RU2003119443A - Способ неразрушающего считывания данных и устройство для осуществления данного способа - Google Patents
Способ неразрушающего считывания данных и устройство для осуществления данного способаInfo
- Publication number
- RU2003119443A RU2003119443A RU2003119443/09A RU2003119443A RU2003119443A RU 2003119443 A RU2003119443 A RU 2003119443A RU 2003119443/09 A RU2003119443/09 A RU 2003119443/09A RU 2003119443 A RU2003119443 A RU 2003119443A RU 2003119443 A RU2003119443 A RU 2003119443A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- time
- phase
- voltage
- capacitor
- signal
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 19
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 19
- 238000010219 correlation analysis Methods 0.000 claims 6
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 5
- 230000000737 periodic Effects 0.000 claims 4
- 230000002596 correlated Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 claims 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims 1
Claims (23)
1. Способ определения логического состояния ячейки памяти запоминающего устройства, хранящей данные в форме состояния электрической поляризации конденсатора, который содержит поляризуемый материал, способный сохранять неисчезающую электрическую поляризацию в отсутствие внешнего напряжения, прилагаемого к конденсатору, и генерировать ток в качестве отклика на приложенное напряжение, причем токовый отклик содержит линейный и нелинейный компоненты, отличающийся тем, что предусматривает выполнение следующих операций:
приложение к конденсатору первого изменяющегося во времени напряжения, соответствующего режиму слабых сигналов, амплитуду и/или длительность которого выбирают меньшими, чем это требуется для создания значительных постоянных изменений состояния поляризации конденсатора,
приложение к конденсатору второго изменяющегося во времени напряжения, которое складывается с первым изменяющимся во времени напряжением, причем амплитуду и/или длительность суммы первого и второго напряжений, изменяющихся во времени, выбирают меньшими, чем это требуется для создания значительных постоянных изменений состояния поляризации конденсатора,
регистрация, по меньшей мере, одной характеристики токового отклика конденсатора, генерируемого в режиме слабых сигналов, имеющей линейную или нелинейную зависимость от первого и/или второго приложенного напряжения, изменяющегося во времени,
проведение корреляционного анализа, основанного на использовании коррелирующих опорных сигналов, сформированных на основе как первого, так и второго изменяющихся во времени напряжений, приложенных к конденсатору,
определение логического состояния путем получения количественной оценки результата указанного корреляционного анализа и
приписывание определенному логическому состоянию логического значения в соответствии с заданным протоколом.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что корреляционный анализ проводят в два этапа, первый из которых предусматривает регистрацию временной корреляции между указанным напряжением, соответствующим режиму слабых сигналов, и, по меньшей мере, одной указанной характеристикой токового отклика конденсатора, генерируемого в режиме слабых сигналов, для определения значения (значений), по меньшей мере, одного параметра, который характеризует, по меньшей мере, одну указанную характеристику токового отклика конденсатора, генерируемого в режиме слабых сигналов, тогда как
второй этап корреляционного анализа предусматривает регистрацию корреляции между указанным, по меньшей мере, одним параметром и значением, знаком и/или фазой второго приложенного напряжения, изменяющегося во времени.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что корреляционный анализ проводят за один этап, при выполнении которого устанавливают корреляцию между, по меньшей мере, одной указанной характеристикой токового отклика конденсатора, генерируемого в режиме слабых сигналов, и опорным сигналом, сформированным на основе как первого, так и второго изменяющихся во времени напряжений.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что второе изменяющееся во времени напряжение, приложенное к конденсатору, является квазистатическим напряжением произвольной полярности.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что второе изменяющееся во времени напряжение, приложенное к конденсатору, переключают между набором положительных и/или отрицательных значений.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что второе изменяющееся во времени напряжение, приложенное к конденсатору, имеет низкую частоту или медленно изменяющееся значение.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что второе изменяющееся во времени напряжение, приложенное к конденсатору, представляет собой синусоидальное напряжение.
8. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве первого изменяющегося во времени напряжения, соответствующего режиму слабых сигналов, выбирают периодическое напряжение с основной компонентой ряда Фурье, имеющей частоту ω, регистрируют фазу компоненты токового отклика на частоте второй гармоники и выполняют первый этап корреляционного анализа с использованием фазы опорного сигнала, сформированного из первого приложенного к конденсатору изменяющегося во времени напряжения, соответствующего режиму слабых сигналов.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что первое изменяющееся во времени напряжение, соответствующее режиму слабых сигналов, представляет собой синусоидальное напряжение.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве указанных изменяющихся во времени напряжений выбирают два периодически изменяющихся слабых сигнала с основными компонентами ряда Фурье, имеющими частоты ω1 и ω2, регистрируют фазы компонент токового отклика на суммарной и разностной частотах ω1+ω2 и ω1-ω2 и сопоставляют указанные фазы с опорной фазой, полученной из указанных изменяющихся во времени напряжений, приложенных к конденсатору.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что указанные компоненты периодически изменяющихся сигналов представляют собой синусоидальные напряжения.
12. Способ по п.10, отличающийся тем, что регистрируют фазы двух или более нелинейных компонент токового отклика на частотах 2ω1 и/или 2ω2, и/или ω1+ω2 и/или ω1-ω2 и сопоставляют указанные фазы с опорной фазой, полученной из тех же изменяющихся во времени напряжений, приложенных к конденсатору.
13. Способ по п.10, отличающийся тем, что регистрируют фазы двух или более нелинейных компонент токового отклика на 2ω1 и/или 2ω2, и/или ω1+ω2 и/или ω1-ω2 и сопоставляют указанные фазы с опорной фазой, полученной от опорной ячейки с известным логическим состоянием, к которой приложены такие же напряжения.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что регистрация, по меньшей мере, одной характеристики токового отклика конденсатора, генерируемого в режиме слабых сигналов, предусматривает регистрацию, при двух или более значениях второго изменяющегося во времени напряжения, отношения значения токового отклика, генерируемого в режиме слабых сигналов, на первое изменяющееся во времени напряжение, к значению указанного первого изменяющегося во времени напряжения, причем указанное отношение соответствует наклону кривой гистерезиса.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что второе изменяющееся во времени напряжение выбирают в виде низкочастотного или медленно изменяющегося напряжения смещения, которое изменяется в пределах заданного интервала положительных и/или отрицательных значений.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что второе изменяющееся во времени напряжение выбирают в виде напряжения, изменяющегося периодически между положительным и отрицательным значениями.
17. Способ по п.14, отличающийся тем, что второе изменяющееся во времени напряжение выбирают в виде плавно изменяющегося напряжения, перекрывающего интервал напряжений между двумя положительными значениями или двумя отрицательными значениями, или между положительным и отрицательным значениями.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что второе изменяющееся во времени напряжение выбирают в виде напряжения, периодически изменяющегося с частотой, меньшей частоты первого изменяющегося во времени напряжения.
19. Способ по п.17, отличающийся тем, что второе изменяющееся во времени напряжение выбирают в виде синусоидального напряжения.
20. Способ по п.1, отличающийся тем, что заданный протокол приписывает одно из двух возможных логических состояний в зависимости от полученной количественной оценки.
21. Устройство для сопоставления фаз при осуществлении способа, заявленного в п.1, отличающееся тем, что содержит:
генератор сигнала для подачи двух или более считывающих сигналов с заданными фазами на ячейку памяти, подключаемую к генератору и формирующую при подаче считывающих сигналов сигнал отклика, имеющий две или более нелинейные токовые компоненты;
фазочувствительный детектор, подключаемый к ячейке памяти и выполненный с возможностью осуществления фазочувствительного детектирования, по меньшей мере, двух фаз в сигнале отклика от ячейки памяти;
источник опорного сигнала, связанный с указанным генератором сигнала и выполненный с возможностью генерирования, на основе суммы и разности фаз входных считывающих сигналов, опорных фазовых сигналов, подаваемых на связанный с ним фазочувствительный детектор для детектирования и коррелирования указанных компонент отклика, а также для проведения сопоставления между фазовыми опорными сигналами и, по меньшей мере, одной детектированной и коррелированной компонентой отклика, и,
по меньшей мере, один дискриминаторно/логический контур, связанный с фазочувствительным детектором для приема его выходного сигнала, выполненный с возможностью определения логического состояния ячейки памяти.
22. Устройство по п.21, отличающееся тем, что с выходом источника опорного сигнала связан регулятор фазы, обеспечивающий получение сдвинутого по фазе сигнала с фазой ω+π и подающий указанный сигнал на фазочувствительный детектор и, при необходимости, в дискриминаторно/логический контур.
23. Устройство для сопоставления фаз при осуществлении способа, заявленного в п.1, отличающееся тем, что содержит
генератор сигнала для подачи первого периодического считывающего сигнала, наложенного на второй периодический считывающий сигнал меньшей частоты, чем первый считывающий сигнал, на ячейку памяти, подключаемую к генератору и формирующую сигнал отклика с частотой, равной двукратной частоте первого периодического считывающего сигнала; и
фазочувствительный детектор/дискриминатор, подключаемый к ячейке памяти для получения от нее сигнала и выполненный с возможностью получения от генератора сигнала опорных фазовых сигналов в форме первого и второго считывающих сигналов, а также коррелирования фазы сигнала отклика с фазой одного или обоих опорных фазовых сигналов, причем
фазочувствительный детектор/дискриминатор выполнен с возможностью определения логического состояния ячейки памяти по значению и/или фазе скоррелированного по фазе сигнала отклика.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NO20006002 | 2000-11-27 | ||
NO20006002A NO316580B1 (no) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | Fremgangsmåte til ikke-destruktiv utlesing og apparat til bruk ved fremgangsmåten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2003119443A true RU2003119443A (ru) | 2004-12-27 |
RU2250518C1 RU2250518C1 (ru) | 2005-04-20 |
Family
ID=19911847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2003119443/09A RU2250518C1 (ru) | 2000-11-27 | 2001-11-27 | Способ неразрушающего считывания данных и устройство для осуществления данного способа |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6804139B2 (ru) |
EP (1) | EP1346366B1 (ru) |
JP (1) | JP3944450B2 (ru) |
KR (1) | KR100559926B1 (ru) |
CN (1) | CN1329920C (ru) |
AT (1) | ATE294444T1 (ru) |
AU (2) | AU2002223164B2 (ru) |
CA (1) | CA2429366C (ru) |
DE (1) | DE60110461T2 (ru) |
DK (1) | DK1346366T3 (ru) |
ES (1) | ES2239177T3 (ru) |
HK (1) | HK1063687A1 (ru) |
NO (1) | NO316580B1 (ru) |
RU (1) | RU2250518C1 (ru) |
WO (1) | WO2002043070A1 (ru) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6756620B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-06-29 | Intel Corporation | Low-voltage and interface damage-free polymer memory device |
US6624457B2 (en) | 2001-07-20 | 2003-09-23 | Intel Corporation | Stepped structure for a multi-rank, stacked polymer memory device and method of making same |
CN1303692C (zh) * | 2002-09-04 | 2007-03-07 | 松下电器产业株式会社 | 半导体存储装置及其制造方法和驱动方法 |
US7187600B2 (en) * | 2004-09-22 | 2007-03-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for protecting an integrated circuit from erroneous operation |
RU2383945C2 (ru) | 2006-06-09 | 2010-03-10 | Юрий Генрихович Кригер | Методы неразрушаемого считывания информации с ферроэлектрических элементов памяти |
US7929338B2 (en) * | 2009-02-24 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | Memory reading method for resistance drift mitigation |
US8488361B2 (en) * | 2011-02-01 | 2013-07-16 | Stmicroelectronics S.R.L. | Memory support provided with memory elements of ferroelectric material and improved non-destructive reading method thereof |
US8837195B2 (en) * | 2012-09-25 | 2014-09-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Systems and methods for reading ferroelectric memories |
US9460770B1 (en) | 2015-09-01 | 2016-10-04 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3132326A (en) | 1960-03-16 | 1964-05-05 | Control Data Corp | Ferroelectric data storage system and method |
US4068217A (en) * | 1975-06-30 | 1978-01-10 | International Business Machines Corporation | Ultimate density non-volatile cross-point semiconductor memory array |
JP2788265B2 (ja) | 1988-07-08 | 1998-08-20 | オリンパス光学工業株式会社 | 強誘電体メモリ及びその駆動方法,製造方法 |
US5151877A (en) | 1990-12-19 | 1992-09-29 | The Charles Stark Draper Lab., Inc. | Ferroelectric space charge capacitor memory system |
US5530667A (en) | 1991-03-01 | 1996-06-25 | Olympus Optical Co., Ltd. | Ferroelectric memory device |
US5262982A (en) * | 1991-07-18 | 1993-11-16 | National Semiconductor Corporation | Nondestructive reading of a ferroelectric capacitor |
JPH05129622A (ja) | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体メモリ装置 |
JPH06275062A (ja) | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Olympus Optical Co Ltd | 強誘電体メモリ装置 |
US5666305A (en) * | 1993-03-29 | 1997-09-09 | Olympus Optical Co., Ltd. | Method of driving ferroelectric gate transistor memory cell |
US5729488A (en) * | 1994-08-26 | 1998-03-17 | Hughes Electronics | Non-destructive read ferroelectric memory cell utilizing the ramer-drab effect |
KR100206713B1 (ko) * | 1996-10-09 | 1999-07-01 | 윤종용 | 강유전체 메모리 장치에서의 비파괴적 억세싱 방법 및 그 억세싱 회로 |
EP1094469A1 (de) * | 1999-10-22 | 2001-04-25 | Infineon Technologies AG | Anordnung zur Auswertung eines aus einem ferroelektrischen Speicherkondensator ausgelesenen Signales |
US6574134B1 (en) * | 2002-01-18 | 2003-06-03 | Macronix International Co., Ltd. | Non-volatile ferroelectric capacitor memory circuit having nondestructive read capability |
-
2000
- 2000-11-27 NO NO20006002A patent/NO316580B1/no unknown
-
2001
- 2001-11-27 AU AU2002223164A patent/AU2002223164B2/en not_active Ceased
- 2001-11-27 DK DK01997813T patent/DK1346366T3/da active
- 2001-11-27 RU RU2003119443/09A patent/RU2250518C1/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-11-27 CN CNB018222048A patent/CN1329920C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-27 KR KR1020037007036A patent/KR100559926B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-11-27 EP EP01997813A patent/EP1346366B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-27 JP JP2002544724A patent/JP3944450B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-27 AT AT01997813T patent/ATE294444T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-11-27 CA CA002429366A patent/CA2429366C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-27 ES ES01997813T patent/ES2239177T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-27 DE DE60110461T patent/DE60110461T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-27 WO PCT/NO2001/000472 patent/WO2002043070A1/en active IP Right Grant
- 2001-11-27 AU AU2316402A patent/AU2316402A/xx active Pending
- 2001-11-27 US US10/169,381 patent/US6804139B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-24 HK HK04106328A patent/HK1063687A1/xx not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10855095B2 (en) | Battery impedance detection using voltage and current measurements | |
RU2003119443A (ru) | Способ неразрушающего считывания данных и устройство для осуществления данного способа | |
JP2004515023A5 (ru) | ||
JP3002078B2 (ja) | 歪み量測定回路 | |
RU2250518C1 (ru) | Способ неразрушающего считывания данных и устройство для осуществления данного способа | |
EP0417708A2 (en) | Impedance and transfer characteristic measuring apparatus | |
SU1453585A2 (ru) | Синхронный детектор | |
JPH0643741Y2 (ja) | 改良型抵抗測定器 | |
KR100389095B1 (ko) | 자이로스코프의 커패시턴스 변화량 측정장치 | |
JP3154154B2 (ja) | 並列t形高周波ブリッジ装置 | |
SU960645A1 (ru) | Амплитудный преобразователь | |
RU2018151C1 (ru) | Устройство для измерения напряженности магнитного поля | |
SU883733A1 (ru) | Пол рограф переменного тока | |
RU2255341C1 (ru) | Устройство для измерения ускорений | |
KR960013754B1 (ko) | 직렬 저항 보상 기능을 갖는 적분형 콘덴서 측정 회로 | |
JP3371847B2 (ja) | インピーダンス/電圧変換装置及びその変換方法 | |
SU236628A1 (ru) | Способ измерения емкости туннельного диода | |
JP2000304789A (ja) | インピーダンス/電圧変換装置 | |
SU1524166A2 (ru) | Устройство дл временной фиксации амплитудных изменений сигналов | |
JPH01318424A (ja) | 三角波発生回路 | |
JPH0755859A (ja) | 静電容量検出回路 | |
RU2092861C1 (ru) | Способ измерения параметров полного сопротивления и устройство для его осуществления | |
RU1830558C (ru) | Способ определени вольтамперной характеристики химического источника тока | |
JPH07244091A (ja) | 信号検出回路及びノイズ測定回路 | |
SU282447A1 (ru) | Синхронный демодулятор ам-сигналов, чувствительный к фазе |