RU162125U8

RU162125U8 - Полупроводниковый излучатель

Info

Publication number: RU162125U8
Application number: RU2015131610U
Authority: RU
Inventors: Юрий Владимирович Курнявко; Андрей Викторович Иванов; Дмитрий Сергеевич Исаев; Владимир Дмитриевич Курносов; Александр Иванович Леонович; Владимир Николаевич Дроздовский
Priority date: 2015-07-30
Filing date: 2015-07-30
Publication date: 2016-07-27
Also published as: RU162125U1

Abstract

1. Полупроводниковый излучатель, содержащий диодную линейку на основе лазерной гетероструктуры с p-n переходом, имеющую чередующуюся последовательность из активной и пассивной секций, причем каждая пассивная секция находится между активными секциями, а также имеющую изолирующие покрытия и контактные слои, а также содержащий контактную пластину, являющуюся теплоотводом, на котором находится диодная линейка стороной p-типа проводимости и содержащий электрические контактные выводы, отличающийся тем, что каждая пассивная секция последовательности имеет среднюю часть из той же лазерной гетероструктуры, две области, продолжающие соседние активные секции вдоль p-n перехода, каждая длиной не менее 2-3 диффузионных длин электронов, инжектированных в p-n переход током накачки при работе излучателя, а также два углубления между каждой боковой стороной средней части и соседней с ней упомянутой областью, причем толщины средней части и упомянутых областей пассивной секции одинаковы, а контактный слой находится на всей поверхности чередующейся последовательности активных и пассивных секций.2. Полупроводниковый излучатель по п. 1, отличающийся тем, что все части пассивной секции имеют изоляционное покрытие.3. Полупроводниковый излучатель по п. 1, отличающийся тем, что диодная линейка является лазерной.4. Полупроводниковый излучатель по п. 1, отличающийся тем, что диодная линейка является суперлюминесцентной.

Claims

1. Полупроводниковый излучатель, содержащий диодную линейку на основе лазерной гетероструктуры с p-n переходом, имеющую чередующуюся последовательность из активной и пассивной секций, причем каждая пассивная секция находится между активными секциями, а также имеющую изолирующие покрытия и контактные слои, а также содержащий контактную пластину, являющуюся теплоотводом, на котором находится диодная линейка стороной p-типа проводимости и содержащий электрические контактные выводы, отличающийся тем, что каждая пассивная секция последовательности имеет среднюю часть из той же лазерной гетероструктуры, две области, продолжающие соседние активные секции вдоль p-n перехода, каждая длиной не менее 2-3 диффузионных длин электронов, инжектированных в p-n переход током накачки при работе излучателя, а также два углубления между каждой боковой стороной средней части и соседней с ней упомянутой областью, причем толщины средней части и упомянутых областей пассивной секции одинаковы, а контактный слой находится на всей поверхности чередующейся последовательности активных и пассивных секций.

2. Полупроводниковый излучатель по п. 1, отличающийся тем, что все части пассивной секции имеют изоляционное покрытие.

3. Полупроводниковый излучатель по п. 1, отличающийся тем, что диодная линейка является лазерной.

4. Полупроводниковый излучатель по п. 1, отличающийся тем, что диодная линейка является суперлюминесцентной.