RU2007112860A - Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) - Google Patents
Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007112860A RU2007112860A RU2007112860/09A RU2007112860A RU2007112860A RU 2007112860 A RU2007112860 A RU 2007112860A RU 2007112860/09 A RU2007112860/09 A RU 2007112860/09A RU 2007112860 A RU2007112860 A RU 2007112860A RU 2007112860 A RU2007112860 A RU 2007112860A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carbon
- electrons
- powders
- field emission
- diamond
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Claims (8)
1. Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов, имеющий размер частиц менее 50 мкм, отличающийся тем, что он представляет собой частицы, состоящие из ядра из диэлектрического или полупроводникового материала, и поверхностного слоя, состоящего из графитоподобного углерода толщиной 0,5-50 нм.
2. Углеродсодержащий наноматериал по п.1, отличающийся тем, что диэлектрическим или полупроводниковым материалом являются алмаз, нитрид бора, нитрид кремния, карбид кремния, карбид бора, оксид кремния, кремний.
3. Способ получения углеродсодержащего наноматериала с низким порогом полевой эмиссии электронов, отличающийся тем, что порошки диэлектрического или полупроводникового материала термообрабатывают в среде углеводородов при температуре, превышающей температуру их термического разложения, в течение времени, необходимого для образования на поверхности частиц порошка слоя углерода толщиной 0,5-50 нм.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве диэлектрического или полупроводникового материала используют порошки алмаза, нитрид бора, нитрид кремния, карбид кремния, карбид бора, оксид кремния, кремния с размером частиц 0,1-10 мкм.
5. Способ получения углеродсодержащего наноматериала с низким порогом полевой эмиссии электронов, отличающийся тем, что порошки алмаза термообрабатывают в инертной среде или вакууме при температуре, превышающей температуру перехода алмаза в графит, в течение времени, необходимого для образования на поверхности частиц алмаза слоя графитоводобного углерода толщиной 0,5-50 нм.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что порошки алмаза имеют размер частиц 0,1-10 мкм.
7. Способ получения углеродсодержащего наноматериала с низким порогом полевой эмиссии электронов, отличающийся тем, что порошки ковалентных или металлоподобных карбидов термообрабатывают в хлоре при температуре, превышающей температуру их взаимодействия с хлором с образованием газообразных хлоридов и углерода, в течение времени, необходимого для образования на поверхности частиц порошка слоя углерода толщиной 0,5-50 нм.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, порошки карбидов имеют размер частиц 0,1-10 мкм.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007112860/07A RU2431900C2 (ru) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) |
| PCT/RU2008/000181 WO2009002212A2 (ru) | 2007-03-29 | 2008-03-24 | Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007112860/07A RU2431900C2 (ru) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007112860A true RU2007112860A (ru) | 2008-10-20 |
| RU2431900C2 RU2431900C2 (ru) | 2011-10-20 |
Family
ID=40040851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007112860/07A RU2431900C2 (ru) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2431900C2 (ru) |
| WO (1) | WO2009002212A2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8388400B2 (en) | 2008-12-02 | 2013-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of fabricating electron-emitting device and method of manufacturing image display apparatus |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2093495C1 (ru) * | 1995-09-27 | 1997-10-20 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" | Способ получения углеродного материала |
| RU2150154C1 (ru) * | 1998-11-18 | 2000-05-27 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид" | Полевой эмиттер электронов и способ его изготовления (варианты) |
| JP4109952B2 (ja) * | 2001-10-04 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | ナノカーボン材料の製造方法 |
| EP1712522A1 (en) * | 2005-04-14 | 2006-10-18 | Robert Prof. Dr. Schlögl | Nanosized carbon material-activated carbon composite |
| JP4967536B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2012-07-04 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ナノ炭素材料複合体及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-29 RU RU2007112860/07A patent/RU2431900C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-03-24 WO PCT/RU2008/000181 patent/WO2009002212A2/ru active Application Filing
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8388400B2 (en) | 2008-12-02 | 2013-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of fabricating electron-emitting device and method of manufacturing image display apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009002212A2 (ru) | 2008-12-31 |
| RU2431900C2 (ru) | 2011-10-20 |
| WO2009002212A3 (ru) | 2009-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2663687T3 (es) | Procedimiento para la producción de materiales compuestos cerámicos de grafeno/carburo de silicio | |
| EP2751023B1 (en) | Method to generate and disperse nanostructures in a composite material | |
| KR101537942B1 (ko) | 파괴인성이 우수한 그래핀-세라믹 복합체의 제조방법 | |
| Tan et al. | Graphene nanoplatelet reinforced boron carbide composites with high electrical and thermal conductivity | |
| Jiang et al. | Recent progress on fabrications and applications of boron nitride nanomaterials: a review | |
| Inam et al. | Electrically conductive alumina–carbon nanocomposites prepared by spark plasma sintering | |
| Lai et al. | Straight β-SiC nanorods synthesized by using C–Si–SiO 2 | |
| JP6714616B2 (ja) | カーボンナノチューブ接合シートおよびカーボンナノチューブ接合シートの製造方法 | |
| KR101247125B1 (ko) | 파괴강도가 개선된 세라믹 복합체의 제조방법 | |
| WO2018061830A1 (ja) | グラファイト成形体の製造方法 | |
| Peng et al. | An optimized process for in situ formation of multi-walled carbon nanotubes in templated pores of polymer-derived silicon oxycarbide | |
| KR20120012343A (ko) | 탄화 규소 및 이의 제조 방법 | |
| RU2007112860A (ru) | Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) | |
| US20120202067A1 (en) | Composite micron diamond particle and method of making | |
| CN114804886A (zh) | 一种碳改性纳米碳化硅复合材料的制备方法及作为辐照探测器材料的应用 | |
| JP2020200195A (ja) | 黒鉛材料の製造方法 | |
| Kharisov et al. | Conventional Carbon Allotropes | |
| TWI448426B (zh) | 奈米級石墨烯薄片之製作方法 | |
| KR102237931B1 (ko) | 탄화규소 분말 제조방법 | |
| Zhang et al. | Pulsed direct current field induced phase transformation in graphene nanoplatelets | |
| Markandan et al. | Graphene-Based Ceramic Composites: Processing and Applications | |
| Selvam et al. | Extraction and Synthesis of SiC Nano Particulate to Enhance Matrix Composites | |
| Yang et al. | Substrate Considerations for the Formation of the Graphene-CNTs Hybrid on the Dielectric Substrate | |
| Morisada et al. | Nanostructured coatings on advanced carbon materials | |
| Morisada et al. | SiC coating on MWCNTs |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130330 |