RU97109754A - Источник света - Google Patents

Источник света

Info

Publication number
RU97109754A
RU97109754A RU97109754/25A RU97109754A RU97109754A RU 97109754 A RU97109754 A RU 97109754A RU 97109754/25 A RU97109754/25 A RU 97109754/25A RU 97109754 A RU97109754 A RU 97109754A RU 97109754 A RU97109754 A RU 97109754A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
base
light source
crystal
metallization
recesses
Prior art date
Application number
RU97109754/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2142176C1 (ru
Inventor
Н.В. Карпович
Н.П. Криворотов
В.А. Хан
Original Assignee
Н.В. Карпович
Н.П. Криворотов
В.А. Хан
Filing date
Publication date
Application filed by Н.В. Карпович, Н.П. Криворотов, В.А. Хан filed Critical Н.В. Карпович
Priority to RU97109754A priority Critical patent/RU2142176C1/ru
Priority claimed from RU97109754A external-priority patent/RU2142176C1/ru
Publication of RU97109754A publication Critical patent/RU97109754A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2142176C1 publication Critical patent/RU2142176C1/ru

Links

Claims (1)

  1. Источник света, содержащий размещенные в N (где N натуральное число большее единицы) отражающих свет углублениях основания электролюминесцирующие полупроводниковые кристаллы с р-n переходами и омическими контактами к ним с обеих сторон, отличающийся тем, что основание выполнено в виде пластины из кремния, покрытой слоем диэлектрика, на котором расположены изолированные друг от друга участки металлизации, покрывающие углубления и прилежащую к ним поверхность основания, при этом верхний контакт каждого i-го кристалла соединен проволочным электродом с металлизацией i-1 углубления, а верхний контакт 1-го кристалла соединен с контактной площадкой, расположенной на поверхности основания.
RU97109754A 1997-06-10 1997-06-10 Источник света RU2142176C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97109754A RU2142176C1 (ru) 1997-06-10 1997-06-10 Источник света

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97109754A RU2142176C1 (ru) 1997-06-10 1997-06-10 Источник света

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97109754A true RU97109754A (ru) 1999-06-10
RU2142176C1 RU2142176C1 (ru) 1999-11-27

Family

ID=20194043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97109754A RU2142176C1 (ru) 1997-06-10 1997-06-10 Источник света

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2142176C1 (ru)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7867793B2 (en) * 2007-07-09 2011-01-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Substrate removal during LED formation
JP5670888B2 (ja) * 2008-06-17 2015-02-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 交流駆動のための発光装置
CN102577635B (zh) * 2009-09-17 2015-03-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 光源模块和发光设备
RU2444812C1 (ru) * 2010-10-13 2012-03-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") Полупроводниковый источник излучения
RU2465690C1 (ru) * 2011-05-03 2012-10-27 Закрытое Акционерное Общество "Кб "Света-Лед" Лампа со светодиодным модулем
US20140054638A1 (en) * 2012-04-11 2014-02-27 Toshiba Techno Center, Inc. Light emitting devices having shielded silicon substrates
RU2511280C2 (ru) * 2012-07-27 2014-04-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") Полупроводниковый источник излучения
US20140131742A1 (en) * 2012-11-12 2014-05-15 Andrey Zykin LED Spirit Connector System and Manufacturing Method
RU2570060C1 (ru) * 2014-05-29 2015-12-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр НТС Инновации" Высоковольтное светоизлучающее устройство

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2393009C (en) Scalable led with improved current spreading structures
US9368548B2 (en) AC light emitting diode and method for fabricating the same
US6861677B2 (en) Package of lightemitting diode with protective element
US20100136726A1 (en) Led array
JPH01151274A (ja) 発光ダイオード
CA2393007A1 (en) Micro-led arrays with enhanced light extraction
MY127063A (en) Method of manufacturing a semiconductor device
KR950007059A (ko) 집적 회로
KR840008222A (ko) 연결패드에서 기저의 실리콘으로 직접 연결된 고전력 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터
TW200505043A (en) LED device, flip-chip led package and light reflecting structure
US20100163905A1 (en) Light emitting device package
EP0803948A3 (en) Light-emitting device
MY124997A (en) Enhanced light extraction through the use of micro-led arrays
RU97109754A (ru) Источник света
DE59602196D1 (de) Chipmodul
MY112050A (en) Miniature semiconductor device for surface mounting
ATE54776T1 (de) Halbleiterelement und herstellungsverfahren.
EP0987762A3 (en) Semiconductor module
RU2142176C1 (ru) Источник света
KR20120011174A (ko) 발광모듈 및 이를 포함하는 패키지
KR910008860A (ko) 전력용 압접형 반도체장치
RU2002119607A (ru) Полупроводниковый источник света
CN104810440B (zh) 一种倒装led芯片及其制作方法
KR20020026619A (ko) 발광 화합물 반도체 장치 및 그 제조 방법
RU99123857A (ru) Полупроводниковый излучающий диод