RU1522792C - Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ - Google Patents
Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @Info
- Publication number
- RU1522792C RU1522792C SU4384959A RU1522792C RU 1522792 C RU1522792 C RU 1522792C SU 4384959 A SU4384959 A SU 4384959A RU 1522792 C RU1522792 C RU 1522792C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solvent
- single crystals
- cuo
- cooling
- temperature superconducting
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе метал- лооксидов и может быть использовано при разработке новых приборов микроэлектроники. Обеспечивает увеличение выхода монокристаллов. Способ включает нагрев кристаллообразующих оксидов и растворител , выдержку раствора-расплава и последующее охлаждение. Растворитель содержит оксид бари и меди в мол рном соотношении (0,4 - 0,5) ВаО : СиО. Криааллообразующие оксиды берут в соответствии с составом RBa Си О при их соотношении с растворителем (мол.%) 73 - 75 25 - 27. Нагрев ведут до 1280 - 1290° С, выдержку - в течение 8 - 10 ч, а охлаждение - до 1140 - 1150° С со скоростью 2 - 3°С/ч Выход монок- риааллов составил -7,6% 7,6% при их размерах до 1 х1 хО,мм. 3 ил. 1 табл.
Description
Изобретение относитс к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидов и может быть использовано при разработке новых приборов микроэлектроники.
Цель изобретени - увеличение выхода монокристаллов.
Способ реализуют на стандартном ростовом оборудовании следующим образом.
Смешивают исходные компоненты ок- сидов в указанном соотношении, нагревают смесь до 1280-1290°С, выдерживают расплав в течение 8-10 ч, затем охлаждают до 1150-1140°С со скоростью 2-3°С/ч и до комнатной температуры.
Пример 1. Выращивание монокристаллов УВа2Сиз07-(5.
В платиновый цилиндрический тигель диаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г: У20з - 41,78; ВаСОз 159,16; СиО 99,06, что соответствует составу, мол.%: 73 УВа2Сиз07-б и 27 (0,5 ВаО - СиО).
Тигель с шихтой в количестве 300 г помещают в электропечь сопротивлени стер- морегул торомтипа РИФ-101. Нагревают со скоростью 80°С/ч до 1290°С, при этом шихту расплавл ют и расплав выдерживают 10 ч дл полной гомогенизации. Затем охлаждают со скоростью 2,5°С/ч до 1150°С и далее охлаждают со скоростью 100°С/ч до комнатной температуры. Кристаллы извлекают механическим путем, отдел их от застывшего расплава. Выход монокристаллов составл ет 6,5%. Размеры кристаллов УВа2Сиз07-ч5 0,6 X 0,6 х 0,2 мм, 1,2 х 1,2 х хО,3 мм, 2,5 X 2,5 х 0,4 мм.
На фиг. 1 приведена фотографи отдельного монокристалла УВа2Сиз07-б ; на фиг.2 показан монокристалл УВа2Сиз07-(5 размером 2,5 мм в растворе-расплаве на фоне линейки; на фиг.З приведена зависимость температуры от частоты ВЧ-контура генератора ЛТрез с монокристаллом УВа2Сиз07- 5 при сверхпровод щем переходе . Температура сверхпровод щего перехода Тс составл ет 94К, ширина перехода АТ 1,5К.
Пример 2, Выращивание монокри- сталлов GdBa2Cu307-(5.
В платиновый цилиндрический тигель диаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, (г): Gd203 51,84; ВаСОз 122,26; СиО - 75,90, что соответст- вует составу, мол.%: 75 УВа2Сиз07- 5, 25 (0,5 ВаО - СиО).
Тигель с шихтой массой 250 г помещают р электропечь сопротивлени с терморегу- п втором типа РИФ-101. Нагревают со скоростью 80°С/ч до 1280°С, при этом шихту расплавл ют и расплав выдерживают 10 ч дл полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3°С/ч до 1140°С и далее охлаждают со скоростью 100°С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отдел ют от застывшего расплава механическим путем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 х хО,3 мм, 2,3 X 2,3 X 0,4 мм. Выход монокристаллов составл ет 7,6%, что намного превосходит выход кристаллов по способу-прототипу ( 1%).
Пример 3. Выращивание монокристаллов NdBa2Cu07- 5.
В платиновый цилиндрический тигель диаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Nd20339,08; ВаСОз 99,28; СиО 61,64, что соответствует составу, мол.%: 75 Nd ВааСизОт-(5, 25 (0,5 ВаО - СиО).
Тигель с шихтой массой 200 г помещают в электропечь сопротивлени с терморегул тором типа РИФ-101. Нагревают со скоростью 80°С/ч до 1280°С, при этом шихту расплавл ют и расплав выдерживают 8 ч дл полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 2°С/ч до 1140°С и далее охлаждают со скоростью 100°С до комнатной температуры. Монокристаллы отдел ют от застывшего расплава механическим путем . Размеры монокристаллов 1 х 1,2 х 0,5 мм .
В таблице приведены сравнительные данные режимов выращивани и свойств высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов, полученных по предлагаемому спосрбу и способу-прототипу и аналогу .
Примеры реализации способа и сравнение значений параметров, приведенных в таблице, показывают, что предложенный способ выращивани монокристаллов обеспечивает достижение поставленной цели и по сравнению с аналогом и прототипом (примеры 16 и 17)увеличивает выход годных кристаллов в 6-8 раз..
Параметры монокристаллов оптимальны (Тс 94К, ДТс 1,5К) и получены в предложенных тепловых услови х выращивани монокристаллов на воздухе без дополнительной термообработки.
Выход за граничные значени предлагаемых параметров не обеспечивает достижени поставленной цели (примеры 4-6 таблицы).
(56) D.L. Kaiser, F.Holtzberg, B.Scotl. Growthof УВа2СизОх Single Crystals - Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, № 13, p.1040-1042,
Y.Hidaka, Y.Enomoto, M.Suzuki, Single Crystals Growth of (Lai-xAx)2Cu408 and
YBa2Cu307-(5 - I.Cryst. Growth, 1987, v. 85, p.581-184.
Продолжение таблицы
Claims (1)
- Формула изобретениСПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫСОКО- JQ ТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ RBa2Cu307 - б, где R - редкоземельный элемент , включающий нагрев кристаллообра- зующих оксидов и растворител , 25 содержащего СиО, выдержку полученного раствора - расплава и последующее охлаждение , отличающийс тем, что, с цельюv--Фб/2./Продолжение таблицыувеличени выхода монокристаллов, в растворитель дополнительно ввод т оксид бари в мол рном соотношении ВаО к СиО 0,4 - 0,5, кристаллообразующие оксиды берут в соответствии с составом РВааСизО при их соотношении с растворителем, мол,% : (73 - 75) : (25 - 27), нагрев ведут до 1280 - 1290 С, выдержку - в течение 8 - 10 ч, а охлаждение до 1140 - 1150 С - со .скоростью 2 - 3°С / ч.92 93ШШШШ1|1ш|иг.2. пГцио2006Q Фиг.:5I П| 80700120
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4384959 RU1522792C (ru) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4384959 RU1522792C (ru) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1522792C true RU1522792C (ru) | 1993-11-30 |
Family
ID=21358271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4384959 RU1522792C (ru) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1522792C (ru) |
-
1988
- 1988-02-29 RU SU4384959 patent/RU1522792C/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU1522792C (ru) | Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ | |
JPH062583B2 (ja) | 高温超電導体及びその製造方法 | |
RU1515789C (ru) | Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ | |
US5869432A (en) | Method for producing ceramic superconductor single crystals | |
RU2051210C1 (ru) | Высокотемпературный сверхпроводящий материал и способ его получения | |
Ciszek et al. | Single-crystal growth and low-field AC magnetic susceptometry of YBa2Cu3O7-δ, ErBa2Cu3O7-δ, and Bi2Sr2Ca0. 8Cu2O8 superconductors | |
Markl et al. | Preparation of Ln2− xCexCu1O4− δ single crystals (Ln= Nd, Sm) by a modified flux flow method | |
RU2104939C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА MBa2Cu3Q7-X | |
JPH059059A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
JP2555734B2 (ja) | 超電導物質の製法 | |
RU1526290C (ru) | Способ получени высокотемпературного сверхпровод щего материала | |
SU1733515A1 (ru) | Способ получени монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников | |
GB2308843A (en) | Single crystals of ceramic superconductors | |
JP2000247795A (ja) | Re123系酸化物超電導バルク体の作製方法 | |
JP2589087B2 (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
Demianets et al. | Growth of high-temperature superconductor crystals from flux | |
JP2852405B2 (ja) | Bi▲下2▼(Sr,Ca)▲下3▼ Cu▲下2▼ O▲下8▼単結晶の溶液引き上げ法による製造方法 | |
JPH0238359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
Tatsumisago et al. | Metal Dopants in Bi‐Pb‐Ca‐Sr‐Cu‐O High‐Tc Superconductor Thick Films Prepared by Melt Solidification | |
JPH01203257A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
Damento | Millimeter size single crystals of superconducting YBa. sub. 2 Cu. sub. 3 O. sub. | |
JPS5938197B2 (ja) | 鉛ビスマス酸バリウム単結晶の成長用溶融物 | |
JPS63291815A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
JPH04182394A (ja) | 単結晶超電導体の製造方法 | |
JPH01278449A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 |