RU2009131040A - Стеклянная подложка, покрытая слоями с улучшенной механической прочностью - Google Patents

Стеклянная подложка, покрытая слоями с улучшенной механической прочностью Download PDF

Info

Publication number
RU2009131040A
RU2009131040A RU2009131040/03A RU2009131040A RU2009131040A RU 2009131040 A RU2009131040 A RU 2009131040A RU 2009131040/03 A RU2009131040/03 A RU 2009131040/03A RU 2009131040 A RU2009131040 A RU 2009131040A RU 2009131040 A RU2009131040 A RU 2009131040A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate according
oxide
mixed layer
oxynitride
nitride
Prior art date
Application number
RU2009131040/03A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2462424C2 (ru
Inventor
Бернар НГЬЕМ (FR)
Бернар Нгьем
Эмили ВЬЯСНОФФ (FR)
Эмили Вьяснофф
Бертран КУН (FR)
Бертран КУН
БЕЛЛАК Давид ЛЕ (FR)
Беллак Давид Ле
Анн ДЮРАНДО (FR)
Анн Дюрандо
Фабрис ЭББОТТ (FR)
Фабрис ЭББОТТ
Эдди РОЙЕР (FR)
Эдди Ройер
Жорж ЗАГДУН (FR)
Жорж Загдун
Оливье ДЮБУА (FR)
Оливье ДЮБУА
Original Assignee
Сэн-Гобэн Гласс Франс (Fr)
Сэн-Гобэн Гласс Франс
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR0752664A external-priority patent/FR2911336B3/fr
Priority claimed from FR0753943A external-priority patent/FR2913973B1/fr
Application filed by Сэн-Гобэн Гласс Франс (Fr), Сэн-Гобэн Гласс Франс filed Critical Сэн-Гобэн Гласс Франс (Fr)
Publication of RU2009131040A publication Critical patent/RU2009131040A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2462424C2 publication Critical patent/RU2462424C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C23C16/029—Graded interfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/90—Other aspects of coatings
    • C03C2217/91—Coatings containing at least one layer having a composition gradient through its thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

1. Прозрачная стеклянная подложка, связанная с прозрачным электропроводящим слоем, способным образовывать электрод фотогальванической ячейки и состоящим из легированного оксида, и отличающаяся наличием расположенного между стеклянной подложкой и прозрачным электропроводящим слоем смешанного слоя, состоящего по меньшей мере из одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксик арбида, имеющего хорошие свойства адгезии к стеклу, и по меньшей мере из одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида, способного образовывать при необходимости в легированном виде прозрачный электропроводящий слой. ! 2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой имеет градиент состава с уменьшением содержания по меньшей мере одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида с увеличением расстояния от стеклянной подложки. ! 3. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой имеет градиент состава с возрастанием содержания по меньшей мере одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида с увеличением расстояния от стеклянной подложки. ! 4. Подложка по п.1, механическая прочность которой не ухудшается в течение 24 ч после действия по меньшей мере в течение 10 мин, предпочтительно в течение 20 мин электрического поля напряжением по меньшей мере 100 В, предпочтительно 200 В, прилагаемым с одной и другой стороны подложки, и температуры по меньшей мере 200°C, индуцирующих наведение электрического заряда величиной по меньшей мере 2 мКл/см2, предпочтительно 8 мКл/см2 соответственно значениям удельного электрического сопротивления стеклянной подложки при температу

Claims (35)

1. Прозрачная стеклянная подложка, связанная с прозрачным электропроводящим слоем, способным образовывать электрод фотогальванической ячейки и состоящим из легированного оксида, и отличающаяся наличием расположенного между стеклянной подложкой и прозрачным электропроводящим слоем смешанного слоя, состоящего по меньшей мере из одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксик арбида, имеющего хорошие свойства адгезии к стеклу, и по меньшей мере из одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида, способного образовывать при необходимости в легированном виде прозрачный электропроводящий слой.
2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой имеет градиент состава с уменьшением содержания по меньшей мере одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида с увеличением расстояния от стеклянной подложки.
3. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой имеет градиент состава с возрастанием содержания по меньшей мере одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида с увеличением расстояния от стеклянной подложки.
4. Подложка по п.1, механическая прочность которой не ухудшается в течение 24 ч после действия по меньшей мере в течение 10 мин, предпочтительно в течение 20 мин электрического поля напряжением по меньшей мере 100 В, предпочтительно 200 В, прилагаемым с одной и другой стороны подложки, и температуры по меньшей мере 200°C, индуцирующих наведение электрического заряда величиной по меньшей мере 2 мКл/см2, предпочтительно 8 мКл/см2 соответственно значениям удельного электрического сопротивления стеклянной подложки при температуре испытания.
5. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что слоистый пакет смешанного слоя с прозрачным электропроводящим слоем имеет размытость не более 30%.
6. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой на границе раздела с прозрачным электропроводящим слоем имеет поверхность, образованную случайно ориентированными стержнеобразными элементами длиной от 10 до 50 нм, диаметром от 5 до 20 нм, создающими шероховатость RMS от 10 до 50 нм и вызывающими увеличение размытости всего слоистого пакета от 5 до 10% по сравнению с таким же слоистым пакетом смешанного слоя с прозрачным электропроводящим слоем, в котором первый названный слой имеет гладкую поверхность.
7. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что слоистый пакет смешанного слоя с прозрачным электропроводящим слоем имеет светопропускание по меньшей мере 75%, предпочтительно 80%.
8. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что слоистый пакет смешанного слоя с прозрачным электропроводящим слоем имеет поверхностное сопротивление R□ в интервале от 5 до 1000 Ом.
9. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что слоистый пакет смешанного слоя с прозрачным электропроводящим слоем имеет поглощение в видимой и близкой инфракрасной частях спектра не более 10%.
10. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере один первый нитрид или оксинитрид, или оксид, или оксикарбид выбран из нитридов или оксинитридов, или оксидов, или оксикарбидов Si, Al и Ti, предпочтительно из SiO2, TiO2 и Al2O3.
11. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере один второй нитрид или оксинитрид, или оксид, или оксикарбид выбран из нитридов или оксинитридов, или оксидов, или оксикарбидов Sn, Zn и In, предпочтительно из SnO2, ZnO и InO.
12. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что прозрачный электропроводящий слой состоит из легированного оксида Sn, Zn или In такого, как SnO2:F, SnO2:Sb, ZnO:Al, ZnO:Ga, InO:Sn или ZnO:In.
13. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой имеет поверхностное сопротивление не более 100 000 Ом, предпочтительно не более 10 000 Ом.
14. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой имеет молярное соотношение F/Sn, по меньшей мере равное 0,01, предпочтительно равное 0,05.
15. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что толщина смешанного слоя находится в интервале от 20 до 500 нм, предпочтительно в интервале от 50 до 300 нм.
16. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что сторона смешанного слоя, обращенная к стеклянной подложке, предпочтительно образована слоем толщиной от 2 до 20 нм, состоящим по меньшей мере из одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида.
17. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что сторона смешанного слоя, обращенная от стеклянной подложки, предпочтительно образована слоем толщиной от 2 до 20 нм, состоящим по меньшей мере из одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида.
18. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что прозрачный электропроводящий слой, состоящий из легированного оксида, связан со смешанным слоем через промежуточный слой, состоящий из такого же, но нелегированного оксида, причем суммарная толщина обоих слоев нелегированного оксида и легированного оксида находится в интервале от 700 до 2000 нм, а соотношение толщин обоих слоев находится в интервале от 1:4 до 4:1.
19. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что прозрачный электропроводящий слой, состоящий из легированного оксида и имеющий толщину в интервале от 300 до 600 нм, сформирован непосредственно на смешанном слое.
20. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что прозрачный электропроводящий слой, состоящий из легированного оксида, покрыт слоем, защищающим при нанесении структурных покрытий фотогальванической ячейки, или слоем, увеличивающим квантовую эффективность фотогальванической ячейки, таким, как оксид цинка или оксид титана.
21. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что одна из сторон подложки покрыта слоистым пакетом, придающим функцию типа противоотражающей способности или гидрофобности, или фотокаталитического действия.
22. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой содержит гранулы, состоящие по меньшей мере из одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида, в смеси с гранулами, состоящими по меньшей мере из одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида.
23. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой содержит смешанные гранулы, состоящие по меньшей мере из одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида и по меньшей мере из одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида.
24. Подложка по п.22 или 23, отличающаяся тем, что размеры гранул, определенные наблюдением под просвечивающим электронным микроскопом, находятся в интервале от 10 до 80 нм, предпочтительно в интервале от 20 до 50 нм.
25. Способ изготовления подложки по любому из предыдущих пунктов, на которой смешанный слой получают нанесением химическим путем в паровой фазе слоя, образующегося при приведении в контакт с подложкой предшественников по меньшей мере одного первого и одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида в присутствии по меньшей мере одного соединения фтора.
26. Способ по п.25, отличающийся тем, что смешанный слой получают химическим осаждением из паровой фазы, усиленным плазмой, предпочтительно плазмой при атмосферном давлении.
27. Способ по п.26, отличающийся тем, что смешанный слой получают при температуре подложки не более 300°C.
28. Способ по п.25, отличающийся тем, что смешанный слой получают при температуре подложки, по меньшей мере равной 500°C, предпочтительно по меньшей мере равной 600°C, более предпочтительно по меньшей мере равной 650°C.
29. Способ по любому из пп.25-28, отличающийся тем, что смешанный слой получают в присутствии вспомогательных агентов, управляющих относительными скоростями нанесения по меньшей мере одного первого и одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида.
30. Способ по п.25, отличающийся тем, что по меньшей мере одно соединение фтора выбрано из перфторметана (CF4), перфторпропана (C3F8), перфторэтана (C2F6), фтороводорода (HF), дифторхлорметана (CHClF2), дифторхлорэтана (CH3CClF2), трифторметана (CHF3), дихлордифторметана (CF2Cl2), трифторхлорметана (CF3Cl), трифторбромметана (CF3Br), трифторуксусной кислоты (ТФУ, CF3COOH) и трифторида азота (NF3).
31. Фотогальваническая ячейка, содержащая подложку по любому из пп.1-24.
32. Закаленное и/или изогнутое стекло с радиусом кривизны не более 2000 мм, предпочтительно не более 500 мм, более предпочтительно не более 300 мм, содержащее подложку по любому из пп.1-24.
33. Фасонное греющее стекло, содержащее подложку по любому из пп.1-24.
34. Плазменный экран, содержащий подложку по любому из пп.1-24.
35. Электрод плоской лампы, содержащий подложку по любому из пп.1-24.
RU2009131040/03A 2007-01-15 2008-01-14 Фотогальваническая ячейка и способ изготовления фотогальванической ячейки RU2462424C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0752664 2007-01-15
FR0752664A FR2911336B3 (fr) 2007-01-15 2007-01-15 Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree
FR0753943A FR2913973B1 (fr) 2007-03-21 2007-03-21 Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree
FR0753943 2007-03-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009131040A true RU2009131040A (ru) 2011-02-27
RU2462424C2 RU2462424C2 (ru) 2012-09-27

Family

ID=39690583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009131040/03A RU2462424C2 (ru) 2007-01-15 2008-01-14 Фотогальваническая ячейка и способ изготовления фотогальванической ячейки

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8470434B2 (ru)
EP (1) EP2114839A2 (ru)
JP (1) JP5475461B2 (ru)
KR (1) KR101456560B1 (ru)
AU (1) AU2008214505B2 (ru)
BR (1) BRPI0806628A2 (ru)
MX (1) MX2009007526A (ru)
RU (1) RU2462424C2 (ru)
WO (1) WO2008099115A2 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2950878B1 (fr) 2009-10-01 2011-10-21 Saint Gobain Procede de depot de couche mince
EP2354107A1 (de) * 2010-02-10 2011-08-10 Saint-Gobain Glass France Verfahren zur Herstellung einer strukturierten TCO-Schutzschicht
FR2956659B1 (fr) * 2010-02-22 2014-10-10 Saint Gobain Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree
DE102010017246A1 (de) * 2010-06-04 2011-12-08 Solibro Gmbh Solarzellenmodul und Herstellungsverfahren hierfür
EP2408022A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-18 Applied Materials, Inc. Thin Film Solar Cell Fabrication Process, Deposition method for TCO layer, and Solar cell precursor layer stack
FR2983350A1 (fr) * 2011-11-30 2013-05-31 Saint Gobain Electrode transparente pour cellule photovoltaique cdte
CN103590001B (zh) * 2013-11-20 2016-01-20 温州大学 一种高强度多层膜系光电玻璃及其制备方法
EP3191423B1 (en) * 2014-09-11 2020-02-12 Pilkington Group Limited Chemical vapour deposition process for depositing a titanium oxide coating
US11596153B2 (en) 2017-06-16 2023-03-07 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Metal-semiconductor-metal plasmonic device and absorber and method for making the same
DE102017115397A1 (de) 2017-07-10 2019-01-10 Schott Schweiz Ag Heißformgebungswerkzeug für die Herstellung von Glascontainern
CN109265014A (zh) * 2018-11-05 2019-01-25 西北工业大学深圳研究院 一种新型类石墨烯二硫化钼基自清洁生态玻璃及制备方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4187336A (en) * 1977-04-04 1980-02-05 Gordon Roy G Non-iridescent glass structures
AU651754B2 (en) * 1991-12-26 1994-07-28 Atofina Chemicals, Inc. Coated glass article
NO931606L (no) 1992-05-26 1993-11-29 Saint Gobain Vitrage Vindusplate med en funksjonell film
JP2874556B2 (ja) * 1994-05-31 1999-03-24 日本板硝子株式会社 透明導電膜付きガラス板およびそれを用いたタッチパネル
US5811191A (en) * 1994-12-27 1998-09-22 Ppg Industries, Inc. Multilayer antireflective coating with a graded base layer
FR2736632B1 (fr) * 1995-07-12 1997-10-24 Saint Gobain Vitrage Vitrage muni d'une couche conductrice et/ou bas-emissive
AU1577697A (en) * 1996-01-11 1997-08-01 Libbey-Owens-Ford Co. Coated glass article having a solar control coating
US6265076B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-24 Libbey-Owens-Ford Co. Anti-reflective films
FR2781789B1 (fr) * 1998-08-03 2001-08-03 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent comportant un reseau de fils metalliques et utilisation de ce substrat
WO2000015572A2 (en) * 1998-09-17 2000-03-23 Libbey-Owens-Ford Co. Heat strengthened coated glass article and method for making same
JP2002529356A (ja) * 1998-11-09 2002-09-10 ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド ソーラーコントロールコーティング及び被覆物品
DE60039774D1 (de) * 1999-08-26 2008-09-18 Agc Flat Glass Europe Sa Verbundglasscheibe
JP2001186967A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd 冷凍・冷蔵庫用ガラスと該ガラスを使用したガラス物品
FR2843483B1 (fr) * 2002-08-06 2005-07-08 Saint Gobain Lampe plane, procede de fabrication et application
FR2856057B1 (fr) * 2003-06-13 2007-03-30 Saint Gobain Traitement par projection de panneaux poses sur un support barriere
US7192647B2 (en) * 2003-06-24 2007-03-20 Cardinal Cg Company Concentration-modulated coatings
US7431992B2 (en) 2004-08-09 2008-10-07 Ppg Industries Ohio, Inc. Coated substrates that include an undercoating
JP2006332453A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Sharp Corp 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池
US20080047603A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008099115A3 (fr) 2008-11-06
JP2010515648A (ja) 2010-05-13
JP5475461B2 (ja) 2014-04-16
BRPI0806628A2 (pt) 2011-09-13
EP2114839A2 (fr) 2009-11-11
US8470434B2 (en) 2013-06-25
KR101456560B1 (ko) 2014-10-31
KR20090101236A (ko) 2009-09-24
WO2008099115A2 (fr) 2008-08-21
RU2462424C2 (ru) 2012-09-27
MX2009007526A (es) 2009-07-22
AU2008214505B2 (en) 2013-02-07
US20100313936A1 (en) 2010-12-16
AU2008214505A1 (en) 2008-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009131040A (ru) Стеклянная подложка, покрытая слоями с улучшенной механической прочностью
JP2010515648A5 (ru)
KR101774611B1 (ko) 개선된 기계적 강도를 갖는 층으로 코팅된 유리 기판
US8187714B2 (en) Transparent substrate provided with an electrode
US20110139237A1 (en) Photovoltaic cell, and substrate for same
JP2002260448A (ja) 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置
SA109300071B1 (ar) إلكترود أمامي به سطح مخدوش للاستخدام في جهاز ڤُلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه
US20160141156A1 (en) Production method for infrared radiation reflecting film
EP2973736B1 (en) Nitrogen-containing transparent conductive oxide cap layer composition
JP6643310B2 (ja) 低放射コーティング、及び低放射コーティングを含む窓戸用機能性建築資材
WO2014191770A1 (en) Interface layer for electronic devices
TWI538227B (zh) 具有抗反射塗層之光伏打電池
WO2013035746A1 (ja) アルカリバリア層付ガラス基板および透明導電性酸化物膜付ガラス基板
JPH07105166B2 (ja) フッ素ドープ酸化錫膜及びその低抵抗化方法
CN102950829B (zh) 导电玻璃及其制备方法
Kim et al. Flexible and transparent TiO2/Ag/ITO multilayer electrodes on PET substrates for organic photonic devices
Ajili et al. Effect of Al-doped on physical properties of ZnO Thin films grown by spray pyrolysis on SnO2: F/glass
EP2266141A1 (en) Glass -type substrate coated with thin layers and production method
US20090308445A1 (en) Photovoltaic cell and photovoltaic cell substrate
JPH06177407A (ja) 透明導電膜
KR101633987B1 (ko) 고투명도 및 도전성 표면을 갖는 유리 적층 구조 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170115