RU2001111818A - Компоновка схем и способ для аутентификации содержания области памяти - Google Patents

Компоновка схем и способ для аутентификации содержания области памяти

Info

Publication number
RU2001111818A
RU2001111818A RU2001111818/09A RU2001111818A RU2001111818A RU 2001111818 A RU2001111818 A RU 2001111818A RU 2001111818/09 A RU2001111818/09 A RU 2001111818/09A RU 2001111818 A RU2001111818 A RU 2001111818A RU 2001111818 A RU2001111818 A RU 2001111818A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
memory area
memory
sbn
sbl
fsl
Prior art date
Application number
RU2001111818/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2216046C2 (ru
Inventor
Маркус ГАЙЛЬ
Вольфганг Покрандт
Армин ВЕДЕЛЬ
Эрвин ХЕСС
Original Assignee
Инфинеон Текнолоджиз Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Инфинеон Текнолоджиз Аг filed Critical Инфинеон Текнолоджиз Аг
Publication of RU2001111818A publication Critical patent/RU2001111818A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2216046C2 publication Critical patent/RU2216046C2/ru

Links

Claims (3)

1. Компоновка схем, содержащая по меньшей мере одну энергонезависимую электрически стираемую и перезаписываемую область памяти (SBl...SBn), схему адресации (AS; SD, ZD, BD), соотнесенную с областью памяти и связанную с ней посредством шин адресации (SL, ZL, BLI...BLn), а также источник напряжения программирования (PSQ), соединенный с областью памяти посредством шины программирования (PL), отличающаяся тем, что с каждой областью памяти (SBl...SBn) соотнесена энергонезависимая электрически записываемая и стираемая память флага (FSl...FSn), которая посредством шины адресации (BLI...BLn), шины программирования (PL) и шины аутентификации (AL) связана с соответствующей областью памяти (SBl...SBn), источником напряжения программирования (PSQ) и схемой аутентификации данных (DAS), соединенной посредством шины данных (DL) с областью памяти таким образом, что при изменении содержимого области памяти (SBl...SBn) изменяется состояние соответствующей памяти флага (FSl...FSn), и после аутентификации запрограммированного содержимого области памяти память флага (FSL...FSn) вновь переводится в свое основное состояние.
2. Способ для аутентификации содержимого энергонезависимой электрически записываемой и стираемой области памяти (SBl...SBn) путем одновременного изменения состояния соответствующей соотнесенной с областью памяти (SBl...SBn) энергонезависимой электрически записываемой и стираемой памяти флага (FSl...FSn), когда область памяти (SBl...SBn) изменяется, и возвращения обратно в основное состояние этой памяти флага (FSl...FSn) после аутентификации содержимого области памяти.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что состояние памяти флага (FSl...FSn) связывается с аутентификацией соответствующего содержимого области памяти.
RU2001111818/09A 1998-09-30 1999-09-14 Компоновка схем и способ для аутентификации содержания области памяти RU2216046C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP98118499.7 1998-09-30
EP98118499 1998-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2001111818A true RU2001111818A (ru) 2003-05-20
RU2216046C2 RU2216046C2 (ru) 2003-11-10

Family

ID=8232721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2001111818/09A RU2216046C2 (ru) 1998-09-30 1999-09-14 Компоновка схем и способ для аутентификации содержания области памяти

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6708890B2 (ru)
EP (1) EP1118065B1 (ru)
JP (1) JP2002526844A (ru)
KR (1) KR100424702B1 (ru)
CN (1) CN1217299C (ru)
AT (1) ATE407415T1 (ru)
BR (1) BR9914136A (ru)
DE (1) DE59914864D1 (ru)
RU (1) RU2216046C2 (ru)
UA (1) UA62003C2 (ru)
WO (1) WO2000019384A1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2376540B (en) * 2001-06-12 2005-05-04 Hewlett Packard Co Upgrade of licensed capacity on computer entity

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3638505C2 (de) * 1986-11-11 1995-09-07 Gao Ges Automation Org Datenträger mit integriertem Schaltkreis
JPS63156236A (ja) * 1986-12-19 1988-06-29 Toshiba Corp レジスタ装置
GB2205186B (en) * 1987-05-23 1991-02-13 Motorola Inc Memory cards
US4809225A (en) * 1987-07-02 1989-02-28 Ramtron Corporation Memory cell with volatile and non-volatile portions having ferroelectric capacitors
GB8720332D0 (en) * 1987-08-28 1987-10-07 Mars Inc Data carrying devices
DE3869366D1 (de) * 1987-12-17 1992-04-23 Siemens Ag Verfahren und schaltung zum manipuliergeschuetzten entwerten von ee-prom-speichern.
GB8916017D0 (en) * 1989-07-13 1989-08-31 Hughes Microelectronics Ltd A non-volatile counter
FR2689263A1 (fr) * 1992-03-25 1993-10-01 Trt Telecom Radio Electr Dispositif comportant des moyens pour valider des données inscrites dans une mémoire.
EP0563997A1 (en) * 1992-04-02 1993-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory card apparatus
AU1265195A (en) 1993-12-06 1995-06-27 Telequip Corporation Secure computer memory card
DE4439266A1 (de) 1994-09-30 1996-04-11 Siemens Ag Datenübertragungssystem mit einem Terminal und einer tragbaren Datenträgeranordnung und Verfahren zum Wiederaufladen der tragbaren Datenträgeranordnung mittels des Terminals
ATE163786T1 (de) * 1994-09-30 1998-03-15 Siemens Ag Datenübertragungssystem mit einem terminal und einer tragbaren datenträgeranordnung und verfahren zum wiederaufladen der tragbaren datenträgeranordnung mittels des terminals
CH689813A5 (de) * 1995-12-07 1999-11-30 Ip Tpg Holdco Sarl Verfahren bei einer Benutzung von synchron betriebenen Chipkarten.

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100546449B1 (ko) 데이터 메모리 섹터 및 코드 메모리 섹터를 구비하는 단일메모리 모듈을 포함하고 두 개의 섹터에 동시 판독/기록액세스하는 마이크로컨트롤러
EP0809186A3 (en) Method and apparatus of redundancy for non-volatile memory integrated circuits
CN1086836C (zh) 半导体存储器装置及其驱动装置
TW382709B (en) Semiconductor memory capable of converting bad blocks
TW358208B (en) Non-volatile semiconductor memory for unit and multi-unit operations
AU2641395A (en) Bit map addressing schemes for flash memory
JPH0574178A (ja) 不揮発性ｉｃメモリ
JP3649320B2 (ja) リダンダンシー回路およびリダンダンシー方法
ATE205946T1 (de) Speicherverwaltung
DE69719301D1 (de) Flüchtiger Speicherchip mit nicht-flüchtigen Speicherplätzen zur Speicherung von Qualitätsinformation
TW333648B (en) The connection structure and algorithm for flash memory
US6847565B2 (en) Memory with row redundancy
US20020126529A1 (en) Memory with row redundancy
KR100505076B1 (ko) 프로그램 가능한 비휘발성 메모리 장치 및 그것을 사용한 마이크로컴퓨터
JP2654215B2 (ja) 半導体メモリシステム
AU2002257334A1 (en) Pair wise programming method for dual cell eeprom
RU2001111818A (ru) Компоновка схем и способ для аутентификации содержания области памяти
DE69632999D1 (de) Löschspannungs-Steuerschaltkreis für eine löschbare, nichtflüchtige Speicherzelle
EP0960423B1 (en) Reprogrammable memory device with variable page size
JP3483724B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置
US5226015A (en) Semiconductor memory system
FR2770326B1 (fr) Procede d'ecriture dans une memoire non volatile modifiable electriquement
ATE206242T1 (de) Verfahren zum sicheren ändern eines in einem nicht-flüchtigen speicher gespeicherten wertes und schaltungsanordnung hierzu
JP3593622B2 (ja) 不揮発性メモリのデータ書き換え方法
BR9914136A (pt) Disposição de circuito e processo para autenticação do conteúdo de uma área de memória