RU1515789C - Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ - Google Patents
Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @Info
- Publication number
- RU1515789C RU1515789C SU4384961A RU1515789C RU 1515789 C RU1515789 C RU 1515789C SU 4384961 A SU4384961 A SU 4384961A RU 1515789 C RU1515789 C RU 1515789C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition
- ratio
- carried out
- cooling
- cuo
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе метал- лооксидоп и может быть использовано при разработке новых приемов микроэлектроники Способ включает нагрев криааплообразующих оксидов и растворител выдержку попу енного растворарасплава и последующее охлаждение, обеспечивает увеличение размеров фисталлов в кристаллографическом направлении ( 001 Растсоритепь содержит оксид бари и меди в мольном соотношении (0,4 - 0,5) 8аО:СиО. Состав кристаллообразую- щих оксидов соответствует составу RBa Sr Си О где X 0,25 - 1,75, а их отношение к р стпорителю равно, мол%: 73-75 25-27. Нагрев ведут до 1250-1260°С выдержку в течение 8-10 ч а охлаждение со скоростью 2-3 град/ч Получены кристалпы с соотношением длин вдоль оси с и а равным -0,9 что в несколько раз больше в сравнении с известным способом. 2 ил. 1 табл
Description
Изобретение относитс к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидов и может быть использовано при разработке новых приборов микроэлектроники.
Целью изобретени вл етс увеличение размеров кристаллов в кристаллографическом направлении 001.
Способ реализуют на стандартном ростовом оборудовании и он включает следующую последовательность операций: смешивают исходные компоненты оксидов в заданном соотношении: нагревают смесь до 1250-1260°С: выдерживают расплав в течение 8-10 ч: охлаждают до 1110-1 lOO C со скоростью 2-3 С/ч, охлаждают до комнатной температуры.
Пример 1. Выращивание монокристаллов УВа2-х8гхСиз07- 5.
В платиновый цилиндрический тигель диаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г: УгОз 36,88: ВаСОз 89.59: ЗгСОз 36.10: СиО 87.43. что соответствует составу. мол.%: 73% .75Сиз07- $и 27% (0-5 BaO-CuO).
Тигель с шихтой в количестве 250 г помещают в электропечь сопротивлени с терморегул тором типа РИФ-ЮГ, нагревают со скоростью до 1260°С. при этом расплавл ют шихту и расплав выдерживают 8 ч, дл полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 2°С/ч до температуры . а затем охлаждение ведут со скоростью до комнатной температуры . Кристаллы иэвг- кают механическим путем. Размеры монокристаллов 1.2 х 1.1 х х1 мм. вдоль оси с размер составл ет 1мм. отношение размера вдоль оси с к размеру вдоль оси а составл ет 0.9.
Пример 2. Выра щивание монокристаллов НоВа2-х5гхСиз07-- 5
В платиновый цилиндрический тигель диаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г: НогОз 56.0: ВаСОз 82.70: ЗгСОз 32.78: СиО 78.52. что соответствует составу. мол.%: 75% HoSro.75Bai,25Cu3 и 25% (0.5 ВаО - СиО).
Тигель с шихтой весом 250 г помещают в электропечь сопротивлени с терморегул тором +РИФ-10Г. Нагревают со скоростью до 1250°С. при этом расплавл ют шихту и расплав выдерживают 10 ч до полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 2®С/ч до 1100°С, а затем охлаждение ведут со скоростью 100°С/ч до комнатной температуры. Кристаллы извлекают механическим путем из застывшего расплава.
Размеры монокристаллов составл ют 0.7 X 0.7 X 0.6 мм. вдоль направлени оси с размер составл ет 0.6 мм. отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а
составл ет 0.86.
Пример 3. Выращивание монокристаллов ldBa2-xSrxCu307-d.
В платиновый цилиндрический тигель диаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г: агОз 53.15: ВаСОз 96.94: ЗгСОз 21.66: СиО 78.25: что соответствует составу. мол.%: 74% ldBai,5Sro.5Cu307-d и 26% (0.5 ВаО - СиО). Тигель с шихтой весом 250 г помещают в электропечь сопротивлени с терморегул тором типа РИФ-101. нагревают соско- ростью 80-100°С/ч до teMnepaTypu 1260 С. при этом расплавл ют и расплав выдержи- вают 8 ч дл полной гомогенизации, эатем
охлаждают со скоростью 2 С/ч до 11 . а затем охлаждение ведут со скоростью 100°С/ч до комнатной температурь). Кристаллы извлекают механическим путем. Раэмеоы кристаллов составл ют 1.2 х 1.5 х
0.8 мм, вдоль оси с размер составл ет 1 мм.
На фиг. 1 приведена фотографи полученного монокристалла УВа2-х8гхСиз07с размерами 1 х 1 х 0.9 мм: на фиг. 2 приведены температурные зависимости частоты ВЧ контура автогенератора с получен- ными монокристаллами: крива 1 - YVa2-xSrxCu307-45 . крива
2 - Н о В а2-х5гхСиз07- . при сверхпровод щих переходах.
В таблице приведены сравнительные данные режимов выращивани и свойств высокотемпературных сверхпровод щих
монокристаллов YBa2-xSrxCu307- J по предлагаемому и известным способам.
Примеры реализации способа и сравнение значений параметров, приведенных в таблице, показывает, что предложенный
способ выращивани обеспечивает достижени поставленной цели и по сравнению с известными способами (примеры 14 и 15) увеличение в несколько раз размеров моно- .кристаллов в кристаллографическом направлении 001. Дл прототипа отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составл ет 0.16. а дл предлагаемого способа 0.9.
Параметры монокристаллов
УВа2-х5гхСиз07--д.НоВа2-х5гхСиз07-д оптимальны (температура сверхпровод щего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены без дополнительной термообработки . Ширина сверхпровод щего перехода ДТс меньше, чем в кристаллах, полученных известным способом.
Выход за граничные значени за влен (56) D.L.Kalser, F.Hottzberd, B.Scotl. Growth of УВа2СизОх Single Crystals. - Appl.Phys. Lett., 1987, V.51, № 13, p.1040-1042.
Y.HIdaka. Y.Enomoto, M.Suzuki. Single
НЫХ параметров не обеспечивает достиже- 5 Crystals Crowth of (Lai xAx Cu/iOe and НИЯ поставленной цели: примеры 5-12 УВазСизО - J.Cryst. Growth, 1987. v.85, таблицы.p.581-584.
(56) D.L.Kalser, F.Hottzberd, B.Scotl. Growth of УВа2СизОх Single Crystals. - Appl.Phys. Lett., 1987, V.51, № 13, p.1040-1042.
Y.HIdaka. Y.Enomoto, M.Suzuki. Single
Продо жсни г бпици
Claims (1)
- Формула изобретениСПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ЯВазСизОг-б, где R - редкоземельный эле- мент, включающий нагрев кристаллообра- зующих оксидов и растворител , содержащего СиО, выдержку полученного раствора - расплава и последующее охлаж- дение, отличающийс тем, что, с целью увеличени размеров кристаллов в криЛ fps3. /ff u,ISO100г,псталлографическом направлении 001, в растворитель дополнительно ввод т оксид бари в мол рном отношении: (0,4 - 0,5) ВаО : СиО, а в состав кригталлообразую- щих оксидов добавл ют оксид стронци в количестве, соответствующем составу: РВаг-хЗгхСизОу, где х 0,25 1,75, соотношение кристаллообразующих оксидов и растворител берут равным, мол.%: 73 - 75 : 25 - 27, нагрев ведут до 1250 - 1260 С. выдержку - в течение 8 - 10 ч, а охлаждение - со скоростью 2 - З С / ч., ,1...1
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4384961 RU1515789C (ru) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4384961 RU1515789C (ru) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1515789C true RU1515789C (ru) | 1993-11-30 |
Family
ID=21358272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4384961 RU1515789C (ru) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1515789C (ru) |
-
1988
- 1988-02-29 RU SU4384961 patent/RU1515789C/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5999833A (en) | Method for production of superconducting oxide tape and superconducting oxide tape produced thereby | |
RU1838242C (ru) | Способ получени сверхпровод щего соединени | |
RU1515789C (ru) | Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ | |
JPH062583B2 (ja) | 高温超電導体及びその製造方法 | |
RU1522792C (ru) | Способ выращивани высокотемпературных сверхпровод щих монокристаллов на основе @ | |
US5314869A (en) | Method for forming single phase, single crystalline 2122 BCSCO superconductor thin films by liquid phase epitaxy | |
Nassau et al. | Crystallization of a rapidly quenched high Tc Bi-containing glass composition | |
EP0324660A2 (en) | Novel superconductors and processes for their preparation | |
RU2051210C1 (ru) | Высокотемпературный сверхпроводящий материал и способ его получения | |
US5981442A (en) | Neodymium-barium-copper-oxide bulk superconductor and process for producing the same | |
RU2104939C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА MBa2Cu3Q7-X | |
JPH059059A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
JP2733197B2 (ja) | 希土類元素含有単結晶の製造方法 | |
US7008906B2 (en) | Oxide high-critical temperature superconductor acicular crystal and its production method | |
JPH0733434A (ja) | RE1 Ba2 Cu3 O7−x 系酸化物超電導体の製造方法 | |
RU2090665C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ BI2Sr2CaCu2O8 | |
RU1526290C (ru) | Способ получени высокотемпературного сверхпровод щего материала | |
JPH0333055A (ja) | 酸化物超電導材料とその製造方法 | |
JPH0238359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
EP0444901A2 (en) | Tl-Ba-Ca-Cu-O superconducting materials having levitating properties and processes for their preparation | |
SU1733515A1 (ru) | Способ получени монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников | |
JP2557882B2 (ja) | 超伝導酸化物単結晶の成長方法 | |
Goodilin et al. | Modified melt techniques for high Jc YBCO preparation | |
Tatsumisago et al. | Metal Dopants in Bi‐Pb‐Ca‐Sr‐Cu‐O High‐Tc Superconductor Thick Films Prepared by Melt Solidification | |
JP2000247795A (ja) | Re123系酸化物超電導バルク体の作製方法 |