RU2217844C2 - Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом - Google Patents
Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2217844C2 RU2217844C2 RU2000112560/28A RU2000112560A RU2217844C2 RU 2217844 C2 RU2217844 C2 RU 2217844C2 RU 2000112560/28 A RU2000112560/28 A RU 2000112560/28A RU 2000112560 A RU2000112560 A RU 2000112560A RU 2217844 C2 RU2217844 C2 RU 2217844C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- barrier layer
- layer
- titanium
- contact
- titanium nitride
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами. Сущность изобретения: многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом содержит омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана. На адгезионный слой последовательно нанесены взаимоконтактирующий слой и контактный слой из гальванически осажденного золота. Контактная система отличается тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированного термоионным способом, имеет состав, в котором соотношение титана и азота составляет 2:1, и оптимальную толщину, которая удовлетворяет определенному математическому соотношению. Технический результат изобретения заключается в уменьшении объемного электрического сопротивления барьерного слоя и, как следствие, существенном повышении термической и радиационной стойкости приборов с предлагаемой контактной системой. 3 ил.
Description
Таблицы
Claims (1)
- Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом, содержащая омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана, взаимно контактирующий слой и контактный слой гальванически осажденного золота, отличающаяся тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированный термоионным способом, имеет состав, в котором отношение титана к азоту составляет 2:1, а оптимальная толщина L барьерного слоя определяется соотношениемгде λ - коэффициент теплопроводности барьерного слоя, Вт/м·К;b - постоянная, характеризующая изменение коэффициента теплопроводности от температурыλ0 - коэффициент теплопроводности при минимальных температурах, Вт/м·К;Т1 - температура поверхности барьерного слоя со стороны р-n перехода, К;Т2 - температура наружной поверхности барьерного слоя, К;Р - тепловая мощность, выделяемая в единице объема, Вт/м3;ν - плотность границ зерен в барьерном слое, безразм.;D - коэффициент диффузии по границам зерен, см2/с;t - время наработки прибора на отказ, ч;α0 - концентрация атомов металла на границе барьерного слоя, атом/м3;Q - количество вещества, накопленного на поверхности раздела металл - барьерный слой, атом/м2.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UA2000021087 | 2000-02-24 | ||
UA2000021087 | 2000-02-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2217844C2 true RU2217844C2 (ru) | 2003-11-27 |
Family
ID=32028429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2000112560/28A RU2217844C2 (ru) | 2000-02-24 | 2000-05-22 | Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2217844C2 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2474919C1 (ru) * | 2011-07-25 | 2013-02-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации (Минобороны России) | Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах |
-
2000
- 2000-05-22 RU RU2000112560/28A patent/RU2217844C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2474919C1 (ru) * | 2011-07-25 | 2013-02-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации (Минобороны России) | Способ получения локальных низкоомных областей силицида титана в интегральных схемах |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Yang et al. | Measurements of anisotropic thermoelectric properties in superlattices | |
Venkatasubramanian | Lattice thermal conductivity reduction and phonon localizationlike behavior in superlattice structures | |
Rainey et al. | Effect of pressure, subcooling, and dissolved gas on pool boiling heat transfer from microporous, square pin-finned surfaces in FC-72 | |
Seo et al. | Surface charge density of unpassivated and passivated metal-catalyzed silicon nanowires | |
KR930003449A (ko) | 열 방사 콤포넌트 및 그것을 갖는 반도체 장치 | |
EP0892443A3 (en) | Electrode of n-type nitride semiconductor, semiconductor device having the electrode, and method of fabricating the same | |
GB1457806A (en) | Semiconductor device manufacture | |
JP2004015061A (ja) | 集積回路、冷却体および温度センサを有する半導体構成素子 | |
Matsumoto et al. | Investigations of cooling solutions for three-dimensional (3D) chip stacks | |
RU2217844C2 (ru) | Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим p-n переходом | |
Aboelfotoh | On Schottky barrier inhomogeneities at silicide/silicon interfaces | |
Gupta et al. | Determination of contact resistivity by the Cox and Strack method for metal contacts to bulk bismuth antimony telluride | |
WO2001084627A3 (en) | Electronic devices with diffusion barrier and process for making same | |
Touzelbaev et al. | Applications of micron-scale passive diamond layers for the integrated circuits and microelectromechanical systems industries | |
Chester et al. | Some calculations regarding the characteristic length for superfluidity in liquid helium | |
Chern et al. | Contact-electromigration-induced leakage failure in aluminum-silicon to silicon contacts | |
Veloric et al. | Silicon Diffused Junction “Avalanche” Diodes | |
JPS62298167A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
Tōyama et al. | Variation of the effective Richardson constant of Pt‐Si Schottky diode due to annealing treatment | |
Keffous et al. | 40 Å Platinum–porous SiC gas sensor: investigation sensing properties of H2 gas | |
Ašmontas et al. | Microwave detectors based on porous silicon | |
Finnemore et al. | Secondary Thermometer for the 4 to 20° K Range | |
Cortes et al. | Effects of contact resistance and dopant concentration in metal—Semiconductor thermoelectric coolers | |
Kamilov et al. | On the possibility of developing thermoelectric sensors based on multielement higher manganese silicide film structures | |
RU97102455A (ru) | Устройство для измерения излучения - болометр |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20050523 |