RU2002123315A - Фотовольтаически активный р-или n-допированный полупроводниковый материал, фотовольтаическая ячейка, содержащая его, способ получения указанного материала, способ комбинаторного получения и испытания указанного материала, способ получения фотовольтаических ячеек и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате - Google Patents
Фотовольтаически активный р-или n-допированный полупроводниковый материал, фотовольтаическая ячейка, содержащая его, способ получения указанного материала, способ комбинаторного получения и испытания указанного материала, способ получения фотовольтаических ячеек и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате Download PDFInfo
- Publication number
- RU2002123315A RU2002123315A RU2002123315/28A RU2002123315A RU2002123315A RU 2002123315 A RU2002123315 A RU 2002123315A RU 2002123315/28 A RU2002123315/28 A RU 2002123315/28A RU 2002123315 A RU2002123315 A RU 2002123315A RU 2002123315 A RU2002123315 A RU 2002123315A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor material
- photovoltaic
- photovoltaic cell
- cell according
- matrix
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims 1
- 238000003181 co-melting Methods 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Claims (13)
1. Фотовольтаически активный р- или n-допированный полупроводниковый материал, состоящий из тройного соединения общей формулы (I)
где Me означает Al, Ti, Zr, V, Nb, Та, Cr, Мо, W, Mn, Fe, Co, Ni, Cu или Ag;
SA, SB означает В, С, Si, Ge, Sb, Se или Те, где SA и SB, соответственно, являются различными группами Периодической таблицы;
х, у, z независимо от друг друга имеют значения от 0,01 до 1, и где доля по массе SA и SB вместе составляет не более 30%, будучи выраженной относительно всего полупроводникового материала, или из смешанного оксида общей формулы (II)
где Me является Fe, Cu, V, Mn, Sn, Ti, Мо, W;
n=целое число от 1 до 6;
а=1 или 2;
f=число от 0,2 до 5;
k=число от 0,01 до 2;
u+v+w+x=1,
за исключением тройных соединений, состоящих из AlB12 и SiB6.
2. Способ получения полупроводникового материала по п.1 спеканием или совместным плавлением с последующим спеканием смесей порошков элементов, либо спеканием смесей порошков оксидов, экструдированием с формированием ленты и, возможно, вытягиванием ленты в течение последующего охлаждения ниже точки плавления материала.
3. Фотовольтаическая ячейка, имеющая фотовольтаически активный полупроводниковый материал, состоящий из множества металлов или оксидов металлов, где фотовольтаически активный материал выбран из р- или n-допированного полупроводникового материала, состоящего из тройного соединения формулы (I)
где Me является Al, Ti, Zr, V, Nb, Та, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Cu или Ag;
SA, SB являются В, С, Si, Ge, Sb, Se или Те, где SA и SB соответственно, явдяются различными группами Периодической таблицы;
х, у, z независимо от друг друга имеют значения от 0,01 до 1, и где доля по массе SA и SB вместе составляет не более 30%, будучи выраженной относительно всего полупроводникового материала, или из смешанного оксида общей формулы (II)
где Me является Fe, Cu, V, Mn, Sn, Ti, Mo, W;
n=целое число от 1 до 6;
а=1 или 2;
f=число от 0,2 до 5;
k=число от 0,01 до 2;
u+v+w+x=1.
4. Фотовольтаическая ячейка по п.1, где в полупроводниковом материале SA и SB выбирают из В, С, Ge, Sb, Se или Те.
5. Фотовольтаическая ячейка по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбирают из Al, Ti и Zr.
6. Фотовольтаическая ячейка по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбирают из V, Mb и Та.
7. Фотовольтаическая ячейка по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбирают из Cr, Мо или W.
8. Фотовольтаическая ячейка по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбирают из Mn, Fe, Со и Ni.
9. Фотовольтаическая ячейка по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбирают из Cu и Ag.
10. Фотовольтаическая ячейка по п.3, где для смешанного оксида f имеет величину в интервале от 0,2 до 0,9 или 1, либо от 1,01 до 2, либо от 2,01 до 5.
11. Способ получения фотовольтаических ячеек по одному из пп.3-10 нанесением слоев полупроводникового материала на проводящие субстраты посредством трафаретной печати.
12. Способ комбинаторного получения и испытания полупроводниковых материалов для фотовольтаических ячеек по п.1, в котором матрицу тонкопленочных точек полупроводниковых материалов с различным составом получают на проводящем двумерном субстрате, субстрат подвергают тепловой обработке с доведением матрицы до желательной температуры измерения, и точки, соответственно, приводят в контакт с измерительной иглой, причем измеряют при освещении напряжение без нагрузки, ток и напряжение с уменьшением нагрузочного сопротивления и/или при коротком замыкании с последующим сохранением и оценкой.
13. Матрица из, по меньшей мере, 10 различных полупроводниковых материалов по п.1 на проводящем субстрате.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10142632.1 | 2001-08-31 | ||
DE2001142632 DE10142632A1 (de) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | Photovoltaisch aktive Materialien und diese enthaltende Zellen |
DE2002123744 DE10223744A1 (de) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | Photovoltaisch aktive Materialien und diese enthaltende Zellen |
DE10223744.1 | 2002-05-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2002123315A true RU2002123315A (ru) | 2004-03-27 |
Family
ID=26010037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2002123315/28A RU2002123315A (ru) | 2001-08-31 | 2002-08-30 | Фотовольтаически активный р-или n-допированный полупроводниковый материал, фотовольтаическая ячейка, содержащая его, способ получения указанного материала, способ комбинаторного получения и испытания указанного материала, способ получения фотовольтаических ячеек и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7026543B2 (ru) |
EP (1) | EP1291927A3 (ru) |
JP (1) | JP2003179243A (ru) |
RU (1) | RU2002123315A (ru) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004052012A1 (de) * | 2004-10-26 | 2006-04-27 | Basf Ag | Photovoltaische Zelle mit einem photovoltaisch aktiven Halbleitermaterial |
DE102004052014A1 (de) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Basf Ag | Photovoltaische Zelle |
DE102005047907A1 (de) * | 2005-10-06 | 2007-04-12 | Basf Ag | Photovoltaische Zelle mit einem darin enthaltenen photovoltaisch aktiven Halbleitermaterial |
EP1972014A1 (de) * | 2006-01-03 | 2008-09-24 | Basf Se | Photovoltaisch aktives halbleitermaterial und photovoltaische zelle |
KR101160269B1 (ko) | 2011-04-15 | 2012-06-27 | 포항공과대학교 산학협력단 | 삼성분계 반도체 복합체를 이용한 광전환 소재 및 이의 제조 방법 |
KR101626933B1 (ko) | 2013-11-29 | 2016-06-02 | 주식회사 엘지화학 | 신규한 화합물 반도체 및 그 활용 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3008797A (en) * | 1957-10-10 | 1961-11-14 | Du Pont | Ternary selenides and tellurides of silver and antimony and their preparation |
GB970980A (en) * | 1960-09-06 | 1964-09-23 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to methods of preparing crystalline compounds |
US3762960A (en) * | 1965-11-24 | 1973-10-02 | Teledyne Inc | Thermoelectric alloys |
US3390090A (en) * | 1966-09-12 | 1968-06-25 | Merck & Co Inc | Metallic selenides and tellurides and process for making same |
US4062706A (en) * | 1976-04-12 | 1977-12-13 | Robert Arthur Ruehrwein | Process for III-V compound epitaxial crystals utilizing inert carrier gas |
US4101923A (en) * | 1977-03-22 | 1978-07-18 | Gulko Arnold G | Solar cells |
JPS5457434A (en) * | 1977-10-18 | 1979-05-09 | Stanley Electric Co Ltd | Vacuum depositing method for selenium |
US4782377A (en) * | 1986-09-30 | 1988-11-01 | Colorado State University Research Foundation | Semiconducting metal silicide radiation detectors and source |
US4710588A (en) * | 1986-10-06 | 1987-12-01 | Hughes Aircraft Company | Combined photovoltaic-thermoelectric solar cell and solar cell array |
US5242505A (en) * | 1991-12-03 | 1993-09-07 | Electric Power Research Institute | Amorphous silicon-based photovoltaic semiconductor materials free from Staebler-Wronski effects |
DE4313866A1 (de) * | 1993-04-28 | 1994-11-03 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Silicium-Bor-Legierungen sowie Verwendung der Legierungen |
JP3348924B2 (ja) * | 1993-08-04 | 2002-11-20 | 株式会社テクノバ | 熱電半導体材料 |
US5641362A (en) * | 1995-11-22 | 1997-06-24 | Ebara Solar, Inc. | Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell |
US6013872A (en) * | 1997-04-25 | 2000-01-11 | Bayer Ag | Directionally solidified, multicrystalline silicon, a process for the production thereof and its use, and solar cells containing this silicon and a process for the production thereof |
DE19834236A1 (de) * | 1998-07-29 | 2000-02-03 | Basf Ag | Carbonyleisensilizid-Pulver |
US6312617B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-11-06 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Conductive isostructural compounds |
DE19910816A1 (de) * | 1999-03-11 | 2000-10-05 | Merck Patent Gmbh | Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern |
EP1074512B1 (en) * | 1999-08-03 | 2017-02-15 | IHI Corporation | Clathrate compounds, manufacture thereof, and thermoelectric materials, thermoelectric modules, semiconductor materials and hard materials based thereon |
EP1087412B1 (en) * | 1999-09-24 | 2008-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrolyte composition, photosensitized solar cell using said electrolyte composition, and method of manufacturing photosensitized solar cell |
DE19955788A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Basf Ag | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren |
DE10142634A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-03-20 | Basf Ag | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren und Peltier-Anordnungen |
-
2002
- 2002-08-21 JP JP2002240191A patent/JP2003179243A/ja not_active Withdrawn
- 2002-08-27 US US10/227,793 patent/US7026543B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-28 EP EP02019071A patent/EP1291927A3/de not_active Withdrawn
- 2002-08-30 RU RU2002123315/28A patent/RU2002123315A/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1291927A3 (de) | 2005-03-30 |
EP1291927A2 (de) | 2003-03-12 |
JP2003179243A (ja) | 2003-06-27 |
US7026543B2 (en) | 2006-04-11 |
US20030051752A1 (en) | 2003-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Kanade et al. | Composition dependent resistivity of thick film Ni (1− x) CoxMn2O4:(0≤ x≤ 1) NTC thermistors | |
US6744110B2 (en) | Thermoelectrically active materials and generators and Peltier arrangements containing them | |
US9595652B2 (en) | Thermoelectric material and thermoelectric element including the same | |
He et al. | Thermoelectric properties of La1− xAxCoO3 (A= Pb, Na) | |
JP4035572B2 (ja) | 熱電変換材料、その製造方法及び熱電変換素子 | |
RU2002123315A (ru) | Фотовольтаически активный р-или n-допированный полупроводниковый материал, фотовольтаическая ячейка, содержащая его, способ получения указанного материала, способ комбинаторного получения и испытания указанного материала, способ получения фотовольтаических ячеек и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате | |
US20050081906A1 (en) | Thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element using the material, cooling device and electric apparatus using the element, and electric power generation method and cooling method using the element | |
Banerjee et al. | Smart technique for fabrication of zinc oxide varistor | |
Kusy | On the structure and conduction mechanism of thick resistive films | |
CN110372335A (zh) | 一种锰镍铝钴基ntc热敏电阻材料及其制备方法 | |
JPWO2007083576A1 (ja) | 熱電変換材料とこれを用いた熱電変換素子ならびにこの素子を備える電子機器および冷却装置 | |
RU2002123316A (ru) | Термоэлектрически активный р- или n-допированный полупроводник, термоэлектрический генератор или устройство пельтье, содержащие его, способ комбинаторного получения и испытания полупроводниковых материалов для термоэлектрических генераторов или устройства пельтье и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате | |
CA1092251A (en) | Ceramic electrical resistor with nonlinear voltage characteristic | |
JP2571789B2 (ja) | 超電導材料及びその製造方法 | |
JP3771756B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP5949347B2 (ja) | n型熱電変換性能を有する金属材料 | |
JPWO2006129459A1 (ja) | 熱電変換材料とこれを用いた熱電変換素子ならびにこの素子を備える電子機器および冷却装置 | |
Yong et al. | Hall effect in single phase Ba2YCu3O7− δ | |
CN1967734B (zh) | 层叠型片状可变电阻的制作方法 | |
Mazumdar et al. | Superconductivity in the ternary nickel silicide Lu 2 Ni 3 Si 5 | |
JPH07235405A (ja) | サーミスタ焼結体 | |
Kulawik et al. | Fabrication and characterization of bulk and thick film perovskite NTC thermistors | |
Bhushan et al. | Novel nonohmic binary composite | |
EP0974983A1 (de) | Thermistor | |
KR102036555B1 (ko) | 열전소재 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20050831 |