RU2005129549A - Способ изготовления экспонированной подложки - Google Patents

Способ изготовления экспонированной подложки Download PDF

Info

Publication number
RU2005129549A
RU2005129549A RU2005129549/28A RU2005129549A RU2005129549A RU 2005129549 A RU2005129549 A RU 2005129549A RU 2005129549/28 A RU2005129549/28 A RU 2005129549/28A RU 2005129549 A RU2005129549 A RU 2005129549A RU 2005129549 A RU2005129549 A RU 2005129549A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photoresist
exposed
layer
image
images
Prior art date
Application number
RU2005129549/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2344455C2 (ru
Inventor
Виттих КАУЛЕ (DE)
Виттих КАУЛЕ
Original Assignee
Гизеке Унд Девриент Гмбх (De)
Гизеке Унд Девриент Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гизеке Унд Девриент Гмбх (De), Гизеке Унд Девриент Гмбх filed Critical Гизеке Унд Девриент Гмбх (De)
Publication of RU2005129549A publication Critical patent/RU2005129549A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2344455C2 publication Critical patent/RU2344455C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/203—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
    • G03H1/024—Hologram nature or properties
    • G03H1/0244—Surface relief holograms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • G03H1/0005—Adaptation of holography to specific applications
    • G03H1/0011—Adaptation of holography to specific applications for security or authentication
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
    • G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
    • G03H1/18—Particular processing of hologram record carriers, e.g. for obtaining blazed holograms
    • G03H2001/187—Trimming process, i.e. macroscopically patterning the hologram
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H2250/00—Laminate comprising a hologram layer
    • G03H2250/33—Absorbing layer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
    • G03H2260/00—Recording materials or recording processes
    • G03H2260/14—Photoresist

Claims (38)

1. Способ изготовления резистной матрицы, которая имеет по меньшей мере два участка с различными изображениями на них и при изготовлении которой используют по меньшей мере два слоя фоторезистов, согласованных с типом создаваемых изображений.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что фоторезисты наносят на участки, на которых создают изображения, слоями различающейся между собой толщины.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что слои фоторезистов выполняют из одинакового материала.
4. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что слои фоторезистов согласованы с типом создаваемого рельефного профиля.
5. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что слои фоторезистов согласованы с различными типами излучений.
6. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что слои фоторезистов располагают один над другим или рядом друг с другом.
7. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что участки с различными изображениями по меньшей мере частично взаимно перекрываются.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что взаимно перекрывающиеся участки, на которых создают изображения, экспонируют в одном слое фоторезиста.
9. Способ по п.7, отличающийся тем, что взаимно перекрывающиеся участки, на которых создают изображения, экспонируют в расположенных один над другим слоях фоторезистов.
10. Способ по п.1, заключающийся в том, что подложку покрывают первым фоторезистом, на первый фоторезист на участке, на котором создают первое изображение, воздействуют излучением первого типа, проявляют первый фоторезист, на подложку наносят второй фоторезист, на второй фоторезист на участке, на котором создают второе изображение, воздействуют излучением второго типа и проявляют второй фоторезист.
11. Способ по п.1, заключающийся в том, что подложку покрывают первым фоторезистом слоем первой толщины, на первый фоторезист на участке, на котором создают первое изображение, воздействуют излучением, проявляют первый фоторезист, на подложку наносят второй фоторезист слоем второй толщины, на второй фоторезист на участке, на котором создают второе изображение, воздействуют излучением и проявляют второй фоторезист.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что для нанесения слоя (1, 12, 24) первого фоторезиста и слоя (9, 19, 32) второго фоторезиста используют либо позитивный, либо негативный резист.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что для нанесения слоя первого фоторезиста используют негативный резист (1, 19, 32), а для нанесения слоя второго фоторезиста используют позитивный резист (12, 19, 24) или наоборот.
14. Способ по п.12 или 13, отличающийся тем, что при использовании позитивного резиста (12, 19, 24) сначала экспонируют относящийся к нему участок, на котором создают соответствующее изображение, а затем с использованием маски (15, 22) излучением (16, 23, 30) воздействуют на окружающую этот участок зону.
15. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что между слоем (1, 12, 24) первого фоторезиста и слоем (9, 19, 24) второго фоторезиста наносят барьерный слой (31).
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что в качестве барьерного слоя (31) используют металлический или оксидный слой.
17. Способ по одному из п.10 или 11, отличающийся тем, что в качестве излучения (3, 10, 13, 20, 33) первого и второго типов используют корпускулярное либо электромагнитное излучение.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что в качестве излучения (3, 10, 13, 20, 33) первого или второго типа используют электронный луч либо лазерное излучение.
19. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что в слое первого и/или второго фоторезиста экспонируют или записывают дифракционные структуры.
20. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что на по меньшей мере одном из участков, на которых создают изображения, экспонированием получают истинную голограмму.
21. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что на по меньшей мере одном из участков, на которых создают изображения, записывают или экспонируют решетчатое изображение.
22. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что на по меньшей мере одном из участков, на которых создают изображения, записывают или экспонируют решетчатое изображение с нулевым порядком дифракции.
23. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что создают более двух участков с изображениями.
24. Способ по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что по меньшей мере один из слоев фоторезистов наносят на стеклянную пластину, тисненую полимерную пленку, тисненую фольгу или на гальваноматрицу и экспонируют на ней.
25. Способ изготовления резистной матрицы, которая имеет по меньшей мере два участка с различными изображениями на них, заключающийся в том, что на подложку наносят слой фоторезиста, который затем на участке одного из создаваемых изображений экспонируют оптическим излучением, а на участке другого из создаваемых изображений экспонируют корпускулярным излучением.
26. Способ по п.25, отличающийся тем, что участки с различными изображениями по меньшей мере частично взаимно перекрываются.
27. Способ изготовления резистной матрицы, которая имеет по меньшей мере два участка с различными изображениями на них, заключающийся в том, что на подложку, снабженную дифракционной структурой в виде рельефной структуры, наносят слой фоторезиста, который затем экспонируют на участке одного из создаваемых изображений, после чего удаляют неэкспонированные участки слоя фоторезиста, обнажая находящуюся под ними рельефную структуру, образующую участок со вторым изображением.
28. Способ по п.27, отличающийся тем, что в качестве подложки используют гальваноматрицу, тисненую полимерную пленку или тисненую фольгу.
29. Резистная матрица, изготовленная способом по одному из пп.1-28.
30. Резистная матрица по меньшей мере с одним слоем фоторезиста, имеющим участок с первым изображением, экспонированный оптическим излучением, и участок со вторым изображением, экспонированный корпускулярным излучением.
31. Резистная матрица по меньшей мере с двумя слоями фоторезистов, каждый из которых экспонирован по меньшей мере на одном участке с изображением, при этом участки с изображениями, полученными в обоих слоях фоторезистов, экспонированы излучениями различных типов.
32. Резистная матрица по меньшей мере с одним слоем фоторезиста, имеющим участок с первым изображением в виде полученного экспонированием решетчатого изображения с нулевым порядком дифракции и участок со вторым изображением в виде полученного экспонированием решетчатого изображения с первым порядком дифракции.
33. Резистная матрица по меньшей мере с двумя слоями фоторезистов, каждый из которых экспонирован по меньшей мере на одном участке с изображением и слои которых имеют различающуюся между собой толщину.
34. Резистная матрица по п.33, отличающаяся тем, что в каждом слое фоторезиста экспонировано решетчатое изображение с нулевым порядком дифракции.
35. Резистная матрица по одному из пп.30-34, отличающаяся тем, что участки с изображениями по меньшей мере частично взаимно перекрываются.
36. Защитный элемент, изготовленный с использованием резистной матрицы по одному из пп.29-35.
37. Применение резистной матрицы по одному из пп.29-36 для изготовления штампов для тиснения, прежде всего цилиндров для тиснения.
38. Способ изготовления резистной матрицы, заключающийся в том, что на уже снабженную рельефной структурой основу наносят пригодный для тиснения лаковый слой, в котором тиснением выдавливают решетчатое изображение.
RU2005129549/28A 2003-02-26 2004-02-24 Способ изготовления экспонированной подложки RU2344455C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10308328.6 2003-02-26
DE10308328A DE10308328A1 (de) 2003-02-26 2003-02-26 Verfahren zur Herstellung eines belichteten Substrats

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005129549A true RU2005129549A (ru) 2007-04-20
RU2344455C2 RU2344455C2 (ru) 2009-01-20

Family

ID=32841925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005129549/28A RU2344455C2 (ru) 2003-02-26 2004-02-24 Способ изготовления экспонированной подложки

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7241537B2 (ru)
EP (1) EP1599763A2 (ru)
JP (1) JP2006520010A (ru)
DE (1) DE10308328A1 (ru)
RU (1) RU2344455C2 (ru)
WO (1) WO2004077493A2 (ru)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10308328A1 (de) 2003-02-26 2004-09-09 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung eines belichteten Substrats
DE10348623A1 (de) 2003-10-15 2005-05-25 Giesecke & Devrient Gmbh Optisch variable Beugungsstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung
US7229745B2 (en) * 2004-06-14 2007-06-12 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Lithographic semiconductor manufacturing using a multi-layered process
GB0422266D0 (en) * 2004-10-07 2004-11-10 Suisse Electronique Microtech Security device
WO2006085741A1 (en) * 2005-02-09 2006-08-17 Stichting Dutch Polymer Institute Process for preparing a polymeric relief structure
GB0601093D0 (en) * 2006-01-19 2006-03-01 Rue De Int Ltd Optically Variable Security Device
JP2008146691A (ja) * 2006-12-06 2008-06-26 Fujifilm Corp スタンパ原版およびスタンパの製造方法
GB0711434D0 (en) 2007-06-13 2007-07-25 Rue De Int Ltd Holographic security device
JP2009182075A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Canon Inc インプリントによる構造体の製造方法
JP4453767B2 (ja) * 2008-03-11 2010-04-21 ソニー株式会社 ホログラム基板の製造方法
US10513081B1 (en) * 2013-12-10 2019-12-24 Wells Fargo Bank, N.A. Method of making a transaction instrument
US10380476B1 (en) 2013-12-10 2019-08-13 Wells Fargo Bank, N.A. Transaction instrument
US10354175B1 (en) 2013-12-10 2019-07-16 Wells Fargo Bank, N.A. Method of making a transaction instrument
US10479126B1 (en) 2013-12-10 2019-11-19 Wells Fargo Bank, N.A. Transaction instrument
DE102016002451A1 (de) * 2016-02-29 2017-08-31 Giesecke & Devrient Gmbh Prägeplatte, Herstellungsverfahren und geprägtes Sicherheitselement
US10613268B1 (en) * 2017-03-07 2020-04-07 Facebook Technologies, Llc High refractive index gratings for waveguide displays manufactured by self-aligned stacked process
US10482365B1 (en) 2017-11-21 2019-11-19 Wells Fargo Bank, N.A. Transaction instrument containing metal inclusions

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4282308A (en) * 1975-06-03 1981-08-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Negative-working multilayer photosensitive element
US4255514A (en) 1979-04-27 1981-03-10 Rca Corporation Method for fabricating a diffractive subtractive filter embossing master
EP0374256B1 (en) * 1988-04-12 1998-02-25 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Optical recording medium and method of manufacturing same
DE3837874A1 (de) 1988-11-08 1990-05-10 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von gitterstrukturen mit um eine halbe gitterperiode gegeneinander versetzten abschnitten
JPH02187012A (ja) 1989-01-13 1990-07-23 Nec Corp レジストパターン形成方法
JPH02262319A (ja) 1989-04-03 1990-10-25 Toshiba Corp パターン形成方法
JPH0828321B2 (ja) * 1990-08-20 1996-03-21 松下電器産業株式会社 レジスト塗布評価方法
DE19524099A1 (de) 1995-07-01 1997-01-02 Karlsruhe Forschzent Verfahren zur Herstellung von Formeinsätzen
US5944974A (en) * 1995-07-01 1999-08-31 Fahrenberg; Jens Process for manufacturing mold inserts
US5733708A (en) * 1995-10-02 1998-03-31 Litel Instruments Multilayer e-beam lithography on nonconducting substrates
JPH09106936A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体基板
JP2000100700A (ja) 1998-09-22 2000-04-07 Toshiba Corp パターン形成方法およびハイブリッド露光方法
JP2000352825A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Advantest Corp パターン形成方法
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
JP2001135565A (ja) * 1999-11-08 2001-05-18 Sony Corp 半導体装置の製造方法
DE10007916A1 (de) * 2000-02-21 2001-08-23 Giesecke & Devrient Gmbh Mehrschichtige, laminierte Karte mit eingelagertem, Reliefstrukturen aufweisenden Sicherheitselement
EP1225477A1 (fr) 2001-01-17 2002-07-24 Hubert Lorenz Procédé de fabrication et de marquage de composants micromécaniques réalisés par photostructuration et électroformage
EP1321890B1 (en) 2001-12-18 2006-11-02 Istituto Poligrafico E Zecca Dello Stato Optical data carrier having an optical diffractive code, and related reading apparatus
DE10308328A1 (de) 2003-02-26 2004-09-09 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung eines belichteten Substrats
US6905802B2 (en) * 2003-08-09 2005-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multiple exposure method for forming a patterned photoresist layer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006520010A (ja) 2006-08-31
DE10308328A1 (de) 2004-09-09
US20060141385A1 (en) 2006-06-29
WO2004077493A3 (de) 2005-09-15
RU2344455C2 (ru) 2009-01-20
EP1599763A2 (de) 2005-11-30
US7241537B2 (en) 2007-07-10
WO2004077493A2 (de) 2004-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2005129549A (ru) Способ изготовления экспонированной подложки
US5728449A (en) Anti-copy film layer for documents
US6340540B1 (en) Hologram recording sheet holographic optical element using said sheet and its production process
DE1924695A1 (de) Holografisches Abbildungsverfahren
RU2008119511A (ru) Многослойное тело и способ его изготовления
EP2883090A1 (de) Lichtführungsplatte mit auskoppelelementen
RU2310896C2 (ru) Способ изготовления микроструктур
RU2431571C2 (ru) Оптически изменяемое защитное устройство
CN108698432B (zh) 压花板、制造方法和压印出的安全元素
DE102006031561B4 (de) Fotomaskenanordnung, optisches Abbildungssystem, Verfahren zum Bestimmen der Gitterparameter und Absorptionseigenschaften für ein diffraktives optisches Element und Verfahren zum Herstellen eines diffraktiven optischen Elements
DE102017130588A1 (de) Wertdokument
US20200363569A1 (en) Diffuser
DE102012216219A1 (de) Master für die Herstellung eines Volumenreflexionshologramms mit verbesserter Markerausbildung
JP5040642B2 (ja) 回折構造形成体の製造方法
JPS5999475A (ja) 回折格子付ホログラムの製造方法
JP7000647B2 (ja) ホログラフィックセキュリティラベルの製造方法
JPH02151862A (ja) フォトリソグラフィ用マスクおよびその作製方法
JPS59154482A (ja) ホログラムおよびその製作方法
JP2004078056A (ja) ホログラム回折格子複合体
EP1305672A2 (en) Process for making a periodic profile
JP3441207B2 (ja) 多軸格子パターンの作製方法
WO2017153196A1 (de) Sicherheitselement sowie ein verfahren zur herstellung eines sicherheitselements
CN1702547A (zh) 一种高精度灰度掩模制作方法
RU2005129551A (ru) Способ изготовления подложки с резистом
Luciani et al. Multiple-level technique for high-resolution OVDs fabrication

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140225