RU2009104057A - Установка плазменного осаждения и способ получения поликристаллического кремния - Google Patents

Установка плазменного осаждения и способ получения поликристаллического кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2009104057A
RU2009104057A RU2009104057/02A RU2009104057A RU2009104057A RU 2009104057 A RU2009104057 A RU 2009104057A RU 2009104057/02 A RU2009104057/02 A RU 2009104057/02A RU 2009104057 A RU2009104057 A RU 2009104057A RU 2009104057 A RU2009104057 A RU 2009104057A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
polycrystalline silicon
plasma
inductively coupled
deposition
deposition apparatus
Prior art date
Application number
RU2009104057/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2404287C2 (ru
Inventor
Мохд А. АСЛАМИ (US)
Мохд А. АСЛАМИ
Дау ВУ (US)
Дау ВУ
Чарльз ДЕЛЮКА (US)
Чарльз ДЕЛЮКА
Original Assignee
СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи (US)
СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи (US), СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи filed Critical СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи (US)
Publication of RU2009104057A publication Critical patent/RU2009104057A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2404287C2 publication Critical patent/RU2404287C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/26—Plasma torches
    • H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния, включающая в себя: ! камерное средство для осаждения упомянутого поликристаллического кремния; ! средство для поддерживания подложки-мишени, имеющей поверхность осаждения; и ! горелочное средство с индуктивно связанной плазмой для получения плазменного факела для реагирования по меньшей мере одного реагента с образованием реакционного продукта и осаждения упомянутого реакционного продукта на упомянутой подложке-мишени, расположенное на фиксированном расстоянии от упомянутой подложки, при этом упомянутое средство для поддерживания перемещает упомянутую подложку-мишень в направлении от упомянутого горелочного средства с индуктивно связанной плазмой для обеспечения упомянутого фиксированного расстояния между упомянутой подложкой-мишенью и упомянутым горелочным средством с индуктивно связанной плазмой. ! 2. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутый реакционный продукт выбран из группы, состоящей из кремния, кремния с собственной проводимостью, кремния с легирующей примесью р-типа и кремния с легирующей примесью n-типа. ! 3. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутый по меньшей мере один реагент находится в форме материала, выбранного из группы, состоящей из газа, пара, аэрозоля, мелкой частицы, наночастиц или порошка. ! 4. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутый по меньшей мере один реагент представляет собой водород (Н2) и по меньшей мер

Claims (39)

1. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния, включающая в себя:
камерное средство для осаждения упомянутого поликристаллического кремния;
средство для поддерживания подложки-мишени, имеющей поверхность осаждения; и
горелочное средство с индуктивно связанной плазмой для получения плазменного факела для реагирования по меньшей мере одного реагента с образованием реакционного продукта и осаждения упомянутого реакционного продукта на упомянутой подложке-мишени, расположенное на фиксированном расстоянии от упомянутой подложки, при этом упомянутое средство для поддерживания перемещает упомянутую подложку-мишень в направлении от упомянутого горелочного средства с индуктивно связанной плазмой для обеспечения упомянутого фиксированного расстояния между упомянутой подложкой-мишенью и упомянутым горелочным средством с индуктивно связанной плазмой.
2. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутый реакционный продукт выбран из группы, состоящей из кремния, кремния с собственной проводимостью, кремния с легирующей примесью р-типа и кремния с легирующей примесью n-типа.
3. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутый по меньшей мере один реагент находится в форме материала, выбранного из группы, состоящей из газа, пара, аэрозоля, мелкой частицы, наночастиц или порошка.
4. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутый по меньшей мере один реагент представляет собой водород (Н2) и по меньшей мере одно соединение, выбранное из группы, состоящей из трихлорсилана (SiHCl3), тетрахлорида кремния (SiCl4), дихлорсилана (SiH2Cl2), силана (SiH4), дисилана (Si2H6), тетрабромида кремния (SiBr4) и их смесей.
5. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутый плазменный факел получается из по меньшей мере одного газа, выбранного из группы, состоящей из газообразного гелия, газообразного аргона, газообразного водорода и их смесей.
6. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутое камерное средство дополнительно включает в себя:
вытяжное средство, расположенное над упомянутой поверхностью осаждения, для выведения по меньшей мере одного из неосажденных твердых веществ и непрореагировавших химических веществ из упомянутого камерного средства.
7. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.6, в которой упомянутое камерное средство дополнительно включает в себя
рециркулирующее средство для рециркуляции упомянутого по меньшей мере одного из упомянутых неосажденных твердых веществ и непрореагировавших химических веществ, выведенных из упомянутого камерного средства, для повторного использования в упомянутой установке осаждения.
8. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутое средство с индуктивно связанной плазмой дополнительно включает в себя
индукционную катушку, которая содержит множество витков, имеющих больший диаметр, чем у упомянутой наружной кварцевой трубки, и разнесенных друг от друга на расстояние примерно 2-10 мм.
9. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.8, в которой упомянутое расстояние между упомянутой индукционной катушкой и упомянутой подложкой-мишенью составляет между примерно 30-55 мм.
10. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутая горелка с индуктивно связанной плазмой и упомянутая поверхность осаждения, по существу, перпендикулярны друг другу.
11. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.10, в которой упомянутая горелка с индуктивно связанной плазмой позиционирована, по существу, вертикально.
12. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.1, в которой упомянутая поверхность осаждения вращается во время осаждения упомянутого реакционного продукта.
13. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния, включающая в себя:
камеру для осаждения упомянутого поликристаллического кремния, имеющую вытяжную систему для извлечения по меньшей мере одного из неосажденных твердых веществ и непрореагировавших химических веществ;
держатель, расположенный внутри упомянутой камеры осаждения, для удерживания подложки-мишени, имеющей поверхность осаждения, причем упомянутая поверхность осаждения определяет зону осаждения;
по меньшей мере одну горелку с индуктивно связанной плазмой, расположенную внутри упомянутой камеры осаждения и размещенную на некотором расстоянии от упомянутого держателя, причем упомянутая по меньшей мере одна горелка с индуктивно связанной плазмой дает плазменный факел, который, по существу, перпендикулярен упомянутой поверхности осаждения, причем упомянутый плазменный факел определяет реакционную зону для реагирования по меньшей мере двух реагентов с получением упомянутого поликристаллического кремния для осаждения слоя упомянутого поликристаллического кремния на упомянутой поверхности осаждения.
14. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.13, в которой упомянутый поликристаллический кремний выбран из группы, состоящей из кремния, кремния с собственной проводимостью, кремния с легирующей примесью р-типа и кремния с легирующей примесью n-типа.
15. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.13, в которой упомянутые по меньшей мере два реагента осаждаются в форме материала, выбранного из группы, состоящей из газа, пара, аэрозоля, мелкой частицы, наночастиц или порошка.
16. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.13, в которой упомянутые по меньшей мере два реагента образованы водородом (Н2) и по меньшей мере одним газом, выбранным из трихлорсилана (SiHCl3), тетрахлорида кремния (SiCl4), дихлорсилана (SiH2Cl2), силана (SiH4), дисилана (Si2H6), тетрабромида кремния (SiBr4) и их смесей.
17. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.13, в которой упомянутая плазма горелки получается из по меньшей мере одного газа, выбранного из группы, состоящей из газообразного гелия, газообразного аргона, газообразного водорода и их смесей.
18. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.13, в которой упомянутое камерное средство дополнительно включает в себя
вытяжную систему, расположенную над упомянутой поверхностью осаждения, для выведения упомянутого по меньшей мере одного из неосажденных твердых веществ и непрореагировавших химических веществ из упомянутого камерного средства.
19. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.13, в которой упомянутая камера для осаждения изготовлена из материала, который экранирует радиочастотную (RF) энергию и изолирует упомянутую камеру от окружающей среды снаружи упомянутой камеры.
20. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.19, в которой упомянутая вытяжная система дополнительно включает в себя
вытяжные патрубки для удаления газообразных и дисперсных побочных продуктов из упомянутой камеры.
21. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.18, в которой упомянутая вытяжная система контролирует парциальное давление в упомянутой камере.
22. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.13, в которой упомянутая по меньшей мере одна горелка с индуктивно связанной плазмой включает в себя:
наружную кварцевую трубку и индукционную катушку, содержащую множество витков, имеющих больший диаметр, чем у упомянутой наружной кварцевой трубки;
внутреннюю кварцевую трубку и
камеру, соединяющую упомянутую наружную кварцевую трубку и упомянутую внутреннюю кварцевую трубку, при этом упомянутый источник плазменного газа соединен с упомянутой камерой для обеспечения упомянутого источника плазменного газа между упомянутой наружной кварцевой трубкой и упомянутой внутренней кварцевой трубкой.
23. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.22, в которой упомянутая наружная кварцевая трубка имеет длину примерно 180-400 мм.
24. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.22, в которой упомянутая наружная кварцевая трубка имеет диаметр примерно 50-90 мм.
25. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.22, в которой упомянутая внутренняя кварцевая трубка имеет длину примерно 120-180 мм.
26. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.22, в которой упомянутая внутренняя кварцевая трубка имеет диаметр примерно 50-70 мм.
27. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.22, в которой упомянутые витки разнесены друг от друга на расстояние примерно 2-10 мм.
28. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.27, в которой упомянутое расстояние между упомянутой индукционной катушкой и упомянутой подложкой-мишенью составляет между примерно 30-55 мм.
29. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.22, дополнительно включающая в себя высокочастотный генератор, соединенный с упомянутой индукционной катушкой.
30. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния по п.13, дополнительно включающая в себя
рециркулирование упомянутых извлеченных упомянутых неосажденных твердых веществ для переработки в слиток.
31. Способ получения слоя поликристаллического кремния на подложке-мишени в камере осаждения, включающий в себя:
поддерживание упомянутой подложки-мишени;
обеспечение горелки с высокочастотной индуктивно связанной плазмой, содержащей катушку, причем упомянутую горелку с индуктивно связанной плазмой выбирают позиционируемой вдоль площади поверхности одной стороны упомянутой подложки с расстоянием 30-55 мм, отделяющим упомянутую катушку от упомянутой подложки;
введение плазменного газа, состоящего, по существу, из инертного газа, в упомянутую горелку с высокочастотной индуктивно связанной плазмой с формированием плазмы внутри упомянутой катушки;
инжектирование реагентов в упомянутую горелку с высокочастотной индуктивно связанной плазмой с получением реакционного продукта; и
осаждение упомянутого реакционного продукта упомянутой горелки с индуктивно связанной плазмой на упомянутую подложку при поддержании отделяющего расстояния между упомянутой подложкой и упомянутой катушкой.
32. Способ получения слоя поликристаллического кремния на подложке-мишени по п.31, дополнительно включающий в себя регулирование парциального давления внутри упомянутой камеры.
33. Способ формирования слоя поликристаллического кремния на подложке-мишени в камере осаждения, включающий в себя:
поддерживание упомянутой подложки-мишени на держателе;
обеспечение по меньшей мере двух горелок с индуктивно связанной плазмой для осаждения реакционного продукта на упомянутой по меньшей мере одной подложке, причем упомянутые по меньшей мере две горелки с индуктивно связанной плазмой размещены на расстоянии от упомянутой подложки-мишени, каждая из упомянутых по меньшей мере двух горелок с индуктивно связанной плазмой содержит катушку, упомянутые по меньшей мере две горелки с индуктивно связанной плазмой выбраны позиционируемыми вдоль площади поверхности осаждения одной стороны упомянутой подложки-мишени с расстоянием 30-55 мм, отделяющим упомянутую катушку от упомянутой подложки-мишени;
введение плазменного газа, состоящего, по существу, из инертного газа, в упомянутые по меньшей мере две горелки с индуктивно связанной плазмой с формированием плазмы внутри упомянутой катушки;
инжектирование реагентов в упомянутые по меньшей мере две горелки с индуктивно связанной плазмой с получением реакционного продукта;
регулирование температуры в реакционной зоне, образованной плазменным факелом упомянутых по меньшей мере двух горелок с индуктивно связанной плазмой;
контролирование давления внутри упомянутой камеры осаждения;
контролирование температуры упомянутой поверхности осаждения упомянутой подложки-мишени;
осаждение упомянутого реакционного продукта упомянутых по меньшей мере двух горелок с индуктивно связанной плазмой на упомянутую поверхность осаждения при поддержании отделяющего расстояния между упомянутой подложкой-мишенью и упомянутой катушкой и
вращение упомянутой подложки-мишени вокруг ее оси.
34. Способ формирования слоя поликристаллического кремния на подложке по п.33, дополнительно включающий в себя регулирование парциального давления внутри упомянутой камеры.
35. Способ формирования слоя поликристаллического кремния на подложке по п.33, в котором упомянутые по меньшей мере две горелки с индуктивно связанной плазмой и упомянутая поверхность осаждения, по существу, перпендикулярны друг другу.
36. Способ формирования слоя поликристаллического кремния на подложке по п.35, в котором упомянутые по меньшей мере две горелки с индуктивно связанной плазмой позиционированы, по существу, вертикально.
37. Способ формирования слоя поликристаллического кремния на подложке по п.33, в котором упомянутые по меньшей мере две горелки с индуктивно связанной плазмой дополнительно содержат
наклонные концы, расположенные поблизости от упомянутой поверхности осаждения, для увеличения площади осаждения на упомянутой подложке-мишени.
38. Способ формирования слоя поликристаллического кремния на подложке по п.37, в котором упомянутые по меньшей мере две горелки с индуктивно связанной плазмой наклонены на угол для создания упомянутых наклонных концов в, по существу, параллельной ориентации относительно упомянутой поверхности осаждения.
39. Способ формирования слоя поликристаллического кремния на подложке по п.33, в котором упомянутую поверхность осаждения вращают во время осаждения упомянутого реакционного продукта.
RU2009104057/02A 2006-07-07 2007-03-06 Установка плазменного осаждения и способ получения поликристаллического кремния RU2404287C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US81896606P 2006-07-07 2006-07-07
US60/818,966 2006-07-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009104057A true RU2009104057A (ru) 2010-08-20
RU2404287C2 RU2404287C2 (ru) 2010-11-20

Family

ID=38446010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009104057/02A RU2404287C2 (ru) 2006-07-07 2007-03-06 Установка плазменного осаждения и способ получения поликристаллического кремния

Country Status (8)

Country Link
US (2) US7816269B2 (ru)
EP (1) EP2054538A2 (ru)
JP (1) JP5550903B2 (ru)
CN (1) CN101512042B (ru)
BR (1) BRPI0713478A2 (ru)
RU (1) RU2404287C2 (ru)
TW (1) TW200804633A (ru)
WO (1) WO2008008098A2 (ru)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100189926A1 (en) * 2006-04-14 2010-07-29 Deluca Charles Plasma deposition apparatus and method for making high purity silicon
US20110245928A1 (en) 2010-04-06 2011-10-06 Moximed, Inc. Femoral and Tibial Bases
US7611540B2 (en) 2007-05-01 2009-11-03 Moximed, Inc. Extra-articular implantable mechanical energy absorbing systems and implantation method
EP2239353A1 (en) * 2009-04-07 2010-10-13 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Photovoltaic cell deposition with minimized gas usage
US8507051B2 (en) * 2009-07-15 2013-08-13 Mitsubishi Materials Corporation Polycrystalline silicon producing method
JP5655429B2 (ja) 2009-08-28 2015-01-21 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンの製造方法、製造装置及び多結晶シリコン
US20110086462A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Ovshinsky Stanford R Process for Manufacturing Solar Cells including Ambient Pressure Plasma Torch Step
KR101581046B1 (ko) * 2009-12-16 2015-12-30 주식회사 케이씨씨 플라즈마 아크토치의 위치조절장치
CN102002668B (zh) * 2010-09-28 2012-11-28 大连理工大学 多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置及其方法
US20120152900A1 (en) * 2010-12-20 2012-06-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for gas delivery into plasma processing chambers
CN102009978B (zh) * 2011-01-06 2012-09-12 四川永祥多晶硅有限公司 一种多晶硅生产方法
JP5510437B2 (ja) * 2011-12-07 2014-06-04 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN102843851B (zh) * 2012-05-04 2015-01-28 上海华力微电子有限公司 一种等离子发生装置及方法
KR101459238B1 (ko) 2012-07-16 2014-11-13 오씨아이 주식회사 태양전지용 다결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법
JP2016519039A (ja) 2013-03-15 2016-06-30 エヌディーエスユー リサーチ ファウンデーション 直接注入による液状ヒドロロシラン組成物を用いたシリコン含有材料の合成方法
US9802826B2 (en) * 2013-11-25 2017-10-31 Korea Institute Of Energy Research Apparatus for producing silicon nanoparticle using inductive coupled plasma
WO2016104292A1 (ja) * 2014-12-25 2016-06-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、記録媒体及び基板処理装置
CN104792768B (zh) * 2015-04-25 2017-07-25 浙江大学 用于微波等离子体炬光谱仪的固体样品直接进样装置
CN106283180A (zh) * 2015-05-21 2017-01-04 丁欣 多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法
WO2018076139A1 (zh) * 2016-10-24 2018-05-03 丁欣 多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法
CN113415805B (zh) * 2021-06-16 2022-03-29 何良雨 一种激光维持等离子体制备多晶硅的方法及系统
CN114455587B (zh) * 2022-01-26 2023-07-21 何良雨 一种高纯多晶硅生产装置和方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3884653T2 (de) * 1987-04-03 1994-02-03 Fujitsu Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung von Diamant.
DE19780520B4 (de) 1996-05-21 2007-03-08 Tokuyama Corp., Tokuya Stab aus polykristallinem Silicium und Herstellungsverfahren hierfür
US6253580B1 (en) 1997-12-19 2001-07-03 Fibercore, Inc. Method of making a tubular member for optical fiber production using plasma outside vapor deposition
JP3381774B2 (ja) * 1997-12-24 2003-03-04 東京エレクトロン株式会社 ＣＶＤ−Ｔｉ膜の成膜方法
US6218640B1 (en) * 1999-07-19 2001-04-17 Timedomain Cvd, Inc. Atmospheric pressure inductive plasma apparatus
US6579805B1 (en) * 1999-01-05 2003-06-17 Ronal Systems Corp. In situ chemical generator and method
JP2002164290A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 Tokuyama Corp 多結晶シリコン膜の製造方法
US20030027054A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-06 Ball Laura J. Method for making photomask material by plasma induction
US6503563B1 (en) 2001-10-09 2003-01-07 Komatsu Ltd. Method of producing polycrystalline silicon for semiconductors from saline gas
US6926876B2 (en) 2002-01-17 2005-08-09 Paul V. Kelsey Plasma production of polycrystalline silicon
US7473443B2 (en) * 2002-08-23 2009-01-06 Jsr Corporation Composition for forming silicon film and method for forming silicon film
KR101192613B1 (ko) * 2005-09-26 2012-10-18 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP2054538A2 (en) 2009-05-06
JP5550903B2 (ja) 2014-07-16
WO2008008098A2 (en) 2008-01-17
WO2008008098A3 (en) 2008-07-17
RU2404287C2 (ru) 2010-11-20
US7858158B2 (en) 2010-12-28
US7816269B2 (en) 2010-10-19
CN101512042B (zh) 2012-10-31
US20090209093A1 (en) 2009-08-20
TW200804633A (en) 2008-01-16
JP2009542921A (ja) 2009-12-03
US20080009126A1 (en) 2008-01-10
BRPI0713478A2 (pt) 2012-10-23
CN101512042A (zh) 2009-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009104057A (ru) Установка плазменного осаждения и способ получения поликристаллического кремния
US5087434A (en) Synthesis of diamond powders in the gas phase
EP2656371B1 (en) A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
US20080023070A1 (en) Methods and systems for manufacturing polycrystalline silicon and silicon-germanium solar cells
JPH0897159A (ja) エピタキシャル成長方法および成長装置
CN107254715A (zh) 制造碳化硅单晶的装置
CN104357807A (zh) 在化学气相沉积反应器中用于配气的系统和方法
US20170345658A1 (en) Method for manufacturing sic epitaxial wafer and sic epitaxial growth apparatus
KR850001944B1 (ko) 결정성 실리콘체의 연속적 제조방법
KR20130018673A (ko) 고순도 실리콘 제조용 플라즈마 증착 장치 및 방법
US20100178435A1 (en) Methods and systems for manufacturing polycrystalline silicon and silicon-germanium solar cells
CN103732808A (zh) 碳化硅单晶制造设备
KR20040025590A (ko) 컵 반응기에서 기체상 물질의 열분해에 의한 고체의침착방법
KR101238284B1 (ko) 무촉매 나노와이어 제조 방법 및 이를 위한 장치
US20050255245A1 (en) Method and apparatus for the chemical vapor deposition of materials
WO2018076139A1 (zh) 多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法
CA2576665C (en) Silicon manufacturing apparatus
JP2012069559A (ja) 成膜装置
KR101926678B1 (ko) 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법
WO2013053846A1 (en) Method and device for forming nano - to micro - scale particles
JP5335074B2 (ja) 多結晶シリコンの製造方法及び多結晶シリコン製造用の反応炉
US20240200226A1 (en) Process for manufacturing semiconductor wafers containing a gas-phase epitaxial layer in a deposition chamber
KR101871019B1 (ko) 폴리실리콘의 제조 장치 및 이를 이용한 폴리실리콘 제조방법
TH108069A (th) เครื่องพลาสม่าที่ทำให้เกิดการสะสมและวิธีการสำหรับการทำให้เกิดซิลิกอนที่มีหลายผลึก
TH54252B (th) เครื่องพลาสม่าที่ทำให้เกิดการสะสมและวิธีการสำหรับการทำให้เกิดซิลิกอนที่มีหลายผลึก

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20110307