RU2000127113A - Способ и устройство для осаждения двухосно текстурированных покрытий - Google Patents

Claims (16)

1. Способ для осаждения двухоснотекстурированных покрытий на подложку с использованием магнетронного распылительного устройства в качестве источника как осаждаемых частиц, так и направленного потока частиц высокой энергии, направленного на подложку, вызывающий двухосное текстурирование, при этом магнетронное распылительное устройство включает мишень, а также, способ дополнительно включает этап разбалансирования магнетрона таким образом, чтобы магнитный поток, генерируемый на внешней части мишени, отличался от магнитного потока, генерируемого на внутренней части мишени, посредством этого генерируя поток частиц высокой энергии посредством амбиполярной диффузии.

2. Способ по п. 1, по которому осуществляют управление направлением, и посредством этого управление углом падения на подложку направленного потока частиц высокой энергии.

3. Способ по п. 1 или 2, в котором направленный поток частиц высокой энергии является по существу свободным от ионов материала мишени.

4. Способ по любому из пп. 1-3, в котором магнетрон включает газ распыления, и направленный поток частиц высокой энергии по существу состоит из ионов газа распыления.

5. Способ по любому из пп. 1-3, в котором поток частиц высокой энергии включает электроны, направляемые к подложке следуя по силовым линиям магнитного поля разбалансированного магнетрона.

6. Способ по любому из предыдущих пунктов, по которому осуществляют генерацию плазменного разряда над мишенью.

7. Способ по п. 6, в котором плазменный разряд генерируют скрещенными магнитным и электрическим полями.

8. Способ по любому из предыдущих пунктов, по которому осуществляют управление энергией потока частиц высокой энергии таким образом, чтобы она не была достаточной для того, чтобы вызвать существенную ионизацию напротив подложки, которая могла бы возмущать направление пучка частиц высокой энергии.

9. Источник магнетронного распыления, генерирующий поток частиц высокой энергии вместе с осаждаемым материалом, при этом источник выполнен таким образом, чтобы поток направлялся на подложку под углом, управляемым таким образом, чтобы на подложку осаждалось двухосно текстурированное покрытие, при этом источник дополнительно содержит мишень и магнитный блок, включающий один набор магнитов, помещенный к и на внутренней части мишени, и генерирующий магнитное поле одного магнитного полюса, и дополнительный набор магнитов, помещенный к и на внешней части мишени, и генерирующий магнитное поле другого магнитного полюса, при этом магнитный блок выполнен таким образом, чтобы силовые линии магнитного поля, генерируемого внешним набором магнитов, пересекали подложку, и амбиполярный поток частиц высокой энергии направлялся на подложку.

10. Источник по п. 9, который содержит, по меньшей мере, одну электростатическую заслонку, размещенную вокруг потока частиц высокой энергии.

11. Источник по п. 9 или 10, в котором упомянутый источник является плоским магнетроном или магнетроном с вращающимся катодом.

12. Источник по любому из пп. 9-11, который дополнительно содержит газ распыления, и направленный поток частиц высокой энергии состоит по существу из ионов газа распыления.

13. Источник по любому из пп. 9-11, в котором амбиполярный поток включает электроны, и энергия электронов не достаточна для того, чтобы вызвать существенную ионизацию напротив подложки, которая могла бы возмущать направление пучка частиц высокой энергии.

14. Источник по любому из пп. 9-13, в котором направленный поток частиц высокой энергии является по существу свободным от ионов материала мишени.

15. Источник по любому из пп. 9-14, который дополнительно содержит плазменный разряд над мишенью.

16. Источник по п. 15, который дополнительно содержит скрещенные магнитные и электрические поля для генерации плазменного разряда.