RU1610927C - Device for coating in vacuum - Google Patents

Device for coating in vacuum

Info

Publication number
RU1610927C
RU1610927C SU4643969A RU1610927C RU 1610927 C RU1610927 C RU 1610927C SU 4643969 A SU4643969 A SU 4643969A RU 1610927 C RU1610927 C RU 1610927C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
coating
electrodes
discharge chamber
quality
substrates
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
И.Ш. Абдуллин
И.Г. Гафаров
В.С. Желтухин
М.Я. Иванов
Original Assignee
Научно-производственное объединение "Мединструмент"
Научно-Производственное Объединение Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-производственное объединение "Мединструмент", Научно-Производственное Объединение Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ filed Critical Научно-производственное объединение "Мединструмент"
Priority to SU4643969 priority Critical patent/RU1610927C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1610927C publication Critical patent/RU1610927C/en

Links

Abstract

Изобретение относитс  к нанесению покрытий в вакууме. Целью изобретени   вл етс  повышение качества наносимых покрытий и расширение функциональных возможностей устройства. Устройство содержит разр дную камеру с расположенными на ней кольцевыми электродами, внутри которой на графитовом блоке расположены подложки, а также узел подачи реагентов и систему откачки. При подаче высокочастотного напр жени  от генератора на электроды между электродами возникает высокочастотный емкостный разр д. Изобретение позвол ет получать качественные покрыти  как химическим путем, так и с помощью распылени . 1 ил.The invention relates to vacuum coating. The aim of the invention is to improve the quality of the applied coatings and expand the functionality of the device. The device comprises a discharge chamber with ring electrodes located on it, inside of which substrates are located on the graphite block, as well as a reagent supply unit and a pumping system. When the high-frequency voltage from the generator is applied to the electrodes between the electrodes, a high-frequency capacitive discharge occurs. The invention allows to obtain high-quality coatings both chemically and by spraying. 1 ill.

Description

Изобретение относитс  к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано дл  получени  тонких пленок.The invention relates to vacuum coating and can be used to produce thin films.

Целью изобретени   вл етс  повышение качества наносимых покрытий и расширение функциональных возможностей устройства.The aim of the invention is to improve the quality of the applied coatings and expand the functionality of the device.

На чертеже изображено устройство дл  нанесени  покрытий.The drawing shows a device for coating.

Устройство состоит из кварцевой камеры 1, внешних кольцевых высокочастотных электродов 2, высокочастотного генератора 3, графитового блока 4, узла 5 подачи плаз- мОобразующего газа и наносимого материала , системы 6 откачки. На графитовом блоке располагаютс  подложки 7.The device consists of a quartz chamber 1, external ring high-frequency electrodes 2, a high-frequency generator 3, a graphite block 4, a plasma-forming gas and applied material supply unit 5, and a pumping system 6. On the graphite block are substrates 7.

Устройство работает следующим образом .The device operates as follows.

В зависимости от требуемого технологического процесса нанесени  покрыти  система 6 откачки обеспечивает в разр днойDepending on the required coating process, the pumping system 6 provides a discharge

камере давление от 1 до 500 Па, а узел 5 подачи - необходимый расход плазмообра- зующего газа и наносимого материала. Материал , наносимый на подложку, может подаватьс  в твердой, жидкой и газовой фазе . При подаче высокочастотного напр жени  от генератора 3 на электрод 2 между электродами в области 8 возникает высокочастотный емкостный разр д.the chamber pressure is from 1 to 500 Pa, and the supply unit 5 is the required flow rate of the plasma-forming gas and the applied material. The material applied to the substrate can be supplied in solid, liquid and gas phase. When a high-frequency voltage is applied from the generator 3 to the electrode 2, a high-frequency capacitive discharge occurs between the electrodes in region 8.

Напр женность магнитного пол  разр да на оси разр дной камеры равна нулю, к стенкам разр дной камер возрастает, достигает своего максимума, а затем уменьшаетс . Максимальное значение напр женности магнитного пол  достигаетс  на рассто нии 0,6-0,8 радиуса разр дной камер от ее оси.The magnetic field strength of the discharge on the axis of the discharge chamber is zero, increases towards the walls of the discharge chamber, reaches its maximum, and then decreases. The maximum value of the magnetic field strength is reached at a distance of 0.6-0.8 of the radius of the discharge chamber from its axis.

При размещении графитового блока в разр дной камере в зоне максимальной напр женности магнитного пол  (т.е. на рас- стО нии 0,6-0,8 радиуса разр дной камер от ее оси) вихревые токи, возникающие в граОWhen a graphite block is placed in the discharge chamber in the zone of maximum magnetic field strength (i.e., at a distance of 0.6-0.8 radius of the discharge chamber from its axis), eddy currents arising in

iM«hiM “h

о о юoh oh

VIVI

фиговом блоке, нагревают его и наход щ11- ес  на нем подложки. Это позвол ет осуществл ть очистку поверхности подложки до нанесени  покрыти , проводить термообработку пол -ченного покрыти . Выбор зоны размещени  графитового блока а разр дной камере, равной 0,&-0,8 радиуса разр дной камеры от ее оси, обусловлен максимальным тепловыделением в данной зоне. При этом одновременно с обычной термообработкой происходит и обработка в плазме высокочастотного емкостного разр да, что позвол ет реализовать комбинированную обработку. Пример конкретного выполнени . - В разр дную камеру 1 помещают подложки 7 из стали марки 40X13, после чего производ т откачку форвакуумными насосами до достижени  давлени  1 П.fig block, heat it and the substrates on it. This allows the surface of the substrate to be cleaned before coating is applied, and heat treatment of the polished coating is carried out. The choice of the location zone of the graphite block and the discharge chamber equal to 0, & -0.8 radius of the discharge chamber from its axis, is due to the maximum heat release in this zone. In this case, simultaneously with conventional heat treatment, plasma processing of a high-frequency capacitive discharge takes place, which allows implementing combined processing. An example of a specific implementation. - In the discharge chamber 1, substrates 7 are made of steel grade 40X13, after which they are pumped by fore-vacuum pumps until a pressure of 1 P. is reached.

Через узел 5 подачи подают плазмооб- разующий газ, представл ющий собой смесь аргонас кислородом. На электроды 2 подаетс  ВЧ-Г1оле, в р взультате чего возникает ВЧ-емкостный разр д, с помощью которого и термонагрева графитового блока 4 пpoизвoдиtc  очистка подложки в течение 5-10 мин. Затем ультрадисперсный порошок подаетс  в область 8 емкостного разр да и под комплексным воздействием низкотемпературной плазмы и термонагрева происходит его сублимаци , в результате пары наносимого материала осаждаютс  на поверхность ибдйожки со скоростью (5-10) Ю А c Одновременно с ростомA plasma-forming gas, which is a mixture of argonas oxygen, is supplied through the supply unit 5. An RF-G1ole is applied to the electrodes 2, as a result of which an RF capacitive discharge arises, by which the thermal heating of the graphite block 4 results in the substrate being cleaned for 5-10 minutes. Then the ultrafine powder is supplied to the region 8 of the capacitive discharge, and under the combined action of low-temperature plasma and thermal heating, its sublimation takes place, as a result, pairs of the deposited material are deposited on the surface of the bag at a rate of (5-10) 10 A c Simultaneously with growth

толщины покрыти  происходит непрерывно обработка растущей пленки ВЧ.-плазмой. После получени  заданной толщины пленки в течение 5 мин происходит ее плазменна of the thickness of the coating, the growing film is continuously treated with RF plasma. After obtaining the specified film thickness for 5 min, its plasma occurs

обработка с целью повышени  качества покрыти .processing to improve coating quality.

Изобретение позвол ет в едином цикле проводить напыление пленок, очистку подложки и получаемой пленки, термообработ«су после нанесени  покрыти .The invention allows for the deposition of films in a single cycle, the cleaning of the substrate and the resulting film, and heat treatment after the coating is applied.

Устройство позвол ет реализовать получение покрытий как химическим путем, так и с помощью физического распылени . Кроме того, возможна обработка послойна  иThe device makes it possible to obtain coatings both chemically and by physical spraying. In addition, layering and

после получени  покрыти  дл  повышени  качества покрыти  и уменьшени  пористо- cw.after coating to improve coating quality and reduce porous cw.

Формул а и 3обретени  Устройство дл  нанесени  покрытий вFormulas and 3 inventions Coating device

вакууме, содержащее цилиндрическую разр дную камеру; графитовый блок, с размещенными на нем подложками, узел подачи реагентов, системы откачки и ВЧ-генератор, отличающеес  тем, что, с цельюa vacuum containing a cylindrical discharge chamber; graphite block, with substrates placed on it, a reagent supply unit, a pumping system and an RF generator, characterized in that, for the purpose of

пйвышени  качества покрыти  и расшире- ни  функциональных возможностей, с в(1ешней стороны разр дной камеры установлены подключены к КЧ-генератору два соосных с ней емкостных электрода, а подложки расположены на рассто нии L от оси цилиндрической камеры, выбранном из выражении L 0,6-0,8R, где R - радиус основани  разр дной камеры, м.To increase the quality of the coating and to expand the functionality, two capacitive electrodes coaxial with it are connected to the RF generator on the first side of the discharge chamber, and the substrates are located at a distance L from the axis of the cylindrical chamber selected from the expression L 0.6 -0.8R, where R is the radius of the base of the discharge chamber, m.

//

SU4643969 1988-12-16 1988-12-16 Device for coating in vacuum RU1610927C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4643969 RU1610927C (en) 1988-12-16 1988-12-16 Device for coating in vacuum

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4643969 RU1610927C (en) 1988-12-16 1988-12-16 Device for coating in vacuum

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1610927C true RU1610927C (en) 1993-04-30

Family

ID=21425778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4643969 RU1610927C (en) 1988-12-16 1988-12-16 Device for coating in vacuum

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1610927C (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2474094C1 (en) * 2011-06-23 2013-01-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный технологический университет" Device to produce high-frequency capacitance gas discharge

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US 3562142, кл. 204-298, 1972. Кэлиш И.Х. Микроминиатюрна , электроника, М.; Энерги , 1975, с. 100, 112. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2474094C1 (en) * 2011-06-23 2013-01-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный технологический университет" Device to produce high-frequency capacitance gas discharge

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3070037B2 (en) Method of attaching barrier film to three-dimensional article
US4342631A (en) Gasless ion plating process and apparatus
TW469534B (en) Plasma processing method and apparatus
JPS5713174A (en) Reactive sputtering method
US5366579A (en) Industrial diamond coating and method of manufacturing
JP2000510910A (en) Method and apparatus for treating the inner surface of a container
RU1610927C (en) Device for coating in vacuum
JPS6244576A (en) Apparatus for treatment by electric discharge reaction with plural electrodes
JPH03241739A (en) Atmospheric pressure plasma reaction method
JPS56123377A (en) Plasma cleaning and etching method
RU2670249C1 (en) Reactor for plasma processing of semiconductor structures
JPS6314422A (en) Plasma chemical vapor desposition method
JPS5710937A (en) Plasma gaseous phase growth device
JPH0111721Y2 (en)
JPH0418456B2 (en)
JP2537822B2 (en) Plasma CVD method
JPS62174383A (en) Thin film deposition device
RU2192685C2 (en) Device for plasma-chemical deposition of materials from gas phase
JPH03202467A (en) Device for processing base material by high-frequency plasma
JPS62278263A (en) Formation of functional thin tin film
EP0032709A3 (en) Apparatus and method for the (patterned) coating of a substrate by cathodic sputtering and use thereof
JPS62287079A (en) Plasma cvd apparatus
JPS5523085A (en) Production of silicon film
JPH07100856B2 (en) Method for forming tin thin film
GB2286200A (en) Plasma treatment of substrates having non planar surfaces; contoured electrodes