RU2002123316A - Термоэлектрически активный р- или n-допированный полупроводник, термоэлектрический генератор или устройство пельтье, содержащие его, способ комбинаторного получения и испытания полупроводниковых материалов для термоэлектрических генераторов или устройства пельтье и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате - Google Patents
Термоэлектрически активный р- или n-допированный полупроводник, термоэлектрический генератор или устройство пельтье, содержащие его, способ комбинаторного получения и испытания полупроводниковых материалов для термоэлектрических генераторов или устройства пельтье и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате Download PDFInfo
- Publication number
- RU2002123316A RU2002123316A RU2002123316/28A RU2002123316A RU2002123316A RU 2002123316 A RU2002123316 A RU 2002123316A RU 2002123316/28 A RU2002123316/28 A RU 2002123316/28A RU 2002123316 A RU2002123316 A RU 2002123316A RU 2002123316 A RU2002123316 A RU 2002123316A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor material
- peltier device
- thermoelectric
- thermoelectric generator
- peltier
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 20
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/8556—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing germanium or silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Claims (13)
1. Термоэлектрически активный р- или n-допированный полупроводниковый материал, состоящий из тройного соединения общей формулы (I)
MexS S (I),
где Me означает Al, Ti, Zr, V, Nb, Та, Cr, Мо, W, Mn, Fe, Co, Ni, Cu или Ag;
SA SB означают В, С, Si, Ge, Sb, Se или Те, где SA и SB соответственно являются различными группами Периодической таблицы;
х, у, z независимо друг от друга имеют значения от 0,01 до 1,
и где доля по массе SA и SB вместе составляет не более 30%, будучи выраженной относительно всего полупроводникового материала, за исключением тройных соединений, состоящих из AIB12 и SiB6,
или из смешанного оксида общей формулы (II)
[(CaO)u•(SrO)v•(BaO)w•(1/2Bi2O3)x]f•[(2n+a)/2]•({k}MenOn/2•{2-k}Me(n+a)O(n+a)/2) (II),
где Me означает Fe, Cu, V, Mn, Sn, Ti, Мо, W;
n означает целое число от 1 до 6;
а означает 1 или 2;
f означает число от 0,2 до 5;
k означает число от 0,01 до 2;
u+v+w+x=1.
2. Способ получения полупроводникового материала по п.1 спеканием или совместным плавлением и последующим спеканием смесей порошков элементов, либо спеканием смесей порошков оксидов.
3. Термоэлектрический генератор или устройство Пельтье, имеющее термоэлектрически активный полупроводниковый материал, состоящий из множества металлов или оксидов металлов, где термоэлектрически активный материал выбран из р- или n-допированного полупроводникового материала, состоящего из тройного соединения формулы (I)
MexS S (I),
где Me означает Al, Ti, Zr, V, Nb, Та, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Cu или Ag;
SA SB означают В, С, Si, Ge, Sb, Se или Те, где SA и SB соответственно являются различными группами Периодической таблицы;
х, у, z независимо от друг друга имеют значения от 0,01 до 1,
и где доля по массе SA и SB вместе составляет не более 30%, будучи выраженной относительно всего полупроводникового материала, за исключением тройных соединений, состоящих из AIB12 и SiB6,
или из смешанного оксида общей формулы (II)
[(CaO)u•(SrO)v•(BaO)w•(1/2Bi2O3)x]f•[(2n+a)/2]•({k}MenOn/2•{2-k}Me(n+a)O(n+a)/2) (II),
где Me означает Fe, Cu, V, Mn, Sn, Ti, Mo, W;
n означает целое число от 1 до 6;
а означает 1 или 2;
f означает число от 0,2 до 5;
k означает число от 0,01 до 2;
u+v+w+x=1.
4. Термоэлектрический генератор или устройство Пельтье по п.3, где в полупроводниковом материале SA и SB выбраны из В, С, Ge, Sb или Те.
5. Термоэлектрический генератор или устройство Пельтье по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбран из Al, Ti и Zr.
6. Термоэлектрический генератор или устройство Пельтье по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбран из V, Nb и Та.
7. Термоэлектрический генератор или устройство Пельтье по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбран из Cr, Mo или W.
8. Термоэлектрический генератор или устройство Пельтье по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбран из Mn, Fe, Со и Ni.
9. Термоэлектрический генератор или устройство Пельтье по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбран из Cu и Ag.
10. Термоэлектрический генератор или устройство Пельтье по п.3, где для смешанного оксида f имеет величину в интервале от 0,2 до 0,9 или 1, либо от 1,01 до 2, либо от 0,01 до 5.
11. Способ комбинаторного получения и испытания полупроводниковых материалов для термоэлектрических генераторов или устройства Пельтье по п.1, в котором матрицу точек полупроводниковых материалов с различным составом получают на проводящем двумерном субстрате, субстрат подвергают тепловой обработке с доведением матрицы до желательной температуры измерения, и точки соответственно приводят в контакт с охлаждаемой измерительной иглой, причем измеряют напряжение без нагрузки, ток и напряжение с уменьшением нагрузочного сопротивления и/или при коротком замыкании с последующим сохранением и оценкой.
12. Способ комбинаторного получения и испытания полупроводниковых материалов для термоэлектрических генераторов или устройства Пельтье по п.1, в котором матрицу точек полупроводниковых материалов с различным составом получают на проводящем двумерном субстрате, точки приводят в контакт на противоположной от субстрата стороне, и плату выдерживают при различных температурах и электрически соединяют друг с другом, причем плату сканируют магнитно-полевым зондом и полученные данные сохраняют и оценивают.
13. Матрица из, по меньшей мере, 10 различных полупроводниковых материалов по п.1 на проводящем субстрате.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10142634A DE10142634A1 (de) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren und Peltier-Anordnungen |
| DE10142634.8 | 2001-08-31 | ||
| DE10223743A DE10223743A1 (de) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren und Peltier-Anordnungen |
| DE10223743 | 2002-05-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2002123316A true RU2002123316A (ru) | 2004-03-20 |
Family
ID=26010038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2002123316/28A RU2002123316A (ru) | 2001-08-31 | 2002-08-30 | Термоэлектрически активный р- или n-допированный полупроводник, термоэлектрический генератор или устройство пельтье, содержащие его, способ комбинаторного получения и испытания полупроводниковых материалов для термоэлектрических генераторов или устройства пельтье и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1289026A3 (ru) |
| JP (1) | JP2004040068A (ru) |
| RU (1) | RU2002123316A (ru) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4809691B2 (ja) | 2006-02-24 | 2011-11-09 | ヤンマー株式会社 | 鉄合金熱電材料 |
| KR20100009455A (ko) | 2008-07-18 | 2010-01-27 | 삼성전자주식회사 | 열전재료 및 칼코게나이드 화합물 |
| MX2014002608A (es) * | 2011-09-07 | 2014-04-14 | Toyota Motor Co Ltd | Dispositivo semiconductor y metodo para fabricar el mismo. |
| CN104211024B (zh) * | 2013-06-04 | 2016-02-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | P型可逆相变高性能热电材料及其制备方法 |
| US10937939B2 (en) | 2016-12-26 | 2021-03-02 | National University Corporation Nagoya University | Thermoelectric conversion material and thermoelectric conversion element |
| CN109309155B (zh) * | 2017-07-28 | 2022-04-19 | 丰田自动车株式会社 | 高锰硅基碲化物热电复合材料及其制备方法 |
| CN110491988A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-22 | 深圳大学 | 一种Ag掺杂的GeSe基热电材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3087002A (en) * | 1959-07-01 | 1963-04-23 | Monsanto Chemicals | Thermoelectricity |
| US3208878A (en) * | 1962-12-26 | 1965-09-28 | Franklin Inst Of The State Of | Thermoelectric devices |
| US3081361A (en) * | 1961-06-09 | 1963-03-12 | Monsanto Chemicals | Thermoelectricity |
| US3081363A (en) * | 1961-06-09 | 1963-03-12 | Monsanto Chemicals | Thermoelectricity |
| BE618606A (ru) * | 1961-06-09 | |||
| US3256702A (en) * | 1962-01-29 | 1966-06-21 | Monsanto Co | Thermoelectric unit and process of using to interconvert heat and electrical energy |
| US3256698A (en) * | 1962-01-29 | 1966-06-21 | Monsanto Co | Thermoelectric unit and process of using to interconvert heat and electrical energy |
| GB1015985A (en) * | 1962-06-12 | 1966-01-05 | Monsanto Co | Semiconductor materials and applications thereof |
| US3407037A (en) * | 1965-02-10 | 1968-10-22 | Martin Marietta Corp | Process of making mnsi thermoelectric element and product of said process |
| US3762960A (en) * | 1965-11-24 | 1973-10-02 | Teledyne Inc | Thermoelectric alloys |
| WO1992013811A1 (en) * | 1991-01-30 | 1992-08-20 | Idemitsu Petrochemical Company Limited | Method for manufacturing thermoelectric element |
| JPH06169110A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電変換材料の製造法 |
| JP3348924B2 (ja) * | 1993-08-04 | 2002-11-20 | 株式会社テクノバ | 熱電半導体材料 |
| DE4434904A1 (de) * | 1994-09-29 | 1996-06-05 | Max Planck Gesellschaft | Thermoelektrische Strahlungsdetektoren auf der Basis perovskitartiger dotierter Schichten und Übergitter |
| JPH08242021A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 熱電変換材料の製造方法 |
| JP3476343B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2003-12-10 | 株式会社東芝 | 熱電変換材料 |
| US6222242B1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-04-24 | Komatsu Ltd. | Thermoelectric semiconductor material and method of manufacturing same |
| US6225550B1 (en) * | 1999-09-09 | 2001-05-01 | Symyx Technologies, Inc. | Thermoelectric material system |
| DE19955788A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Basf Ag | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren |
-
2002
- 2002-08-21 JP JP2002240197A patent/JP2004040068A/ja active Pending
- 2002-08-26 EP EP02018298A patent/EP1289026A3/de not_active Withdrawn
- 2002-08-30 RU RU2002123316/28A patent/RU2002123316A/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1289026A3 (de) | 2004-04-21 |
| EP1289026A2 (de) | 2003-03-05 |
| JP2004040068A (ja) | 2004-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Matsubara | Development of a high efficient thermoelectric stack for a waste exhaust heat recovery of vehicles | |
| Chen et al. | Low-temperature transport properties of the filled skutterudites CeFe 4− x Co x Sb 12 s | |
| Mueller et al. | Functionally graded materials for sensor and energy applications | |
| JP2001223392A (ja) | 熱電気の活性材料およびこれを含んだ熱変換器 | |
| US6744110B2 (en) | Thermoelectrically active materials and generators and Peltier arrangements containing them | |
| CN100385695C (zh) | 热电转换材料、使用该材料的热电转换元件以及使用该元件的发电方法及冷却方法 | |
| JPWO2005083808A1 (ja) | 熱電変換デバイス、およびこれを用いた冷却方法および発電方法 | |
| RU2002123316A (ru) | Термоэлектрически активный р- или n-допированный полупроводник, термоэлектрический генератор или устройство пельтье, содержащие его, способ комбинаторного получения и испытания полупроводниковых материалов для термоэлектрических генераторов или устройства пельтье и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате | |
| JP2003046145A (ja) | 熱電材料及び熱電素子並びに熱電材料の製造方法 | |
| CN106062978B (zh) | 热电填充式方钴矿器件的稳定电极/扩散阻挡层的制造 | |
| US7435896B2 (en) | Thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element using the material, cooling device and electric apparatus using the element, and electric power generation method and cooling method using the element | |
| JP3596643B2 (ja) | 熱電変換材料及び熱電変換素子 | |
| Mengali et al. | Contact resistance studies on thermoelectric materials | |
| Mandrus et al. | Unusual transport and large diamagnetism in the intermetallic semiconductor RuAl 2 | |
| JP3607249B2 (ja) | 熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換素子 | |
| Kusy | On the structure and conduction mechanism of thick resistive films | |
| RU2002123315A (ru) | Фотовольтаически активный р-или n-допированный полупроводниковый материал, фотовольтаическая ячейка, содержащая его, способ получения указанного материала, способ комбинаторного получения и испытания указанного материала, способ получения фотовольтаических ячеек и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате | |
| Bhushan et al. | Electrical and dielectric behavior of a zinc oxide composite | |
| US20060283494A1 (en) | Thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element using the same, and electronic apparatus and cooling device comprising the element | |
| JP5949347B2 (ja) | ｎ型熱電変換性能を有する金属材料 | |
| Kulawik et al. | Fabrication and characterization of bulk and thick film perovskite NTC thermistors | |
| Hogan et al. | Measurement system for doping and alloying trends in new thermoelectric materials | |
| Mollah et al. | ac conductivity of glassy Bi 4− n Pb n Sr 3 Ca 3 Cu 4 O x semiconductors (with n= 0.0, 0.1, 0.5, and 1.0): Precursors for high-T c superconductors | |
| US6465739B1 (en) | Very high temperature and atmospheric pressure superconducting compositions and methods of making and using same | |
| KR102523480B1 (ko) | 순환 타겟 레이저 어블레이션을 이용한 상온 초전도성 금속산화물 증착 방법 및 이 방법으로 제조된 금속산화물 박막 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20080220 |
|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20080220 |
|
| FA94 | Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees) |
Effective date: 20080220 |