RU2002119607A - Полупроводниковый источник света - Google Patents

Полупроводниковый источник света

Info

Publication number
RU2002119607A
RU2002119607A RU2002119607/28A RU2002119607A RU2002119607A RU 2002119607 A RU2002119607 A RU 2002119607A RU 2002119607/28 A RU2002119607/28 A RU 2002119607/28A RU 2002119607 A RU2002119607 A RU 2002119607A RU 2002119607 A RU2002119607 A RU 2002119607A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
recess
light source
substrate
semiconductor light
conductive metallization
Prior art date
Application number
RU2002119607/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2212734C1 (ru
Inventor
Григорий Владимирович Иткинсон
Александр Львович Закгейм
Елена Дмитриевна Васильева
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" filed Critical Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника"
Priority to RU2002119607A priority Critical patent/RU2212734C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2212734C1 publication Critical patent/RU2212734C1/ru
Publication of RU2002119607A publication Critical patent/RU2002119607A/ru

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Claims (3)

1. Полупроводниковый источник света, содержащий подложку из пластины кремния с выполненным в ней, по меньшей мере, одним углублением, в котором размещен электролюминесцентный полупроводниковый кристалл с омическими контактами, при этом на поверхности подложки, а также на боковой поверхности и на дне углубления сформированы токопроводящие участки металлизации, причем токопроводящий участок металлизации на дне углубления образует контактную площадку, которая соединена с одним из омических контактов полупроводникового кристалла, отличающийся тем, что на дне углубления сформирован еще один изолированный от первого токопроводящий участок металлизации, соединенный с другим омическим контактом полупроводникового кристалла, токопроводящие участки металлизации на боковой поверхности углубления выполнены в виде шин, каждая из которых соединена с одной из контактных площадок на дне углубления и с токопроводящим участком металлизации на поверхности подложки, при этом указанные токопроводящие участки металлизации на поверхности подложки изолированы друг от друга.
2. Полупроводниковый источник света по п.1, отличающийся тем, что поверхность углубления, свободная от шин и контактных площадок, покрыта материалом с высоким коэффициентом отражения света.
3. Полупроводниковый источник света по п.1 или 2, отличающийся тем, что свободный объем углубления заполнен либо прозрачной иммерсионной средой, либо иммерсионной средой, содержащей включения диспергатора или люминофора.
RU2002119607A 2002-07-10 2002-07-10 Полупроводниковый источник света RU2212734C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002119607A RU2212734C1 (ru) 2002-07-10 2002-07-10 Полупроводниковый источник света

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002119607A RU2212734C1 (ru) 2002-07-10 2002-07-10 Полупроводниковый источник света

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2212734C1 RU2212734C1 (ru) 2003-09-20
RU2002119607A true RU2002119607A (ru) 2004-03-20

Family

ID=29777833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002119607A RU2212734C1 (ru) 2002-07-10 2002-07-10 Полупроводниковый источник света

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2212734C1 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2302687C1 (ru) * 2006-02-26 2007-07-10 Закрытое акционерное общество "ПОЛА+" Светодиодное устройство
US7687810B2 (en) * 2007-10-22 2010-03-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Robust LED structure for substrate lift-off
US20090173956A1 (en) * 2007-12-14 2009-07-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Contact for a semiconductor light emitting device
KR101500976B1 (ko) * 2008-01-15 2015-03-10 코닌클리케 필립스 엔.브이. Led용 광학 세라믹 내의 제어된 다공성에 의한 광 산란
BR112012020317B1 (pt) * 2010-02-09 2020-10-13 Nichia Corporation dispositivo emissor de luz
JP5725022B2 (ja) * 2010-05-31 2015-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
RU2550740C1 (ru) * 2014-05-22 2015-05-10 Открытое Акционерное Общество "Государственный завод "Пульсар" Светодиодная лампа с широкой диаграммой излучения (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2212734C1 (ru) 2003-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8044423B2 (en) Light emitting device package
KR100735452B1 (ko) 발광다이오드 패키지
US8227824B2 (en) Light emitting device package
JP4082544B2 (ja) 裏面実装チップ型発光装置
JP2011129947A (ja) 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ
RU97115245A (ru) Органические кристаллодержатели для интегральных схем с проволочными соединениями
TW200611438A (en) Semiconductor light emitting element and fabrication method thereof
WO2006034671A3 (de) Optoelektronisches bauelement mit einer drahtlosen kontaktierung
TW200505043A (en) LED device, flip-chip led package and light reflecting structure
EP1168461A3 (en) Light source
RU2004107125A (ru) Контактирование полупроводниковых микросхем в чип-картах
ATE358333T1 (de) Integration optoelektronischer bauelemente
CN102313170A (zh) 发光装置以及照明装置
KR20140122689A (ko) 에피택셜 구조 및 패키지 기판을 함께 통합하는 led 컴포넌트 및 그의 제조 방법
RU2002119607A (ru) Полупроводниковый источник света
TW200950128A (en) Light-emitting diode chip packaging body and its packaging method
US20080057603A1 (en) Light Emitting Diode and Method of Making the Same
TWI628811B (zh) 發光元件
WO2003058327A8 (fr) Modulateur optique du type a surface et son procede de fabrication
JP2004288937A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
RU97109754A (ru) Источник света
KR100671979B1 (ko) 발광다이오드용 방열 패키지
WO2003067677A3 (en) Organic semiconductor photodetector
JP2001085750A (ja) 窒化物半導体発光チップ
TW201007980A (en) Die-bond light-emitting device with an insulating layer and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180711