RU2003216C1 - Полупроводниковый усилитель - Google Patents

Полупроводниковый усилитель

Info

Publication number
RU2003216C1
RU2003216C1 SU4879201A RU2003216C1 RU 2003216 C1 RU2003216 C1 RU 2003216C1 SU 4879201 A SU4879201 A SU 4879201A RU 2003216 C1 RU2003216 C1 RU 2003216C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
terminal
base
zener diode
resistor
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Леонид Иосифович Шейн
Original Assignee
Shejn Leonid I
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shejn Leonid I filed Critical Shejn Leonid I
Priority to SU4879201 priority Critical patent/RU2003216C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2003216C1 publication Critical patent/RU2003216C1/ru

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Полупроводниковый усилитель содержит элементы, представленные на фиг. 1 совместно с устройством электропитани , резистором нагрузки и источником входного сигнала, подключенными к усилителю при помощи разборных контактных соединений .
На фиг. 1 показаны следующие элементы: устройство электропитани  Т, имеющее первую шину, объединенную в данном примере с общей шиной усилител , а также вторую шину; двухполюсник 2, включающий резистор 3 и участок эмиттер-коллектор транзистора 4, либо один из этих элементов и соединенный своим первым выводом со стабилитроном 5. а своим вторым выводом - с второй шиной устройства электропитани ; резистор б. который установлен в цепи базы транзистора 4 в том случае, если этот транзистор входит в состав двухполюсника; первый транзистор 7, эмиттер которого в данном примере подключен непосредственно к общей шине; второй транзистор 8, имеющий структуру, противоположную структуре первого, и установленный последовательно с ним таким образом, что его база соединена с коллектором первого транзистора, коллектор соединен с первой шиной устройства электропитани , а эмиттер соединен с первым выводом двухполюсника 2; резистор нагрузки 9, один вывод которого соединен со стабилизатором 10, а второй - с общей шиной; резистор нагрузки 9, один вывод которого соединен со стабилитроном 10, а второй - с общей шиной; резистор обратной св зи 10, установленный между точкой соединени  стабилитрона 5с резистором нагрузки 9 и базой первого транзистора 7; источник входного сигнала 11, соединенный одним выводом с базой первого транзистора 7, а другим с общей шиной и представл ющий из себ  источник посто нного или переменного тока.
На фиг. 2 показаны зависимости мгновенных значений выходного напр жени  Ui усилител , приложенного к резистору нагрузки 9, а также напр жени  U2, приложен- ного к участку эмиттер-колл«ктор транзистора 8. от мгновенного значени  входного тока И, создаваемого источником 11. При этом за положительное направление входного тока h прин то его направление , способствующее уменьшению тока базы транзистора 7, что соответствует наиболее эффективному применению усилител .
Если входной ток отсутствует, то транзистор 7 открываетс  своим током базы, протекающим через стабилитрон 5 и резистор 10. При этом к резистору нагрузки 9 прикладываетс  выходное напр жение усилител , равное сумме напр жени , создаваемого этим током на резисторе обратной
св зи 10 и напр жением на переходе эмиттер - база транзистора 7.
К участкам эмиттер-коллектор транзисторов 7 и 8 прикладываетс  напр жение, практически равное сумме выходного напр жени  усилител  и напр жени  стабили- зации стабилитрона 5. Поскольку напр жение на стабилитроне 5 достаточно велико, то транзисторы усилител  работают в режиме, далеком от насыщени , и имеют
большой статический коэффициент передачи тока базы Д мало завис щий от напр жени  эмиттер-коллектор. Поэтому ток базы транзистора 7 достаточно мал и обусловленное им выходное напр жение также достаточно мало. Это напр жение практически не зависит от параметров стабилитрона 5. что  вл етс  преимуществом предложенного усилител  при сравнении с прототипом. Точность коэффициента передачи повышаетс .
Когда источник 11 создает входной ток, протекающий через переход эмиттер-база транзистора 7, то на резисторе обратной св зи 10 по вл етс  дополнительное напр жение , приблизительно равное произведению этого тока на сопротивление резистора 10. Такое же дополнительное напр жение соответственно возникает на резисторе нагрузки 9. представл   из себ  полезное выходное напр жение усилител . Величина этого напр жени , определ ема  током источника 11, практически не зависит от параметров стабилитрона 5, что также  вл етс  преимуществом предложенного усилител 
при сравнении с прототипом. Точность коэффициента передачи также повышаетс .
(56) Агахан н Т.М. Интегральные микросхемы , 1983, с. 161, рис. 5.2, с. 182, рис. 5.15 а. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 1973. с. 408. рис. 13-5.
Там же, с, 358, рис. 8-9а. Авторское свидетельство СССР № 368711, кл. Н 03 F 3/34. 1971.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ , содержащий последовательно соединенные первый и второй транзисторы, при этом коллектор второго транзистора соединен с первой шиной питанм , а змит- тер чеэез последовательно соединенные стабилитрон и резистор нагрузки подключен к общей шине и непосредственно к первому выводу двухполюсника, отличающийс  тем, что, с iietbto повышени  точно
    сти коэффициента передачи, источником входного сигнала  вл етс  источник тока, один вывод которого соединен с базой первого транзистора, имеющего структуру, противоположную структуре второго транзистора а другой вывод - с общей шиной, причем между точкой соединени  резистора нагрузки м стабилитрона и базой первого транзистора введен резистор обратной св зи, а второй вывод двухполюсника соединен с второй шиной питани 
    й L
    и/и0м . 2
    I/
SU4879201 1990-08-31 1990-08-31 Полупроводниковый усилитель RU2003216C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4879201 RU2003216C1 (ru) 1990-08-31 1990-08-31 Полупроводниковый усилитель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4879201 RU2003216C1 (ru) 1990-08-31 1990-08-31 Полупроводниковый усилитель

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2003216C1 true RU2003216C1 (ru) 1993-11-15

Family

ID=21543354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4879201 RU2003216C1 (ru) 1990-08-31 1990-08-31 Полупроводниковый усилитель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2003216C1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930018345A (ko) 정전압 발생회로
JPH03119812A (ja) 電流検出回路
RU2003216C1 (ru) Полупроводниковый усилитель
JP2801825B2 (ja) フォトカプラ装置
KR0150196B1 (ko) BiCMOS 기준 전압 발생기
KR0173944B1 (ko) 히스테리시스를 갖는 비교기
SU423111A1 (ru) Стабилизатор напряжения постоянного тока
SU1418681A1 (ru) Параметрический стабилизатор напр жени
JPS5922564Y2 (ja) 直流安定化電源装置
SU1096624A1 (ru) Стабилизатор посто нного напр жени
JP2609668B2 (ja) レベルシフト回路
SU1185319A1 (ru) "ctaбилизatop пoctoяhhoгo haпpяжehия"
JP3365865B2 (ja) 定電圧電源回路
JP3022352B2 (ja) 基準電圧発生回路
KR890006152Y1 (ko) 정전압 회로
SU658544A1 (ru) Стабилизатор посто нного напр жени с защитой от перегрузок и коротких замыканий
KR100577552B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 내부 전압 변환회로
JPS5937854Y2 (ja) 定電圧電源回路
SU1396205A1 (ru) Устройство дл защиты от перегрузок источника вторичного электропитани
KR900002357Y1 (ko) Am 검파회로
JPH0415716A (ja) 定電圧源回路
SU1534442A1 (ru) Стабилизатор напр жени посто нного тока
KR860002084B1 (ko) 전송기용 정전압, 정전류 장치
SU1348802A1 (ru) Стабилизатор посто нного напр жени
SU463957A1 (ru) Непрерывно-импульсный стабилизатор напр жени посто нного тока