 열 방사 콤포넌트 및 그것을 갖는 반도체 장치
EP0892443A3 (en) Electrode of n-type nitride semiconductor, semiconductor device having the electrode, and method of fabricating the same
GB1457806A (en) Semiconductor device manufacture
JP2004015061A (ja) 集積回路、冷却体および温度センサを有する半導体構成素子
Matsumoto et al. Investigations of cooling solutions for three-dimensional (3D) chip stacks
RU2217844C2 (ru) Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом
Aboelfotoh On Schottky barrier inhomogeneities at silicide/silicon interfaces
Gupta et al. Determination of contact resistivity by the Cox and Strack method for metal contacts to bulk bismuth antimony telluride
WO2001084627A3 (en) Electronic devices with diffusion barrier and process for making same
Touzelbaev et al. Applications of micron-scale passive diamond layers for the integrated circuits and microelectromechanical systems industries
Chester et al. Some calculations regarding the characteristic length for superfluidity in liquid helium
Chern et al. Contact-electromigration-induced leakage failure in aluminum-silicon to silicon contacts
Veloric et al. Silicon Diffused Junction “Avalanche” Diodes
JPS62298167A (ja) 半導体集積回路装置
Tōyama et al. Variation of the effective Richardson constant of Pt‐Si Schottky diode due to annealing treatment
Keffous et al. 40 Å Platinum–porous SiC gas sensor: investigation sensing properties of H2 gas
Ašmontas et al. Microwave detectors based on porous silicon
Finnemore et al. Secondary Thermometer for the 4 to 20° K Range
Cortes et al. Effects of contact resistance and dopant concentration in metal—Semiconductor thermoelectric coolers
Kamilov et al. On the possibility of developing thermoelectric sensors based on multielement higher manganese silicide film structures
RU97102455A (ru) Устройство для измерения излучения - болометр

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20050523