RU2010112838A - Фуллерено-подобные наноструктуры, способ их получения и применение - Google Patents
Фуллерено-подобные наноструктуры, способ их получения и применение Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010112838A RU2010112838A RU2010112838/05A RU2010112838A RU2010112838A RU 2010112838 A RU2010112838 A RU 2010112838A RU 2010112838/05 A RU2010112838/05 A RU 2010112838/05A RU 2010112838 A RU2010112838 A RU 2010112838A RU 2010112838 A RU2010112838 A RU 2010112838A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- inorganic fullerene
- nanostructure according
- nanostructure
- chalcogenide
- fullerene
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G39/00—Compounds of molybdenum
- C01G39/06—Sulfides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G39/00—Compounds of molybdenum
- C01G39/006—Compounds containing, besides molybdenum, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G41/00—Compounds of tungsten
- C01G41/006—Compounds containing, besides tungsten, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
- C01P2004/13—Nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
- C01P2004/34—Spheres hollow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
1. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура формулы A1-x-Bx-халькогенид, где А представляет собой металл или переходный металл либо сплав металлов и/или переходных металлов, В является металлом или переходным металлом, а х≤0,3; при условии, что А≠В. ! 2. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что А представляет собой по меньшей мере один из следующих элементов: Мо, W, Re, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Pt, Ru, Rh, In, Ga, InS, InSe, GaS, GaSe, WMo, TiW. ! 3. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что В выбран из следующих элементов: Si, Nb, Та, W, Мо, Sc, Y, La, Hf, Ir, Mn, Ru, Re, Os, V, Au, Rh, Pd, Cr, Co, Fe, Ni. ! 4. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что указанный халькогенид выбран из S, Se, Те. ! 5. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.2, отличающаяся тем, что указанный халькогенид представляет собой S. ! 6. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что выбрана из следующих: Mo1-xNbxS2, Mo1-xNbxSe2, W1-xTaxS2, W1-xTaxSe2, MOxWyNb1-x-yS2, MoxWyNb1-x-ySe2, Re1-xWxS2, Ti1-xSCxS2, Zr1-xYxS2, Hf1-xLaxS2, Ta1-xHfxS2, Pt1-xIrxS2, Ru1-xMnxS2, Rh1-xRuxS2, Mo1-xRexS2, W1-xRexS2, Re1-xOsxS2, Ti1-xVxS2, Zr1-xNbxS2, Hf1-xTaxS2, Ta1-xWxS2, Pt1-xAuxS2, Ru1-xRhxS2, Rh1-xPdxS2. ! 7. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по любому из пп.1-6, отличающаяся тем, что представлет собой Mo1-xNbxS2, где х≤0,3 ! 8. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что представлет собой Mo1-xRexS2, где х≤0,05. ! 9. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что представлет собой W1-xRexS2, где х≤0,05. ! 10. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что представлет собой W1-xNbxS2, где х≤0,3 ! 11. Неорганическая фуллерено-подобная нан�
Claims (31)
1. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура формулы A1-x-Bx-халькогенид, где А представляет собой металл или переходный металл либо сплав металлов и/или переходных металлов, В является металлом или переходным металлом, а х≤0,3; при условии, что А≠В.
2. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что А представляет собой по меньшей мере один из следующих элементов: Мо, W, Re, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Pt, Ru, Rh, In, Ga, InS, InSe, GaS, GaSe, WMo, TiW.
3. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что В выбран из следующих элементов: Si, Nb, Та, W, Мо, Sc, Y, La, Hf, Ir, Mn, Ru, Re, Os, V, Au, Rh, Pd, Cr, Co, Fe, Ni.
4. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что указанный халькогенид выбран из S, Se, Те.
5. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.2, отличающаяся тем, что указанный халькогенид представляет собой S.
6. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что выбрана из следующих: Mo1-xNbxS2, Mo1-xNbxSe2, W1-xTaxS2, W1-xTaxSe2, MOxWyNb1-x-yS2, MoxWyNb1-x-ySe2, Re1-xWxS2, Ti1-xSCxS2, Zr1-xYxS2, Hf1-xLaxS2, Ta1-xHfxS2, Pt1-xIrxS2, Ru1-xMnxS2, Rh1-xRuxS2, Mo1-xRexS2, W1-xRexS2, Re1-xOsxS2, Ti1-xVxS2, Zr1-xNbxS2, Hf1-xTaxS2, Ta1-xWxS2, Pt1-xAuxS2, Ru1-xRhxS2, Rh1-xPdxS2.
7. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по любому из пп.1-6, отличающаяся тем, что представлет собой Mo1-xNbxS2, где х≤0,3
8. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что представлет собой Mo1-xRexS2, где х≤0,05.
9. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что представлет собой W1-xRexS2, где х≤0,05.
10. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что представлет собой W1-xNbxS2, где х≤0,3
11. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.7, представляющая собой наночастицу, нанотрубку или их смесь, где структуры Mo-Ti-S2, Mo-W-S2, W-Nb-S2 исключены.
12. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что атомы металла или переходного металла В встроены в кристаллическую решетку А-халькогенида.
13. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что металл или переходный металл В однородно распределен внутри указанной наноструктуры.
14. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что представлет собой хорошо граненую наночастицу.
15. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, где атомы А и В распределены непрерывно и произвольно чередуются внутри каждого слоя.
16. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, где атомы А и В поочередно встроены в кристаллическую решетку А-халькогенида.
17. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.7, отличающаяся тем, что атомы металла или переходного металла В встроены в кристаллическую решетку А-халькогенида.
18. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.7, отличающаяся тем, что Nb однородно распределен внутри указанной наноструктуры.
19. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.7, представляющая собой хорошо граненую наночастицу.
20. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.7, где атомы Мо и Nb распределены непрерывно и произвольно чередуются внутри каждого слоя.
21. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.7, включающая в себя атомы Мо и Nb, поочередно встроенные в кристаллическую решетку MoS2.
22. MoS2 наночастицы и нанотрубки, легированные Nb, Re.
23. WS2 наночастицы и нанотрубки, легированные Nb, Re.
24. Способ получения фуллерено-подобных наночастиц формулы A1-x-Bx-халькогенид, где А представляет собой металл или переходный металл либо сплав металлов или переходных металлов, включающий по меньшей мере один из следующих: Мо, W, Re, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Pt, Ru, Rh, In, Ga, InS, InSe, GaS, GaSe, WMo, TiW; В представляет собой металл или переходный металл, выбранный из следующих: Si, Nb, Та, W, Мо, Sc, Y, La, Hf, Ir, Mn, Ru, Re, Os, V, Au, Rh, Pd, Cr, Co, Fe, Ni; и x≤0,3, при условии, что в пределах указанной наноструктуры А≠В; и содержащий В и В-халькогенид, легированный в A1-x-халькогенид, включающий:
получение A-Y1 и B-Y2 композиций, каждая из которых находится в паровой фазе, a Y1 и Y2 представляют собой одинаковые или разные галогены, выбранные из хлора, брома или иода;
направление указанных паров A-Y1 и B-Y2 вместе с формир-газом, несущим восстанавливающий агент, в реакционную камеру, где они встречают противоположный по направлению поток реакционного газа, несущего халькогенид, тем самым обуславливая протекание восстановления металлов или переходных металлов А и В с последующей реакцией с реакционным газом, несущим халькогенид, приводящей к образованию указанных наноструктур.
25. Способ по п.24, отличающийся тем, что получение композиций A-Y1 и b-Y2 в паровой фазе включает в себя испарение композиций A-Y1 и B-Y2 в камере, отдельной от указанной реакционной камеры.
26. Способ по п.24, отличающийся тем, что получение композиций A-Y1 и b-Y2 в паровой фазе включает в себя испарение композиций A-Y1 и B-Y2 в двух камерах, отдельных от указанной реакционной камеры.
27. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, где предшественник А-халькогенид является полупроводником с определенной электропроводностью, при этом фуллерено-подобная наноструктура имеет более высокую электропроводность.
28. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, которая является донором или акцептором электронов.
29. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.1, которая является магнитной наноструктурой.
30. Неорганическая фуллерено-подобная наноструктура по п.28, выбранная из FeMoS2, FeMoSe2, FeWS2, FeWSe2, FeReS2, FeHfS2, FeTiS2, FeZrS2, FeS2, FeTaS2, FeNbS2, FeTaS2, FeNbSe2, FeTaSe2.
31. Способ получения наноструктурного электрического проводника, включающий выполнение способа по пп.24-26, где указанный предшественник А-халькогенид является полупроводником с определенной электропроводностью, а фуллерено-подобные наночастицы, полученные из указанного предшественника, имеют более высокую электропроводность.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US97105707P | 2007-09-10 | 2007-09-10 | |
US60/971,057 | 2007-09-10 | ||
PCT/IL2008/001213 WO2009034572A1 (en) | 2007-09-10 | 2008-09-10 | Fullerene-like nanostructures, their use and process for their production |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010112838A true RU2010112838A (ru) | 2011-10-20 |
RU2494967C2 RU2494967C2 (ru) | 2013-10-10 |
Family
ID=40242838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010112838/04A RU2494967C2 (ru) | 2007-09-10 | 2008-09-10 | Фуллереноподобные наноструктуры, способ их получения и применение |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2190784B1 (ru) |
JP (2) | JP5607529B2 (ru) |
CN (2) | CN101888974A (ru) |
RU (1) | RU2494967C2 (ru) |
WO (1) | WO2009034572A1 (ru) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009034572A1 (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Yeda Research And Development Company Ltd. | Fullerene-like nanostructures, their use and process for their production |
US8329138B2 (en) | 2007-09-10 | 2012-12-11 | Yeda Research And Development Company Ltd. | Fullerene-like nanostructures, their use and process for their production |
JP5029783B2 (ja) | 2009-05-28 | 2012-09-19 | トヨタ自動車株式会社 | 充電システム |
FR2949786B1 (fr) | 2009-09-10 | 2013-07-05 | Total Raffinage Marketing | Composition de graisse. |
WO2014033718A1 (en) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Processes for obtaining inorganic nanostructures made of oxides or chalcogenides of two metals |
EP3011623A1 (en) * | 2013-06-18 | 2016-04-27 | Yeda Research and Development Co., Ltd. | Fullerene-like nanoparticles and inorganic nanotubes as host electrode materials for sodium/magnesium ion batteries |
RU2581658C2 (ru) * | 2014-02-10 | 2016-04-20 | Александр Валерьевич Чичварин | Способ получения аддуктов смеси фуллеренов фракции с50-с92 и регулятор роста растений на их основе |
KR102188719B1 (ko) * | 2014-05-27 | 2020-12-08 | 삼성전자주식회사 | 도전성 소재 및 전자 소자 |
TWI532892B (zh) | 2015-02-16 | 2016-05-11 | 炬力奈米科技有限公司 | 二維層狀硫族化合物的合成方法及製程設備 |
US20180170754A1 (en) * | 2015-06-01 | 2018-06-21 | Baoshan Iron & Steel Co., Ltd. | Aqueous-based method of preparing metal chalcogenide nanomaterials |
CN105047696B (zh) * | 2015-06-02 | 2017-12-08 | 西北工业大学 | 一种p型导电薄膜NbxW1‑xS2及制备方法 |
CN105948126B (zh) * | 2016-04-26 | 2017-12-05 | 国家纳米科学中心 | 钴掺杂硫化钨纳米片、其制备方法及电化学析氢的用途 |
IL249804A0 (en) * | 2016-12-27 | 2017-04-02 | Yeda Res & Dev | Electromechanical devices are based on metal chalcogenide nanotubes |
CN108878664A (zh) * | 2017-05-11 | 2018-11-23 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法与应用 |
US11859080B2 (en) | 2018-02-22 | 2024-01-02 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Hydroxyapatite based composites and films thereof |
CN110104686A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-08-09 | 南京邮电大学 | 一种纳米管状二硫化钼的制备方法 |
WO2021059325A1 (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | Dic株式会社 | 硫化モリブデン粉体及びその製造方法 |
CN110743576B (zh) * | 2019-11-16 | 2021-07-13 | 福州大学 | 一种中空双棱锥结构四元硫化镍铁钼对电极催化剂的制备方法 |
JP7414159B2 (ja) * | 2021-02-09 | 2024-01-16 | Dic株式会社 | 金属ドープ硫化モリブデン粉体の製造方法 |
CN113051716B (zh) * | 2021-03-04 | 2022-08-02 | 上海交通大学 | 一种mmc多维阻抗降阶与稳定性分析方法、系统及介质 |
US20240158714A1 (en) * | 2021-03-24 | 2024-05-16 | Dic Corporation | Molybdenum disulfide particles and lubricating composition |
WO2022201610A1 (ja) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Dic株式会社 | 二硫化モリブデン粒子及び潤滑組成物 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01183418A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-21 | Osaka Cement Co Ltd | 二硫化チタンの製造方法 |
IL119719A0 (en) * | 1996-11-29 | 1997-02-18 | Yeda Res & Dev | Inorganic fullerene-like structures of metal chalcogenides |
UA37288C2 (ru) * | 1998-07-23 | 2001-05-15 | Інститут Проблем Матеріалознавства Ім.І.М. Францевича Національної Академії Наук України | Способ получения нанокристаллических порошков дихалькогенидов вольфрама, молибдена, ниобия и их интеркалятов |
JP3768046B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2006-04-19 | 三洋電機株式会社 | リチウム二次電池 |
US6787122B2 (en) * | 2001-06-18 | 2004-09-07 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Method of making nanotube-based material with enhanced electron field emission properties |
DE60329739D1 (de) * | 2002-08-24 | 2009-12-03 | Haldor Topsoe As | Rheniumsulfid Nanoröhrenmaterial und Verfahren zur Herstellung |
JP4125638B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2008-07-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | V族遷移金属ダイカルコゲナイド結晶からなるナノファイバー又はナノチューブ並びにその製造方法 |
FR2863265B1 (fr) * | 2003-12-04 | 2006-12-08 | Centre Nat Rech Scient | Procede de synthese de nanoparticules de chalcogenures ayant une structure lamellaire |
EP1874686B8 (en) * | 2005-04-07 | 2018-04-25 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Process and apparatus for producing inorganic fullerene-like nanoparticles |
WO2009034572A1 (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Yeda Research And Development Company Ltd. | Fullerene-like nanostructures, their use and process for their production |
-
2008
- 2008-09-10 WO PCT/IL2008/001213 patent/WO2009034572A1/en active Application Filing
- 2008-09-10 CN CN2008801110980A patent/CN101888974A/zh active Pending
- 2008-09-10 RU RU2010112838/04A patent/RU2494967C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2008-09-10 JP JP2010523646A patent/JP5607529B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-10 CN CN201510378444.3A patent/CN105152139B/zh active Active
- 2008-09-10 EP EP08808021.3A patent/EP2190784B1/en active Active
-
2014
- 2014-07-03 JP JP2014137499A patent/JP5905523B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010538951A (ja) | 2010-12-16 |
EP2190784B1 (en) | 2019-06-12 |
JP5905523B2 (ja) | 2016-04-20 |
WO2009034572A1 (en) | 2009-03-19 |
JP5607529B2 (ja) | 2014-10-15 |
CN105152139B (zh) | 2017-08-25 |
EP2190784A1 (en) | 2010-06-02 |
CN101888974A (zh) | 2010-11-17 |
JP2014218429A (ja) | 2014-11-20 |
RU2494967C2 (ru) | 2013-10-10 |
CN105152139A (zh) | 2015-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010112838A (ru) | Фуллерено-подобные наноструктуры, способ их получения и применение | |
Gu et al. | Nanographenes and graphene nanoribbons as multitalents of present and future materials science | |
JP2010538951A5 (ru) | ||
Kretschmer et al. | Structural transformations in two-dimensional transition-metal dichalcogenide MoS2 under an electron beam: insights from first-principles calculations | |
Xia et al. | Spectroscopic signatures of AA′ and AB stacking of chemical vapor deposited bilayer MoS2 | |
Koski et al. | High-density chemical intercalation of zero-valent copper into Bi2Se3 nanoribbons | |
Gong et al. | Tellurium-assisted low-temperature synthesis of MoS2 and WS2 monolayers | |
Shi et al. | Substrate facet effect on the growth of monolayer MoS2 on Au foils | |
Luo et al. | Design of p–p heterojunctions based on CuO decorated WS2 nanosheets for sensitive NH3 gas sensing at room temperature | |
Jung et al. | Chemically synthesized heterostructures of two-dimensional molybdenum/tungsten-based dichalcogenides with vertically aligned layers | |
Wang et al. | Surface tension components ratio: an efficient parameter for direct liquid phase exfoliation | |
Singh et al. | Self-functionalized ultrastable water suspension of luminescent carbon quantum dots | |
Trang et al. | Tarnishing silver metal into mithrene | |
Muhabie et al. | Non-covalently functionalized boron nitride mediated by a highly self-assembled supramolecular polymer | |
Yang et al. | Insights into the oxidation mechanism of sp2–sp3 hybrid carbon materials: preparation of a water-soluble 2D porous conductive network and detectable molecule separation | |
Pohl et al. | Understanding the metal-carbon interface in FePt catalyzed carbon nanotubes | |
Xue et al. | High-temperature in situ investigation of chemical vapor deposition to reveal growth mechanisms of monolayer molybdenum disulfide | |
Park et al. | A scalable, solution-based approach to tuning the solubility and improving the photoluminescence of chemically exfoliated MoS2 | |
Rostami et al. | Interaction of nitrotyrosine with aluminum nitride nanostructures: A density functional approach | |
Zhang et al. | Organic multicomponent microparticle libraries | |
Wu et al. | Formation of hexagonal PdSe2 for electronics and catalysis | |
Liu et al. | Huge absorption edge blue shifts of layered α-MoO3 crystals upon thickness reduction approaching 2D nanosheets | |
Qu et al. | Facile synthesis of hierarchical SnO2 twig-like microstructures and their applications in humidity sensors | |
Rahaman et al. | Observation of different charge transport processes and origin of magnetism in rGO and rGO-ZnSe composite | |
Song et al. | Millisecond laser ablation of molybdenum target in reactive gas toward MoS2 fullerene-like nanoparticles with thermally stable photoresponse |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160911 |