RU1764423C - Способ изготовления магниточувствительного полоскового элемента на основе тонкопленочного композитного магниторезистивного материала - Google Patents

Способ изготовления магниточувствительного полоскового элемента на основе тонкопленочного композитного магниторезистивного материала Download PDF

Info

Publication number
RU1764423C
RU1764423C SU4832485A RU1764423C RU 1764423 C RU1764423 C RU 1764423C SU 4832485 A SU4832485 A SU 4832485A RU 1764423 C RU1764423 C RU 1764423C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
angle
magnetic field
orienting
layers
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
А.Г. Равлик
С.Т. Рощенко
В.Н. Самофалов
И.Г. Шипкова
Г.В. Абрамзон
Р.Н. Полякова
Н.И. Яковлев
Original Assignee
Самофалов Владимир Николаевич
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Самофалов Владимир Николаевич filed Critical Самофалов Владимир Николаевич
Priority to SU4832485 priority Critical patent/RU1764423C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1764423C publication Critical patent/RU1764423C/ru

Links

Images

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении элементов, предназначенных для измерения и детектирования магнитных полей. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей элементов путем определения направления магнитного поля характеристик элементов, изготовленных по предлагаемому способу. Поставленная цель достигается тем, что наносят на подложку, размещенную в ориентирующем магнитном поле, направленном вдоль плоскости подложки, ферромагнитные слои, обладающие магниторезистивными свойствами, и немагнитные прослойки между этими слоями, формируют элемент, например, при помощи фотолитографии, нанесение нечетных слоев производят при одном направлении ориентирующего магнитного поля относительно сторон подложки, а перед нанесением каждого четного слоя направление ориентирующего поля изменяют на угол α в пределах 0°<α<180° , при этом угол выбирают близким к 90. При формировании полоскового элемента его продольную геометрическую ось ориентируют по биссектрисе угла α . 5 ил.

Description

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении элементов, предназначенных для измерения и детектирования магнитных полей.
Целью изобретения является расширение функциональных возможностей элемента путем определения направления внешнего магнитного поля.
На фиг. 1 схематически изображено относительное расположение подложки, испарителя и полюсов магнита, создающего ориентирующее поле, при прямом падении потока пара на подложку; на фиг. 2 - магниточувствительный полосковый элемент, аксонометрическая проекция; на фиг. 3 - его поперечное сечение; на фиг. 4а-в - принципы работы магниточувствительных полосковых элементов, изготовленных по предлагаемому способу, вид сверху; на фиг. 5 - полевые зависимости сигналов, снимаемых с магниточувствительных элементов, полученных по предлагаемому способу и способу-прототипу.
Плоскую подложку 1 из стекла, ситалла, кремния или другого материала со слабой электропроводностью очищают известными способами и помещают в вакуумную камеру непосредственно над испарителем 2 и 3 магниторезистивного материала, например пермаллоя, содержащего 81% никеля и 19% железа.
Кроме того, в камере имеется испаритель немагнитного материала (на фиг. не показан), в качестве которого может быть использован как диэлектрик (моноокись или двуокись кремния и т. п. ), так и проводник, не обладающий ферромагнитными свойствами (тантал, молибден, ванадий и т. п. ). Важно также, чтобы этот материал, предназначенный для формирования прослоек между ферромагнитными слоями, не диффундировал заметно в эти слои при температуре изготовления композитного материала и при рабочей температуре в процессе эксплуатации магниточувствительного элемента.
Вакуумную камеру откачивают до достижения высокого вакуума, нагревают подложку 1 до заданной температуры, вводят испарители пермаллоя и немагнитного материала в рабочий режим, убирают экран между испарителем 2 пермаллоя и подложкой 1 и осаждают на ней первый слой пермаллоя 3 (см. фиг. 2) необходимой толщины, например 30-80 нм. В процессе осаждения слоя пермаллоя с помощью постоянного магнита N-S (см. фиг. 1) в плоскости подложки прикладывают ориентирующее магнитное поле, напряженность которого должна быть достаточной для намагничивания этого слоя до насыщения (10-20 кА/м), а направление совпадает с IS1(ОЛН1). После осаждения слоя пермаллоя 3 под подложку 1 подводят испаритель 2 немагнитного материала и осаждают на ней немагнитную прослойку 4 (см. фиг. 2) необходимой толщины, например 10-30 нм, Затем на немагнитную прослойку 4 осаждают второй слой пермаллоя 5, повернув предварительно подложку на угол α(см. фиг. 1). Предпочтительным является угол α= 90о.
Изменение направления ориентирующего поля можно проводить либо путем поворота подложки относительно намагничивающего устройства, либо путем поворота последнего относительно подложки. Возможно также использование намагничивающего устройства с двумя парами катушек Гельмгольца, оси которых повернуты на соответствующий угол. Обе пары катушек электрически независимы и включаются попеременно, задавая различные направления осей легкого намагничивания в смежных ферромагнитных осях 3 и 5.
После того, как на подложке сформирован сплошной слой композитного магниторезистивного материала, подложки 1 охлаждают до комнатной температуры, извлекают ее из камеры и проводят формообразование элемента при помощи известных приемов фотолитографии. При этом в процессе формообразования продольную геометрическую ось ферромагнитных полосок ориентируют в пределах указанного угла преимущественно по его биссектрисе. Формообразование можно проводить непосредственно в процессе осаждения, используя маску, накладываемую на подложку.
При использовании в качестве немагнитной пpослойки диэлектрика проводят нанесение слоев-перемычек.
Таким образом, в результате реализации предлагаемого способа на подложке формируют полоски композитного материала с перекрещенными осями легкого намагничивания в смежных слоях, причем угол между осями в этих слоях составляет 0о< α<180о, а продольная геометрическая ось оказывается ориентированной в пределах указанного угла.
После этого к концам полоски припаивают (приваривают) проволочные проводники (на чертежах не показаны), которые подключают к измерительной схеме. На концах полоски можно сформировать контактные площадки 6 (см. фиг. 3) для присоединения проволочных проводников.
Полученный при помощи предлагаемого способа магниточувствительный полосковый элемент работает следующим образом.
В отсутствие измеряемого поля векторы намагниченности IS1 и IS2 в ферромагнитных слоях 3 и 5 (см. фиг. 2,4) располагаются параллельно осям легкого намагничивания обоих слоев соответственно, составляя таким образом между собой угол 0о< α< 180о. Поскольку продольная геометрическая ось полоски ориентирована по биссектрисе угла α, то угол между рабочим током
Figure 00000001
, текущим вдоль этой оси, и вектором IVecS1 (или IVecS2) θо= α/2. Если измеряемое поле
Figure 00000002
ориентировано, например, навстречу продольным компонентам IVecS1ll и IVecS2ll векторов намагниченности IVecS1 и IVecS2 (см. фиг. 2 и 4б), то они повернутся, причем угол между IVecS1 (или IVecS2) и
Figure 00000003
составит θ1. Сопротивление слоев пермаллоя при этом изменится (например, уменьшится на величину ΔR), а падение напряжения на элементе - на ΔU (см. фиг. 5, кривая I). При ориентации измеряемого поля -HVecх (см. фиг. 4в) в противоположном направлении векторы IVecS1 и IVecS2 повернутся в другую сторону, а угол между ними и
Figure 00000004
уменьшится и составит θ2, что приводит к увеличению ΔR и соответственно к увеличению ΔU (см. фиг. 5, кривая II). Таким образом, элемент, изготовленный по предлагаемому способу, проявляет способность определять не только напряженность измеряемого поля, но и его направление, причем это свойство достигается без использования поля смещения. (56) Патент США N 4686472, кл. G 01 R 33/02, 1985.

Claims (1)

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ПОЛОСКОВОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО КОМПОЗИТНОГО МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО МАТЕРИАЛА, включающий нанесение на подложку, размещенную в ориентирующем магнитном поле, направленном вдоль плоскости подложки, ферромагнитных магниторезистивных слоев и немагнитных прослоек между ними, а также формирование полоскового элемента, отличающийся тем, что, с целью улучщения метрологических возможностей элемента, нечетные слои наносят на подложку при любом заданном направлении ориентирующего магнитного поля относительно сторон подложки, перед нанесением каждого четного слоя направление ориентирующего поля изменяют на угол α в пределах 0o << α << 180o , а при формировании полоскового элемента его продольную геометрическую ось ориентируют по биссектрисе угла α .
SU4832485 1990-05-29 1990-05-29 Способ изготовления магниточувствительного полоскового элемента на основе тонкопленочного композитного магниторезистивного материала RU1764423C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4832485 RU1764423C (ru) 1990-05-29 1990-05-29 Способ изготовления магниточувствительного полоскового элемента на основе тонкопленочного композитного магниторезистивного материала

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4832485 RU1764423C (ru) 1990-05-29 1990-05-29 Способ изготовления магниточувствительного полоскового элемента на основе тонкопленочного композитного магниторезистивного материала

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1764423C true RU1764423C (ru) 1994-05-30

Family

ID=30441812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4832485 RU1764423C (ru) 1990-05-29 1990-05-29 Способ изготовления магниточувствительного полоскового элемента на основе тонкопленочного композитного магниторезистивного материала

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1764423C (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3017061B2 (ja) ブリッジ回路磁界センサー
EP1399748B1 (en) Semimanufacture for a sensor for measuring a magnetic field
US7064937B2 (en) System and method for fixing a direction of magnetization of pinned layers in a magnetic field sensor
KR100687513B1 (ko) 박막자계센서
JP3465059B2 (ja) 磁化反転導体と一又は複数の磁気抵抗レジスタとからなる磁界センサ
US7495624B2 (en) Apparatus for detection of the gradient of a magnetic field, and a method for production of the apparatus
JP3949745B2 (ja) 磁気センサおよびその製造工程
US7145331B2 (en) Magnetic sensor having a closed magnetic path formed by soft magnetic films
WO2003107025A1 (en) Dual axis magnetic sensor
JPH10256620A (ja) 巨大磁気抵抗効果素子センサ
JP3560821B2 (ja) 巨大磁気抵抗効果素子を備えたエンコーダ
JPH11513128A (ja) 磁気抵抗ブリッジを有する磁場センサ
JPH11505966A (ja) 磁気抵抗性ブリッジ素子のブリッジ回路を有する磁界センサ
JP2005529338A (ja) 荷電粒子の流れを測定するためのセンサおよび方法
JP2000514920A (ja) 薄層磁界センサー
JPH09503297A (ja) 磁気抵抗テープを含む電流センサ及びその製造方法
JP2005183614A (ja) 磁気センサ
RU1764423C (ru) Способ изготовления магниточувствительного полоскового элемента на основе тонкопленочного композитного магниторезистивного материала
EP0777212B1 (en) Magnetometric sensor with two magnetically isolated regions formed of spin-polarized materials and magnetic head using the same
JP4237855B2 (ja) 磁界センサ
JP2000091664A (ja) 磁気デバイス
JPH07248365A (ja) 磁気・磁気方位センサ及び磁気・磁気方位測定方法
JP3067278B2 (ja) 磁気センサ
JP4069419B2 (ja) 磁気インピーダンス素子
JPH0329875A (ja) 強磁性体磁気抵抗素子