RU2011110386A - Фотоэлектрический элемент и способ изготовления фотоэлектрического элемента - Google Patents
Фотоэлектрический элемент и способ изготовления фотоэлектрического элемента Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011110386A RU2011110386A RU2011110386/28A RU2011110386A RU2011110386A RU 2011110386 A RU2011110386 A RU 2011110386A RU 2011110386/28 A RU2011110386/28 A RU 2011110386/28A RU 2011110386 A RU2011110386 A RU 2011110386A RU 2011110386 A RU2011110386 A RU 2011110386A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- active layer
- layer
- silicon compound
- contact
- element according
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
1. Фотоэлектрический элемент, содержащий: ! - электродный слой из прозрачного электропроводящего оксида на прозрачной несущей подложке, затем ! - контактный слой из легированного соединения кремния первого типа, затем ! - первый активный слой из легированного аморфного соединения кремния первого типа, затем ! - второй активный слой из соединения кремния с собственной проводимостью, затем ! - третий активный слой из легированного соединения кремния второго типа, ! где упомянутый контактный слой состоит из аморфного соединения кремния и имеет толщину, самое большее, 10 нм, причем материал упомянутого контактного слоя имеет запрещенную зону, которая меньше, чем запрещенная зона материала упомянутого первого активного слоя. ! 2. Элемент по п.1, где упомянутый второй активный слой состоит из гидрированного кремния. ! 3. Элемент по п.1, где упомянутый второй активный слой состоит из аморфного соединения кремния. ! 4. Элемент по п.2, где упомянутый второй активный слой состоит из аморфного соединения кремния. ! 5. Элемент по п.1, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO. ! 6. Элемент по п.2, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO. ! 7. Элемент по п.3, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO. ! 8. Элемент по п.4, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO. ! 9. Элемент по одному из пп.1-8, где материал упомянутого первого активного слоя содержит C с первым атомным процентным содержанием, а материал упомянутого контактного слоя содержит С со вторым атомным процентным содержанием, причем упомянутое второе процентное содержание меньше, чем упомянутое первое процентное содержание вплоть до исчезновения. ! 10. Элемент по одно�
Claims (22)
1. Фотоэлектрический элемент, содержащий:
- электродный слой из прозрачного электропроводящего оксида на прозрачной несущей подложке, затем
- контактный слой из легированного соединения кремния первого типа, затем
- первый активный слой из легированного аморфного соединения кремния первого типа, затем
- второй активный слой из соединения кремния с собственной проводимостью, затем
- третий активный слой из легированного соединения кремния второго типа,
где упомянутый контактный слой состоит из аморфного соединения кремния и имеет толщину, самое большее, 10 нм, причем материал упомянутого контактного слоя имеет запрещенную зону, которая меньше, чем запрещенная зона материала упомянутого первого активного слоя.
2. Элемент по п.1, где упомянутый второй активный слой состоит из гидрированного кремния.
3. Элемент по п.1, где упомянутый второй активный слой состоит из аморфного соединения кремния.
4. Элемент по п.2, где упомянутый второй активный слой состоит из аморфного соединения кремния.
5. Элемент по п.1, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO.
6. Элемент по п.2, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO.
7. Элемент по п.3, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO.
8. Элемент по п.4, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO.
9. Элемент по одному из пп.1-8, где материал упомянутого первого активного слоя содержит C с первым атомным процентным содержанием, а материал упомянутого контактного слоя содержит С со вторым атомным процентным содержанием, причем упомянутое второе процентное содержание меньше, чем упомянутое первое процентное содержание вплоть до исчезновения.
10. Элемент по одному из пп.1-8, где упомянутый контактный слой имеет толщину, самое большее, 3 нм.
11. Элемент по п.9, где упомянутый контактный слой имеет толщину, самое большее, 3 нм.
12. Фотоэлектрическая преобразующая панель, содержащая, по меньшей мере, один фотоэлектрический элемент по одному из пп.1-11.
13. Способ изготовления фотоэлектрического элемента, где осаждают
- электродный слой из прозрачного электропроводящего оксида на прозрачной несущей подложке, в контакте с этим
- контактный слой из легированного соединения кремния первого типа, в контакте с этим
- первый активный слой из легированного аморфного соединения кремния первого типа, в контакте с этим
- второй активный слой из соединения кремния с собственной проводимостью, в контакте с этим
- третий активный слой из легированного соединения кремния второго типа,
таким образом, что осаждают контактный слой из аморфного материала с толщиной, которая составляет, самое большее, 10 нм, и регулируют запрещенную зону материала упомянутого контактного слоя, чтобы она была меньше, чем запрещенная зона материала упомянутого первого активного слоя.
14. Способ по п.13, где регулируют упомянутые запрещенные зоны с помощью соответствующих количеств углерода в упомянутых материалах.
15. Способ по п.13, содержащий по меньшей мере одно из осаждение упомянутого электродного слоя из ZnO и осаждение упомянутого второго активного слоя из гидрированного кремния.
16. Способ по п.14, содержащий по меньшей мере одно из осаждение упомянутого электродного слоя из ZnO и осаждение упомянутого второго активного слоя из гидрированного кремния.
17. Способ по одному из пп.13-16, где осаждают упомянутый контактный слой толщиной, самое большее, 3 нм.
18. Способ по п.13, где осаждают упомянутый второй активный слой из аморфного материала.
19. Способ по п.14, где осаждают упомянутый второй активный слой из аморфного материала.
20. Способ по п.15, где осаждают упомянутый второй активный слой из аморфного материала.
21. Способ по п.16, где осаждают упомянутый второй активный слой из аморфного материала.
22. Способ по п.17, где осаждают упомянутый второй активный слой из аморфного материала.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US8993408P | 2008-08-19 | 2008-08-19 | |
| US61/089,934 | 2008-08-19 | ||
| PCT/EP2009/058695 WO2010020469A2 (en) | 2008-08-19 | 2009-07-08 | Photovoltaic cell and method of manufacturing a photovoltaic cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011110386A true RU2011110386A (ru) | 2012-09-27 |
| RU2501121C2 RU2501121C2 (ru) | 2013-12-10 |
Family
ID=41707503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011110386/28A RU2501121C2 (ru) | 2008-08-19 | 2009-07-08 | Фотоэлектрический элемент и способ изготовления фотоэлектрического элемента |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110180124A1 (ru) |
| EP (1) | EP2319094A2 (ru) |
| JP (1) | JP2012500483A (ru) |
| CN (1) | CN102144296B (ru) |
| RU (1) | RU2501121C2 (ru) |
| TW (1) | TWI483405B (ru) |
| WO (1) | WO2010020469A2 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5841231B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2016-01-13 | トヨタ自動車株式会社 | 光起電力素子及びその製造方法 |
| ES1201135Y (es) * | 2015-04-09 | 2018-03-09 | Aleksandr Anatolevich Kobtsev | Sistema de panel de vidrio múltiple que puede calentarse, montado en ventana |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1405712A3 (ru) * | 1975-07-28 | 1988-06-23 | Ркакорпорейшн (Фирма) | Полупроводниковое устройство |
| JPS59163875A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| JPS61104678A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | アモルフアス太陽電池 |
| JPH11354820A (ja) * | 1998-06-12 | 1999-12-24 | Sharp Corp | 光電変換素子及びその製造方法 |
| US6077722A (en) * | 1998-07-14 | 2000-06-20 | Bp Solarex | Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts |
| JP3453315B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2003-10-06 | 三菱重工業株式会社 | 非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法 |
| JP3364180B2 (ja) * | 1999-01-18 | 2003-01-08 | 三菱重工業株式会社 | 非晶質シリコン太陽電池 |
| US6383898B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
| US7667133B2 (en) * | 2003-10-29 | 2010-02-23 | The University Of Toledo | Hybrid window layer for photovoltaic cells |
| US20080223440A1 (en) * | 2007-01-18 | 2008-09-18 | Shuran Sheng | Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same |
| CN101237000A (zh) * | 2007-01-29 | 2008-08-06 | 北京行者多媒体科技有限公司 | 基于薄膜硅的多结光伏器件的纳米晶硅和非晶锗混合型吸收层 |
| US8114484B2 (en) * | 2007-07-19 | 2012-02-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition technology for large-size processing |
-
2009
- 2009-07-08 RU RU2011110386/28A patent/RU2501121C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-07-08 JP JP2011523364A patent/JP2012500483A/ja active Pending
- 2009-07-08 CN CN200980132438.2A patent/CN102144296B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-08 WO PCT/EP2009/058695 patent/WO2010020469A2/en active Application Filing
- 2009-07-08 EP EP09780336A patent/EP2319094A2/en not_active Withdrawn
- 2009-07-08 US US13/059,265 patent/US20110180124A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-17 TW TW098127525A patent/TWI483405B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2501121C2 (ru) | 2013-12-10 |
| TWI483405B (zh) | 2015-05-01 |
| CN102144296A (zh) | 2011-08-03 |
| EP2319094A2 (en) | 2011-05-11 |
| WO2010020469A2 (en) | 2010-02-25 |
| US20110180124A1 (en) | 2011-07-28 |
| WO2010020469A3 (en) | 2010-08-19 |
| CN102144296B (zh) | 2015-04-01 |
| TW201017901A (en) | 2010-05-01 |
| JP2012500483A (ja) | 2012-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| He et al. | α-Ga2O3 nanorod array–Cu2O microsphere p–n junctions for self-powered spectrum-distinguishable photodetectors | |
| KR101040956B1 (ko) | 산화아연 나노와이어를 이용한 박막 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법 | |
| Inamdar et al. | ZnO based visible–blind UV photodetector by spray pyrolysis | |
| TW201218401A (en) | Crystalline photovoltaic cell and method of manufacturing crystalline photovoltaic cell | |
| JP5873881B2 (ja) | 太陽光発電装置及びその製造方法。 | |
| CN106684161B (zh) | 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| TW201030994A (en) | Two sided light absorbing type solar cell | |
| CN101552302A (zh) | 一种具有超晶格p型半导体层的硅薄膜太阳能电池 | |
| US9818902B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| CN106784113A (zh) | 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| US20130133740A1 (en) | Photovoltaic device and method for manufacturing same | |
| RU2011110386A (ru) | Фотоэлектрический элемент и способ изготовления фотоэлектрического элемента | |
| KR101264368B1 (ko) | 다층 구조의 쇼트키 접합층을 갖는 태양 전지 | |
| KR20100096642A (ko) | 상압 플라즈마 표면처리된 윈도우층을 가지는 화합물 태양전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물 태양전지 | |
| CN109728173A (zh) | 薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| KR20110027005A (ko) | 박막 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN103875083B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| KR101210034B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20110107934A (ko) | 탄소나노튜브/ＺｎＯ 투명태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN101707219A (zh) | 本征隔离结构太阳能电池及其制造方法 | |
| KR20110012552A (ko) | 박막 태양 전지의 제조방법 | |
| US20130092220A1 (en) | Apparatus for generating electricity using solar power and method for manufacturing same | |
| CN105789353A (zh) | 具有掺杂缓冲层的太阳能电池和制造太阳能电池的方法 | |
| KR101445041B1 (ko) | 3차원 구조의 광흡수층을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN102368507A (zh) | 一种点接触背面场异质结太阳电池及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160709 |