WO2009002212A3 - Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) - Google Patents

Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) Download PDF

Info

Publication number
WO2009002212A3
WO2009002212A3 PCT/RU2008/000181 RU2008000181W WO2009002212A3 WO 2009002212 A3 WO2009002212 A3 WO 2009002212A3 RU 2008000181 W RU2008000181 W RU 2008000181W WO 2009002212 A3 WO2009002212 A3 WO 2009002212A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
carbon
production
field electron
containing nanomaterial
methods
Prior art date
Application number
PCT/RU2008/000181
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2009002212A2 (ru
Inventor
Sergey Konstantinovich Gordeev
Svetlana Borisovna Korchagina
Original Assignee
Sergey Konstantinovich Gordeev
Svetlana Borisovna Korchagina
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sergey Konstantinovich Gordeev, Svetlana Borisovna Korchagina filed Critical Sergey Konstantinovich Gordeev
Publication of WO2009002212A2 publication Critical patent/WO2009002212A2/ru
Publication of WO2009002212A3 publication Critical patent/WO2009002212A3/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453—Carbon types

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к углеродо содержащему наноматериалу (УГНМ) и методам его получения для устройств полевой эмиссии электронов. Техническим результатом изобретения является получение материалов с низким порогом эмиссии электронов и упрощение методов их изготовления. УГНМ представляет собой дисперсный порошок с размером частиц менее 50 мкм, состоящих из ядра и поверхностного слоя, при этом ядро сформировано из диэлектрического или полупроводникового материала, а поверхностный слой образован rрафитоподобным материалом. Слой имеет толщину 0,5-50 нм. Способы получения УГНМ включают в себя термическое осаждение слоя углерода на поверхности ядра из диэлектрического или полупроводникового материала, в качестве которого используют алмаз, нитриды и карбиды бора и кремния, а также оксид кремния и кремний, причем упомянутое осаждение осуществляют в среде углеводорода или хлора или в инертной или вакуумной среде при соответствующих значениях температур и времени.
PCT/RU2008/000181 2007-03-29 2008-03-24 Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты) WO2009002212A2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007112860 2007-03-29
RU2007112860/07A RU2431900C2 (ru) 2007-03-29 2007-03-29 Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2009002212A2 WO2009002212A2 (ru) 2008-12-31
WO2009002212A3 true WO2009002212A3 (ru) 2009-03-05

Family

ID=40040851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2008/000181 WO2009002212A2 (ru) 2007-03-29 2008-03-24 Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты)

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2431900C2 (ru)
WO (1) WO2009002212A2 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010157489A (ja) 2008-12-02 2010-07-15 Canon Inc 電子放出素子の製造方法および画像表示装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2093495C1 (ru) * 1995-09-27 1997-10-20 Акционерное общество закрытого типа "Карбид" Способ получения углеродного материала
RU2150154C1 (ru) * 1998-11-18 2000-05-27 Акционерное общество закрытого типа "Карбид" Полевой эмиттер электронов и способ его изготовления (варианты)
US7001581B2 (en) * 2001-10-04 2006-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing nanocarbon materials
WO2006108683A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Schloegl Robert Nanosized carbon material-activated carbon composite
JP2008050239A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 National Institute For Materials Science ナノ炭素材料複合体及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2093495C1 (ru) * 1995-09-27 1997-10-20 Акционерное общество закрытого типа "Карбид" Способ получения углеродного материала
RU2150154C1 (ru) * 1998-11-18 2000-05-27 Акционерное общество закрытого типа "Карбид" Полевой эмиттер электронов и способ его изготовления (варианты)
US7001581B2 (en) * 2001-10-04 2006-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing nanocarbon materials
WO2006108683A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Schloegl Robert Nanosized carbon material-activated carbon composite
JP2008050239A (ja) * 2006-08-28 2008-03-06 National Institute For Materials Science ナノ炭素材料複合体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2007112860A (ru) 2008-10-20
RU2431900C2 (ru) 2011-10-20
WO2009002212A2 (ru) 2008-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2751023B1 (en) Method to generate and disperse nanostructures in a composite material
Park et al. Epitaxial graphene growth by carbon molecular beam epitaxy (CMBE)
KR102348730B1 (ko) 유리 및 기타 유전체 기판상에 그래핀의 금속-부재 cvd 코팅
Wu et al. In situ synthesis of a large area boron nitride/graphene monolayer/boron nitride film by chemical vapor deposition
WO2004037714A3 (en) Carbon nanoparticles and composite particles and process of manufacture
JP2012506493A5 (ru)
TW200703733A (en) Process for making an organic light-emitting device
US20140060937A1 (en) Polycrystalline diamond compact coated with high abrasion resistance diamond layers
US20120181501A1 (en) Graphene on Diamond Devices and Associated Methods
CN102849961A (zh) 在基板上成长碳薄膜或无机材料薄膜的方法
WO2009064345A3 (en) A chemical mechanical planarization pad conditioner and methods of forming thereof
Raman et al. Structure and mechanical properties of TiC films deposited using combination of pulsed DC and normal DC magnetron co-sputtering
CA2451825A1 (en) Polycrystalline diamond with improved abrasion resistance
Lippert et al. Molecular beam growth of micrometer-size graphene on mica
WO2009077349A9 (en) Process for the preparation of semiconducting layers
Izak et al. Comparative study on dry etching of polycrystalline diamond thin films
Liu et al. Probing interlayer interactions in WSe 2-graphene heterostructures by ultralow-frequency Raman spectroscopy
WO2009069684A1 (ja) 放熱構造、該放熱構造の製造方法及び該放熱構造を用いた放熱装置、ダイヤモンドヒートシンク、該ダイヤモンドヒートシンクの製造方法及び該ダイヤモンドヒートシンクを用いた放熱装置、並びに放熱方法
Wang et al. Ultralow friction regime from the in situ production of a richer fullerene-like nanostructured carbon in sliding contact
JP2004176132A (ja) ナノダイヤモンド膜及びその製造方法
WO2009002212A3 (ru) Углеродсодержащий наноматериал с низким порогом полевой эмиссии электронов и способ его получения (варианты)
Wang et al. Synthesis of fullerene-like hydrogenated carbon films containing iron nanoparticles
WO2009038193A1 (ja) 炭素材料及びその製造方法
KR101743019B1 (ko) 고온 내산화성이 우수한 초경도 탄화붕소 박막, 그 박막을 이용하는 절삭 공구 및 그 박막의 제조방법
US20120202067A1 (en) Composite micron diamond particle and method of making

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08753889

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08753889

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2