RU2003216C1 - Полупроводниковый усилитель - Google Patents
Полупроводниковый усилительInfo
- Publication number
- RU2003216C1 RU2003216C1 SU4879201A RU2003216C1 RU 2003216 C1 RU2003216 C1 RU 2003216C1 SU 4879201 A SU4879201 A SU 4879201A RU 2003216 C1 RU2003216 C1 RU 2003216C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- terminal
- base
- zener diode
- resistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
Полупроводниковый усилитель содержит элементы, представленные на фиг. 1 совместно с устройством электропитани , резистором нагрузки и источником входного сигнала, подключенными к усилителю при помощи разборных контактных соединений .
На фиг. 1 показаны следующие элементы: устройство электропитани Т, имеющее первую шину, объединенную в данном примере с общей шиной усилител , а также вторую шину; двухполюсник 2, включающий резистор 3 и участок эмиттер-коллектор транзистора 4, либо один из этих элементов и соединенный своим первым выводом со стабилитроном 5. а своим вторым выводом - с второй шиной устройства электропитани ; резистор б. который установлен в цепи базы транзистора 4 в том случае, если этот транзистор входит в состав двухполюсника; первый транзистор 7, эмиттер которого в данном примере подключен непосредственно к общей шине; второй транзистор 8, имеющий структуру, противоположную структуре первого, и установленный последовательно с ним таким образом, что его база соединена с коллектором первого транзистора, коллектор соединен с первой шиной устройства электропитани , а эмиттер соединен с первым выводом двухполюсника 2; резистор нагрузки 9, один вывод которого соединен со стабилизатором 10, а второй - с общей шиной; резистор нагрузки 9, один вывод которого соединен со стабилитроном 10, а второй - с общей шиной; резистор обратной св зи 10, установленный между точкой соединени стабилитрона 5с резистором нагрузки 9 и базой первого транзистора 7; источник входного сигнала 11, соединенный одним выводом с базой первого транзистора 7, а другим с общей шиной и представл ющий из себ источник посто нного или переменного тока.
На фиг. 2 показаны зависимости мгновенных значений выходного напр жени Ui усилител , приложенного к резистору нагрузки 9, а также напр жени U2, приложен- ного к участку эмиттер-колл«ктор транзистора 8. от мгновенного значени входного тока И, создаваемого источником 11. При этом за положительное направление входного тока h прин то его направление , способствующее уменьшению тока базы транзистора 7, что соответствует наиболее эффективному применению усилител .
Если входной ток отсутствует, то транзистор 7 открываетс своим током базы, протекающим через стабилитрон 5 и резистор 10. При этом к резистору нагрузки 9 прикладываетс выходное напр жение усилител , равное сумме напр жени , создаваемого этим током на резисторе обратной
св зи 10 и напр жением на переходе эмиттер - база транзистора 7.
К участкам эмиттер-коллектор транзисторов 7 и 8 прикладываетс напр жение, практически равное сумме выходного напр жени усилител и напр жени стабили- зации стабилитрона 5. Поскольку напр жение на стабилитроне 5 достаточно велико, то транзисторы усилител работают в режиме, далеком от насыщени , и имеют
большой статический коэффициент передачи тока базы Д мало завис щий от напр жени эмиттер-коллектор. Поэтому ток базы транзистора 7 достаточно мал и обусловленное им выходное напр жение также достаточно мало. Это напр жение практически не зависит от параметров стабилитрона 5. что вл етс преимуществом предложенного усилител при сравнении с прототипом. Точность коэффициента передачи повышаетс .
Когда источник 11 создает входной ток, протекающий через переход эмиттер-база транзистора 7, то на резисторе обратной св зи 10 по вл етс дополнительное напр жение , приблизительно равное произведению этого тока на сопротивление резистора 10. Такое же дополнительное напр жение соответственно возникает на резисторе нагрузки 9. представл из себ полезное выходное напр жение усилител . Величина этого напр жени , определ ема током источника 11, практически не зависит от параметров стабилитрона 5, что также вл етс преимуществом предложенного усилител
при сравнении с прототипом. Точность коэффициента передачи также повышаетс .
(56) Агахан н Т.М. Интегральные микросхемы , 1983, с. 161, рис. 5.2, с. 182, рис. 5.15 а. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 1973. с. 408. рис. 13-5.
Там же, с, 358, рис. 8-9а. Авторское свидетельство СССР № 368711, кл. Н 03 F 3/34. 1971.
Claims (1)
- Формула изобретениПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ , содержащий последовательно соединенные первый и второй транзисторы, при этом коллектор второго транзистора соединен с первой шиной питанм , а змит- тер чеэез последовательно соединенные стабилитрон и резистор нагрузки подключен к общей шине и непосредственно к первому выводу двухполюсника, отличающийс тем, что, с iietbto повышени точности коэффициента передачи, источником входного сигнала вл етс источник тока, один вывод которого соединен с базой первого транзистора, имеющего структуру, противоположную структуре второго транзистора а другой вывод - с общей шиной, причем между точкой соединени резистора нагрузки м стабилитрона и базой первого транзистора введен резистор обратной св зи, а второй вывод двухполюсника соединен с второй шиной питаний Lи/и0м . 2I/
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4879201 RU2003216C1 (ru) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Полупроводниковый усилитель |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4879201 RU2003216C1 (ru) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Полупроводниковый усилитель |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2003216C1 true RU2003216C1 (ru) | 1993-11-15 |
Family
ID=21543354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4879201 RU2003216C1 (ru) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Полупроводниковый усилитель |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2003216C1 (ru) |
-
1990
- 1990-08-31 RU SU4879201 patent/RU2003216C1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR930018345A (ko) | 정전압 발생회로 | |
JPH03119812A (ja) | 電流検出回路 | |
RU2003216C1 (ru) | Полупроводниковый усилитель | |
JP2801825B2 (ja) | フォトカプラ装置 | |
KR0150196B1 (ko) | BiCMOS 기준 전압 발생기 | |
KR0173944B1 (ko) | 히스테리시스를 갖는 비교기 | |
SU423111A1 (ru) | Стабилизатор напряжения постоянного тока | |
SU1418681A1 (ru) | Параметрический стабилизатор напр жени | |
JPS5922564Y2 (ja) | 直流安定化電源装置 | |
SU1096624A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени | |
JP2609668B2 (ja) | レベルシフト回路 | |
SU1185319A1 (ru) | "ctaбилизatop пoctoяhhoгo haпpяжehия" | |
JP3365865B2 (ja) | 定電圧電源回路 | |
JP3022352B2 (ja) | 基準電圧発生回路 | |
KR890006152Y1 (ko) | 정전압 회로 | |
SU658544A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени с защитой от перегрузок и коротких замыканий | |
KR100577552B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부 전압 변환회로 | |
JPS5937854Y2 (ja) | 定電圧電源回路 | |
SU1396205A1 (ru) | Устройство дл защиты от перегрузок источника вторичного электропитани | |
KR900002357Y1 (ko) | Am 검파회로 | |
JPH0415716A (ja) | 定電圧源回路 | |
SU1534442A1 (ru) | Стабилизатор напр жени посто нного тока | |
KR860002084B1 (ko) | 전송기용 정전압, 정전류 장치 | |
SU1348802A1 (ru) | Стабилизатор посто нного напр жени | |
SU463957A1 (ru) | Непрерывно-импульсный стабилизатор напр жени посто нного тока |