RU2007106843A - Столик для удерживания кремниевой пластины-подложки и способ измерения температуры кремниевой пластины-подложки - Google Patents

Столик для удерживания кремниевой пластины-подложки и способ измерения температуры кремниевой пластины-подложки Download PDF

Info

Publication number
RU2007106843A
RU2007106843A RU2007106843/28A RU2007106843A RU2007106843A RU 2007106843 A RU2007106843 A RU 2007106843A RU 2007106843/28 A RU2007106843/28 A RU 2007106843/28A RU 2007106843 A RU2007106843 A RU 2007106843A RU 2007106843 A RU2007106843 A RU 2007106843A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
thermocouple
plate
cavity
substrate plate
silicon wafer
Prior art date
Application number
RU2007106843/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Юкихиро МУРАКАМИ (JP)
Юкихиро МУРАКАМИ
Казуо АСАНО (JP)
Казуо АСАНО
Риудзи ОКАМОТО (JP)
Риудзи ОКАМОТО
Original Assignee
Интеллекчуал Проперти Бэнк Корп. (Jp)
Интеллекчуал Проперти Бэнк Корп.
Т.П.С. Систем Ко., Лтд. (Jp)
Т.П.С. Систем Ко., Лтд.
Икф Инк. (Jp)
Икф Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Интеллекчуал Проперти Бэнк Корп. (Jp), Интеллекчуал Проперти Бэнк Корп., Т.П.С. Систем Ко., Лтд. (Jp), Т.П.С. Систем Ко., Лтд., Икф Инк. (Jp), Икф Инк. filed Critical Интеллекчуал Проперти Бэнк Корп. (Jp)
Publication of RU2007106843A publication Critical patent/RU2007106843A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Claims (6)

1. Столик для удерживания пластины-подложки, имеющий форму диска и выполненный из кварца, который имеет в целом плоскую поверхность, с термопарой, которая измеряет температуру пластины-подложки в системе нагрева кремниевой пластины, включающей в себя ламповый нагреватель радиационного нагрева, содержащий:
множество выступов, которые удерживают единственную пластину-подложку на поверхности столика, причем эти выступы выполнены из такого же материала, как и столик;
множество опор, которые удерживают единственную пластину-подложку на заданной высоте от поверхности столика, причем эти опоры выполнены из такого же материала, как и столик; и
по меньшей мере одну полость, линейно простирающуюся параллельно с поверхностью столика от по меньшей мере одной точки на боку столика,
при этом небольшой кусок пластины, который имеет термопару, расположенную находящейся в контакте с передней стороной этого небольшого куска пластины, и который имеет такие же состав и толщину, как и состав и толщина пластины-подложки, и заданное отношение объемов (отношение площадей) относительно пластины-подложки, размещен в упомянутой полости таким образом, что термопара не обращена к ламповому нагревателю радиационного нагрева.
2. Столик по п.1, в котором предусмотрена PFA®-трубка в качестве защитной трубки для защиты пары выводов, простирающихся от предусмотренной в полости термопары, и в полости и в контакте с ней через выполненное из фторуглеродного каучука уплотнительное кольцо предусмотрена тефлоновая® соединительная муфта для прикрепления PFA®-трубки.
3. Столик по п.1, в котором отношение площади небольшого куска пластины к площади измеряемой пластины-подложки не превышает двух пятидесятых.
4. Столик по п.1, в котором, после того как термопара размещена в заданном положении в полости, оставшееся пространство в этой полости заполнено любым из кварцевой ваты, тефлоновой® ваты, полиимидной ваты и термореактивного полимера.
5. Столик для удерживания пластины-подложки, имеющий форму диска и выполненный из кварца, который имеет в целом плоскую поверхность, с термопарой, которая измеряет температуру пластины-подложки в системе нагрева кремниевой пластины, включающей в себя ламповый нагреватель радиационного нагрева, содержащий:
множество выступов, которые удерживают единственную пластину-подложку на поверхности столика, причем эти выступы выполнены из такого же материала, как и столик;
множество опор, которые удерживают единственную пластину-подложку на заданной высоте от поверхности столика, причем эти опоры выполнены из такого же материала, как и столик,
при этом на задней стороне кварца, образующего поверхность столика, сформирована выемка, которая имеет заданную глубину от задней стороны столика и заданный размер, в полости и в контакте с ней расположена кремниевая пластина, имеющая по меньшей мере одну измеряющую температуру термопару, заделанную в нее и уплотненную полиимидным полимером, а промежуточное пространство между выемкой и кремниевой пластиной заполнено полиимидным полимером.
6. Способ измерения температуры кремниевой пластины-подложки с использованием столика по п.1, включающий в себя:
размещение термопары на модельной пластине измеряемой кремниевой пластины-подложки, размещенной на поверхности столика таким образом, что термопара находится в контакте с этой модельной пластиной;
предварительный этап заблаговременного получения данных о разнице между температурой, измеренной этой термопарой, и температурой, измеренной термопарой, расположенной на небольшом куске пластины и в контакте с ним; и
оценку температуры измеряемой кремниевой пластины-подложки по данным об упомянутой разнице и температуре, измеренной упомянутой термопарой, расположенной на небольшом куске пластины и в контакте с ним.
RU2007106843/28A 2004-07-23 2005-07-25 Столик для удерживания кремниевой пластины-подложки и способ измерения температуры кремниевой пластины-подложки RU2007106843A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-215957 2004-07-23
JP2004215957 2004-07-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2007106843A true RU2007106843A (ru) 2008-09-10

Family

ID=35785618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007106843/28A RU2007106843A (ru) 2004-07-23 2005-07-25 Столик для удерживания кремниевой пластины-подложки и способ измерения температуры кремниевой пластины-подложки

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20080043806A1 (ru)
EP (1) EP1775758A2 (ru)
JP (1) JP4099511B2 (ru)
KR (1) KR20070083462A (ru)
CN (1) CN1989596A (ru)
AU (1) AU2005264615A1 (ru)
CA (1) CA2574116A1 (ru)
RU (1) RU2007106843A (ru)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8345272B2 (en) * 2006-09-28 2013-01-01 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods and systems for third-party control of remote imaging jobs
CN101853774B (zh) * 2009-03-31 2012-06-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 加热腔室及半导体加工设备
US8492736B2 (en) 2010-06-09 2013-07-23 Lam Research Corporation Ozone plenum as UV shutter or tunable UV filter for cleaning semiconductor substrates
US20120211484A1 (en) * 2011-02-23 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for a multi-zone pedestal heater
CN102288313B (zh) * 2011-08-15 2013-01-16 西北核技术研究所 一种热电偶与石墨件的粘接方法
US9157730B2 (en) * 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process
KR101605079B1 (ko) * 2015-05-20 2016-03-22 (주)울텍 급속 열처리 장치
US11476167B2 (en) 2017-03-03 2022-10-18 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment method and heat treatment apparatus of light irradiation type
JP6432915B2 (ja) * 2017-03-15 2018-12-05 三菱電機株式会社 温度測定装置
KR102311717B1 (ko) * 2019-12-13 2021-10-13 (주)울텍 급속 열처리장치
US11774298B2 (en) * 2020-02-12 2023-10-03 Tokyo Electron Limited Multi-point thermocouples and assemblies for ceramic heating structures
CN112212994A (zh) * 2020-09-25 2021-01-12 电子科技大学 一种等离子体刻蚀晶圆的温度分布检测装置
CN113899477B (zh) * 2021-12-07 2022-02-18 深圳市诺泰芯装备有限公司 一种测试温度校验治具及方法
CN115111929B (zh) * 2021-12-30 2023-01-10 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 一种高温硅片间接控温方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4788416A (en) * 1987-03-02 1988-11-29 Spectrum Cvd, Inc. Direct wafer temperature control
US6179466B1 (en) * 1994-12-19 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate temperatures
US5791782A (en) * 1995-09-21 1998-08-11 Fusion Systems Corporation Contact temperature probe with unrestrained orientation
US5902504A (en) * 1997-04-15 1999-05-11 Lucent Technologies Inc. Systems and methods for determining semiconductor wafer temperature and calibrating a vapor deposition device
US6325536B1 (en) * 1998-07-10 2001-12-04 Sensarray Corporation Integrated wafer temperature sensors
JP2000032414A (ja) * 1998-07-16 2000-01-28 Sony Corp チャンネル設定方法及び受信装置
WO2000058700A1 (fr) * 1999-03-30 2000-10-05 Tokyo Electron Limited Systeme de mesure de temperature
US6293696B1 (en) * 1999-05-03 2001-09-25 Steag Rtp Systems, Inc. System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers
US6479801B1 (en) * 1999-10-22 2002-11-12 Tokyo Electron Limited Temperature measuring method, temperature control method and processing apparatus
US6353210B1 (en) * 2000-04-11 2002-03-05 Applied Materials Inc. Correction of wafer temperature drift in a plasma reactor based upon continuous wafer temperature measurements using and in-situ wafer temperature optical probe
US7080941B1 (en) * 2001-11-13 2006-07-25 Lam Research Corporation Temperature sensing system for temperature measurement in a high radio frequency environment
DE10328660B3 (de) * 2003-06-26 2004-12-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bestimmen der Temperatur eines Halbleiterwafers

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006009278A2 (ja) 2006-01-26
CN1989596A (zh) 2007-06-27
US20080043806A1 (en) 2008-02-21
AU2005264615A1 (en) 2006-01-26
JP4099511B2 (ja) 2008-06-11
KR20070083462A (ko) 2007-08-24
WO2006009278A3 (ja) 2006-03-09
CA2574116A1 (en) 2006-01-26
JPWO2006009278A1 (ja) 2008-05-01
EP1775758A2 (en) 2007-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007106843A (ru) Столик для удерживания кремниевой пластины-подложки и способ измерения температуры кремниевой пластины-подложки
RU2011111397A (ru) Структура датчика температуры
EP3092466B1 (en) Apparatuses and methods for measuring and characterizing ultrasound
TW201810479A (zh) 用於獲取高溫製程應用中之量測參數之封裝儀器基板裝置
EP0204767A1 (en) METHOD FOR PRODUCING MODULES CONTAINING PACKED INTEGRATED CIRCUITS.
RU2007125378A (ru) Способ и устройство для тестирования полупроводниковых пластин с помощью зажимного механизма с регулируемой установкой температуры
CN105659371A (zh) 用于基板温度量测的气体耦合探针基板基板
TW200903685A (en) Connecting board, probe card and electronic component testing apparatus provided with the probe card
TW200715452A (en) Substrate placement determination using substrate backside pressure measurement
CN105431720B (zh) 温度传感器装置
TW201135199A (en) Wafer-type temperature sensor and manufacturing method thereof
JP6800510B2 (ja) 温度センサを備えるバイオリアクタシステム
CN109507229A (zh) 薄板薄膜材料导热系数测量装置和测量方法
TW200832846A (en) IC socket having heat dissipation function
TW200721344A (en) Body for keeping a wafer, heater unit and wafer prober
US3611786A (en) Measurement of thermal conductivity of hard crystalline bodies
EP1239561A3 (en) Semiconductor laser device and semiconductor laser module
JP2000021957A (ja) 試料加熱装置
JP2014203980A (ja) ウエハ加熱ヒータ
CN107976561A (zh) 具有高温测试功能的测试座
ATE330791T1 (de) Vorrichtung und verfahren zum flächigen zusammendrücken zu verbindender scheibenförmiger elemente
CN104931193A (zh) 一种带有参考真空室的mems皮拉尼计
WO2017020442A1 (zh) 一种直发器发热组件
CN206322992U (zh) 一种半导体泵浦固体激光器
CN107621474B (zh) 热导管检测装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20090125

FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20090125